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绪论
一. 符号约定
• 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。
• 小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。如： vCE、iB等。
• 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。
• 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。
二． 信号
〔1〕模型的转换
〔2〕分类
〔3〕频谱
二.放大电路
〔1〕模型 实用文档
. 〔2〕增益
如何确定电路的输出电阻ro ？
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. 三．频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的根底知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
第2章 基本放大电路
自测题
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)
2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)
3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)
4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)
5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)
6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)
7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)
二．试分析图各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
(g) (h) (i)
图
解：图(a)不能。VBB将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
图(i)不能。因为T截止。
三．在图 所示电路中，已知12CCVV, 晶体管β=100，'100bRk。填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0iUV&时，测得0.7BEQUV，若要基极电流20BQIA, 则'bR和WR之和
bR=( ()/CCBEQBQVUI )k≈( 565 )k；而若测得6CEQUV，
则cR=( ()/CCCEQBQVUI )≈( 3 )k。
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案
模拟电⼦技术基础习题答案
电⼦技术课程组2018.8.15
⽬录
第1章习题及答案 (1)
第2章习题及答案 (14)
第3章习题及答案 (36)
第4章习题及答案 (45)
第5章习题及答案 (55)
第6章习题及答案 (70)
第7章习题及答案 (86)
第8章习题及答案 (104)
第9章习题及答案 (117)
第10章习题及答案 (133)
模拟电⼦技术试卷1 (146)
模拟电⼦技术试卷2 (152)
模拟电⼦技术试卷3 (158)
第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤
B. 不变
C. 减⼩
（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通
B.反向截⽌
C.反向击穿
解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）
图P1.2.1
解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）
图P1.2.2
解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1
解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模拟电子技术电子教案
第一章：模拟电子技术基础
1.1 模拟电子技术的概念与发展
1.2 模拟电子电路的组成与特点
1.3 模拟电子技术的基本定律与分析方法
第二章：放大器电路
2.1 放大器的作用与分类
2.2 放大器的性能指标
2.3 放大器的基本电路分析
2.4 常用放大器电路实例
第三章：滤波器电路
3.1 滤波器的作用与分类
3.2 滤波器的性能指标
3.3 滤波器的基本电路分析
3.4 常用滤波器电路实例
第四章：振荡器电路
4.1 振荡器的作用与分类
4.2 振荡器的性能指标
4.3 振荡器的基本电路分析
4.4 常用振荡器电路实例
第五章：模拟电子技术的应用
5.1 模拟电子技术在通信领域的应用 5.2 模拟电子技术在音频设备中的应用
5.3 模拟电子技术在视频设备中的应用
5.4 模拟电子技术在其他领域的应用
第六章：模拟集成电路
6.1 集成电路概述
6.2 模拟集成电路的类型与特点
6.3 集成电路的封装与测试
6.4 常用模拟集成电路介绍
第七章：模拟信号处理
7.1 信号处理的基本概念
7.2 模拟信号处理技术
7.3 信号处理电路实例
7.4 信号处理在实际应用中的案例分析
第八章：模拟电路设计方法与实践
8.1 模拟电路设计的基本原则
8.2 电路设计的一般步骤
8.3 电路仿真与实验
8.4 电路设计实例分析
第九章：模拟电子技术在现代科技中的应用
9.1 模拟电子技术在生物医学领域的应用
9.2 模拟电子技术在工业控制领域的应用
9.3 模拟电子技术在新能源领域的应用 9.4 模拟电子技术在物联网领域的应用
第十章：模拟电子技术的未来发展趋势
10.1 模拟电子技术的发展历程
10.2 当前模拟电子技术面临的挑战
10.3 模拟电子技术的未来发展趋势
10.4 我国在模拟电子技术领域的发展现状与展望
重点和难点解析
教案中的重点环节包括：
1. 模拟电子技术的概念与发展：了解模拟电子技术的基本定义和发展历程，理解模拟电子技术与数字电子技术的区别。
