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电子元器件发展经历的四个阶段电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。
常见的有二极管等。
电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
第一代电子产品以电子管为核心。
四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。
五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。
集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。
由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。
在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。
1906年，李·德福雷斯特发明了真空三极管，用来放大电话的声音电流。
此后，人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件，用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。
1947年，点接触型锗晶体管的诞生，在电子器件的发展史上翻开了新的一页。
电子料原厂品牌电子料原厂品牌是指在电子元器件领域中，由原厂直接生产和销售的品牌产品。
这些品牌产品通常具有高质量、可靠性和稳定性，因为它们是由原厂直接制造的，符合原厂的技术标准和质量要求。
在电子料原厂品牌市场中，有许多知名的品牌，它们在电子元器件领域享有良好的声誉。
以下是几个典型的电子料原厂品牌：1. 英特尔（Intel）：英特尔是全球领先的半导体芯片制造商，其产品广泛应用于计算机、通信和嵌入式系统等领域。
英特尔的产品以高性能、低功耗和可靠性而闻名。
2. 三星（Samsung）：三星是一家韩国跨国企业，涵盖了电子、通信和半导体等多个领域。
三星的电子料产品包括存储器、显示器、芯片等，以其创新技术和高品质而备受认可。
3. 微软（Microsoft）：微软是一家全球知名的软件和硬件公司，其产品范围涵盖了操作系统、办公软件、游戏机等。
微软的电子料产品以其稳定性、易用性和兼容性而受到广大用户的青睐。
4. 松下（Panasonic）：松下是一家日本跨国电子公司，其产品涵盖了家电、电子元器件、汽车电子等领域。
松下的电子料产品以其高品质、可靠性和创新性而备受消费者和企业的喜爱。
5. 赛灵思（Xilinx）：赛灵思是一家美国半导体公司，专注于可编程逻辑器件（FPGA）的研发和生产。
赛灵思的电子料产品具有高度的灵活性和可定制性，广泛应用于通信、工业控制、医疗设备等领域。
除了以上提到的品牌，还有许多其他的电子料原厂品牌，如台积电（TSMC）、博通（Broadcom）、恩智浦（NXP）等。
这些品牌在各自的领域内都有着卓越的技术实力和市场地位。
购买电子料原厂品牌产品时，消费者可以通过多种渠道获取，如官方网站、授权经销商、电子元器件分销商等。
在选择供应商时，消费者应注意确认供应商的信誉和正规性，以确保购买到正品产品。
总之，电子料原厂品牌是电子元器件领域中的高品质产品，它们具有可靠性、稳定性和高性能等特点。
消费者在购买电子料产品时，应选择信誉良好的供应商，并注意确认产品的真实性和正规渠道。
氮化镓日本宇航研究开发机构测试了日本松下公司的下一代氮化镓晶体管，证明其具有高抗辐射性能近日，日本宇航研究开发机构（JAXA）正在评估日本松下公司生产的下一代X波段氮化镓功率晶体管，这是松下公司于2016年开始批量生产的功率器件。
位于茨城县筑波市的JAXA筑波航天中心正在进行火箭、卫星以及基础技术的研究开发。
第一研究小组负责开发导航制导控制、电信系统、空间电力系统和电子器件，并已开始评估和验空间应用的X-GaN 晶体管。
1氮化镓器件测试结果第一小组中负责电子器件的成员Eiichi Mizuta说：“空间是一个非常恶劣的环境，特别是太空辐射可能会损坏电子器件，所以我们需要采取对策。
我们采用氙离子对松下X-GaN晶体管进行辐射测试，测试结果表明X-GaN晶体管具有很强的抗辐射性能。
商用器件具有如此高的抗辐射性能令我们非常惊讶。
”2氮化镓器件优势此外，Mizuta还表示：“X-GaN器件可以实现更快的开关速度，应用于卫星时，可以帮助减少有效载荷质量，因为卫星有严格的有效载荷质量限制，这使得X-GaN器件非常有吸引力。
”Mizuta也表示，松下的X-GaN具有成为下一代空间器件的巨大潜力，希望继续与松下紧密合作，开发更好的空间用器件。
3松下公司新开发金属绝缘栅氮化镓晶体管一个月前，松下公司宣布开发出金属绝缘体半导体（MIS）型氮化镓功率晶体管，能够在阈值电压不变的情况下连续稳定工作。
该技术可以进一步提高氮化镓功率晶体管的工作速度，实现电子器件的小型化。
金属绝缘体半导体（MIS）型GaN功率晶体管被认为是可以实际应用的下一代功率器件。
同时，松下一直在研究MIS栅结构，以进一步提高器件运行速度。
然而，在传统MIS型氮化镓功率晶体管中会发生滞后现象，并且尚未证实高电流和高电压的高速开关工作。
松下公司首次能够确认在20A电流下MIS型GaN功率晶体管能够持续稳定运行 - 这是未来超快GaN功率器件所需的特性，使得在开关频率显着增加的情况下，小型化外围无源元件成为可能。
电子元器件调研报告引言电子元器件是现代电子技术产业中不可或缺的一部分，广泛应用于通信、计算机、消费类电子产品等领域。
本报告对电子元器件市场进行了调研，旨在全面了解当前电子元器件行业的发展动态和追踪趋势。
一、市场概述电子元器件市场作为电子技术的基础，具有重要的战略地位。
当前，全球电子元器件市场规模不断扩大，呈现出以下几个特点：1.1 市场规模快速增长：随着新兴技术的不断涌现，在智能手机、物联网、无人机等领域的需求推动下，电子元器件市场呈现高速增长趋势。
1.2 供应链全球化：电子元器件行业的供应链已经全球化，国际间的竞争加剧。
中国、美国、日本等国家成为电子元器件生产和消费的重要角色。
1.3 高度集中度：少数大型电子元器件制造商占据着市场主导地位，大多数小型企业则面临着巨大的竞争压力。
二、主要类型及应用领域2.1 传感器：传感器作为电子元器件的重要组成部分，广泛应用于工业自动化、物流运输、汽车电子等领域。
其中，环境传感器、光学传感器和生物传感器需求量较大。
2.2 集成电路：集成电路是电子元器件中的核心部分，广泛用于计算机、通信设备、消费类电子产品等领域。
当前，数字集成电路市场规模较大，而模拟集成电路市场需求也在逐渐增长。
2.3 电容器：电容器是电子电路中常见的储能元器件，应用于电力、通信设备、汽车电子等领域。
铝电解电容器和陶瓷电容器是市场上需求最大的两类电容器。
2.4 电感器：电感器广泛应用于通信设备、计算机、电源等领域，是实现信号滤波和限流的重要元器件。
三、市场竞争格局电子元器件市场竞争激烈，少数大型企业占据市场的主导地位。
下面列举了市场上一些领先的电子元器件制造商：3.1 英特尔（Intel）：英特尔是全球领先的半导体企业，其产品广泛应用于个人电脑、服务器、物联网等领域。
3.2 三星电子（Samsung Electronics）：三星电子是全球最大的存储解决方案供应商之一，其产品广泛应用于智能手机、平板电脑等消费类电子产品。
Enterprise Development专业品质权威Analysis Report企业发展分析报告松下汽车电子系统（苏州）有限公司免责声明:本报告通过对该企业公开数据进行分析生成，并不完全代表我方对该企业的意见，如有错误请及时联系;本报告出于对企业发展研究目的产生，仅供参考，在任何情况下，使用本报告所引起的一切后果，我方不承担任何责任:本报告不得用于一切商业用途，如需引用或合作，请与我方联系:松下汽车电子系统（苏州）有限公司1企业发展分析结果1.1 企业发展指数得分企业发展指数得分松下汽车电子系统（苏州）有限公司综合得分说明：企业发展指数根据企业规模、企业创新、企业风险、企业活力四个维度对企业发展情况进行评价。
该企业的综合评价得分需要您得到该公司授权后，我们将协助您分析给出。
1.2 企业画像类别内容行业空资质增值税一般纳税人产品服务产混合集成电路、片式元器件、光电子器件及传1.3 发展历程2工商2.1工商信息2.2工商变更2.3股东结构2.4主要人员2.5分支机构2.6对外投资2.7企业年报2.8股权出质2.9动产抵押2.10司法协助2.11清算2.12注销3投融资3.1融资历史3.2投资事件3.3核心团队3.4企业业务4企业信用4.1企业信用4.2行政许可-工商局4.3行政处罚-信用中国4.4行政处罚-工商局4.5税务评级4.6税务处罚4.7经营异常4.8经营异常-工商局4.9采购不良行为4.10产品抽查4.11产品抽查-工商局4.12欠税公告4.13环保处罚4.14被执行人5司法文书5.1法律诉讼（当事人）5.2法律诉讼（相关人）5.3开庭公告5.4被执行人5.5法院公告5.6破产暂无破产数据6企业资质6.1资质许可6.2人员资质6.3产品许可6.4特殊许可7知识产权7.1商标7.2专利7.3软件著作权7.4作品著作权7.5网站备案7.6应用APP7.7微信公众号8招标中标8.1政府招标8.2政府中标8.3央企招标8.4央企中标9标准9.1国家标准9.2行业标准9.3团体标准9.4地方标准10成果奖励10.1国家奖励10.2省部奖励10.3社会奖励10.4科技成果11土地11.1大块土地出让11.2出让公告11.3土地抵押11.4地块公示11.5大企业购地11.6土地出租11.7土地结果11.8土地转让12基金12.1国家自然基金12.2国家自然基金成果12.3国家社科基金13招聘13.1招聘信息感谢阅读:感谢您耐心地阅读这份企业调查分析报告。
Total pages Page9 1 Product Standards Product Name MIP5310MSSCF92Type Silicon MOSFET type Integrated CircuitApplication For Switching Power Supply ControlStructure CMOS typeEquivalent Circuit See Figure 7Package DIP7-A1 Marking MIP531Ａ．ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS （Ta=25℃±3℃）No. Item Symbol Ratings Unit Note1 DRAIN VoltageVD －0.3 ～ 700 Ｖ 2 VIN VoltageVIN -0.3 ～ 650 V 3 VDD VoltageVDD -0.3 ～ 8 V 4 VDD currentIDD 30 mA 5 Feedback VoltageVFB －0.3 ～ 8 Ｖ 6 Output Peak CurrentIDP 1.25（※１） A 7 Junction TemperatureTj １50 ℃ 8 Storage TemperatureTstg －55 ～ ＋１50 ℃ ※1：It is guaranteed within the pulse as below. Leading Edge Blanking Pulse + Current Limit Delayton(BLK)＋td(OCL)Ｂ．Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄｅｄ Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ＣｏｎｄｉｔｉｏｎｓNo. Item Symbol conditions Unit Note1 Junction TemperatureTj －40 ～ ＋１25 ℃93Ｃ．ELECTRICAL CHARACTERISTICS Measure condition (Ta=25℃±3℃)No. Item Symbol Measure Condition(Figure 1)Typ. Min. Max.Unit【CONTROL FUNCTIONS】 * Design Guarantee Item ** Reference Value ItemOutput Frequency1fosc ※Figure 6 VDD=VDD(ON),IFB=-20 μA,VD=ILIMIT condition, 100 90 110kHz2 Jitter Frequency Deviationd_fosc ※Figure 6 VDD=VDD(ON),IFB=-20 μA,VD=ILIMIT condition, 5.5 - - kHz**3 Jitter Frequency Modulation RatefM ※Figure 6 VDD=VDD(ON),IFB=-20 μA,VD=ILIMIT condition, 200 - - Hz4 Maximum On-state TimeMAX(ON)VDD=VDD(ON), IFB=-20 μA, VD=5 V,13 9.4 16.6μs5 VDD start VoltageVDD(ON) VD=5 V, IFB=-20 μA,5.9 5.46.4 Ｖ6 VDD stop VoltageVDD(UV) VD=5 V, IFB=-20 μA,4.9 4.45.4 Ｖ7 ＶＤＤ start/stop Voltage Hysteresis⊿VDD VDD(ON) – VDD(UV)1.0 0.5 1.5 Ｖ8 VDD clamp VoltageVDD(CLP)IDD=3 mA6.2 5.6 6.8 V9 Delta VDD clampD_VDD(CLP)VDD(CLP)-VDD(ON)0.3 0.05 0.7 V10 Feedback CurrentIFB_STB ON→OFFVDD=VDD(ON),VD=ILIMIT condition,-100 -155 -45 μA11 Feedback Current HysteresisIFB(HYS) OFF→ONVDD=VDD(ON),VD=ILIMITcondition, 4 - - μA12 ＦＢ Pin VoltageVFB VDD=VDD(ON), IFB=-20 μA,VD=ILIMIT condition, 2 1.65 2.35V13 ＦＢ Pin Voltage at light loadVFB_STB VDD=VDD(ON), IFB=IFB_STB,VD=ILIMIT condition, 1.75 1.4 2.1 V14 ＦＢ Pin Grounded CurrentＩＦB_GND VDD=VDD(ON), VFB=0 V,VD=ILIMIT condition, -360 -500 -240μA15 Pre-start Consuming CurrentIDD(SB) VDD=VDD(ON)-0.3 V, IFB=-20 μA,VD=5 V, 0.22 0.16 0.28mA16 Operating Circuit Consuming CurrentIDD VDD=VDD(ON), IFB=-20 μA,VD=ILIMIT condition, 0.38 0.24 0.52mA17 Operating Circuit Consuming Current VDD=VDD(ON), IFB=IFB_STB,at light load IDD(OFF) VD=ILIMIT condition, 0.38 0.20 0.56mA 18 ＶＤＤ Charging Current Ich1 VDD=0 V, VIN=40 V, -11 -16.5 -5.5mAIch2 VDD=5 V, VIN=40 V,-8 -12 -4 mA94No. Item Symbol Measure Condition（Figure 1）Typ. Min. Max.Unit【CIRCUIT PROTECTIONS】 * Design Guarantee Item ** Reference Value Item19 Self Protection Current LimitILIMIT ※Figure 4 ton=30 % duty cycle,VDD=VDD(ON),VFB=3 V, VD=adjust, 0.35 0.315 0.385Ａ**20 When OCP Detected OscillationOff-state Time Tdet(OC) VDD=VDD(ON), VFB=3 V,VD=adjusted, 1 - - μs**21 Light-load Output CurrentID(OFF) ※Figure 4 ton=30 % duty cycle,VDD=VDD(ON),IFB=IFB_STB+5 μA, VD=adjust, 140 - - mA22 FB Pin Over Load Charging CurrentIFBch VDD=VDD(ON), VFB=3 V, VD=ILIMITcondition, -8 -11 -5 μA23 FB Pin Over Load Protection VoltageVFB(OLP)VDD=VDD(ON), VD=ILIMIT condition,4.3 3.7 4.8 V24 VFB Hysteresis⊿VFB VFB(OLP)-VFB2.3 1.453.15V25 OLP VDD Oscillation CountOLP_CNT ※Figure 3 VDD=VDD(ON)⇔VDD(UV),VD=ILIMIT condition, FB=Open,8 -*26 Leading Edge Blanking Delayton(BLK) 330 260 400 ns *27 Current Limit Delaytd(OCL) 100 65 135 ns28 VDD current at latch stopIDD(OV) ON→OFFIFB=-20 μA, VD=5 V, 14 9 21 mA*29 Thermal Shutdown TemperatureTOTP 140 130 150 ℃Thermal ShutdownTemperature Hysteresis ⊿TOTP 70 - - ℃30 Power-up Reset Threshold VoltageVDDreset 2.4 1.5 3.3 Ｖ95No. Item Symbol Measure Condition（Figure 1）Typ. Min. Max.Unit【High Voltage Input】 * Design Guarantee Item ** Reference Value Item31 Off-state VIN Pin Leakage CurrentIIN(LEAK) VIN=600 V, IDD=IDD(OV)10 - 20 μA32 VIN Pin VoltageBVVIN IIN=100 μA, IDD=IDD(OV)- 650 - V33 Minimum VIN VoltageVIN(MIN) IFB=-20 μA, VD=5 V,- 50 - V【Output】 * Design Guarantee Item ** Reference Value Item34 ON-State ResistanceRDS(ON) VDD=VDD(ON), IFB=-20μA,IDS=100 mA, 16 - 22 Ω35 OFF-State CurrentIDSS IDD=IDD(OV), IFB=-20μA, VD=650 V,2 - 20 μA36 Breakdown VoltageVDSS IDD=IDD(OV), IFB=-20μA,ID=100μA, - 700 - Ｖ**37 Rise Timetr ※Figure 5 VDD=VDD(ON), IFB=-20μA,VD=5 V, 50 - - ns**38 Fall Timetf ※Figure 5 VDD=VDD(ON), IFB=-20μA,VD=5 V, 50 - - ns【Figure 1： Measure Circuit】L9 6【Figure 2： ID vs IFB Measurement 】【Figure 3： Over-Load Detected Measurement 】ID IFB_STBID(OFF)ILIMIT VDD(ON)VDD(UV)VDDDrain current IDVFB VFB(OLP)①②③④⑤⑥⑦⑧9 7【Figure 4： ILIMIT, ID(OFF) Measurement 】【Figure 5： tr, tf Measurement 】【Figure 6： d_fosc, fM Measurement 】f r e q u e n c y90%10%ｔｆｔｒVD90%10%ｔｆｔｒVD 0 time9 8【Figure 7： Block Diagram 】【Figure 8： Pin Layout 】Pin No. Terminal Name１ VIN ２ NC ３ FB ４ VDD ５ DRAIN ６ － ７ SOURCE ８ SOURCE１ ２ ３ ４５７８99【Precautions for Use 1】Connect a Ceramic Capacitor (over 1μF) between VDD Pin and SOURCE.【Precautions for Use 2】The IPD has risks for break-down or burst or giving off smoke in following conditions. Avoid the following use.Fuse should be added at the input side or connect zener diode between control pin and GND, etc as a countermeasure to pass regulatory Safety Standard. Concrete countermeasure could be provided individually. However, customer should make the final judgment.（1）DRAIN Pin and VIN Pin reversely connect into power board.（2）DRAIN Pin and VIN Pin short circuit.（3）DRAIN Pin and FB Pin short circuit.（4）DRAIN Pin and VDD Pin short circuit.（5）VIN Pin and FB Pin short circuit.（6）VIN Pin and VDD Pin short circuit.。
