● 扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系 数及固溶度等方面的限制，而离子注入是 一个物理过程，所以它可以注入各种元素。
● 扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺 杂可以在高温下进行，也可以在室温下或 低温下进行，这样可以减少高温过程对器 件产生的不良影响。
● 离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避 免有害物质进入硅片。
（4-2）
Z是离子的电荷数
如果加速管的两端间加的电压差是V ，
则离子通过加速管所获得的能量为：
E=Z×V
（4-3）
一个电子受到1伏的电压差的加速获得的 能量是：
1ev=1.6×10-12尔格
对于IC制造中的离子注入，根据不同的工 艺，能量范围从几十kev到几百kev。
NN阱阱CCMMOOSS工工艺艺中中的的离离子子注注入入
如果束流是稳定的电流I，则：
NSS
=
It q
（4-5）
t = qNS S I
（4-6）
其中：NS 单位面积的注入剂量（个/cm2 ），S 是扫描面积（cm2 ），q 是一个离子的电荷
（1.6×10-19库仑），I 是注入的束流（安培），
t 是注入时间（秒）。
例题：如果注入剂量是5×1015，束流 1mA，求注入一片6英寸硅片的时间
一个质量数为M的正离子，以速 度v垂直于磁力线的方向进入磁场，受 洛伦茨力的作用，在磁场中作匀速圆 周运动的半径R（cm）为：
R = 1.44 MV ×10−2 （4-1） BZ
其中：V 为电压（伏特），Z 为离子的 电荷数，B 是磁场强度（特）。
正交电磁场分析器
⊕
电磁场的磁极
平行平板电极
当离子束垂直进入均匀的正交电磁场时，将同时
受到电场力和洛伦茨力的作用，这两个力的方向正好 相反，只有在某个质量为M的离子在分析器中所受的 电场力和洛伦茨力的数值相等时，不发生偏转而到达 靶室，大于或小于M的离子则被偏转掉。
