物理气相沉积法制备ZnO
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物理气相沉积法制备ZnO
物理气相沉积(PVD),也被称为气–固(VS),是一个源材料升华为高温蒸汽的形式的过程,通常在炉中,然后沉积到温度较低衬底。
有几种不同的PVD 技术,使用各种不同的反应气体离解和电离等离子体,与目标金属原子反应。
这些技术包括电子束蒸发沉积(EBPVD),阴极电弧物理气相沉积(Arc-PVD),脉冲激光沉积(PLD),和离子束溅射(IBS)。
EBPVD是电子束蒸发物理气相沉积方法,在高能电子束轰击下源材料转化为蒸汽,然后冷却,沉积在靶材料上。
EBPVD允许材料局部加热和控制蒸发速率。
然而,它不能产生复杂的几何形态结构并且可能会在沉积表面不均匀。
Arc-PVD,是另一种物理蒸发的方法,在非常高的直流电弧下与源材料相互作用,与EBPVD 相同,源材料冷却后沉积在靶材料上。
取决于使用的靶材料ArcPVD可以产生多种形貌,但它产生的微滴对形貌的均一性有不利影响。
不像EBPVD,PLD是一种能够沉积出复杂的几何形状的PVD技术。
脉冲激光光束聚焦在原材料,激光超强的功率使其快速等离子化,然后溅镀到基底上。
IBS是一种将离子束溅射到源材料原子使其喷射到附近的基板的溅射技术。
实现这种方法的最大优点是溅射原子沉积很均匀。
然而,离子束和基板的尺寸使其成本较高。
下面重点介绍电子束蒸发沉积法(EBPVD)的全过程。
电子束蒸发沉积法
电子束加热的蒸发源型电子枪(直枪式和e型),由电子发射源(以热的钨阴极作电子源)、电子加速电源、冷却水套、磁场线圈、坩埚等组成的水冷坩埚装入中膜料,自发射源发出电子束,电子在磁场线圈束聚焦和偏转,对试料进行轰击和加热二真空室内主要有样品架,还有用于加热、离子轰击或离子源等装置。
为使成膜厚度均匀,利用转动机构使样品架匀速转动:排气系统由罗茨、机械、扩散泵等组成。
蒸发系统由蒸发源及电器设备构成一电器设备主要功能是测量真空度及做为控制台其的工作原理是放入真空室中的样晶,并通过一定的方法加热,样品表面受到镀膜材料蒸发或升华飞而凝结成膜。
蒸气粒子的空间分布极大地影响了蒸发粒子在基材上的沉积速率及基材上的成膜厚度分布情况。
例如可通过电子束蒸发方法在Si衬底上制备出了高纯度的金属锌膜,然后通过二次退火得到了具有六角结构的高质量ZnO)多品薄膜材料。
下图为电子束蒸发系统的简图。
使用PVD方法ZnO纳米棒阵列已经实现在硅和蓝宝石衬底上生长。
科学家研究了生长温度对ZnO纳米棒形貌的影响,在930和990℃时ZnO纳米棒平均直径为100nm。
ZnO纳米棒在960℃顶部直径200nm底部直径400nm。
ZnO纳米棒的平均长度在930℃时为15μm,在温度为960或990℃和为5μm。
优缺点
电子束蒸发沉积法是真空蒸镀的一种方式,它突出优点有效解决了电阻加热方式中膜料与蒸发源材料直接接触容易互混的问题。
但是该方法条件温度过高限制其生成设备导致其成本过高。