磁芯材质对照表

世界磁芯材质对照表
磁芯材质在电子领域中扮演着重要的角色，它们被广泛应用于各种电子设备中。

不同的磁芯材质具有不同的磁性能和特点，下面将介绍几种常见的磁芯材质及其特点。

1. 铁氧体磁芯：铁氧体是一种常见的磁芯材质，具有较高的磁导率和低的磁滞回线。

它们具有良好的饱和磁感应强度和磁导率，广泛应用于变压器、电感器等电子设备中。

2. 钕铁硼磁芯：钕铁硼是一种高性能的磁芯材质，具有极高的磁感应强度和矫顽力。

它们在小型电子设备中应用广泛，如电子元件、磁盘驱动器等。

钕铁硼磁芯的磁导率较低，适用于高频应用。

3. 钴硅铁磁芯：钴硅铁是一种具有高磁导率和低磁滞回线的磁芯材质。

它们在高频电子设备中应用广泛，如电视机、电脑显示器等。

钴硅铁磁芯的磁饱和感应强度较低，适用于低频应用。

4. 硅钢磁芯：硅钢是一种常见的磁芯材质，具有低的磁滞回线和低的磁导率。

它们广泛应用于电力变压器、电机等高功率设备中。

硅钢磁芯的磁饱和感应强度较低，适用于低频应用。

5. 铝镍钴磁芯：铝镍钴是一种具有高矫顽力和磁饱和感应强度的磁芯材质。

它们在高频电子设备中应用广泛，如手机、通信设备等。

铝镍钴磁芯的磁导率较低，适用于高频应用。

总结起来，不同的磁芯材质具有不同的磁性能和特点，适用于不同的电子设备。

了解这些磁芯材质的特点，能够帮助我们选择合适的磁芯材料，从而提高电子设备的性能和效率。

希望这份世界磁芯材质对照表能够对大家有所帮助。

常见软磁磁芯种类及比较从事设计变压器和电感器工程师在面临磁芯的选型时，通常会问：使用哪一种材料最好？这个问题没有通用答案，材料的选择取决于应用场合与使用频率。

选择任何材料都只是一种折中方案。

例如，某些材料能够使温升程度降至最低，但是比较昂贵。

但是，如果用户愿意忍受较高程度的温升，可能大且较便宜的组件便可胜任。

最佳材料的选择首先依赖于您是否将其应用于电感器或变压器。

从这一点出发，操作频率和成本也很重要。

不同的材料适用于不同的频率范围、操作温度和磁通密度。

将磁芯的选择范围缩小至某个特定类型后，建议试用各个不同的磁芯，然后做出最终选择。

下面表格是各种常见的软磁材料比较表。

常见软磁材料比较表软磁磁性材料组合饱和磁通密度（T）磁导率磁芯损耗相对成本温度稳定磁粉芯材料∙铁硅铝铁·硅·铝 1.05 14-125 低低佳∙铁硅铁·硅 1.6 60 高低佳∙高磁通铁·鎳 1.5 14-160 中等中等更佳∙钼坡莫铁·鎳·鉬 0.75 14-550 最低高最佳铁氧体材料锰锌 0.45 900-10K 最低最低差绕带磁芯铁·鎳·鉬 0.7 100K 极低极高极佳铁粉芯铁 1.2-1.5 3-100 最高最低差∙磁粉芯:磁粉芯是一种具有均匀分布式气隙的材料，拥有许多优秀的磁特性-高电阻，低磁滞和低涡流损耗，以及在直流和交流条件下极佳的电感稳定性。

美磁的磁粉芯材料不使用有机粘结剂，因此，不会有使用铁粉芯时出现的热老化现象。

分布气隙材料相互之间具有合金颗粒绝缘层。

这允许随着电流的不断增加达到软饱和，提供故障保护。

具有离散气隙的磁芯（铁氧体）具有高电感，使曲线中出现转折，造成急速饱和。

具有分布气隙的磁芯在高温条件下拥有较理想的B m a x 和直流偏置。

具有离散气隙的磁芯（铁氧体）将在气隙周围造成边缘磁通，损耗显著增加。

美磁公司现提供四种不同的磁粉芯材料，点击以下名称，即可得到各种不同材料的优势、用途、以及规格尺寸。

磁芯材质对照表• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-1• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-2• NCD和其它厂商铁氧体材料牌号对照表-3材料总览NCDFerrite Core材料特性 MATERIAL CHARACTERISTICS●功率铁氧体材料 Power ferrite materials特性符号单位LP1 LP2 LP3 LP3A Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initialpermeabilityμi- 3000±25%2500±25%2300±25%2200±25%相对损耗因数 Relative lossfactortanδ/μi×10-6 ＜10 ＜5 ＜4 ＜3饱和磁通密度BsmT 25℃500 500 490Saturation flux density 1194A/m 100℃390 390 380 剩磁 Remanence Br mT 130 130 110 矫顽力 Coercivity Hc A/m 13 13 10功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃120 90 60 (f=25kHz,B=200mT) 100℃160 100 70 50功率损耗Pc kW/m3 25℃700 650 600Power loss 80℃550 480 400 (f=100kHz,B=200mT) 100℃600 450 350 居里温度 CurietemperatureTc ℃≥220≥200≥200≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8 4.8 4.8 4.8功率铁氧体材料LP2Power loss 80℃550 (f=100kHz,B=200mT) 100℃600 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性功率铁氧体材料LP3特性符号单位LP3 Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initial permeability μi- 2300±25%相对损耗因数 Relative loss factor t anδ/μi×10-6 ＜4饱和磁通密度BsmT 25℃500Saturation flux density 1194A/m 100℃390 剩磁 Remanence Br mT 130 矫顽力 Coercivity Hc A/m 13功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃90 (f=25kHz,B=200mT) 100℃70功率损耗Pc kW/m3 25℃650Power loss 80℃480 (f=100kHz,B=200mT) 100℃450 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性功率铁氧体材料LP3特性符号单位LP3A Characteristics Symbol Unit初始磁导率 Initial permeability μi- 2200±25%相对损耗因数 Relative loss factor t anδ/μi×10-6 ＜3饱和磁通密度BsmT 25℃490Saturation flux density 1194A/m 100℃380 剩磁 Remanence Br mT 110 矫顽力 Coercivity Hc A/m 10功率损耗Pc kW/m3 25℃Power loss 80℃60 (f=25kHz,B=200mT) 100℃50功率损耗Pc kW/m3 25℃600Power loss 80℃400 (f=100kHz,B=200mT) 100℃350 居里温度 Curie temperature Tc ℃≥200密度 Density d kg/m3×103 4.8●导磁率 Vs.温度特性μi Vs. Temperature●导磁率 Vs.频率特性μi Vs. Frequency●功率损耗 Vs.温度特性●功率损耗 Vs.频率特性●高磁导率铁氧体材料特性符号单位HP1 HP2 HP3 HP3A CharacteristicsSymbol Unit初始磁导率Initial permeability μi-5000±25%7000±25%10000±30%12000±30%相对损耗因数tanδ/μi ×10-6＜15 ＜7 ＜7 ＜10Relative lossfactor(100kHz) (10kHz) (10kHz) (10kHz)饱和磁通密度Bs mT 420 400 400 380Saturationflux density1194A/m 1194A/m 1194A/m 1194A/m 剩磁 RemanenceBr mT 110 100 90 110 矫顽力 CoercivityHc A/m 10 6 5 4.5 减落因数Disaccommodati on factor DF×10-6＜3 ＜3 ＜2 ＜2居里温度 CurietemperatureTc ℃≥140≥130≥120≥100密度 Density d kg/m3×103 4.85 4.9 4.95 4.95●导磁率 Vs.温度特性●导磁率 Vs.频率特性●阻抗 Vs.频率特性EE磁芯价格：￥面议型号 Type 尺寸 Dimensions (mm)A B C D E FEE10/5/5 10.3±0.2 5.5+0.15-0.1 4.75±0.2 2.4±0.2 7.7min 4.3±0.15 EE13/5/6 12.9±0.3 5.0±0.3 6.0±0.3 2.85±0.2 8.5min 3.65±0.15 EE13/6/6 13.0±0.3 6.0±0.15 5.9±0.2 2.6±0.2 10.2±0.3 4.6±0.1EE13.4/6/6 13.4±0.2 6.1±0.15 6.15±0.15 2.75±0.15 10.5min 4.8±0.1EE16/7/5 16.0±0.3 7.2±0.1 4.8±0.2 3.8±0.2 12.0±0.3 5.2±0.25 EE16/7/7 16.1±0.3 7.25±0.15 6.9±0.2 3.8±0.2 12.0±0.3 5.2+0.25EE16/8/4 16.3±0.3 8.15±0.15 4.50±0.2 4.55±0.15 11.5min 6.0±0.2EE16/12/5 16.0±0.3 12.25±0.2 5.0-0.5 4.2-0.4 12.0±0.3 10.2+0.3-0.2 EE19/8/5 19.0±0.3 8.05±0.2 5.0±0.2 4.5±0.2 14.5±0.3 5.65±0.15 EE19/14/5 19.0±0.3 13.65±0.25 4.85±0.25 4.85±0.25 14.0±0.3 11.4±0.25Al:1kHz,0.5mA,100TsPc:100kHz,200mT,100°C100kHz,100mT,100°C(*)。