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双声道音频功率放大器KA2206B点击数：-04-13 17:50:27 来源: internet概述：KA2206B是2.3W双声道音频功率放大器集成电路。
广泛应用于盒式磁带录音机的立体声及桥接式放大器(BTL)中。
KA2206B集成电路内含有两个增益可变的前置放大器和两个功率放大器。
输入阻抗为25KΩ，通过调整其④、⑨脚外接电容的容量可以调整放大器的增益。
其供电电压范围为9~15V，在供电电压为12V，RL=4Ω、TDH=10%时，每个声道的输出功率为2.3W。
特点●高输出功率立体声: Po=2.3W (典型) at Vcc=9V, RL=4Ω电桥: Po=4.7W (典型) at Vcc=9V, RL=8Ω●高频时低切换失真●内置静噪电路，开关时噪声小●内置波纹滤波器，波纹抑制好●通道分离度高●输出饱和时音调柔和●通过增加外部电阻，可使闭合环路电压增益固定为 45dB ( 桥式: 51dB) ●所需外部元件少●易于设计的散热片型号与封装型号封装代码工作温度KS2206B 12-DIPH-300 -20 C ~ +70 C KS22069BN 16-DIP-300A功能框图与管脚排列功能框图引脚功能配置1 接地2 信号输出3 自举端14 负反馈15 信号输入16 纹波滤波外接元件7 前置放大电路接地8 信号输入29 负反馈210 自举端211 信号输出212 电源电气参数极限值： ( Ta=25°C)输入电阻Ri 21 30 kΩRR 40 46 dB 波纹抑制比立体声, Rg=0Ω,Vi =150mW f=100Hz输出噪声电压立体声Rg=0ΩVNO 0.3 1.0 mV立体声Rg=10kΩ0.5 2.0通道分离度立体声Rg=10kΩ Vo=0dBm CT 40 55 dB 推荐应用立体声应用(输出功率2.3W)1)固定电压增益(9脚直接接地 )Gv=20 log(R1/R2)2)可变电压增益(Rf和C1与9脚相连 )Gv=20 log(R1/(R2+Rf)桥式应用(输出功率4.7W)1)固定电压增益Gv=20 log(R1/R2) (9脚直接接地)Gv=20 log(R1/R2)2)可变电压增益(Rf和C1与9脚相连) Gv=20 log(R1/(R2+Rf))应用电路立体声电路BTL电路*完整资料请参考KA2206B PDF 数据手册。
一种Ka波段PHEMT单片集成功率放大器设计李彩红【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2013(036)004【摘要】A Ka-band monolithic integrated power amplifier working at 29 GHz～31 GHz was designed with WIN Semicon-ductor Corporation's 0.15 μm PHEMT technology. The RC parallel network is adopted in this paper to achieve the stability of the whole circuit. Three stage amplifier can meet the power gain of 27 dB at 30 GHz. The compression power output of 1 dB at 30 GHz is 30 dBm, input VSWR is less than 1.5, and power additional efficiency is 35%. The circuit runs at 6 V power sup-ply. The total size of the chip is 2.30 mm × 1.23 mm. Through the simulation, it is concluded that at 30 GHz, PUB output power reaches 30.4 dBm, PAE is 35%, the input standing wave ratio is 1.26, and the power gain is about 27 db. The stability coeffi-cient inside the whole frequency band is far more than 1. The whole circuit realizes the unconditional stability by RC parallel sta-bilization network and meets the design requirements.%基于GaAs衬底PHEMT工艺的新一代微波器件,具有截止频率高,增益大以及效率高的特点,该工艺更适合于微波频率的应用.采用WIN半导体公司的0.15 μm PHEMT工艺设计了工作在29～31 GHz Ka波段单片集成功率放大器,电路采用RC并联网络实现稳定性能,三级放大结构满足功率增益在30 GHz处为27 dB,输出1 dB压缩点功率为30 dBm,输入驻波比小于1.5,功率附加效率为35％.电路采用6V电源供电,芯片面积为2.30 mm×1.23 mm.最后设计通过仿真,得出在30 GHz的时候,Pldb输出功率达到30.4 dBm,PAE为35％,输入驻波比为1.26,功率增益为27 dB左右.在整个频段里面稳定系数远大于1,整个电路利用RC并联稳定网络实现了无条件稳定,达到了设计的要求.【总页数】3页(P127-129)【作者】李彩红【作者单位】广东交通职业技术学院,广东广州510650【正文语种】中文【中图分类】TN911-34【相关文献】1.Ka波段功率PHEMT的设计与研制 [J], 郑雪帆;陈效建;高建峰;王军贤2.一种基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的Ka波段功率放大器设计 [J], 李海华;王魁松;赵巾翔;梁晓新;阎跃鹏3.毫米波PHEMT功率单片集成电路研究 [J], 刘晨晖;张穆义;高学邦4.紧凑型Ka波段PHEMT微波单片集成VCO(英文) [J], 余稳;孙晓玮;钱蓉;张义门5.Ka波段PHEMT功率放大器 [J], 陈新宇;高建峰;王军贤;陈效建因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
Ka波段窄边波导缝隙天线的设计
杨彦炯;李长源
【期刊名称】《科技视界》
【年(卷),期】2012(0)11
【摘要】本文简要阐述了矩形窄边波导缝隙天线的相关理论,介绍了毫米波窄边波导缝隙行波阵的设计方法.设计过程中利用Ansoft HFSS高频仿真软件来获取缝隙初始导纳参数；并合理选择数据拟合方法和变量形式拟合缝隙电导与缝隙倾角函数.采用该方法设计了中心频率为35GHz的100个单元缝隙的行波直线阵,理论计算时E面副瓣电平按-28dB设计的泰勒分布,仿真得到的最大副瓣为-25dB.
【总页数】3页(P81-82,84)
【作者】杨彦炯;李长源
【作者单位】中国电子科技集团公司第二十研究所,陕西西安710068;中国电子科技集团公司第二十研究所,陕西西安710068
【正文语种】中文
【相关文献】
1.波导窄边缝隙天线的研究和设计 [J], 韦春海;李刚
2.矩形波导窄边倾斜缝隙天线阵的设计 [J], 隋立山;柴舜连;毛钧杰
3.基于CST的波导窄边缝隙天线的分析与设计 [J], 陈卓;薛豆豆
4.基于CST的波导窄边缝隙天线的分析与设计 [J], 任宇辉;高宝建;伍捍东;邓周虎
5.基于基片集成波导馈电的Ka波段渐变缝隙天线设计 [J], 郝宏刚; 李江; 张婷; 阮巍
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一种Ka波段宽带功率合成放大器的设计
杨强;吴沛涛
【期刊名称】《无线电工程》
【年(卷),期】2013(043)007
【摘要】随着电子对抗等宽带微波系统的日益发展,毫米波宽带功率放大器需求也越加强烈.近年来随着空间功率合成技术研究的深入开展,基于波导内的空间合成技术在合成效率、相对带宽和实用化方面均展现了良好的特性,受到了广泛的关注.介绍了一种新颖的小型化空间功率合成器,基于波导内空间合成技术,采用非均匀对极鳍线的等分过渡方式,对BJ320波导进行分层结构设计并实现了一种Ka全频段功率放大器,在32mm×30 mm×24 mm总体积内实现了4路合成,显示出了良好的工作性能.
【总页数】3页(P55-57)
【作者】杨强;吴沛涛
【作者单位】中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051
【正文语种】中文
【中图分类】TN722.75
【相关文献】
1.一种Ka波段基片集成波导功率合成器的设计 [J], 彭洋;周志平;姚思洁
2.一种Ka波段径向波导功率合成器设计 [J], 牛海君
3.一种Ka波段链式功率合成结构设计 [J], 贾兵;赵永久;贺颖
4.一种Ka波段开槽波导空间功率合成器的设计 [J], 彭洋;朱建立
5.一种Ka波段40W宽带功率合成放大器的设计 [J], 张人天; 蔡雪芳; 罗嘉
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Ka频段固态功率放大器技术设计方案-50W功率放大器技术指标：1．Ka波段10W10W-50W技术指标项目数据备注频率范围29~31GHz或25~27.5GHz可按需要的定制输出功率(P1dB)10-50W(40dBm-47dBm)最大安全输入功率+10dBm线性增益≥50dB-55dB增益调节范围20dB(步进1dB)数控衰减增益平坦度(25℃)峰峰值≤0.5dB任意40MHz频段增益变化(工作温度内)≤±1.0dBAM/PM变化≤3°/dB P1dB回退3dB 杂散≤-60dBc在P1dB输出二次谐波≤-60dBc在P1dB输出群时延变化线性≤0.04ns/MHz任意±3MHz带内抛物线≤0.006ns/MHz峰峰值≤2ns24小时时延变化≤1ns驻波比输入: 1.3:1输出: 1.5:1保护功能过反射保护,过热保护,过流﹑过压保护远控监控串口Ethernct网口两路RF输入开关接口形式RF输入:K(两路)(或WR-28两路)RF输出:WR-28RF输出耦合口(耦合度-40dBc);K-阴供电220VAC±10%,47~63Hz工作模式1:1模式或1:2模式工作温度-50~+60℃存储温度-55~+85℃功放使用环境室外:温度:-50~+60℃湿度:0~100%(无冷凝)海拔高度:<2000m其它要求防雨淋,防盐雾(室外机)MTBF>20000小时2．功放设计框图：例如一个Ka频段P1@dB输出10W框图：3.波导内空间功率合成放大器技术实施方案3.1功率合成放大器电路结构在雷达、电子干扰和通信发射机中，经常需要使用具有较大输出功率的放大模块。
在毫米波频段，由于单个固态器件的输出功率非常有限，要获取系统所需输出功率电平就必须采用功率合成技术。
固态功率合成放大器相对磁控管、行波管等电真空器件而言，除具有可靠性高，体积小、重量轻、交调特性好、功耗低、维护费低、直流电压低、对人员更安全等优点外，还能在一路或几路放大器出现故障的情况下保证系统继续工作而不会完全失效，只是在性能上有所下降，即所谓的“故障弱化”特性。
K波段收发多功能GaAs MMIC芯片
凌志健;彭龙新
【期刊名称】《固体电子学研究与进展》
【年(卷),期】2015(35)1
【摘要】介绍了一种基于0.15μm GaAs pHEMT功率工艺的K波段收发一体多功能芯片。
该多功能芯片包含了功率放大器和低噪声放大器及收发开关。
接收支路19.6-23.0GHz内增益大于23dB,增益平坦度为±0.2dB,输入输出驻波均小于1.8,噪声低于3.5dB;发射支路21-23GHz内输出驻波小于2.2,输入驻波小于2,增益大于25.6dB。
在22GHz时饱和输出功率为23.3dBm,饱和电流170mA,效率达到25.2%。
该多功能芯片接收/发射由单刀双掷开关控制。
芯片尺寸为：
4.1mm×2.75mm×0.05mm。
【总页数】6页(P40-45)
【关键词】微波单片集成电路;K波段;负载牵引;收发多功能
【作者】凌志健;彭龙新
【作者单位】南京电子器件研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN432
【相关文献】
1.K波段高效率GaAs收发一体多功能芯片 [J], 韩芹;刘会东;刘如青;曾志;魏洪涛
2.一种基于MMIC技术的S波段GaAs单刀单掷开关 [J], 刘聪;周翼鸿;李天明
3.K波段收发集成多功能芯片 [J], 彭龙新;朱赤;陈金远;李建平;高建峰;黄念宁;吴礼群
4.Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC [J], 陶洪琪;张斌;林罡
5.Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC [J], 陶洪琪;张斌;周强
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ka波段频率范围KA波段是指频率范围在26.5-40GHz之间的电磁波段，属于微波频段。
它是一种高频率的无线电信号，具有高速数据传输和低延迟的特点。
KA波段目前被广泛应用于卫星通信、飞机上网、高速列车通信等领域。
一、KA波段的基本概念1.1 KA波段定义KA波段是指频率范围在26.5-40GHz之间的电磁波段，属于微波频段。
它是一种高频率的无线电信号，具有高速数据传输和低延迟的特点。
1.2 KA波段应用领域KA波段目前被广泛应用于卫星通信、飞机上网、高速列车通信等领域。
其中，卫星通信是KA波段最主要的应用领域之一。
二、KA波段与其他微波频段的区别2.1 KA波段与Ku波段的区别Ku波段是指频率范围在12-18GHz之间的电磁波段，也属于微波频段。
与KA 波相比，Ku 波具有更长的传输距离和更好的穿透能力，但传输速率相对较慢。
2.2 KA波段与C波段的区别C波段是指频率范围在4-8GHz之间的电磁波段，也属于微波频段。
与KA 波相比，C 波具有更强的穿透能力和更远的传输距离，但传输速率较慢。
三、KA波段应用领域3.1 卫星通信KA波段在卫星通信领域得到广泛应用。
由于其高速数据传输和低延迟的特点，KA 波可以实现高质量、高可靠性的卫星通信服务。
目前，多个国家和地区正在开展卫星通信项目，其中大部分采用了 KA 波。
3.2 飞机上网KA波也被广泛应用于飞机上网领域。
通过 KA 波技术，乘客可以在飞行中享受到高速稳定的网络连接服务。
目前，多家航空公司已经推出了 KA 波上网服务。
3.3 高速列车通信KA波还可以应用于高速列车通信领域。
通过 KA 波技术，列车可以实现高速数据传输和精准定位服务。
目前，多个国家正在开展高速列车通信项目，其中大部分采用了 KA 波。
四、KA波段的发展趋势4.1 高速数据传输随着互联网和物联网的快速发展，对高速数据传输的需求越来越大。
KA波具有高速数据传输和低延迟的特点，未来将得到更广泛的应用。
YPA46-2731C1 27-31 GHz 功率放大器数据手册产品介绍YPA46-2731C1 是一款Ka 波段功率放大器芯片，频率范围覆盖27GHz~31GHz，小信号增益典型值为23dB，饱和输出功率典型值为43dBm，PAE 典型值28%。
关键技术指标◼频率范围：27GHz~31GHz◼小信号增益：23dB◼饱和输出功率：43dBm◼PAE：28%◼直流供电：Vd=22V@Id=900mA (Vg=-2.1V) ◼芯片尺寸：3.26 mm×4.80 mm×0.08 mm应用领域◼雷达◼通信◼仪器仪表使用限制参数电性能表（Vd=22V，Id=900mA，T A=+25℃）测试曲线（T A=+25℃）Vd=22V，Id=900mA外形尺寸注：1）所有标注尺寸单位为微米（μm）；2）外形长宽尺寸公差：±50μm；3）芯片厚度80μm。
键合压点定义建议装配图注：外围电容C1 容值为100pF，C2 容值为 10000pF，C3 容值为10μF，其中C1 推荐使用单层电容，尽量靠近芯片键合压点。
注意事项1）存储：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中，并在氮气环境下保存。
2）清洁处理：裸芯片必须在净化环境中操作使用，禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理。
3）静电防护：请严格遵守ESD 防护要求，避免静电损伤。
4）常规操作：拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子。
操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面。
5）加电顺序：加电时，先加栅压，后加漏压；去电时，先去漏压，后去栅压。
6）装架操作：芯片安装可采用AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺，安装面必须清洁平整，芯片与输入输出射频连接线基板的缝隙尽量小。
⚫烧结工艺：用80/20 AuSn 烧结，烧结温度不能超过300℃，烧结时间尽量短，不要超过20 秒，摩擦时间不要超过 3 秒。
⚫粘接工艺：导电胶粘接时点胶量尽量少，固化条件参考导电胶厂商提供的资料。
