第1章-半导体器件基础1分解复习过程
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第一章 半导体物理基础能带:1-1什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?1-2试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。
1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。
1-4、设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E v (k)分别为:2222100()()3C k k k E k m m -=+和22221003()6v k k E k m m =-;m 0为电子惯性质量,1k a π=;a =0.314nm ,341.05410J s -=⨯⋅,3109.110m Kg -=⨯,191.610q C -=⨯。
试求:①禁带宽度;②导带底电子有效质量;③价带顶电子有效质量。
题解:1-1、 解:在一定温度下,价带电子获得足够的能量(≥E g )被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。
其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。
如果温度升高,则禁带宽度变窄,跃迁所需的能量变小,将会有更多的电子被激发到导带中。
1-2、 解:电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带,即允带和禁带。
温度升高,则电子的共有化运动加剧,导致允带进一步分裂、变宽;允带变宽,则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。
反之,温度降低,将导致禁带变宽。
因此,Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。
1-3、准粒子、荷正电:+q ; 、空穴浓度表示为p (电子浓度表示为n ); 、E P =-E n (能量方向相反)、m P *=-m n *。
空穴的意义:引入空穴后,可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴来描述,使问题简化。
1-4、①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(=2023k m +2102()k k m -=0;可求出对应导带能量极小值E min 的k 值: k min =143k , 由题中E C 式可得:E min =E C (K)|k=k min =2104k m ;由题中E V 式可看出,对应价带能量极大值Emax 的k 值为:k max =0;并且E min =E V (k)|k=k max =22106k m ;∴Eg =E min -E max =221012k m =222012m a π =23423110219(1.05410)129.110(3.1410) 1.610π----⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯=0.64eV②导带底电子有效质量m n2222200022833C d E dk m m m =+=;∴ 22023/8C n d E m m dk == ③价带顶电子有效质量m ’ 22206V d E dk m =-,∴2'2021/6V n d E m m dk ==- 掺杂:2-1、什么叫浅能级杂质?它们电离后有何特点?2-2、什么叫施主?什么叫施主电离?2-3、什么叫受主?什么叫受主电离?2-4、何谓杂质补偿?杂质补偿的意义何在?题解:2-1、解:浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。
第一章半导体器件基础讲义1.1半导体的基本知识一、半导体材料导体电阻率半导体绝缘体电阻率<10-4Ωcm >1010Ωcm,·典型半导体材料:硅(Silicon ,元素符号Si)锗(Germanium,元素符号Ge)化合物半导体如砷化镓(GaAs)等·半导体三特点:热敏性;②光敏性;③杂敏性。
·半导体导电能力与晶体结构的关系――半导体的导电能力取决于它的原子结构。
·硅原子结构简化模型:·硅原子的晶体结构:共价键。
·半导体指纯净的、结构完整的晶体·共价键内载流子的运动方式――价电子是可以在共价键内运动的。
二、本征半导体·T=0K(约为-273℃)时,所有价电子均被束缚在共价键内,不能导电。
·热激发T↑→价电子的热运动获得能量→摆脱共价键的吸引→成为自由电子,同时留下一个空位→相关原子成为正离子――中性原子的电离过程。
·空穴可以移动的,带正电荷的载流子。
空穴的运动形式――价电子在共价键内移动。
·半导体内的两种载流子:自由电子和空穴――两者带电量相同而极性相反,且均可移动。
·自由电子和空穴成对产生源于温度,称为热激发。
·热敏性T↑,热激发加剧,自由电子和空穴的浓度↑,电阻率↓。
·复合自由电子和空穴相遇,自由电子和空穴成对消失的过程。
·从能量的角度看激发和复合热激发是价电子获得能量摆脱共价键束缚的过程,复合则是自由电子释放出所获得的能量重新被共价键俘获的过程。
·热平衡浓度T↑→自由电子和空穴浓度↑→复合↑→动态平衡。
表现为在此温度下电子和空穴对的浓度宏观上不再变化。
称为此温度下的热平衡浓度。
温度提高后,热激发产生的自由电子-空穴对的数量出现新的增长,带动复合数量的增长,最终达到新的动态平衡,在新的温度下形成新的热平衡浓度。
·室温下,硅中载流子的热平衡浓度只有约1010/cm3,导体中自由电子浓度约1022/cm3,且不随温度而变。