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SSD的寿命主要取决于其闪存类型和性能指标。
在闪存类型上，SSD主要分为SLC（单层单元）、MLC（多层单元）、TLC（三层单元）和QLC（立体堆叠多层存储单元）。
其中，SLC结构简单，速度快、寿命长，但同容量的价格在上述类型中最高；MLC速度适中，价格比SLC便宜不少，但寿命较短；TLC每个单元存放数据比SLC多3倍，比MLC多1/2，速度比MLC要慢，擦写寿命短；QLC单位存储密度更大，达到TLC的2倍存储密度，单颗芯片的容量自然比较高，但其电压更难控制，写入速度比TLC更慢，可靠性、稳定性及擦写寿命比TLC也更差。
在性能指标上，衡量SSD寿命主要有两个指标：一是DWPD （Drive Writes Per Day），即在SSD保质期内，用户每天可以把盘写满多少次；另一指标是TBW（Terabytes Written），在SSD的生命周期内可以写入的总的字节数。
以上内容仅供参考，如需更多信息，可咨询专业的电脑技术人员。
了解电脑闪存存储器选择适合自己需求的闪存设备电脑闪存存储器是现代电子设备中常用的存储介质之一。
随着科技的不断进步，电脑闪存设备也日益丰富多样。
在选择合适的闪存设备时，我们需要了解不同类型的闪存存储器以及它们的特点和适用场景。
本文将向读者介绍一些常见的电脑闪存设备，并提供一些建议以帮助读者选择适合自己需求的闪存设备。
1. 传统硬盘驱动器传统硬盘驱动器是电脑存储器中最传统的一种形式。
它采用机械结构来存储和读取数据。
传统硬盘驱动器具有较大的存储容量和相对较低的成本，适用于存储大量的文件和数据。
然而，它的机械结构也导致了较慢的读写速度以及较高的能耗。
因此，如果你需要存储大量的文件或者对读写速度和能耗要求不是很高的话，传统硬盘驱动器是一个不错的选择。
2. 固态硬盘固态硬盘（Solid State Drive，SSD）也是一种常见的闪存存储器。
与传统硬盘驱动器不同，固态硬盘不含有任何移动部件，它通过内置的闪存芯片进行数据存储和读写。
固态硬盘具有极快的读写速度和较低的能耗，能够提升电脑的整体性能和响应速度。
然而，相比传统硬盘驱动器，固态硬盘的存储容量相对较小，价格也较高。
因此，如果你对电脑的读写速度和响应速度有较高要求，可以选择固态硬盘。
3. 闪存卡闪存卡是一种小型的可移动闪存设备，广泛应用于数码相机、手机和平板电脑等设备。
闪存卡具有小巧、便携的特点，容量从几十兆字节到几十或上百千兆字节不等。
闪存卡也分为不同的类型，如SD卡、MicroSD卡、CF卡等。
选择闪存卡时，首先需要确保与自己的设备兼容，并根据自己的需求选择合适的容量。
如果你需要在不同设备之间传输文件或者扩展设备的存储空间，闪存卡是一个不错的选择。
4. U盘U盘是一种常见的个人闪存设备，也是最常用的存储介质之一。
U盘具有小巧、便携的特点，容量从几十兆字节到几百千兆字节不等。
U 盘可以通过USB接口直接连接到电脑或其他设备，实现数据的存储和传输。
它的使用非常方便，只需将U盘插入设备即可读写文件。
一文知道NAND闪存的类型由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。
NAND闪存有三种主要类型：单层单元（SLC）、多层单元（MLC）和三层单元（TLC）。
顾名思义，在相同的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。
另一种新型的NAND闪存称为3DNAND或V-NAND（垂直NAND）。
通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
浮栅晶体管闪存将信息存储在由浮栅晶体管组成的存储单元中。
为了更好地理解不同类型的NAND闪存，让我们来看看浮栅晶体管的结构、工作原理及其局限。
浮栅晶体管或浮栅MOSFET（FGMOS）跟常规MOSFET非常类似，有一点不同的是它在栅极和沟道之间添加了额外的电绝缘浮栅。
图1：浮栅MOSFET（FGMOS）与常规MOSFET对比。
由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的任何电子也会被捕获。
这使得存储器具有非易失性。
与具有固定阈值电压的常规MOSFET不同，FGMOS的阈值电压取决于存储在浮栅中的电荷量。
电荷越多，阈值电压越高。
与常规MOSFET类似，当施加到控制栅极的电压高于阈值电压时，FGMOS将开始导通。
因此，通过测量其阈值电压并与固定电压电平进行比较，就可以识别存储在FGMOS中的信息。
这称为闪存的读操作。
可以使用两种方法将电子放置在浮栅中：Fowler-Nordheim隧穿或热载流子注入。
对于Fowler-Nordheim隧穿，在带负电的源极和带正电的控制栅极之间施加强电场。
这使得来自源极的电子隧穿穿过薄氧化层并到达浮栅。
隧穿所需的电压取决于隧道氧化层的厚度。
对于热载流子注入方法，高电流通过沟道，为电子提供足够的能量以穿过氧化物层并到达浮栅。
通过在控制栅极上施加强负电压，并在源极和漏极端子上施加强正电压，使用Fowler-Nordheim隧穿可以从浮栅移除电子。
Flash闪存器总体介绍闪存的英文名称是“Flash Memory”，一般简称为“Flash”，它属于内存器件的一种。
不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性（Non-V olatile）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND的存储块大小为8到32KB），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB容量的NAND 产品相当普遍，NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O 端口只有8个，比 NOR 要少多了。
这区区8个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。
再加NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR 闪存要差。
NAND闪存被广泛用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。
由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
认识闪存的分类及参数介绍我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。
闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。
因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。
这种性能特点非常值得我们留意。
NAND型闪存的技术特点内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。
而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。
浅析Flash闪存技术Flash闪存技术是一种高速、大容量、低功耗和可靠性高的非易失性存储器技术。
它是一种特殊的EPROM（可编程只读存储器）技术，在EPROM基础上加入了可编程的擦除和写入电路，使得其可以反复擦除和写入数据，实现大容量的数据存储和快速读取。
Flash技术主要分为两类：NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash适用于需要快速随机读取的应用，比如操作系统、程序代码等；而NAND Flash适用于大容量、高速顺序读取的应用，比如照片、音乐、视频等媒体文件。
下面将分别对NOR Flash和NAND Flash进行浅析。
1. NOR FlashNOR Flash是一种支持快速随机读取的闪存技术。
它可以通过地址总线和数据总线完成与CPU的数据交互。
NOR Flash内部以页为单位进行数据操作，每页大小一般为512字节至4KB，且页面之间可以随意读取。
此外，NOR Flash还具有快速的随机存取能力，可以读写单个字节，而且不需要进行擦除操作，因此更适用于存储启动代码、系统代码等需要快速读取的程序。
但是，NOR Flash的缺点也是显而易见的，其擦除和写入速度十分缓慢，而且成本较高，因此在大容量存储上一般不适用。
2. NAND FlashNAND Flash是一种适用于大容量存储的闪存技术。
它可以通过数据总线来与CPU进行数据交互，但不支持随机读写，只能顺序读写。
NAND Flash内部以块为单位进行数据操作，每个块的大小通常为128KB至4MB，且块与块之间不能随意读写，必须要进行擦除操作。
由于NAND Flash在读取块数据时，需要先进行擦除操作，因此其读写速度较慢。
然而，NAND Flash具有比NOR Flash更高的存储密度和更低的成本，因此被广泛应用于各种媒体存储中。
NAND Flash还有一些特殊的应用，比如笔记本电脑的SSD（solid state disk）硬盘、手机的内置存储等等。
一、闪存（Flash Memory）闪存是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。
），区块大小一般为256KB到20MB。
闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。
由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机、MP3和MP4中保存资料等。
二、闪存卡/闪存盘/SSD固态硬盘=闪存硬盘（Flash Card/ Flash Disk/ Solid-statedrive）闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。
闪存盘（Flash Disk）简单地说,就是闪盘,U盘,优盘。
可用来在电脑之间交换数据。
从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到2GB可选，突破了软驱1.44MB的局限性。
从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。
从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。
部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。
闪存盘外形小巧，更易于携带。
且采用支持热插拔的USB接口，使用非常方便。
闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。
与传统硬盘相比，闪存的读写速度高、功耗较低，目前市场上已经出现了闪存硬盘，也就是SSD固态硬盘，目前该硬盘的性价比进一步提升。
随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存将更多地出现在日常生活之中。
三、闪存的分类按种类可分为：U盘CF卡SM卡SD/MMC卡XD卡MS卡TF卡记忆棒SSD固态硬盘按品牌分金士顿、索尼、晟碟SanDisk、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者，纽曼，威刚，联想、台电。
固态硬盘闪存大揭秘：白片、黑片、划线片、拆机片我们在选择SSD的时候，最为关注的除了SSD主控，便是SSD 的闪存了。
SSD的闪存类型和闪存芯片级别是SSD性能的根本。
SSD的闪存类型，市场上主流的无非四种：TLC、3D TLC、MLC、3D MLC（按照闪存性能从低到高排列）。
准确的说是三种，据我所知采用3D MLC NAND的，目前市面上好像只有阿斯加特AN Series M.2 SSD 256G这一款。
据说是因为全球首发，打开销量才这样不惜血本。
SSD闪存类型没什么好说。
我们今天要讲的是，SSD闪存的芯片级别。
闪存的芯片级别分为：正片：正片闪存通过了全部产品测试，然后激光打标了产品信息。
白片：白片是在测试时部分测试未通过的闪存芯片。
这些闪存芯片再经过一些测试后，如果不影响使用，就打标并和正片一样流向市场。
由于全球晶圆紧缺，闪存价格飞涨，正片供不应求。
正片做SSD 成本高昂，而且还没货。
因此市面上主流的SSD基本上都是使用的白片闪存。
白片闪存相对正片在价格上有优势，做成SSD同样有价格优势。
在性能上，好的白片性能与正片相差无几。
白片SSD可以说是物美价廉。
既然市面上白片很普遍。
那怎样去识别白片呢？我们拿镁光的白片来说。
镁光白片，网友称之为大S或者小S。
不是徐熙媛，也不是徐熙娣，是SpecTek。
SpecTek是镁光旗下的一个子公司。
镁光的白片就是交给它来进行各种测试，在测试完毕后上市的。
测试完以后SpecT ek会给白片闪存一个物料编号。
下面是SpecTek的物料编码规则。
对于这个编码规则，大家不用了解太多。
我们稍微讲一些重点问题。
镁光的SpecTek闪存芯片，物料编码前两位只能是FN/FT/FB/FX，如果不是，可能你就遇到黑片了。
由于上面说到，镁光的白片几乎都经过SpecTek才出货的，所以我们通过识别闪存物料号的前两位，也基本上能够识别出镁光的白片和黑片了。
镁光的SpecTek闪存芯片第4位是显示闪存的类型。
闪存芯片类型闪存芯片是一种用于储存数据的半导体器件，应用广泛，包括个人电脑、手机、相机和其他电子设备。
闪存芯片具有非常高的存储密度、快速读写速度、低功耗和机械可靠性等特点，因此被广泛应用于各种嵌入式系统和消费电子产品中。
根据存储介质和存储技术的不同，闪存芯片可以分为以下几种类型：1. NOR闪存芯片：NOR闪存芯片是最早出现的闪存芯片类型之一。
它具有快速的随机存取速度和较长的寿命，适合存储程序代码和启动引导程序等，但存储密度相对较低，成本比较高。
2. NAND闪存芯片：NAND闪存芯片是目前应用最广泛的闪存芯片类型之一。
它通过并行读取和写入数据来实现高速的顺序访问，适合大容量数据存储。
相比于NOR闪存芯片，NAND闪存芯片具有更高的存储密度和较低的成本，但随机读写速度较慢。
3. SLC闪存芯片：SLC（Single-Level Cell）闪存芯片是一种将每个存储单元只存储一个比特数据的闪存芯片。
SLC闪存芯片具有更快的读写速度、更长的寿命和更好的数据可靠性，但相应地价格更高，存储密度较低。
4. MLC闪存芯片：MLC（Multi-Level Cell）闪存芯片是一种将每个存储单元存储多个比特数据的闪存芯片。
MLC闪存芯片的存储密度较高，价格相对较低，但相应地读写速度较慢，寿命和数据可靠性相对较差。
5. TLC闪存芯片：TLC（Triple-Level Cell）闪存芯片是MLC 闪存芯片的升级版，每个存储单元可以存储更多的比特数据。
TLC闪存芯片的存储密度更高，价格更低，但相应地读写速度更慢，寿命和数据可靠性相对更差。
随着技术的不断发展，闪存芯片的存储密度不断提高，读写速度不断提升，价格也不断下降。
同时，新型的闪存芯片如3D NAND闪存芯片和QLC闪存芯片等也逐渐应用于市场中，进一步提升了闪存芯片的性能和可靠性，满足了不同领域对数据存储的需求。
闪存的分类及参数介绍时间:2005-09-16 10:45 来源:中国电脑教育报作者: 我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM 两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。
闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
闪存的分类NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。
因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。
这种性能特点非常值得我们留意。
? NAND型闪存的技术特点内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。
而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。
每一页的有效容量是512字节的倍数。
所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。
目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。
闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。
一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。
但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND 型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。
由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。
NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。
随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND 型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。
而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
? 决定NAND型闪存的因素有哪些？1．页数量前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。
但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。
譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。
2．页容量每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。
前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。
页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。
我们可以举例子说明。
以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M 为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。
假设它们工作在20MHz。
读取性能NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μsK9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s。
K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs。
K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。
写入性能NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。
其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。
K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。
K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。
K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
3．块容量块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计），块的容量将直接决定擦除性能。
大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。
可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！4．I/O位宽以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。
但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。
虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。
K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为(1K+32)×16bit。
模仿上面的计算，我们可以知道：K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。
K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/sK9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。
K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。
5．频率工作频率的影响很容易理解。
NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。
前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。
K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。
在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率目前可达33MHz。
6．制造工艺制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。
譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。
如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。
90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！目前的实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。
前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。
而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
三星K9XXG08XXM闪存芯片架构图1Page=(2K+64)Bytes1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits三星K9XXG08XXM闪存芯片地址信息其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。
为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。
因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。
没有利用的数据线保持低电平。
NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。
