光刻工艺讲义

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光刻工艺步骤介绍课件PPT

圆片低速渐静止或静止
喷显影液
圆片轻转（依靠圆片表面张力显影液在圆片表面停留一段时间）
较高速旋转（甩去圆片表面的显影液）
喷水旋转
加速旋转（甩干）
停止旋转并取片
显影后烘（坚膜）
圆片送回片架显影工艺完成
显影方式
显影方式静态浸渍显影圆片静止显影液喷在圆片表面，依靠圆片表面张
力使显影液停留在圆片上，圆片轻轻的转动，让显影液在圆片表面充分浸润，一段时间后，高速旋转将显影液甩掉。如：SVG、 DNS、TEL设备。旋转喷雾显影圆片旋转由高压氮气将流经喷嘴的显影液打成微小的液珠喷射在圆片表面，数秒钟显影液就能均匀地覆盖在整个圆片表面。如：以前5寸SVG设备。影响显影质量因素显影时间影响条宽控制精度显影液的温度影响显影的速率
曝光工艺流程蚀工序就能将图形留在圆片上。
光刻工艺步骤实例-N-WELL的形成
高精度光刻图形与曝光光源有着直接的关系。
红其外中线对圆辐光片射刻加胶从热感片光起架主中要作取用出是波长为435. 预对位（找平边）
如：SVG、DNS、TEL设备。
圆片由机械手臂传输到载片台（Stage）上
1光刻机自身的定位精度包括光学、机械、电子等系统的设计精度和热效应；
热板传导加热
基本原理：光刻工艺中最关键的工序它直接关系到光刻分辨率、留膜率、条宽控制等。
2 硅片的加工精度和硅片在热加工氧化、扩散、注入、烘片等过程中的形变；
静态浸渍显影圆片静止显影液喷在圆片表面，依靠圆片表面张力使显影液停留在圆片上，圆片轻轻的转动，让显影液在圆片表面充
分浸润，一段时间后，高速旋转将显影液甩掉。
基8n本m（原g理线：）光、刻3工65艺n流中m（最程i关线单键）的、上工24的序8n它批m直（号接DU关：V系远到紫光外刻线分）辨等率光、谱留线膜。率、条宽控制等。

《光刻工艺A》课件

4 接触问题和剥离问题
解释显影不良的可能原因，并给出解决该问题的建议和方法。
讨论在光刻过程中可能发生的接触和剥离问题，并提供解决方案。
光领域的最新技术创新和发展趋势。
可持续发展
探讨光刻工艺在可持续发展方面的前景和应用。
自动化和智能化
讨论光刻工艺自动化和智能化的发展，提升生产效率和质量。
详细介绍光罩的制备过程，包括设计、制造和检验。
曝光和显影
说明曝光机的原理和显影剂的使用，在光罩模板上形成图案。
常见光刻工艺问题和解决方案
1 反射和折射问题
2 曝光不均匀问题
探讨光刻过程中可能遇到的反射和折射问题，并提供相应的解决方案。
介绍曝光不均匀的原因和影响，提供解决此问题的有效策略。
3 显影不良问题
《光刻工艺A》PPT课件
欢迎来到《光刻工艺A》PPT课件！在本课程中，我们将介绍光刻工艺的概念、基本原理和步骤，解决常见问题，并讨论光刻工艺的发展趋势。
引言和目的
在本节中，我们将讨论光刻工艺的引言和目的。了解光刻工艺的背景和目标，为后续内容打下基础。
光刻工艺概述
什么是光刻工艺
介绍光刻工艺的定义，涵盖其在制造过程中的重要作用。
光刻工艺的应用领域
探讨光刻工艺在半导体、微电子和光学等领域中的广泛应用。
光刻工艺的重要性
说明光刻工艺在现代科技发展中的关键地位和影响。
基本原理和步骤
1
涂覆和预烘烤
2
解释光刻胶的涂覆和预烘烤过程，确
保合适的薄膜厚度和均匀性。
3
清洗和后处理
4
讨论清洗步骤和后处理过程，确保成品的质量和可靠性。
光罩制备

8 基本光刻工艺PPT课件

图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻层下就会留下一个孔，而这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应。
4
工艺步骤目的
对准和曝光
在掩膜版和图形在晶圆上的精确对准和光刻胶的曝光。负胶是聚合物
光刻胶中的感光剂是用来产生或者控制聚合物的特定反应。如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一波长的光。
15
• 添加剂光刻胶中的添加剂主要在光刻胶薄膜中用
来吸收和控制光线，可以阻止光刻胶没有被曝光的部分在显影过程中被溶解。 8.5 光刻胶的表现要素
从晶圆上去除光刻胶层
氧化层晶圆
6
如果掩膜版的图形是由不透光的区域决定的，称其为亮场掩膜版；而在一个暗场掩膜版中，掩膜版上的图形是用相反的方式编码的，如果按照同样的步骤，就会在晶园表面留下凸起的图形。
暗场掩膜版主要用来制作反刻金属互联线。
亮场暗场
7
刚才介绍了对光有负效应的光刻胶，称为负性胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，称为正胶。用正性胶和亮场掩膜版在晶园表面建立凸起图形的情况如图8.7所示。
对光刻胶的要求包括一下几个方面： • 分辨率
在光刻胶层能够产生的最小图形通常被作为对光刻胶的分辨率。产生的线条越小，分辨率越高。分辨率不仅与光刻胶本身的结构、性质有关，还与特定的工艺有关，比如：曝光光源、显影工艺等。
稀化光刻胶，通过旋转形成薄膜

光刻工艺.pptx

21
一、接触式曝光
由于掩膜版与硅片相接触磨损，是掩膜版的寿命降低。
22
二、接近式曝光
接近式曝光是以牺牲分辨率来延长了掩膜版的寿命大尺寸和小尺寸器件上同时保持线宽容限还有困难。另外，与接触式曝光相比，接近式曝光的操作比较复杂。
23
三、投影式曝光
避免了掩膜版与硅片表面的摩擦，延长了掩膜版的寿命。
34
几种实用的光刻胶配方。 PMMA对210nm到260nm的紫外光有感光性，感光性最佳的紫外光光谱约为220nm； PMIK的紫外光感光光谱为220nm到330nm，峰值光谱约为190nm和285nm。
35
AZ240系列光刻胶的感光光谱为240nm到 310nm，峰值光谱约为248nm、300nm、 315nm。 ODVR系列光刻胶的感光光谱为200nm到 315nm，峰值光谱为230nm、280nm、 300nm。
3
打底膜（六甲基二硅亚胺HMDS）
六甲基二硅亚胺HMDS反应机理
OH
SiO2 ＋(CH3) 3SiNHSi(CH3)
3
OH
O-Si(CH3) 3
SiO2
+NH
O-Si(CH3) 33
4
5
6
曝光方法
曝光有多种方法：光学曝光就可分为接触式、接近式、投影式、直接分步重复曝光。此外，还有电子束曝光和X射线曝光等。曝光时间、氮气释放、氧气、驻波和光线平行度都是影响曝光质量
掩膜版的尺寸可以比实际尺寸大得多，克服了小图形制版的困难。
消除了由于掩膜版图形线宽过小而产生的光衍射效应，以及掩膜版与硅片表面接触不平整而产生的光散射现象。
24
投影式曝光虽有很多优点，但由于光刻设备中许多镜头需要特制，设备复杂

《集成电路光刻工艺》课件

《集成电路光刻工艺》 PPT课件
通过本课程介绍集成电路光刻工艺，包括定义和应用、光刻过程概述以及工艺流程。了解光刻工艺对集成电路制造的重要性。
定义和应用
集成电路光刻工艺是一种用于制造微电子器件的关键工艺。它通过光照和化学蚀刻将芯片上的图形传输到光刻胶上。
光刻过程概述
光刻过程包括曝光、胶涂布、显影和蚀刻等步骤。每个步骤都至关重要，需要精确控制参数以实现高质量的芯片制造。
蚀刻机
在暴露的光刻胶上进行化学蚀刻，暴露出芯片表面的图形。
蚀刻过程
蚀刻时间和腐蚀剂的选择对最终图案的质量和形状都有重要影响。
光刻工艺影响因素
温度
温度会影响光刻胶的粘度和流动性，从而影响图案的分辨率和形状。
曝光时间
曝光时间长短会直接影响图案的清晰度和分辨率。
湿度
湿度对光刻胶的干燥速度和胶涂布的均匀性有很大影响。
涂布过程中要避免空气泡和异物的污染，以保证质量。
曝光和烘烤
1
曝光机
使用模板和光源对光刻胶进行曝光，形成芯片上的图案。
2
烘烤机
用于固化和去除曝光后的光刻胶，为后续步骤做准备。
3
曝光和烘烤过程
曝光时间和温度都是影响光刻图形质量的重要因素。
显影和蚀刻
显影过程
通过化学反应去除暴露在光下的光刻胶，形成芯片上的图案。
光刻设备
掩模对准仪
用于定位光掩模和芯片表面，确保图形的准确传输。
脱模机
用于去除光刻胶模板，准备芯片进行显影和蚀刻。
光刻机
用于将芯片表面的图案转移到光刻胶上的关键设备。
光刻胶涂布
1 胶涂布机
使用专用机器将光刻胶均匀涂布在芯片表面。

第六讲：光刻工艺(半导体制造技术)

纵横比（分辨力）黏结力曝光速度针孔数量阶梯覆盖度成本显影液光刻胶去除剂氧化工步金属工步
更高
有机溶剂酸氯化溶剂化合物
更少更好更高水溶性溶剂酸普通酸溶剂

聚合物聚合物是由一组大而且重的分子组成，包括碳、氢和氧。对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。
（a）亮场掩膜版和负胶组合图形尺寸变小
晶圆 (a) 聚合光刻胶非聚合光刻胶
（b）暗场掩膜版和正胶组合图形尺寸变大
晶圆 (b)
用正胶和暗场掩膜版组合还可以在晶圆表面得到附加的针孔保护。如果是亮场掩膜版，玻璃上的任何缺陷及污染物微粒都会影响光刻质量，若是暗场掩膜版则可以避免上述缺陷的产生，如图所示。
低转速
高转速真空

自动旋转器自动系统如图所示，包含了晶圆表面处理、 N O 吹除涂底胶和涂光刻胶自动晶圆装载 N 光底的全部过程，刻胶胶器标准的系统通向排气传送到晶圆盒配置就是一或软烘焙条流水线。捕获杯
旋转电机真空
光刻胶
光刻版
掩膜版分类：亮、暗
下表总结了不同的烘焙方式
方法
烘焙时间（分钟）
温度控制
生产率类型
速度 Waf/Hr 60 400 200 90 90 60
排队
热板对流烘箱真空烘箱移动带式红外烘箱导热移动带微波
5~15 30 30 5~7 5~7 0.25
好一般（好）差（一般）差（一般）一般差（一般）
单片（小批量）批量批量单片单片单片

光刻工艺

2
三、工艺流程：工艺流程：
以负胶为例来说明这八个步骤，一般可分以负胶为例来说明这八个步骤，为：打底膜- 涂胶- 前烘- 曝光- 显影打底膜->涂胶->前烘->曝光->显影-> 后烘- 腐蚀- 去胶。后烘->腐蚀->去胶。
3
打底膜（六甲基二硅亚胺HMDS HMDS）打底膜（六甲基二硅亚胺HMDS）
G、衬底反射影响： H、显影和刻蚀的影响：
（2）针孔（3）小岛（4）浮胶毛刺、（5）毛刺、钻蚀
13
§3 光刻胶
光刻胶的分类和光刻胶的质量要求。光刻胶的分类和光刻胶的质量要求。
一、正胶和负胶：正胶和负胶：
根据光刻胶在曝光前后溶解特性的变化，根据光刻胶在曝光前后溶解特性的变化，可将分为正胶和负胶。可将分为正胶和负胶。正胶：曝光前不可溶，正胶：曝光前不可溶，曝光后可溶负胶：可溶，负胶：曝光前可溶，曝光后不可溶
六甲基二硅亚胺HMDS反应机理六甲基二硅亚胺HMDS反应机理
OH SiO2 ＋(CH3) 3SiNHSi(CH3)
3
SiO2
OH
O-Si(CH3) 3 +NH O-Si(CH3) 33
4
5
6
曝光方法
曝光有多种方法：光学曝光就可分为接触式、接近式、投影式、直接分步重复曝光。此外，还有电子束曝光和X 曝光。此外，还有电子束曝光和X射线曝光等。曝光时间、氮气释放、氧气、驻波和光线平行度都是影响曝光质量
分步重复曝光光学原理图
32
（3）由于采用了逐步对准技术可补偿硅片尺寸的变化，提高了对准精度。逐步对准的方法也可以降低对硅片表面平整度的要求。
33

光刻工艺培训教程

光刻工艺培训教程2009年10月31日星期六15:51一. 总纲1. 什么是光刻？对光刻总的质量要求是什么？光刻就是将掩膜版上的几何图形转移到涂有一层光刻胶的硅片表面的工艺过程。

对光刻总的质量要求为：①条宽符合指标要求②套刻精度符合指标要求③胶厚符合指标要求④无缺陷⑤胶图形具有较好的抗腐蚀能力2. 在我们生产线的工艺中，一般有那些光刻工序层次？其中那些是关键层，为什么称之为关键层？对不同的工艺流程，光刻的层次可能会有所不同，一个典型的1.0微米单多晶双铝工艺一般需要有如下的光刻层次：阱，有源区，场注，多晶，N-LDD，N+S/D，P+S/D，接触孔，孔注，金属-1，通孔，金属-2，钝化孔。

其中，有源区，多晶，接触孔，金属-1，通孔，金属-2我们称之为关键层。

之所以称之为关键层，是因为这些层次的光刻：①直接影响器件的电学性能或对最终成品率有重大影响②条宽要求最严格③套刻精度要求最严格3. 典型的光刻流程。

一个典型的光刻全过程为：硅片表面预处理→涂胶（去边）→前烘→（对位）曝光→PEB烘→显影→后烘→显检（测量）二. 涂胶前处理1. 涂胶前为什么要进行增粘处理？一般可利用亲水/疏水理论对其进行解释。

由于衬底表面吸水存在氢氧基团，使疏水的光刻胶无法与亲水的硅片表面结合良好。

通常的方法是使用hydroxy getter化学方法去除表面的OH基团，一般采用alkylsilane compounds,如HMDS.2. 使用烘箱进行HMDS增粘处理要注意那些问题？使用烘箱进行HMDS增粘处理的注意事项：①预处理完的硅片应在一定的时间内尽快涂胶，以免表面吸附空气中的水分，降低增粘效果。

但同时也要充分冷却，因硅片的温度对胶厚有很大的影响。

②反复预处理反而会降低增粘效果。

③HMDS的瓶盖打开后，其寿命有限，一定要尽快用完。

三. 涂胶1. 对涂胶总的质量要求是什么？对涂胶总的质量要求为：①胶厚符合指标要求②均匀性符合指标要求③缺陷少④去边整齐⑤硅片背面沾污小2. 涂胶的典型过程。

光刻与刻蚀工艺流程课件

REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
02
刻蚀工艺简介
刻蚀工艺的定义
刻蚀工艺：是指利用物理或化学方法，将材料表面的一部分去除，以达到形成图案或结构的目的。
在半导体制造中，刻蚀工艺是关键的步骤之一，用于形成电路、器件和其它微结构。
刻蚀工艺的原理
物理刻蚀
利用物理能量，如高能粒子或等离子体，轰击材料表面，使其原子或分子从表面溅射出来。
总结词
胶的均匀涂布是光刻工艺中的重要环节，直接影响到光刻胶的覆盖质量和均匀性。
详细描述
在涂胶过程中，要确保胶液的均匀分布，避免出现胶层厚薄不均、气泡等问题。可以采用匀胶机进行涂布，控制好涂布速度和温度，以保证胶的均匀性。
曝光能量控制问题
总结词
曝光能量是光刻工艺中的关键参数，直接影响到曝光质量和光刻胶的溶解度。
预烘
预烘
使光刻胶中的溶剂挥发，增强光刻胶与硅片之间的黏附力。
预烘温度和时间
根据光刻胶类型和特性而定。
预烘作用
提高光刻胶的黏附性和稳定性。
曝光
曝光
通过掩膜版将所需图案投影到光刻胶上，使光刻胶发生化学反应
。
曝光方式
接触式曝光、接近式曝光、扫描式曝光等。
曝光剂量
影响光刻胶的溶解性和分辨率。
坚膜温度的控制问题
总结词
坚膜温度是光刻工艺中的重要参数，直接影响到光刻胶的硬度和附着力。
详细描述
要选择合适的坚膜温度，以保证光刻胶的硬度和附着力。坚膜温度过高会导致光刻胶变脆，而坚膜温度过低会导致光刻胶附着力下降，影响光刻效果。
腐蚀深度的问题
总结词

光刻工艺原理培训课件PPT(共 90张)

7、表面张力:指的是液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力.光刻胶具有产生相对大的表面张力的分子间力,所以在不同的工艺步骤中光刻胶分子会聚在一起. 同时光刻胶的表面张力必须足够小,从而在应用时能提供良好的流动性和硅的覆盖.
小分子力引起小的表面张力
大分子力引起大的表面张力
传统负胶的缺点
HMDS滴浸润液和旋转
滴浸润形成
旋转硅片去除多余的液体
2：旋转涂胶
工艺小结:
硅片置于真空吸盘上
滴约5ml的光刻胶
以约500 rpm的慢速旋转
加速到约 3000 至 5000 rpm
质量指标: 时间速度厚度均匀性颗粒和缺陷
至真空泵
滴胶头
真空吸盘与转动电机连接的转杆
差的光刻胶对比度斜坡墙膨胀差的对比度
光刻胶
膜
好的光刻胶对比度陡直墙无膨胀好的对比度
光刻胶
膜
3、敏感度：是硅片表面光刻胶中产生一个良好图形所需的一定波长光的最小能量值,提供给光刻胶的光能量值通常称为曝光量。
4、粘滞性:指的是对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标. 粘滞性与时间相关,因为它会在使用中随着光刻胶中溶剂挥发增加。
5、粘附性:光刻胶的粘附性描述了光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶必须粘附于许多不同的表面,包括硅,多晶硅,二氧化硅，氮化硅和不同的金属。光刻胶粘附性的不足会导致硅片表面上的图形变形.光刻胶的粘附性必须经受住曝光,显影和后续工艺。
6、抗蚀性:光刻胶胶膜必须保持它的粘附性,并在后续的湿刻和干刻中保护衬底表面,这种性质就被称为抗蚀性.
光刻胶涂胶方法
旋转涂胶的四个基本步骤 1 分滴:当硅片静止或旋转的非常缓慢时,光刻胶被分滴在硅片

光刻与刻蚀工艺培训课件课件(PPT119页)

▪ 这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域，如离子注入、接触窗（contact window）与压焊（bonding－pad）区。
图形曝光与刻蚀
❖ 刻蚀
▪ 由图形曝光所形成的抗蚀剂图案，并不是电路器件的最终部分，而只是电路图形的印模。为了产生电路图形，这些抗蚀剂图案必须再次转移至下层的器件层上。
光刻与刻蚀工艺培训课件(PPT119页) 工作培训教材工作汇报课件管理培训课件安全培训讲义P PT服务技术
光刻与刻蚀工艺培训课件(PPT119页) 工作培训教材工作汇报课件管理培训课件安全培训讲义P PT服务技术
洁净室（4）
光刻与刻蚀工艺培训课件(PPT119页) 工作培训教材工作汇报课件管理培训课件安全培训讲义P PT服务技术
光刻与刻蚀工艺培训课件(PPT119页) 工作培训教材工作汇报课件管理培训课件安全培训讲义P PT服务技术
光刻与刻蚀工艺培训课件(PPT119页) 工作培训教材工作汇报课件管理培训课件安全培训讲义P PT服务技术
光刻原理（2）
❖光刻胶图形转移到硅表面的薄膜
▪ 在集成电路制作中，利用这层剩余的光刻胶图形作为保护膜，可以对硅表面没有被光刻胶覆盖的区域进行刻蚀，或者对这些区域进行离子注入，从而把光刻胶上的图形转移到硅表面的薄膜上去，由此形成各种器件和电路的结构，或者对未保护区进行掺杂。
▪ 这种图案转移（pattern transfer）是利用腐蚀（etching）工艺，选择性地将未被抗蚀剂掩蔽的区域去除。
ULSI对光刻有哪些基本要求？
❖高分辨率
▪ 在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。

光刻工艺介绍

光刻工艺原理
将电路图案转移到晶元上为了将电路图案转移到晶片上，将光罩暴露在光下。通过使用缩小透镜聚焦光，甚至可以转移更精细的电路图案。电路图中的线越窄，可传输的半导体元件数量越多，因此芯片的性能和功能也就越高
当暴露在光下时，光刻胶会发生变化，并且使用显影溶液去除暴露部分，这样电路图案就转移到了晶元上
负胶：曝光后显影时没有曝光部分被溶解，而曝光的部分被留下来——聚乙烯醇肉桂酸酯和聚乙烯氧乙基肉桂酸酯
光刻胶对大部分可见光敏感，但对黄光不敏感
光刻三要素
光刻胶主要成分
1.树脂(聚合物)：光照不发生反应，保证光刻胶的附着性和抗腐蚀性，决定光刻胶薄膜的膜厚，弹性和热稳定性。
2.光敏剂(PAC)：受光辐照后发生化学反应，如果聚合物中不添加光敏剂，那么他对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的光敏剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一特定的波长。
3.溶剂：使光刻胶在涂到晶元表面之前保持液态，添加溶剂的目的是使光刻胶处于液态，以便光刻胶能够通过旋转的方式涂在晶元表面
光刻三要素掩膜版（光罩）
掩膜版上的图形代表一层IC设计，将综合的布局图按照工艺分成各层掩膜
版，如隔离区为一层，栅极区为另一层等，这些掩膜版的组合就是一组IC 工艺流程
光刻三要素
普通光源
波长范围大，图形边缘衍射现象严重，满足不了特征尺寸的要求
晶元生产曝光光源
光刻机种类
光学
接触式投影式
非光学
X射线电子束
短波长（波长越短可曝光的特征尺寸越小）
高强度（为了保持合适的曝光时间）
高稳定性
光刻三要素
光刻机——曝光光源

(第五章)光刻工艺

典型高压汞灯的发射光谱
Intensity (a.u)
Deep UV (<260)
I-line (365)
G-line (436)
H-line (405)
300
400
500
600
Wavelength (nm)
光刻光源
汞灯准分子激光
氟激光
名称
G-line H-line
I-line XeF
XeCl
KrF (DUV) ArF F2
不完全显影 PR
Substrate 过显影
Litho process-Auto ADI
Array Misplacement on first layer Wrong Reticle (RV option)
Example Viper defect clips
p
Hot Plate Track Robot
5.2 光刻工艺步骤及原理
光刻工艺的八个基本步骤
一、气相成底膜二、旋转涂胶三、软烘四、对准和曝光五、曝光后烘培〔PEB 六、显影七、坚膜烘培八、显影检查
光刻工艺的八个基本步骤涂胶
曝光
显影
检查
一、气相成底膜
工艺目的：增加光刻胶与硅片的粘附性. 工艺过程： 1. 在气相成底膜之前,硅片要进行化学清洗、甩
Wafer
PR
EBR
Drain
SSoollvveenntt
分滴
Chuck
PPRR ssuucckk bbaacckkExPnnohRozazzduzlilsesetpenser
Vacuum
WWaaffeerr
旋转铺开旋转甩掉溶剂挥发去除边圈

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第六章光刻工艺第六章
第一节引言---集成电路中的图形
集成电路发展趋势
引言---基本概念（1）光刻
正胶光刻与负胶光刻引言－基本概念（2）VLSI对光刻工艺的要求光刻工艺控制
第二节光刻胶---化学性质与作用光刻胶的组成
光刻胶的分类正胶和负胶的显影后剖面
第三节光学光刻
光刻前的表面处理
自高温炉管取出的氧化片应立即涂胶，
HMDS Priming（涂底）光刻胶的粘附性要求
涂胶
前烘
对准曝光光学光刻
紫外光谱范围的划分
曝光后烘烤（PEB）
驻波效应
显影后烘
光刻分辨率（1）光刻分辨率（2）
实际的光学系统分辨率受光刻胶和曝光系光刻分辨率（3）光学光刻---对准曝光系统
接触/接近式对准曝光系统示意图接触式对准曝光系统（1）接触式对准曝光系统（2）接近式对准曝光系统
接触/接近式对准曝光系统的分辨率接触/接近式对准曝光系统的缺点投影式对准曝光系统
透射式扫描投影对准曝光系统示意图扫描投影对准曝光系统（1）
扫描投影对准曝光系统（3）扫描投影对准曝光系统（2）
曝光：曝光灯发出的光束经聚光灯和滤光片后，
分步重复式投影曝光系统（1）步进式投影曝光示意图
分步重复式投影曝光系统（2）分步重复式投影曝光系统（3）分步重复式投影曝光系统（4）常用的几种曝光方式（1）
常用的几种曝光方式（2）常用的几种曝光方式（3）光刻机的质量指标光刻质量检查
线宽检查和套刻对准图形举例
掩模版相关技术介绍
对准测量图形
掩模版的基本结构
基材是石英玻璃：具有低膨胀系数、低钠
光刻掩模版结构示意图第四节光学光刻的限制及光刻新技术展望光学光刻的限制多层光刻胶结构
变形照明技术（1）变形照明技术（2）相移式掩模版技术非光学光刻技术
X-ray曝光系统电子束曝光系统。