采用2个MOS场效应管构成的功率放大器

双mos管并联电路-回复双MOS管并联电路是一种常见的电路拓扑结构，它由两个金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）组成，并且通过并联方式连接在一起。

这种电路结构在电子器件和电路设计中被广泛使用，因为它具有低导通电阻、高效率和良好的可靠性。

在本篇文章中，我们将一步一步地回答关于双MOS管并联电路的主题。

我们将首先介绍MOSFET的基本原理和结构，然后讨论双MOS管并联电路的工作原理、特点和应用。

一、MOSFET基本原理和结构1. MOSFET概述MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）是一种半导体器件，它通过在金属（M）、氧化物（O）和半导体（S）之间形成一个接触界面，实现对电流的控制。

2. MOSFET结构MOSFET的主要结构由沟道、栅极、源极和漏极组成。

沟道是一个具有特定的电流输运特性的区域，栅极用于控制沟道中的电流流动。

源极和漏极是与沟道相连的区域，它们之间的电势差将导致沟道中的电流流动。

二、双MOS管并联电路的工作原理1. 结构双MOS管并联电路由两个MOSFET管并联连接而成。

每个MOSFET管具有自己的栅极、源极和漏极。

两个MOSFET管的栅极和源极通过电压源或信号源连接，而漏极则通过衔接到负载电路。

2. 工作原理当输入信号作用于双MOS管并联电路的栅极时，它将使得栅极和源极之间形成电势差。

这个电势差将导致栅极和漏极之间的电势差改变，进而改变沟道中的电流。

3. 特点双MOS管并联电路的一个主要特点是具有较低的导通电阻。

由于有两个MOSFET管并联连接，它们共同承担了负载电路的电流，从而降低了整体电路的电阻。

这使得双MOS管并联电路能够提供更好的电流传输能力和较低的功耗。

三、双MOS管并联电路的应用1. 功率放大器双MOS管并联电路可以用作功率放大器，为输入信号提供较大的电流放大倍数。

它可以在许多电子设备中使用，包括音频放大器、扬声器和无线电频率放大器等。

2009年全国大学生电子设计竞赛G题低频功率放大器题解分享本主题由 soso 于 2009-10-30 16:47 解除置顶裸片初长成芯币4693 枚∙个人空间∙发短消息∙加为好友∙当前离线xu__changhua的全部文章楼主大中小发表于 2009-9-8 01:06 只看该作者2009年全国大学生电子设计竞赛G题低频功率放大器题解分享2009年全国大学生电子设计竞赛G题是一个设计功率放大器的题，主要考核学生模拟电子技术的基础技能，要求是一定要用场效应晶体管做末级放大，且电路增益要求很大，如5mV的输入要达到5W（8欧负载）的输出，算下来要1265倍，这么大倍数的放大器还要求噪声非常小，小到5mV，失真度1%，这题相对来说是比较难的。

此外，还要检测放大器的输出功率、电源供给功率以及效率，这部分稍微容易些，但是也不是那么轻易就能解决的。

先说说实现方案吧。

功率放大器实现方法有几类，低频的有甲、乙、甲乙、丁等几种。

甲类效率很低，约20%左右，但是其失真度可以做的非常小，如0.1%，效率没做评分要点，只是适当考虑，所以可以采用；乙类的只能有半周输出，失真度太大所以不能采用。

甲乙类是解决甲类的效率和乙类的失真度的综合途径，推荐采用；丙类肯定不用了，那是高频功率放大器专用的类型，这里是低频的（10Hz~50KHz），所以不能采用；丁类的（就是所谓的D类）采用H桥的开关方式工作，输入的信号要进行PWM（PWM是脉冲宽度调制），H桥输出后是一个开关量，要经过LC滤波转变为模拟量，再传送给扬声器。

这种方法效率极高，但是电路复杂，调试困难，且效率不做评分的主要依据，建议舍弃这种方案。

经过综合权衡考虑，宜采用甲乙类比较合适。

再说下电路组成结构该课题有三个主要部分构成，1：功率传输部分；2：电压放大部分（1265倍以上）；3：信号测量部分功率传输部分没得选，课题已经规定了，一定得用场效应管，最好是P沟道和N沟道互补，这么大功率的场效应管要用V-MOS的，需要查场效应管资料来选型，尤其注意其源极电阻要小，这样才能发挥出优秀的转换效率，此外就是电压和电流的选型。

目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。

电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。

其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

场效应管80W音频功率放大电路一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。

如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。

电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。

晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。

预设R1用于调整放大器的输出电压。

电阻R3和R2设置放大器的增益。

第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。

这样做是为了提高线性度和增益。

Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。

预设R8可用于调整放大器的静态电流。

电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。

F1和F2是安全的保险丝。

电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。

下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

V-MOS简介一般场效应管虽然输入阻抗较高，但输出端带负载的能力很低；一般大功率晶体管虽然能输出较大的功率，但由于输入阻抗较低，输入端需有较大的推动电流才能工作，因此还要设较复杂的推动级。

本文向读者推荐的这种VMOS管是一种功率场效应管，兼有上述两种管子的优点，在设计线路时，可使线路大为简化。

另外这种管子还有许多其它独特的优点。

这是近年（指80年代）来才发展起来的一种新型器件。

VMOS功率场效应管又叫V型槽金属氧化物半导体场效应管，用英文缩写字母可写成“VMOS FET”。

有关这种管子的结构原理及特性，本刊在1985年第4期上已有专文述及（下次再转贴），这里不说了。

仅说说这种管子在应用方面的特点，并给出几种应用电路例子，供使用参考。

与普通大功率晶体管相比较，VMOS功率场效应管有如下一些优点：（1）VMOS管具有很高的输入阻抗（10的8次方欧姆左右），其输入端能直接与CMOS、TTL集成电路和其它高阻抗器件连接。

（2）VMOS管在工作时的输入电流甚微（0.1μA以下），一般认为只要输入端有电压就可以驱动，因此对驱动器件的功率要求很低，属电压控制器件。

如从电流角度看，VMOS 管的电流放大系数高达10的9 次方。

所以单个VMOS管经常可用来代替由两三只普通晶体管组成的达林顿管（复合管）（3）VMOS管是多数载流子器件，没有普通晶体管所固有的少子存储效应。

适于高频高速工作。

例如：VMOS智能在4毫微秒（ns）内开关1A的电流。

这比普通晶体管快了10～200倍。

（4）VMOS管具有负的电流温度系数，即栅源电压不变的情况下，导通电流会随温度的上升而下降（普通晶体管正相反），因而VMOS管不存在由于二次击穿所引起管子损坏的现象，使它特别适于做大功率器件。

下面介绍几个应用电路：1.电源：串联型稳压电源所用调整管的功率不能满足要求时，通常是用几只晶体管并联起来使用，如图1所示。

一般需选用相同参数的管子来并联，否则很容易因电流分配不匀，而集中流入某一管，致使该管损坏。

逆变器功率管3DD15可以用场效应管直接代管吗？
3DD15是国产的大功率低频硅三极管，其功率为50W，Icm为5A，耐压值从几十伏到上百伏不等（譬如，3DD15D的耐压值为200V），这种管子在一些老式的稳压电源及逆变器电路中较常用，现在上述产品中很少使用这种管子。

由于3DD15的外形封装、引脚排列及驱动电路与MOS场效应管都不太一样，故一般不能直接用MOS场效应管代替3DD15。

▲ 两个3DD15构成的简易逆变升压电路。

由于3DD15为双极型三极管，属于电流驱动器件，而MOS场效应管为单极型电压驱动器件，它们的驱动电路不太一样，即使不考虑外形封装及引脚排列，直接用MOS场效应管代替上图中的两个3DD15三极管，电路将无法工作。

不过，像下图所示的这种采用IC作为振荡电路，外接功率管的逆变电路，若调整一下管子的引脚，亦可以用MOS场效应管代替3DD15。

▲ 用555电路构成的逆变升压电路。

上图中，555电路接成一个自激多谐振荡器，其③脚输出的振荡信号经3DD15放大后，驱动升压变压器的初级线圈，这样在变压器的次级输出的便是交流高压。

图中这个3DD15完全可以换成IRF3205这类N沟道大功率MOS场效应管，电路也不需要作什么调整，唯一需要注意的是IRF3205的引脚不要接错。

▲ 3DD15和IRF3205的外形。

上图中的IRF3205是现在逆变器电路中常用的大功率N沟道MOS 场效应管，其耐压值为55V，漏极电流可达110A。

这种场效应管不论是饱和压降还是高频开关性能皆显著优于3DD15这种低频硅三极管。

目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。

电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。

其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。

场效应管80W音频功率放大电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。

如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。

电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。

晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。

预设R1用于调整放大器的输出电压。

电阻R3和R2设置放大器的增益。

第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。

这样做是为了提高线性度和增益。

Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。

预设R8可用于调整放大器的静态电流。

电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。

F1和F2是安全的保险丝。

电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。

下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。

注意事项质量好的印刷电路板组装的电路。

几种常用集成运算放大器的性能参数1.通用型运算放大器A741（单运放）、LM358（双运放）、LM324（四运放）及以场效应管为输入级的LF356都属于此种。

它们是口前应用最为广泛的集成运算放大器。

卩通用型运算放大器就是以通用为LI的而设计的。

这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广, 其性能指标能适合于一般性使用。

例2.高阻型运算放大器,IIB为儿皮安到儿十皮安。

实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点，用场效应管组成运算放大器的差分输入级。

用FET作输入级，不仅输入阻抗高，输入偏置电流低，而且具有高速、宽带和低噪声等优点，但输入失调电压较大。

常见的集成器件有LF356、LF355、LF347 （四运放）及更高输入阻抗的CA3130、CA3140等。

Q这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高，输入偏置电流非常小，一般rid> （109^1012）3.低温漂型运算放大器在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中，总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温度的变化而变化。

低温漂型运算放大器就是为此而设讣的。

訂前常用的高精度、低温漂运算放大器有0P-07、0P-27、AD508及ill M0SFET组成的斩波稳零型低漂移器件ICL7650等。

4.高速型运算放大器s,BWG>20MHzo PA715等，其SR二50〜70V/u在快速A/D和D/A转换器、视频放大器中，要求集成运算放大器的转换速率SR 一定要高,单位增益带宽BWG 一定要足够大，像通用型集成运放是不能适合于高速应用的场合的。

高速型运算放大器主要特点是具有高的转换速率和宽的频率响应。

常见的运放有LM318、5.低功耗型运算放大器W,可采用单节电池供电。

P A O U前有的产品功耗已达微瓦级，例如ICL7600 的供电电源为1. 5V,功耗为10 u山于电子电路集成化的最大优点是能使复杂电路小型轻便，所以随着便携式仪器应用范围的扩大,必须使用低电源电压供电、低功率消耗的运算放大器相适用。