高密度等离子体ICP-180刻蚀总结

等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究第38卷第5期2021年5月西安交通大学学报JOU RNAL OF XI c AN JIAOT ON G U N IVERSIT YVol. 38 l 5M ay 2021等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究陈晓南, 杨培林, 庞宣明, 袁丛清(西安交通大学机械工程学院, 710049, 西安)摘要:用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP) 的干法刻蚀过程中, 工艺参数对刻蚀速率的影响. 研究结果表明, 刻蚀速率随SF 6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大, 但当SF 6气体流量、自偏压达到一定值后, 刻蚀速率开始降低. 实验中对工艺参数进行了优化, 在射频功率为500W 、自偏压为150V 、流量为50cm 3/s, 以及SiO 2和Si 3N 4的选择比为15的条件下, 硅的刻蚀速率达到了0180L m/m in. 关键词:感应耦合等离子体; 干法刻蚀; 硅中图分类号:T P205 文献标识码:A 文章编号:0253-987X(2021) 05-0546-02Influence of Process Parameters on the Etching Rate in InductivelyCoupled Plasma EtcherChen Xiaonan , Yang Peilin, Pang X uanm ing , Yuan Congqing(School of M echanical Engi n eering, Xi c an Jiaotong Universi ty, Xi c an 710049, China)利用等离子体(IPC) 可对硅进行快速的刻蚀, 但是其工艺参数对刻蚀结果[1]的影响很大. 本文在国产ICP-2B 型刻蚀机上以SF 6作为刻蚀气体进行了单晶硅的刻蚀实验. 刻蚀机的主要性能参数:极限真空度为6Pa, 电极尺寸为实验主要研究了操作工艺参数射频功率P 、极板功率P j 、自偏压U z 和气体流量q 等对刻蚀速率S k 的影响. 实验样片为N 型7612m m 双面抛光的硅片(晶向31004) , 电阻率为10~208#cm . 实验是在反应室压力为110Pa 、室温为20e 的环境下进行的. 每次刻蚀的时间均为10m in . 刻蚀深度通过台阶仪测出, 平均刻蚀速率为刻蚀深度除以刻蚀时间. 操作的方式为:¹当P 为500W , SF 6的q 分别为15、30、50和80cm /s , 以及U z 分别为40、80、150和250V 时, 得到S k 与SF 6的q 和U z 的关系曲线; º在反应室压力、温度固定不变的情况下, 设SF 6的q 为50cm /s , U z 为150cm /s , P 分别为300、500和700W 时, 得到Sk 与P 的关系曲线.2 实验结果分析2. 1 U z 与P j 的关系U z 是刻蚀工艺参数综合作用的结果. 在一般情况下, 反应室气压、P 和P j 都会影响U z , 从而对刻蚀过程产生影响. 在P =500W , SF 6的q 分别为15、30、50和80cm3/s 时, U z 与P j 的关系如图1所示. 由图1可见, U z 与P j 成正比关系, 而q 对U z 的影响不大, 可以忽略. 由于U z 的产生原因是由等离子体中离子与电子的巨大速度差异所致, 而在P 和反应室压力不变的情况下, 等离子体中离子和电子的数量基本是不变的, 所以改变q 不会对U z 产生影响.2. 2 U z 对S k 的影响由于U z 与P j 具有线性关系, 因此P j 对S k 的影响与U z 对S k 的影响是相同的, 两者可任选其一, 这里选择后者作为讨论对象. 在上述工艺参数下, S k 与U z 的关系如图2所示. 由图2可见, 在不同的q收稿日期:2021-07-15. 作者简介:陈晓南(1955~) , 男, 副教授. 基金项目:陕西省自然科学研究基金资助项目(2002E 07).第5期陈晓南, 等:等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究547下, S k 开始是随着U z 的增大而增大, 但U z 达到一定值后, S k 不再增加反而有所下降, 其原因是U z 增大时, 离子获得了较大的加速度, 由于轰击能量的增加, 因此对硅片曲解离子轰击的S k 也就提高了. 显然, 总体S k 较高, U z 过大, 即P j 过大, 会导致等离子体中离子壳层的厚度增大, 进而影响离子入射到硅片方向上的一致性. 这种由离子入射角产生的分散性使S k 降低, 尽管离子的轰击能量还在增加, 但总体的S k却发生了下降. 2. 3 q 对S k 的影响在P 为500W 、U z 分别为40、80、150和250V 时, S k 与SF 6的q 的关系如图3所示. 由图3可以看出, 在不同的U z 下, S k 开始随着SF 6的q 的增加而增大, 当达到最大值后, 却开始随着q 的增加而降低, 这是因为当q 刚开始增大时, 反应活性原子F 的自由基更新快, 且反应生成物SiF 4重新沉积的机会减少, 因此S k 会提高. 但是, 当q 过大时, 反应室中F 的自由基驻留时间短, 许多还没来得及参与反应就被真空泵抽走了, 因而导致了S k 的降低. 2. 4 P 对S k 的影响当U z 设定为150V 、SF 6的q 为50cm 3/s 时, S k 与P 的关系曲线如图4所示. 由图4可见, S k 随着P 的增大而增大, 这是因为P 越大, 产生的等离子体密度就越大, 那么会有更多的离子和F 的自由基用于刻蚀, 使S k 自然增大. 但是, 当P 增大时,图4 S k 与P 的关系图3 S k 与q 的关系曲线导致离子壳层的厚度增加, 使离子入射方向的一致性降低, 因此对S k 产生影响, 使S k 增大的趋势缓慢下来.2. 5 优化工艺参数由于检测手段的限制, 所以仅进行了简单的优化. 如果确定S k 为优化目标时, 其优化工艺参数为P =500V , U z =150V , q =50cm /s . 将SiO 2、Si 3N 4的选择比定为15, 则硅的S k 可达到0180L m/min.(1) 由以上讨论可知, 当反应室的压力、温度一定时, U z 、SF 6的q 和P 对S k 均有较大的影响. (2) 由于对硅的刻蚀是以SiO 2、Si 3N 4作掩蔽层, 因此在确定优化工艺参数时, 需要同时考虑对SiO 2、Si 3N 4的选择比. 又因为SiO 2、Si 3N 4的刻蚀主要是以离子轰击为主的刻蚀, 而硅主要是F 的化学图1 U z 与P j刻蚀, 因此在刻蚀工艺参数中, U z 不宜过大. 参考文献:[1] Chen K S, A y n Arturo A , Zhang X in, et al. Effect ofprocess par ameters o n the surface morphology and me -chanical perfo rmance of silicon structur es after deep reac -tive io n etching (DR IE)[J ].Jour nal of M icro -Elec -tromechanical Systems, 2002, 11(3) :264~274.。

ICP刻蚀工艺要点讲解ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀是一种常见的刻蚀技术，广泛应用于微电子器件制造中。

以下是对ICP刻蚀工艺要点的详细讲解，供参考。

1.ICP刻蚀原理：ICP刻蚀是利用高频激励电源产生电磁场，在反应室中形成等离子体，将基片表面产生化学反应的活性物质以离子的形式输送到基片表面，从而实现对基片表面进行刻蚀的过程。

ICP刻蚀的等离子体源通常采用偏压感应耦合状的圆锥状电极结构，通过加载高频电场，在反应室中形成高密度等离子体。

2.ICP刻蚀设备：ICP刻蚀设备由等离子体源、反应室和抽气系统等组成。

等离子体源通常采用二次加热结构，通过绕组在等离子体源周围产生交变磁场，从而使等离子体得以加热。

反应室主要是一个真空室，用于容纳等离子体和基片。

抽气系统则用于维持反应室的真空度。

3.ICP刻蚀气体选择：ICP刻蚀的气体选择是关键的一步。

常见的气体有氧气（O2）、氟化物（SF6、CF4等）和氯化物（Cl2等）。

不同气体具有不同的化学反应性质，可以实现对不同材料的刻蚀。

例如，氧气常用于氧化层的刻蚀，氟化物常用于硅基材料的刻蚀，而氯化物则常用于金属层的刻蚀。

4.ICP刻蚀参数调节：ICP刻蚀参数的调节对刻蚀结果具有重要影响。

主要参数包括功率、气体流量、工作压力和刻蚀时间等。

功率的大小决定了等离子体的密度，气体流量决定了刻蚀速率，工作压力则决定了气体的密度。

刻蚀时间取决于所需的刻蚀深度。

5.ICP刻蚀模板设计：6.ICP刻蚀优点：ICP刻蚀具有许多优点。

首先，ICP刻蚀具有较高的刻蚀速率，可用于制备较深的结构。

其次，ICP刻蚀能够实现较高的刻蚀选择比，能够实现高精度的刻蚀。

再次，ICP刻蚀对基片的损伤较小，能够保持较好的表面质量。

此外，ICP刻蚀工艺在刻蚀金属、绝缘体和半导体等材料时均具有良好的适应性。

7.ICP刻蚀应用：总结：ICP刻蚀是一种常见的微纳米加工技术，具有高刻蚀速率、高刻蚀选择比、低基片损伤等优点。

6H SiC体材料ICP刻蚀技术丁瑞雪,杨银堂,韩 茹(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071)摘要:采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。

分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。

结果表明,2 m以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。

刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10nm深度的部分。

关键词:碳化硅;感应耦合等离子体;刻蚀速率;XPS中图分类号:O484;T N305.7 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2008)增刊-0280-04 Inductively Coupled Plasma Etching of Single Crystal6H SiCDing Ruix ue,Yang Yintang,H an Ru(K ey L abor ator y of M inistr y of Education f or Wide Band Gap Semicond uctor M ater ials and D ev ices,X idian Univer sity,X i an710071,China)Abstract:Inductiv ely coupled plasma(ICP)etching of sing le cr ystal6H silicon carbide(SiC) w as investigated using ox ygen added sulfur hexafluo ride(SF6)plasmas.T he observed relatio ns betw een the etching rate and ICP co il pow er,differ ent bias vo ltag es w ere discussed.The inf luence o f above mentioned process conditio ns and photoresist patterning o n etching quality w ere also investig ated.Exper im ental results show that the results of photor esist patterning can signi ficantly affect the SiC etching shape.T he patter n g raph w hose etch width is m ore than2 m is clear.T he SiC etched depth is proportioned to the etching w idth,the narrow er the etching w idth,the deeper the etching depth.T he etching rate trends to increase w ith the increase of ICP coil pow er and bias voltage.T he XPS results indicate that the residue o f F ions after etching w ill rarely appear below etched surface10nm or deeper.Key words:SiC;etch rate;inductiv ely coupled plasma;XPSEEACC:2520M0 引 言SiC材料具有禁带宽度大、击穿场强高、介电常数小等优点,在制备高温、高频、大功率、抗辐射的半导体器件及紫外光电探测器等方面具有极其广泛的应用,被誉为前景十分广阔的第三代半导体材料[1]。

*I C P 刻蚀 S i / P MMA 选择比工艺研究虎 将，蔡长龙，刘卫国，巩燕龙( 西安工业大学光电微系统研究所，西安 710032)摘 要:为了将聚甲基丙烯酸甲酯( P MM A ) 上的图案等比例的转移到硅基材料上，对基于感应耦合等离子体技术( Inductivel y C oupled Plasma ，I C P ) 的 Si 和 P MM A 的刻蚀速率进行了研究。

结合 英国牛津仪器公司的 I C P 180 刻蚀系统，以 SF 6 和 O 2 混合气体为反应气体，研究了在其他参数相同的情况下，不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响，得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线，并得 出了对于 S i 和 P MM A 刻蚀速率相同时的气体比例。

实验发现，如果增加反应气体中 SF 6 的比重， 会加快 S i 的刻蚀速率而降低 P MM A 的刻蚀速率，反之，若降低 SF 6 的比重而增加 O 2 的比重，则会 相应降低 Si 的刻蚀速率而增加 P MM A 的刻蚀速率。

据此，通过调节反应气体的比例，实现对 Si 和 P MM A 的同速率去除。

关键词:等离子体刻蚀;S i / P MM A 选择比;图层转移 DOI 编码:10． 3969 / j ． issn ． 1002 － 2279． 2014． 01． 003中图分类号:O439;T N305． 7 文献标识码:A 文章编号:1002 － 2279(2014)01 － 0009 － 03Techn i c a l S tud y on S e l e c ti on Ｒa ti o o f S i / P MM A B ase d on IC P E t ch i ngHU Jiang ，C AI C hang － long ，L IU Wei － guo ，GONG Yan － long( M i cro － Op ti c － El ec t ro ni cs Sy s t e m s L a bor at or y ，Xi ’an T ec hn o l o gi c al U ni vers ity ，Xi ’an 710032，C hina )Ab st ract :In o rder t o trans f er the pattern f r o m P MM A t o silic o n － based m aterials w ith equal pr o p o rti o n ， the etchin g rate of S i and P M M A based o n inducti v el y c o upled plasm a (I C P ) is studie d ． Co m bined w ith the etchin g s y stem of B ritish O xfo rd instrum ents nam ed I C P 180，the m i x ed g as of S F 6 and O 2 ，as reacti o n g as ，areused t o research the etchin g rate e ff ects of the t w o m aterials b y di ff erent g as rati o under the sam eparam eters ．T he cur v e of etchin g rate chan g e ，w ith the rati o of g as ，and the g as rati o under the sam e etchin g rate are o btaine d ． T he e x perim ents sh ow that the etchin g rate of S i w ill increase ，i f the pr o p o rti o n of S F 6 is increased ， and the etchin g rate of P M M A w ill decrease ． A nd v ice v ersa ，i f the pr o p o rti o n of S F 6 is reduced and the pr o p o r ti o no f O 2 is increased ，the e tchin g r ate o f S i w ill be d ecreased a nd t he e tchin g r ate o f P MM A w ill be increase d ． A cc o rdin g l y ，the sam e etchin g rate of S i and P MM A is o btained b y adjustin g the reacti o n g as rati o ．K ey word s :Plasma etching ;S i / P MM A rati o ;Pattern trans f er一个非常有意义的课题。

icp刻蚀工艺ICP刻蚀工艺是一种常用于半导体制造中的重要工艺，用于在硅片表面精确刻蚀出所需的结构和图案。

本文将介绍ICP刻蚀工艺的原理、特点以及应用。

一、ICP刻蚀工艺的原理ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀工艺是利用高频电场和磁场耦合的等离子体来进行刻蚀的一种方法。

其原理是通过在真空室中建立等离子体，使得气体分子被激发成等离子体，然后利用等离子体中的离子和中性粒子对硅片表面进行刻蚀。

ICP刻蚀工艺主要包括四个步骤：气体注入、等离子体激发、离子轰击和副产物排除。

首先，将所需的刻蚀气体注入真空室中，通常使用的刻蚀气体有氟化物和氯化物等；接着，通过高频电场和磁场的耦合作用，激发气体分子成为等离子体；然后，利用等离子体中的离子对硅片表面进行轰击，使其发生化学反应并刻蚀；最后，通过真空泵将副产物排除，保持真空室的清洁。

二、ICP刻蚀工艺的特点1. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺由于利用了高能离子轰击硅片表面，因此具有较高的刻蚀速率，可在短时间内完成较深的刻蚀。

2. 高刻蚀选择性：ICP刻蚀工艺可根据所使用的刻蚀气体的不同，实现对不同材料的选择性刻蚀。

这对于多层结构的刻蚀非常重要。

3. 高刻蚀均匀性：ICP刻蚀工艺利用等离子体对硅片表面进行刻蚀，其刻蚀均匀性较好，可以得到较为平坦的表面。

4. 低表面粗糙度：由于ICP刻蚀工艺对硅片表面的刻蚀是通过离子轰击实现的，因此其表面粗糙度较低。

5. 环境友好：ICP刻蚀工艺不需要使用有机溶剂等对环境有害的化学物质，对环境的影响较小。

三、ICP刻蚀工艺的应用ICP刻蚀工艺广泛应用于半导体制造中的多个领域，如集成电路、光学器件、微机电系统等。

在集成电路制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀金属线、多晶硅、氮化硅等材料，用于制作电路的导线、晶体管等结构。

在光学器件制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀光波导、光栅等结构，用于制作光通信器件、光传感器等。

在微机电系统制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀微结构、微通道等，用于制作微流体芯片、压力传感器等。

半导体刻蚀工艺技术——ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductively coupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做了简要分析。

阐述了ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响以及干法刻蚀的生成物。

由于ICP技术在加工过程中可控性高，具有越来越重要的地位。

以在硅基MEMS器件的ICP刻蚀为例，详细的介绍了在硅基MEMS制作过程中ICP刻蚀的反应过程，说明了在ICP刻蚀过程中如何实现控制加工深度和角度。

据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势,对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ一V族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。

关键词：ICP、刻蚀、参数、模型、等离子体Process technology of semiconductor etching——ICPLIU Zhi Wei（Xi'an Electronic and Science University, School of Microelectronics.1411122908）Abstract：ICP technology is one of the commonly used in micro nano processing technology，This paper simply introduces ICP etching technology (inductively coupled plasma) structure and the basic principles of etching equipment,To do a brief analysis on the ICP process involved in chemical, physical process.Describes the effects of ICP etching parameters on the etching results and the resultant dry etching. Because the ICP technology in the process of processing high controllability, plays a more and more important role. Using ICP etching in silicon MEMS device as an example, describes in detail in the reaction process of silicon based MEMS in the production process of ICP etching, explains how to realize the control of machining depth and angle in the ICP etching process. According to the development status and development trend at home and abroad in recent years of ICP technology, its application in optoelectronic devices and semiconductor oxide, III a group V compound as well as some brief introduction.Key words：ICP、etching, parameter, model, plasma1引言刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分,微电子学的快速发展推动其不断向前。

ICP刻蚀工艺要点以下是ICP刻蚀工艺中的一些关键要点：1.等离子体产生：通过在真空环境中加入惰性气体（例如氩气）并使用高频电场产生RF-ICP等离子体。

这个等离子体包含了被激发的气体分子以及各种气体离子。

2.电容电感结构：在ICP刻蚀系统中，电容电感结构（LC结构）用于产生高频电场。

这样的结构包括电感线圈和电容补偿装置，可以产生强大的电磁场以产生等离子体。

3.气体分压和流量：在ICP刻蚀工艺中，需要调整气体的分压和流量以获得所需的刻蚀速率和选择性。

刻蚀速率与气体浓度和功率有关，而选择性则与气体比例有关。

4.溅射抑制：在ICP刻蚀中，溅射是一个常见的问题，可以通过将样品表面与惰性气体保持垂直以及使用较低功率来减少溅射。

5.温度控制：在ICP刻蚀中，温度对于实现所需的刻蚀速率和选择性也非常重要。

通常，通过控制气体流量和样品加热来控制温度。

6.蚀坑形貌控制：ICP刻蚀可以产生不同形貌的蚀坑，例如平坦、斜坡或峪。

这可以通过调整刻蚀参数（例如功率、气体比例和流量）以及在刻蚀过程中使用掩膜来实现。

7.选择性控制：在ICP刻蚀中，选择性是指在刻蚀材料时同时限制刻蚀相邻层的能力。

通过调整刻蚀条件和选择合适的气体比例，可以实现所需的选择性。

8.清洗和后处理：在ICP刻蚀后，样品表面可能残留有刻蚀产物或杂质，需要进行清洗和后处理。

常用的方法包括使用化学清洗剂或高温处理。

总结起来，ICP刻蚀工艺是一种高效、精确控制的刻蚀方法。

通过调整刻蚀参数和选择合适的气体比例，可以实现所需的刻蚀速率和选择性，并进行蚀坑形貌控制。

这些要点对于成功实施ICP刻蚀工艺非常重要，能够满足不同样品材料的刻蚀需求。

一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理 3二、刻蚀的基本要求9 （负载效应、图形的保真度、均匀性、表面形貌、刻蚀的清洁）三、等离子体刻蚀的基本过程11 （物理溅射刻蚀、纯化学刻蚀、离子增强刻蚀、侧壁抑制刻蚀）四、影响刻蚀效果的因素14 掩膜的影响、工艺参数的影响（ICP Power源功率、RF Power偏压功率、工作气压气体成分和流量、温度）五、附加气体的影响16六、多种条件刻蚀技术18 高速率刻蚀、高选择比刻蚀、特定剖面刻蚀一、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz射频电源一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。

功率的大小直接影响等离子体的电离率，从而影响等离子体的密度。

第二套射频电源连接在腔室内下方的电极上，此电极为直径205mm的圆形平台，机械手送来的石英盘和样品放在此台上进行刻蚀。

激光干涉仪端口ICP功率源水冷却的射频线圈静电屏蔽晶片夹/氦气冷却机制平板功率源实验中刻蚀三五族材料使用的是英国Oxford仪器（Oxford instruments plasma technology）公司的plasma180系统中的plasmalab system100型ICP。

可以刻蚀GaN、AlGaN、GaAs、InP、InGaAs、InGaP/AlGaInP 、InGaAs/InGaAsP等多种化合物材料。

苏州纳米所材料ICP功率：0-3000wRF功率：0-1000w压力范围：1-100mT加工范围：6寸工艺气体：Cl2,BCl3,HBr,CH4,He,O2,H2,N2氦气冷却由氦气良好的热传导性，能将芯片上的温度均匀化1torr=1.333mbarGaN刻蚀ProfileICP操作流程装片1.在Pump界面点击左边Pump图标下Stop，切换至Vent，120s后打开Loadlock2.涂抹真空油脂：根据片子尺寸大小，在托盘上涂抹均匀一层油脂3.放片：放片的时候要用镊子轻轻夹住样片，将样片一边贴在油脂上，慢慢地放下另一边，用镊子按住样片一端，在油脂上稍稍一动样片，以便赶走样片与油脂之间的气泡，使得样片与油脂紧密粘在一起。

icp刻蚀工艺技术ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀工艺是一种利用感应耦合等离子体进行化学气相刻蚀的技术。

该技术能够实现高精度、高均匀度的刻蚀，已广泛应用于半导体、光电子、纳米材料等领域。

下面将介绍ICP刻蚀工艺的基本原理及其应用。

ICP刻蚀工艺是利用高频电场感应在低压气体中产生的高温等离子体对材料进行刻蚀。

工艺流程一般包括预处理、腐蚀、刻蚀等几个步骤。

首先，在预处理阶段，将待刻蚀的样品进行清洗，去除表面的污染物和氧化层，以保证刻蚀的质量和精度。

然后，在腐蚀阶段，将样品放置在腐蚀室中，通过辅助电源提供电场，使得样品表面均匀地被腐蚀，形成蚀刻层。

最后，在刻蚀阶段，通过改变气体组分、功率密度等参数，控制蚀刻速率和刻蚀深度，实现对样品的精确刻蚀。

ICP刻蚀工艺具有许多优点。

首先，由于高能量等离子体的使用，ICP刻蚀能够实现更深和更均匀的蚀刻深度，刻蚀速率高。

其次，在刻蚀过程中，等离子体对样品的表面进行蚀刻，从而形成良好的刻蚀质量和表面平整度。

此外，ICP刻蚀操作简单，可以进行批量生产，提高生产效率。

ICP刻蚀工艺在各个领域都有广泛的应用。

首先，在集成电路制造中，ICP刻蚀工艺可以用于制备光刻掩膜、图案转移、开窗等工艺步骤，实现半导体器件的精细加工。

其次，在光电子器件制造中，ICP刻蚀工艺可以用于制备光栅、波导等光学元件，提高器件的性能和稳定性。

此外，ICP刻蚀工艺还被广泛应用于纳米材料的制备和研究中，可以实现对纳米结构的精细刻蚀。

然而，ICP刻蚀工艺也存在一些问题。

首先，等离子体的高温和高能量可能会导致材料的损伤和变形，降低器件性能。

其次，刻蚀过程中产生的副产物和气体可能会对设备和环境造成污染和损害。

综上所述，ICP刻蚀工艺是一种高精度、高均匀度的刻蚀技术，广泛应用于半导体、光电子、纳米材料等领域。

随着对器件制备和研究要求的不断提高，ICP刻蚀工艺将会得到更广泛的应用和发展。

icp刻蚀原理ICP刻蚀原理。

ICP刻蚀（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种高精度、高选择性的刻蚀技术，广泛应用于半导体器件制造和微纳加工领域。

ICP刻蚀利用高频电场和等离子体来去除材料表面的部分，以实现微纳米级的图案定义和加工。

本文将介绍ICP刻蚀的原理及其在微纳加工中的应用。

ICP刻蚀的原理。

ICP刻蚀利用高频电场和等离子体来去除材料表面的部分，其原理主要包括以下几个方面：1. 等离子体产生，ICP刻蚀使用高频电场来激发气体，使其电离成等离子体。

等离子体是一种高能量的离子气体，具有较高的化学反应活性和能量。

在ICP刻蚀中，等离子体的产生是通过将气体放置在一个带有高频电场的感应线圈中来实现的。

2. 等离子体加速，在ICP刻蚀中，产生的等离子体被加速并注入到刻蚀室中。

等离子体的加速可以通过外加的电场或者磁场来实现，以提高其能量和反应活性。

3. 化学反应，一旦等离子体注入到刻蚀室中，它们将与被刻蚀的材料表面发生化学反应。

这些化学反应将导致被刻蚀材料的表面发生变化，从而实现刻蚀的目的。

ICP刻蚀的应用。

ICP刻蚀技术在半导体器件制造和微纳加工领域有着广泛的应用，主要包括以下几个方面：1. 半导体器件制造，ICP刻蚀技术被广泛应用于半导体器件的制造过程中，用于定义和加工器件的图案和结构。

由于ICP刻蚀具有高精度、高选择性和高速度的特点，因此在半导体器件制造中得到了广泛的应用。

2. 微纳加工，ICP刻蚀技术还被广泛应用于微纳加工领域，用于制备微纳米结构和器件。

由于ICP刻蚀具有高精度和高选择性的特点，因此在微纳加工中得到了广泛的应用，例如制备纳米光子学器件、微纳米流体器件等。

总结。

ICP刻蚀是一种高精度、高选择性的刻蚀技术，利用高频电场和等离子体来去除材料表面的部分，以实现微纳米级的图案定义和加工。

ICP刻蚀技术在半导体器件制造和微纳加工领域有着广泛的应用，对于提高器件的性能和制备微纳米结构具有重要意义。

第42卷第9期2023年9月硅㊀酸㊀盐㊀通㊀报BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol.42㊀No.9September,2023电感耦合等离子刻蚀法加工石英晶体谐振器工艺研究陈静白1,张新海1,刘㊀峰2(1.南方科技大学电子与电气工程系,深圳㊀518055;2.广东惠伦晶体科技股份有限公司,东莞㊀523757)摘要:为了制备石英晶体谐振器,在石英衬底上采用光刻和电感耦合等离子刻蚀技术制备台阶形貌,研究了制备过程中激励电源功率㊁偏压电源功率以及导热物质等工艺参数对刻蚀效果的影响㊂并且利用扫描电子显微镜对刻蚀图形的表面形貌进行了观察,通过实验与分析得到了符合工业生产要求的工艺参数㊂最后在最优工艺参数条件下,制得了高约22μm 的整齐的台阶形貌,并将干法刻蚀的结果与湿法刻蚀对比,展现了干法刻蚀的特点以及干法刻蚀应用于工业化生产石英晶体谐振器的潜力㊂关键词:石英晶体;光刻;电感耦合等离子刻蚀;工艺参数;台阶刻蚀中图分类号:TH162㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1001-1625(2023)09-3395-07Fabrication of Quartz Crystal Resonator by Inductively Coupled Plasma Etching MethodCHEN Jingbai 1,ZHANG Xinhai 1,LIU Feng 2(1.Department of Electrical and Electronic Engineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen 518055,China;2.Guangdong Faith Long Crystal Technology Co.,Ltd.,Dongguan 523757,China)Abstract :In order to fabricate quartz crystal resonators,the step morphology was prepared on the quartz substrate by photolithography and inductively coupled plasma etching.The influences of the process parameters such as the excitation power,the bias power and the heat-conducting substance on the etching effect were studied.The surface morphology of etched pattern was observed using scanning electron microscope,and the process parameters which meet the requirements of industrial production were obtained through experiment and analysis.Finally,the vertical step morphology with a height of about 22μm was obtained using optimized processing parameters.The characteristics of dry etching and the feasibility of dry etching for industrial production of quartz crystal resonators were demonstrated by comparing with wet etching.Key words :quartz crystal;photolithography;inductively coupled plasma etching;processing parameter;step etching收稿日期:2023-05-16;修订日期:2023-06-13基金项目:东莞市重点领域研发项目(20201200300112)作者简介:陈静白(1997 ),男,硕士研究生㊂主要从事石英晶体谐振器制备的研究㊂E-mail:12032216@通信作者:张新海,博士,教授㊂E-mail:zhangxh@ 0㊀引㊀言石英晶体谐振器(下文简称石英晶振)的主要作用是产生稳定的振荡信号,广泛应用于通信㊁计算机㊁医疗㊁汽车等领域㊂石英晶振可以自身产生特定频率的振荡信号,也可以作为电路中的谐振元件使用㊂随着通信和计算机设备的快速发展,对石英晶振的要求也越来越高,其中,高基频是石英晶振提升的方向之一㊂石英晶片的各种切型中,AT 切型的应用最为广泛㊂对于AT 切型石英晶片,在理想情况下它的振动频率与晶片的厚度近似成反比[1-2],因此生产高基频的石英晶振就需要更薄的石英晶片㊂石英的加工方式主要有机械加工㊁湿法刻蚀加工和干法刻蚀加工等㊂其中,机械加工可以提供足够高的减薄效率[3],但是加工过程中容易造成材料的损伤,且在加工尺寸较小的石英晶振时,平滑度与精度都难以保证[4]㊂湿法刻蚀加3396㊀新型功能材料硅酸盐通报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第42卷工是目前高基频石英晶振生产的主要方案,使用主要成分为氟化氢的溶液,辅以氟化铵或其他缓冲液[5],但是容易受到石英的各向异性影响,同时较为合适的腐蚀液的配方也在研究之中[6]㊂除这些之外,干法刻蚀加工也是一条解决问题的途径㊂在石英表面使用金属代替光刻胶充当掩膜可以有效阻挡干法刻蚀的气体侵蚀,从而制备出清晰光滑的台阶结构[7]㊂电感耦合等离子(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀是石英干法刻蚀的有效方式[8-11],对于垂直台阶结构的刻蚀效果,如垂直度㊁粗糙度等方面表现优秀,但是目前还未被用于实际生产㊂20世纪50年代起,美国科学家就意识到,通过传统机械研磨来提高石英晶振基频的方法陷入了瓶颈,因此需要尝试其他方法来减薄石英片㊂1972年,Guttwein 等[12]首先设计出包含台阶结构的石英晶振模型,并提出使用离子束刻蚀法来进行石英晶振制备㊂1978年,Berte 等[13]同样使用干法刻蚀技术制备出了基频高达271MHz 的石英晶振㊂我国科学家也利用离子束刻蚀法制备出了基频高达300MHz 的石英晶振,但却因为品质与加工难度等因素未能实现量产㊂近年来,考虑到湿法加工的便捷性,各大企业逐渐选择湿法加工作为石英晶振量产的主要手段㊂然而,近年来的许多研究都围绕着提高石英晶振的品质,在设计石英晶振时使用了较多的台阶结构[14],对于电极的外形也进行了非常多的优化[15-16]㊂而干法刻蚀在这些复杂结构的制备中具备很大优势[17]㊂除此之外,为了提高生产的精度,石英晶振在后续的微调工艺中也需要使用干法刻蚀工艺[18]㊂因此,干法刻蚀在未来高基频石英晶振的生产中具有很大潜力㊂尽管目前对于石英晶振的制备工艺已经有很多的研究,但是,一方面在不同的环境与设备操作下的制备效果不尽相同,因此每次产品制备都需要对配方进行研究和调试;另一方面,我国高基频石英晶振的产业化道路起步较晚,在国内诸多工厂工业生产中,光刻与刻蚀工艺刚初步引入,流程尚不成熟,亟须大量数据的积累㊂因此,对于石英晶振制备工艺的自主研发必不可少㊂本文将通过实验研究干法刻蚀的步骤与各个工艺参数对刻蚀效果的影响,对比干法刻蚀在实际石英晶振生产中的优势与不足,展示干法刻蚀加工在石英晶振工业生产中的可行性和应用前景㊂1㊀实㊀验主要实验环节包括光刻与刻蚀㊂在曝光流程中,选择了德国SUSS MA6/BA6曝光机作为此次实验的光刻设备,其分辨率可以达到1μm,并且具有上下两对摄像头,以保证正反面对位都可以进行㊂石英刻蚀选择在ICP 刻蚀系统中进行,该系统有两个高密度等离子体源㊂其中,ICP 源是一个平面电极在反应室顶部的螺旋线圈,能量由频率为13.56MHz 的射频电源提供,或称为激励电源㊂偏置电源(或偏压电源)的频率与之相同,放置在反应室底部㊂ICP 刻蚀过程中同时存在着物理和化学反应,对掩膜的刻蚀主要是离子进行物理溅射造成的㊂衬底的刻蚀主要是化学反应引起的,但也存在物理反应的增强作用[19]㊂刻蚀过程中各参数的选择对刻蚀后的形貌起着关键作用㊂图1㊀干法加工石英的实验流程示意图Fig.1㊀Experimental flow schematic diagram of dry processing quartz 石英刻蚀常常选用氟基气体作为刻蚀气体,常用的包括C 4F 8㊁CHF 3与SF 6等[20]㊂本次实验使用的气体为CHF 3㊂实验流程示意图如图1所示,详细步骤为:1)选取厚度大约为68μm 的二寸石英晶圆㊂考虑到相比电镀,磁控溅射的均匀性与附着力较好,因而使用磁控溅射设备对石英晶片镀铬,在两面分别生长5μm 左右的铬膜㊂2)将光刻胶RZJ-304-50旋涂在镀铬的晶圆上,转速为5000r /min,接着在100ħ的热板上烘烤180s,匀胶厚度在2μm 左右㊂3)将烘烤后的晶圆置于曝光机下曝光㊂本次实验晶圆质量较小,而光刻胶具有一定黏性,为了避免晶圆被吸附在光罩上,选择使用soft contact 模式,曝光时间6s,随后使用RZX-3038显影液进行显影,大约持续60s,最后置于120ħ的热板烘烤90s 坚膜,完成单面的软掩膜制备㊂4)使用硝酸铈铵铬刻蚀液对晶圆进行湿法刻蚀,大约15min 后即可将没有光刻胶保护的区域刻蚀干净㊂5)依次使用丙酮㊁异丙醇㊁无水乙醇和去离子水进行超声清洗,各清洗5min,将表面光刻胶去除,然后第9期陈静白等:电感耦合等离子刻蚀法加工石英晶体谐振器工艺研究3397㊀烘干,完成硬掩模上图案的制备㊂6)开始进行刻蚀工艺㊂7)取出后依次使用丙酮㊁异丙醇㊁无水乙醇和去离子水清洗㊂其中,干法刻蚀工艺的主要步骤如表1所示㊂表1㊀干法刻蚀的步骤Table 1㊀Steps of dry etchingParameterStep 1Step 2Step 3Step 4Step 5Time /s 30806040060Chamber pressure /(mTorr)88888Flow of Ar /(500cm 3㊃min -1)00202020Flow of O 2/(300cm 3㊃min -1)5050555Flow of CHF 3/(200cm 3㊃min -1)00100100100Excitation power /W 01000Undetermined 0Bias power /W 0400Undetermined 0㊀㊀Note:1Torr =133.3224Pa.在Step 1与Step 2中通过氧气预先进行表面的清洁,然后从Step 3开始通入刻蚀气体,刻蚀时间的增加主要是通过后续Step 4与Step 5交替进行来实现的㊂在完成刻蚀后,会继续使用氧气进行一次干法清洁,最后进行充气,随后将样品取出㊂2㊀结果与讨论2.1㊀金属掩模的选择常用的硬掩模包括Ni㊁Cr㊁Al 和Au 等金属,此外,Al 2O 3与AlN 作为掩膜有着很高的选择比,也是备选的掩膜方案[21]㊂在石英晶振生产过程中,制备电极时需要的金属包括Au㊁Ag 和Cr,因此,尽管其他成分与结构的掩膜具有很多优势,但是在实际生产过程中可操作性与效率较低㊂与Cr 相比,Au 与石英热膨胀系数差距过大,这可能导致在温度变化时附着效果变差,不仅会对石英晶振的后续刻蚀产生影响,还会对石英晶振性能有所影响,因此实际制备中通常先沉积一层较薄的Cr,再在其上面镀Au㊂但是,考虑到Au 作为掩膜的选择比并不高,并且使用两层金属做掩膜会增加工序,延长时间,提高成本㊂因此使用Cr 掩膜更加符合工业生产的要求,最终选择使用单一的Cr 掩膜作为刻蚀掩膜方案㊂2.2㊀激励电源功率探究图2㊀刻蚀速率和选择比与激励电源功率的关系Fig.2㊀Relationship between etching rate and selection ratio with excitation power 相比于反应离子刻蚀,ICP 刻蚀最大的优势是在系统上端增加了用于激发等离子的射频电源,因此激励电源的功率也是影响ICP 刻蚀过程的重要参数㊂根据设备功能,本次实验使用的激励电源功率最大可达600W,因此设定这一参数在200W 至600W 之间㊂通过改变激励电源功率,进行了大量实验,得到的刻蚀速率和选择比与激励电源功率的关系如图2所示㊂由图2可见,随着激励电源功率的增加,刻蚀速率明显增加,但是选择比的变化并不显著㊂这是因为在一定范围内,较大的等离子密度有利于化学和物理刻蚀㊂因此,在此次制备中,选取了最高的激励电源功率600W 作为后续的实验参数㊂但是过大的激励电源功率对于装置和腔体的散热提出了更高的要求㊂2.3㊀偏压电源功率探究干法刻蚀相较于湿法刻蚀,速率相对稳定,不易受外界因素影响㊂其中偏压电源功率决定了等离子加速冲击时的能量,对于刻蚀速率的影响很大㊂此外,增加偏压电源功率也强化了物理刻蚀效应,因此会削弱选3398㊀新型功能材料硅酸盐通报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第42卷图3㊀刻蚀速率和选择比与偏压电源功率的关系Fig.3㊀Relationship between etching rate and selection ratio with bias power 择比,对掩膜提出更高要求㊂参考之前的实验数据,本实验中选择了厚度较大的5μm 的铬掩膜来进行刻蚀,在监控达到目标深度(20μm)时停止,改变偏压电源功率观察实验结果㊂将激励电源功率设置为600W,而将偏压电源功率作为待定参数进行实验㊂本设备可使用的最大偏压电源功率为100W,本次实验使用的偏压电源功率设定在30~80W㊂刻蚀速率和选择比与偏压电源功率的关系如图3所示,随着偏压电源功率的增加,刻蚀速率逐渐增加,但是选择比相应减小㊂在实际生产中,制备掩膜所需要的时间也会被计算在成本之中,而且过厚的掩膜会受到热应力而产生问题,对镀膜工艺要求更高㊂目前使用磁控溅射制备铬掩膜,需要分层制备,每层为1μm,当制备到4层以上时,晶圆受到应力作用,破损率超过10%,不利于后续制备㊂而掩膜厚度存在限制,所对应的选择比应当不低于5,所对应偏压电源功率大约为60W,若使用较低的50W 功率,在刻蚀时需要额外花费1~2h,降低了效率,因此选择了60W作为最终的偏压电源功率,在保证一定的选择比的情况下尽可能增加刻蚀速率㊂2.4㊀导热物质探究当偏压电源功率大于40W 时,石英表面因为受到等离子冲击形成了大量粗糙形貌,如图4(a)所示㊂这可能是由于在长时间高功率的等离子刻蚀中,热量不易快速均匀地传导给托盘,从而形成了粗糙的形貌㊂因此,导热物质的选择对刻蚀效果的影响很大㊂本实验设定了三种导热物质,包括光刻胶㊁泵油与真空硅脂,通过实验对三者进行了对比,如表2所示㊂考虑到本次的刻蚀是基于双面的深度刻蚀(40μm 以上),需要使用易于去除㊁可支持长时间实验的导热物质,因此最终决定使用泵油作为导热物质,使用效果对比如图4(a)和(b)所示㊂图4㊀是否使用泵油导热的刻蚀情况对比Fig.4㊀Comparison of etching conditions using pump oil for heat conduction or not表2㊀不同导热物质的对比Table 2㊀Comparison of different heat conducting substances导热物质优势不足光刻胶可以被均匀旋涂到晶圆上,因而消除了分布不均或者存在气泡的问题刻蚀环境中水分流失快,失去水分后导热能力下降很快,适用于短时间刻蚀泵油成本低,导热好,液态油渍可以使用有机溶剂去除在刻蚀中有泄漏和流动的风险,因而需要密封,操作复杂,可能造成许多衍生问题真空硅脂导热性好,而且实际操作时不用考虑流动和泄漏的问题,操作简易脂状物质的黏附不易去除,因而仅适合于单面加工的晶圆第9期陈静白等:电感耦合等离子刻蚀法加工石英晶体谐振器工艺研究3399㊀2.5㊀台阶形貌表征综合上述实验结果,基本确定了最佳的掩膜方案与刻蚀参数,如表3所示㊂在这一条件下获得了符合要求的刻蚀效果,如图5所示,刻蚀深度达到22μm 左右㊂表3㊀本实验得到的最佳的掩膜方案与刻蚀参数Table 3㊀Most suitable mask scheme and etching parameters in this testParameter Etching gas Hard mask Excitation power /W Bias power /W Heat conducting substance Result CHF 3Cr 60060Pumpoil图5㊀改进后的干法刻蚀结果Fig.5㊀Improved dry etching effect 2.6㊀干法与湿法刻蚀对比干法刻蚀加工的优势主要体现在以下几个方面:1)安全性湿法刻蚀设备不易在真空密闭环境下进行,氟化氢等液体均具有挥发性,因而在大规模生产时可能会对工作环境造成不利影响,操作者也会有一定风险㊂干法刻蚀腔体密闭真空,因此操作时风险较小㊂2)侧壁形貌干法刻蚀后的台阶垂直度较好,这有利于石英晶振的设计和误差控制㊂添加对照组1与对照组2,其中对照组1使用6ʒ1的BOE(buffered oxide etch,缓冲氧化物刻蚀液)的湿法刻蚀,对照组2为未添加导热物质的干法刻蚀,均进行了20μm 深度的刻蚀㊂对比情况如表4所示,粗糙度是在晶圆中心选取长度为500μm 的直线测量所得㊂表4㊀不同刻蚀方法下刻蚀效果对比Table 4㊀Comparison of etching effect by different etching methodsParameter Criterion group Control group 1Control group 2Etching rate /(nm㊃min -1)171.6113.2164.8Step angle /(ʎ)94.2999.7194.46Degree of anisotropy A0.920.840.92Bottom roughness Ra /nm 4.92 3.39324.50对比标准组与对照组1可以发现,二者的粗糙度都很低,并且十分相近(均小于10nm,已经接近测量仪器的分辨率)㊂同时干法刻蚀的标准组台阶垂直度明显好于湿法刻蚀制备的样品,刻蚀的各向异性也较好㊂接着对比标准组和对照组2,尽管刻蚀速率上相差不大,但是刻蚀效果要差很多㊂在长时间的刻蚀中,因为导热效果差,晶圆表面出现大量缺陷,因而表面粗糙情况要差很多㊂此外,湿法刻蚀因为具有一定程度的各向同性,对掩膜下的石英可能会产生侧面侵蚀,图6是湿法刻蚀了30μm 深度时出现的情况,掩膜下方石英被侧蚀后,其上的光刻胶出现了褶皱状,部分区域甚至脱落㊂在大规模生产时这一情况可能积累,从而影响边缘处掩膜和石英的接触,这也会对后续的工艺产生影响㊂3400㊀新型功能材料硅酸盐通报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第42卷3)可控性湿法刻蚀中氢氟酸挥发性强,刻蚀速率受浓度影响,实际生产中需要对浓度进行实时监控和调整,费时费力㊂而干法腐蚀的速率相对固定,因而在操作时便于控制㊂本研究针对干法刻蚀与湿法刻蚀进行了多次实验,不同刻蚀手段与刻蚀速率的结果如图7所示,刻蚀速率的标准差见表5㊂图6㊀湿法刻蚀中光阻上出现的褶皱状样貌Fig.6㊀Wrinkled appearance on photoresistance in wetetching 图7㊀干法刻蚀与湿法刻蚀速率的多次重复实验结果Fig.7㊀Results of repeated experiments on dry etching and wet etching rate表5㊀不同刻蚀方法下刻蚀速率的标准差Table 5㊀Standard deviation of etching rate by different etching methodsExperiment Wet etching (65ħ)Dry etching (30W)Dry etching (50W)Dry etching (60W)Standard deviation 0.54380.05480.14330.0188在重复了数次实验后可以发现,湿法刻蚀的速率变化波动较大,可能是受到外界环境影响大,控制起来相对较难㊂而干法刻蚀较稳定,在控制刻蚀时比较容易,在一些要求较高的刻蚀时更加合适㊂当然,干法刻蚀也存在一定不足㊂在实际生产中,为了保证刻蚀速率,需要使用相对较大的功率进行刻蚀,因而最终选择比可能相对较小,因而需要更厚的掩膜方案㊂本实验中使用的单一铬掩膜厚度达到了5μm,文献报道中也有使用三明治夹层结构的掩膜方案以及使用氧化铝等其他材质的方案,但这些掩膜在实际制备时需要付出额外的时间成本,而且因为应力作用,晶圆破碎的风险增加㊂在磁控溅射沉积单层金属时,大约有5%~10%晶圆在这一步骤被损耗,多层溅镀会大大提高这一风险㊂同时,设备与耗材的成本都相对较高㊂3㊀结㊀论1)激励电源功率的提升有利于等离子密度的增加,从而对刻蚀速率有较为明显的提升,而对掩膜选择比的影响相对较小,因此选择600W 激励电源功率㊂2)偏压电源功率控制着等离子撞击石英材料的速度,因此偏压电源功率的提升也同样有助于加快刻蚀,但是对掩膜的刻蚀也会增强,因而会降低掩膜的选择比,因此选择了适中的60W 作为实验参数㊂相应地,考虑到掩膜的制备也需要时间成本,而且为了减少晶圆破裂的风险,可将偏压电源功率控制在一个适中的范围㊂3)导热物质泵油㊁光刻胶以及硅脂,三者各有优劣,最终选择流动性相对较强的泵油作为导热物质,在传热效果以及清洗手段方面有一定优势㊂4)按照优化参数与流程在68μm 厚度的石英晶圆上进行了台阶刻蚀实验,台阶高度基本达到了所需要的22μm,并且垂直度与形貌均达到了较好的效果㊂5)通过控制干法刻蚀参数可以保证在刻蚀速率㊁粗糙度与湿法刻蚀相近的情况下,得到垂直度优于湿㊀第9期陈静白等:电感耦合等离子刻蚀法加工石英晶体谐振器工艺研究3401法刻蚀的结果,掩膜的制备也具备可操作性㊂因此干法刻蚀可以在刻蚀石英晶振时取代湿法刻蚀,应用于工业化石英晶振的生产㊂参考文献[1]㊀HELLE J.VCXO theory and practice[C]//29th Annual Symposium on Frequency Control.Atlantic City,NJ,USA.IEEE,2005:300-307.[2]㊀TIERSTEN H F.Linear 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