IC 工艺课程设计答辩题目汇总
1、回答TTL电路制造流程，其中第二次氧化做什么用途？说出本次氧化你采用什么方法？
工艺参数是什么？画出紧接着的光刻掩膜板图形、和对应的光刻刻蚀后的剖面图。
2、回答平面三极管制造流程，其中第二次氧化做什么用途？说出本次氧化你采用什么方
法？工艺参数是什么？画出紧接着的光刻掩膜板图形、和对应的光刻刻蚀后的剖面图。
3、回答TTL电路制造流程，在你的流程中，其中氮化硅层做什么用途？说出制作氮化硅层
你采用什么方法？工艺参数是什么？质检参数是什么？画出发射区掺杂之前的剖面图。
4、回答平面三极管制造流程，其中第二次掺杂做什么用途？掺什么杂质？说出本次掺杂你
采用什么方法？工艺参数是什么？质检参数是什么？画出本次掺杂完成后的剖面图。
5、回答TTL电路制造流程，在你的流程中，其中第一次掺杂做什么用途？掺什么杂质？说
出本次掺杂你采用什么方法？工艺参数是什么？质检参数是什么？画出发射区掺杂完成后的剖面图。
6、回答TTL电路制造流程，其中制作氮化硅层之前的氧化膜做什么用途？说出制作该氧化
膜你采用什么方法？工艺参数是什么？要检验那些参数？画出基区掺杂之前的剖面图。
7、回答平面三极管制造流程，其中第一次掺杂做什么用途？掺什么杂质？说出本次掺杂你
采用什么方法？流程单中这一流程是如何设计的？画出本次掺杂完成后的剖面图。
8、回答TTL电路制造流程，其中制作金属膜之前的氧化做什么用途？说出本次氧化你采用
什么方法？质检参数是什么？画出隔离掺杂之前的光刻掩膜板图形和对应光刻刻蚀完成后的TTL剖面图。
9、回答TTL电路制造流程，其中第二次掺杂做什么用途？掺什么杂质？说出本次掺杂你采
用什么方法？工艺参数是什么？质检参数是什么？画出本次掺杂完成后的TTL剖面图。
10、回答TTL电路制造流程，其中第二次光刻和刻蚀的目的是什么？写出光刻和刻蚀
的工艺步骤，曝光后要检查哪些参数？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
11、回答TTL电路制造流程，其中第三次光刻和刻蚀的目的是什么？写出光刻和刻蚀
的工艺步骤，显影后要检查哪些参数？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
12、回答TTL电路制造流程，其中第四次光刻和刻蚀的目的是什么？写出光刻和刻蚀
的工艺步骤，旋转涂胶的工艺参数是什么？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
13、回答平面三极管制造流程，其中制作正面金属层用什么方法？流程单中这一流程是
如何设计的？画出正面金属层完成后的剖面图。
14、回答TTL电路制造流程，其中制作背面金属层用什么方法？工艺参数是什么？要
检查哪些参数？画出基区掺杂之前的光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
15、回答平面三极管制造流程，其中第二次氧化做什么用途？说出本次氧化你采用什么
方法？工艺参数是什么？画出紧接着的光刻掩膜板图形、和对应的光刻刻蚀后的TTL 电路剖面图。
16、回答TTL电路制造流程，其中第三次光刻和刻蚀的目的是什么？写出光刻和刻蚀
的工艺步骤，显影后要检查哪些参数？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
17、回答平面三极管制作流程，其中第二次光刻和刻蚀的目的是什么？写出光刻和刻蚀
的工艺步骤，旋转涂胶的工艺参数是什么？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
18、回答TTL电路制造流程，其中制作正面金属层用什么方法？工艺参数是什么？要
检查哪些参数？画出发射区掺杂之前的光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
19、回答平面三极管制作流程，其中第三次光刻和刻蚀的目的是什么？写出光刻和刻蚀
的工艺步骤，显影后要检查哪些参数？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
20、回答TTL电路制造流程，其中第一次光刻和刻蚀的目的是什么？显影的工艺参数
有哪些？刻蚀后要检测那些参数？画出本次光刻的掩膜板图、和对应刻蚀后的剖面图。
