模拟电子技术第二章1

一、

1．判断下列计算图示电路的输出电阻oR的公式哪个是正确的。(C)

A．eoRR

B．Leo//RRR

C．βrRR1//beeo

D．βRrRR1//bbeeo

E．βRrRR1////bbeeo

+VCCC2C1RbRLRoReuiuous

2．已知图示电路中的晶体管β =100，100'bbr，调整bR使静态电流mA1CQI，C1、C2对交流信号可视为短路。

1．求该电路的电压放大倍数uA；

2．若调整bR使mA5.0CQI，则uA有什么变化？（基本不变，约减小到原来的21，约增大一倍）

Rb+VCCC2C1RL8.2k8.2k(+12V)Rcuiuo

3．已知图示电路中晶体管的β ＝100，V3.0BEQU，bbr＝200，各电容的容抗可忽略不计。

1．求静态工作点BQI、CQI、CEQU；

2．求电压放大倍数uA、输入电阻iR和输出电阻oR。

C2C1RbRLRo2k5.1kRi180kVCC( 12V)iBiCReusuiuo

4．已知图示电路中晶体管β ＝100，V7.0BEQU，bbr＝200，电容的容抗可忽略不计。

1．判断该电路是共射、共集、还是共基接法？

2．估算该电路的静态电流CQI，发射极对地静态电位EQU；

3．当iU=100mV时，oU等于多少？

4．求该电路的输入电阻iR和输出电阻oR。

C2C1RLRiRo4.7k(+12V)1k470k+VEERbiCReusuiuo

5．在某晶体管放大电路中，晶体管型号和电阻值已无法看清。通过测绘，得到如图所示的局部电路图，并测得电源电压大小和极性。据此能否判断出晶体管是图（a）或图（b）所示的类型和接法？若能判断，则说明判断结果。若不能判断，则经过下面给出的哪一种方法测量后，就一定能作出判断？

方法1：在输入端加一正弦信号，测输入和输出信号的相位；

方法2：分别测量①－②和①－③间的直流电压，观察哪个为0.7V（或0.3V）。

第2章 基本放大电路

自测题

一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。

1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)

2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)

3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)

4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)

5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)

6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)

7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)

二．试分析图各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

(a) (b) (c)

(d) (e) (f)

(g) (h) (i)

图

解：图(a)不能。VBB将输入信号短路。

图(b)可以。

图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。

图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。

图(e)不能。输入信号被电容C2短路。

图(f)不能。输出始终为零。

图(g)可能。

图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。

图(i)不能。因为T截止。

三．在图 所示电路中，已知12CCVV, 晶体管β=100，'100bRk。填空：要求先填文字表达式后填得数。

(1)当0iUV&时，测得0.7BEQUV，若要基极电流20BQIA, 则'bR和WR之和

bR=( ()/CCBEQBQVUI )k≈( 565 )k；而若测得6CEQUV，

则cR=( ()/CCCEQBQVUI )≈( 3 )k。

第二章 半导体二极管及其基本电路

2-1．填空

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入 ；P型半导体是在本征半导体中掺入 。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会

。

（3）PN结的结电容包括

和

。

（4）晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大电路中，晶体管通常工作在 区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该

。（正偏、反偏）

答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。

2-2．判断下列说法正确与否。

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ）

（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）

（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（ ）

（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ）

（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ ）

（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ）

（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）

（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）

答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。

（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

- 1 - 习 题

题1.1 求硅本征半导体在温度为250K、300K、350K时载流子的浓度。若掺入施主杂质的浓度317

dcm10=N，分别求出在250K、300K、350K时电子和空穴的浓度。

解：当K250=T时，有:

38221.1

23

16223

1i1icm10057.12501087.3)()(go

====−−

kTkTE

eeTATpTn，

同理，当K300=T时，有: 310

2i2icm10095.1)()(==TpTn，

当K350=T时，有: 311

3i3icm10060.3)()(==TpTn，

当掺入施主杂质后，

电子浓度：

dNn=，空穴浓度：

nn

p2

i=，

当K250=T时，317cm10=n,3

1712

icm112.0

10)(

==Tn

p，

当K300=T时，317cm10=n,33

1722

icm10199.1

10)(

==Tn

p，

当K350=T时，317cm10=n,35

1732

icm10364.9

10)(

==Tn

p。

题1.2 若硅PN结的317

acm10=N，316

dcm10=N，求K300=T时PN结的内建电位

差。

解：)ln(

2

ida

TnNN

UU

=

，

当K300=T时，mV26

T=U，310

icm1043.1=n,

代入得：76.0

)cm101.43(cm10cm10

lnV026.0

2310316317

=









=

UV。

题1.3 已知锗PN结的反向饱和电流为610−A，当外加电压为0.2V、0.36V及0.4V时流

过PN结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。

解：根据PN结方程，流过PN结的电流)1(TS−=UU

eII，6

S10−=IA，26

T=UmV，

2.0

1=UV时，3

S11019.2)1(T1

−=−=UU

eIIA， - 2 - 36.0

2=UV时，03.1)1(T2

S2=−=UU

eIIA，

4.0

3=UV时，8.4)1(T3