2011级模电期末复习资料

基本概念部分一.判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。

（√）2、PN结正向电流的大小由温度决定的。

（×）3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

（×）4、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（×）5、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（√）6、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（×）7、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（×）8、可以说任何放大电路都具有功率放大作用；（√）9、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）10、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）11、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）12、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（×）13. 一个完全对称的差动放大器，其共模放大倍数为零。

（√）14. 一个理想的差动放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（√）15.差动放大电路的A ud越大越好，而A uc则越小越好。

（√）15.零点漂移就是静态工作点的漂移。

（√）17.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（√）18.不管差动放大电路的参数是否理想对称，Re均有共模负反馈作用。

（√）19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。

（×）20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（√）21.在差动放大电路中采用恒流源作集电极负载能够增大差模放大倍数，同时也可以增大共模抑制比。

（√）22．射极输出器是串联电压负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。

（√）23.在运算电路中，运放的同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（×）24.运算电路中的运放一般均引入负反馈。

（√）25.电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

第一章 常用半导体器件一、判断对错1、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）2、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（ ）3、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ）4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（ ）二、选择填空1、在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体。

A 、五价B 、四价C 、三价2、在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。

A 、五价B 、四价C 、三价3、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。

A 、变窄B 、基本不变C 、变宽4、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。

A 、I S e UB 、T e S U U IC 、)1e (S －T U U I5、稳压管的稳压区是其工作在 。

A 、正向导通B 、反向截止C 、反向击穿6、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。

A 、前者反偏、后者也反偏B 、前者正偏、后者反偏C 、前者正偏、后者也正偏7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。

A 、增大B 、不变C 、减小8、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。

A 、83B 、91C 、1009、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 。

A 、增大B 、不变C 、减小三、分析题1、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。

2、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？3、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。

试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？4、有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO＝200μA；另一只的β＝100，I CEO＝10μA，其它参数大致相同。

一、填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。

3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。

若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。

若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。

4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98 ；若α＝0.99，则β＝99 。

5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。

6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。

7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真的原因是Ic偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。

8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。

9. 单级组容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率f H时，这时电路的实际增益为-77.7 ，其输出与输入信号的相位相差-225 度。

10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100 倍，上限频率f H＝2×106Hz，下限频率f L＝20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB。

11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

《2011．12．10第一章一．基本概念和基本知识1．PN结具有单向导电性：加正向电压时导通，加反向电压时截止。

2. 二极管的伏安特性正向特性：U I<开启电压时，I D≈ 0 ,U I 大于开启电压后逐渐导通，I D增加，二极管导通后，正向压降≈0.7伏（对于硅管）。

反向特性：当U I < 反向击穿电压时，I D≈ 0 。

若U I≥反向击穿电压时。

反向电流急剧增加，将会使二极管击穿而损坏。

3．稳压二极管是一种特殊的二极管。

在电路中主要用于稳定电压。

稳压二极管工作于反向击穿状态。

使用时，必须与负载并联，并且串接有稳压和限流功能的电阻。

4．晶体三极管分为NPN和PNP型两大类。

要求熟练记住其符号以及正确加载电源电压的极性。

对于NPN管集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的正极。

对于PNP管则集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的负极。

5. 为了使晶体三极管实现电流放大作用，供电电源接法应保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。

6．三极管的电流关系：I E = I B＋I C ; 在放大区I C =β I B7．三极管的输出特性曲线有三个区：截止区、放大区、饱和区。

三极管工作在放大状态时，必须保证在线性放大区，不能进入截止区和饱和区。

在数字电路中则工作于截止区和饱和区。

8．三极管的主要参数：（1）共射电流放大倍数β = ∆I C / ∆I B 共基电流放大倍数∆α = ∆I C / ∆I E ;α = β / (1+ β)β = α / (1 - α)(2)集电极最大电流I CM ; 集电极最大功耗P CM ;(3)反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO9场效应管（1）场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型效应管两大类。

从导电沟道分：分为N沟道和P沟道两大类；绝缘栅型效应管可分为耗尽性和增强型两大类。

（2）场效应管是电压控制器件；而双极型三极管则是电流控制器件。

（3）要求熟记各种类型场效应管的电路符号以及所加电源电压的极性。

2011年《大规模集成电路分析与设计》复习提纲一、填空题。

（每空3 分，共36分） 二、简答题（每小题10分，共40分）三、四，问答题或计算题（共计24分，（每小题6分，共12分））红色部分为本课程必须掌握的基本内容。

第一章 绪论略。

第2章MOSFET 的工作原理及器件模型分析重点内容：＊ CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识：MOS 器件的三个区域的判断，并且对应于各个区域的I D 表达式，和跨导的定义及表达式。

＊ 定性分析栅源与栅漏电压对沟道电荷的影响，并能画出N 沟道增强型MOSFET 的各种情况下的横截面图。

＊ 体效应的概念，体效应产生的原因，及体效应系数γ。

＊ 沟道调制效应的概念，沟长调制效应产生的原因，沟道电阻DoI r λ1=，λ与沟道长度成反比。

＊ 以NMOS 为例来分析阈值电压产生的原理，并画出V GS =0，0<V GS <V TH 以及V GS >V TH 的NMOS 沟道电荷的示意图。

＊ MOS 管完整的小信号模型。

MOSFET 的I-V 特性1. THGS V V <,MOS 管截止2.TH GS V V ≥,MOS 管导通a.TH G S D SV V V -<,MOS 管工作在三极管区;⎥⎦⎤⎢⎣⎡--=221)(DS DS TH GS oxn D V V V V LWC I μ 当)(2TH G SD SV V V -<<时,MOS 工作于深Triode 区,此时DS TH GS ox n D V V V L WC I )(-≈μ,DSD V I ~为直线关系.导通电阻:)(1TH GS ox n DDS on V V LW C I V R -=∂∂=μ b.TH G S D SV V V -≥,MOS 管工作在饱和区;2)(21TH GS ox n D V V LWC I -=μ跨导g m ：是指在一定的V DS 下，I D 对V GS 的变化率。

2011年模拟电子技术复习资料一 填空题1．在N 型半导体中， 电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。

2．场效应管属于 压控 控制器件，而双极型三极管则是 流控 控制器件。

3．K CMR 等于 差摸增益与共模增益 之比，电路中的K CMR 越大，说明电路对 干扰 的抑制能力越强。

4．理想运算放大器的差模电压增益等于 无穷大 ，输出电阻等于 0 ，输入电阻为 无穷大 。

5．振荡器的振幅平衡条件为1=F A， 而起振时，则要求 AF ＞1 。

6．若一个放大电路具有交流电流并联负反馈，则可以稳定输出 电流 和 减低 输入电阻。

若一个放大电路具有交流电压串联负反馈，则可以稳定输出电压 和 增加 输入电阻。

7． 下图所示放大电路中引入的反馈组态是电流串联负反馈。

该反馈能稳定电路的输出电流。

8．集成运放内部电路实际是一个 高增益、直接耦合 、多级 放大电路。

9．电路如图所示，当u i ＝ 2V 时，u o ＝ －6 V 。

10．放大电路利用 负 反馈稳定输出；信号产生电路利用 正 反馈放大信号。

二 单项选择题1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( C )。

A. 正、反向电阻相等B. 正向电阻大，反向电阻小u o＋ －u i u o6 VC. 反向电阻比正向电阻大很多倍D. 正、反向电阻都等于无穷大 2．杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ C ） A ．掺杂浓度 B ．工艺C ．温度D ．晶体缺陷3．硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )A ．正向导通状态B ．反向电击穿状态C ．反向截止状态D ．反向热击穿状态4．在图示电路中，稳压管D Z 的稳定电压 U Z = 6V ，最小稳定电流I Z mi n = 5 mA ， 输入电压U I =12V ，电阻R =100，在稳定条件下I L 的数值最大不应超过 ( C ).A ． 40 mAB ． 45 mAC ． 55 mAD ． 60 mA5．电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3则输出电压u 0＝（ A ）。

级（学生填写）： 姓名： 学号： 命题： 马远佳 审题： 审批： -------------------------------------------------- 密 ---------------------------- 封 --------------------------- 线 -------------------------------------------------（答题不能超出密封线）2011 ∼2012 学年第 一 学期 模拟电子技术基础 科目考试试题A 卷一、单项选择题，请将选项填入下方表格中（每空1分,共25分）： 、半导体中载流子的浓度差形成 A ．漂移运动 B ．扩散运动 C ．复合运动 D. 本征激发 2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流___ 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 无法确定 3、稳压二极管是利用二极管的 特性。

A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿 4、画放大电路的直流通路的时候 可视为开路。

A. 电感B. 电容C. 信号源D. 内阻 5、场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于 控制器件。

A. 电流 B. 电压 C. 电流和电压共同作用 D. 无法确定6、在单端输出的差分放大电路中，用恒流源取代发射极电阻R e 能够使 。

A. 差模放大倍数数值增加B. 抑制共模信号能力增强C. 共模放大倍数数值增大D. 差模输入电阻增大 7、欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 。

A ．积分运算电路 B ．微分运算电路C ．加法运算电路D ．乘方运算电路8、差分放大电路的两个输入电压分别为U i1=5V ，U i2=3V ，则共模输入电压为 。

A. 1VB. 2VC. 4VD. 8V9、对于NPN 型晶体管组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压 。

A. 频率失真B. 交越失真C. 顶部失真D. 底部失真10、为了将电压信号转换为与之成比例的电流信号，应引入。

（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。

6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。

8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。

*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。

第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。

《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。

答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。

答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。

答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。

A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。

A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。

A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。

A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。

（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。

A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。

A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。

A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。

半导体材料9.用模拟万用表检测某三极管的管脚，如红表笔接A极，黑表笔分别接B极和C极时，两次测得的阻值很接近，都很小。

则A极就是三极管的( B)极。

A．发射极B．基极C．集电极10.画出三极管的输入信号为正弦波的饱和失真波形图。

根据图中三极管各个电极的电位，说明所示三极管的工作状态。

4.绝缘栅场效应管属电场控制器件，它的突出优点是输入阻抗高。

放大电路1.在三级放大电路中，输出电压共放大了1000倍，换算成分贝应等于60 dB。

2.简述三极管放大电路的直流通路与交流通路的画法规则。

5. 晶体管放大电路中，输入电压与输出电压反向的是( A )。

A ．共发射极电路 B ．共基极电路 C ．共集电极电路 6. 画出场效应管的微变等效电路。

7. 写出下图的电路名称。

8.9. 画出下图的交流通路。

1.如图放大电路，用示波器观察其输出波形如图所示，试判断它们分别产生了哪种非线性失真。

如何采取措施消除这些失真？2.求下图示电路静态工作点。

3.多级放大器常见的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、变压器耦合。

4.多级放大电路的通频带相对于组成它的单级放大电路会（B）。

A．通频带变宽B．通频带变窄C．通频带不变D．不确定5.解释“零点漂移”差动放大1.差动放大电路对差模信号有放大作用，对共模信号有抑制作用。

2.解释“KCMRi1i2号U与差模输入信号U，如有，它们各为多少？11.不同的负反馈类型会对放大器的输入电阻、输出电阻有不同的影响，其中（可以引起输入电阻的增大。

A．电流负反馈B．电压负反馈集成运放5. 分析工作在线性放大区的集成运算放大器的基本原则是虚短和虚断。

6. 虚短 和 虚断 的概念是分析集成运放电路的两大基本法则。

如要集成运放工作在线性区，就必须施加 负 反馈。

7. 为了能够使集成运放工作在线性放大区，电路中需要引入（ D ）。

A ．直流平衡电阻B ．同相端输入信号C ．反相端输入信号D ．深度负反馈 12. 下面可以实现方波到三角波的转换的电路是（ A ）。