模拟电子技术试题

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1。

直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

（2分)A.电阻阻值有误差 B。

晶体管参数的分散性C。

晶体管参数受温度影响 D。

晶体管结电容不确定性。

标准答案：C2。

稳压二极管的有效工作区是（ )。

（2分）A。

正向导通区 B。

反向击穿区 C。

反向截止区 D。

死区。

标准答案：B3。

如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）。

（2分）A。

放大状态 B。

微导通状态 C。

截止状态 D。

饱和状态。

标准答案:D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

（2分）A。

便于设计 B。

放大交流信号C.不易制作大容量电容 D。

不易制作大阻值的电阻。

标准答案：C5。

用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（）. (2分）A。

抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大C。

差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大。

标准答案：A6。

半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。

（2分）A。

N区自由电子向P区的扩散运动B。

N区自由电子向P区的漂移运动C。

P区自由电子向N区的扩散运动D。

P区自由电子向N区的漂移运动标准答案：A7。

理想的功率放大电路应工作于( )状态. （2分）A。

甲类互补 B。

乙类互补 C。

甲乙类互补 D.丙类互补。

标准答案：C8。

NPN共射电路的Q点设置在接近于（）处将产生顶部失真。

(2分）A。

截止区 B.饱和区 C。

击穿区 D。

放大区。

标准答案:A9。

当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( ）。

（2分）A。

低通 B.高通 C。

带通 D。

带阻标准答案：C10。

差动放大电路的特点是抑制（）信号，放大（）信号。

(2分）A。

共模共模 B.共模差模C.差模差模 D。

差模共模。

标准答案：B11。

利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（2分）（）。

模拟电子技术试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子技术中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是：A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中，若要实现电压跟随器，应该使用运算放大器的哪种配置？A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时，其导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是：A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种方法？A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案：1-5 D A C B B；6-10 B D D C B二、填空题（每空1分，共10分）1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时，其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案：1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题（每题10分，共20分）1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

模拟电子技术试题（答案）一．判断题1.N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

（×）2.点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率也很小，比较适用于做小信号检波。

（×）3.室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取0.7V。

（×）4.最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。

（√）5.正常情况下，二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。

（√）6.晶体二极管的阳极电位是10V，阴极电位是20V，则该晶体二极管处于导通状态。

（×）7.稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。

（×）8.若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。

（×）9.变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。

（×）10.发光二极管是利用PN结内电光效应发光的，当有电流流过时，就能发出光来。

（√）11.光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。

（√）12.三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集电结正偏。

（√）13.在三极管放大电路放大区，基极电流与集电极电流的比值保持不变，为一常数。

（√）14.根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区，相当于一个开关。

（×）15.晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV_ceo的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。

（√）16.用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：U₁=-2.7V，U₂=-6V，U₃=-2V，则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。

模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分，共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。

( )2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。

( )3、BJT的.值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。

( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。

因此， RC的值越大，输出电压越高。

( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。

( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。

但Re过大，会使BJT的VCE减小，影响放大器的正常工作。

( )7、射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，因此，具有较高的电流放大倍数。

( )8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。

( )9、在运放电路中，闭环增益AF是指电流放大倍数。

( )10、只要满足AF=1，a+f=2n这两个条件，就可以产生正弦波振荡。

模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分，共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流( )漂移电流。

a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时，二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V，VC=3.6V，VE=3.4V，则该BJT工作在( )状态。

a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是( )。

a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用( )电路。

a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后，VO基本不变，应引入( )负反馈。

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基极）、（共集电极）、（共射极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ fH-fL ），（ 1+AF ）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于 1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy），电路符号是（）。

模拟电子技术模拟试题及答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.6mA和3.66mA，该晶体管的β等于（）A、50B、60C、61D、100正确答案：B2.基本放大电路中,经过晶体管的信号有( )。

A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。

正确答案：C3.放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B4.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共漏放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、共射放大电路正确答案：D5.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、变压器耦合B、光电耦合C、直接耦合D、阻容耦合正确答案：C6.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。

A、虚断和虚短。

B、正反馈与负反馈；C、线性与非线性；正确答案：C7.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。

A、饱和B、交越C、频率D、截止正确答案：D8.共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

( )A、正确 ;B、错误正确答案：B9.P型半导体中的少数载流子是 ( )A、自由电子B、负离子C、空穴D、正离子正确答案：A10.共发射极放大电路的反馈元件是（）。

A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。

正确答案：B11.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的( )在漏源极之间电场作用下形成的。

A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B12.分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。

正确答案：B13.单极型半导体器件是( )。

A、二极管;B、场效应管;C、晶体三极管;D、稳压管。

正确答案：B14.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

A、错误B、正确 ;正确答案：A15.P型半导体中多数载流子是______。

模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。

A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。

A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。

A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。

a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。

A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。