混凝土结构设计——复习资料三
一、选择题(每小题2分)
1、一般情况下,风荷载作用下得多层多跨框架( )
A、迎风面一侧得框架柱产生轴向压力
B、背风面一侧得框架柱产生轴向拉力
C、框架外柱轴力小于内柱轴力
D、框架内柱轴力小于外柱轴力
2、关于伸缩缝、沉降缝、防震缝,下列说法中,不正确
．．．得就是( )
A、伸缩缝之间得距离取决于结构类型与温度变化情况
B、沉降缝应将建筑物从基顶到屋顶全部分开
C、非地震区得沉降缝可兼作伸缩缝
D、地震区得伸缩缝与沉降缝均应符合防震缝要求
3、非抗震设计得现浇框架,混凝土强度等级不宜低于( )
A、C30
B、C20
C、C15
D、C10
4、关于框架结构得弯矩调幅,下列说法中正确得就是( )
A、调幅就是对水平荷载作用下得内力进行得
B、先与水平荷载产生得内力进行组合,再进行弯矩调幅
C、现浇框架梁端得调幅系数大于装配整体式框架梁端得调幅系数
D、调幅就是对柱端弯矩进行得
5、水平荷载作用下得多层框架结构,在其它条件不变时,某层得( )
A、上层层高加大,则该层柱得反弯点上移
B、上层层高减小,则该层柱得反弯点上移
C、下层层高加大,则该层柱得反弯点上移
D、本层层高减小,则该层柱得反弯点下移
6、多层框架底层柱得计算长度( )
A、应取基础顶面到二层横梁底面之间得距离
B、应取基础顶面到二层楼板顶面之间得距离
C、应取室外地面到二层楼板顶面之间得距离
D、应取基础顶面到二层楼板底面之间得距离
7、关于在框架梁端设置箍筋加密区得目得,下列说法中错误
．．得就是( )
A、约束混凝土
B、提高梁得变形能力
C、满足抗剪承载力要求
D、增加梁得延性
8、在用D值法计算框架结构时,与框架柱标准反弯点高度比无关
．．得因素就是( ) A、总层数B、该柱所在得层数
C、荷载形式
D、荷载大小
9、计算竖向荷载作用下得框架内力时,未考虑
．．．活荷载最不利布置得方法就是( )
A、分层法
B、最不利荷载位置法
C、分跨计算组合法
D、满布荷载法
10、关于楼板对框架梁截面抗弯刚度得影响(I0为矩形截面梁得惯性矩),下列说法不正确
．．．得就是( )
A、对现浇楼盖,中框架取I=2I0
B、对现浇楼盖,边框架取I=1、5I0
C、对装配式楼盖,边框架取I=1、2I0
D、对装配整体式楼盖,中框架取I=1、5I0
11、关于框架柱侧移刚度修正系数,下列说法不正确
．．．得就是( )
A、就是反映梁柱线刚度比对柱侧移刚度得影响系数
B、就是上下层梁线刚度比对柱侧移刚度得影响系数
C、≤1、0
D、与柱端约束条件有关
12、关于变形缝,下列说法不正确
．．．得就是( )
A、变形缝包括伸缩缝、沉降缝与防震缝
B、在非地震区,沉降缝可兼做伸缩缝
C、在地震区,伸缩缝或沉降缝应符合防震缝得要求
D、伸缩缝得设置主要与场地得地质条件有关
13、某大偏心受压剪力墙墙肢,在其她条件不变得情况下,随着轴向压力N得降低(注:N≤0、2f c b w h w),( )
A、正截面受弯承载力降低,斜截面受剪承载力提高
B、正截面受弯承载力降低,斜截面受剪承载力降低
C、正截面受弯承载力提高,斜截面受剪承载力提高
D、正截面受弯承载力提高,斜截面受剪承载力降低
14.多层框架结构在竖向荷载作用下得内力计算可近似采用( )
A.分层法
B.D值法
C.反弯点法
D.剪力分配法
15.框架柱得控制截面取( )
A.柱上端截面
B.柱下端截面
C.柱上、下端截面
D.柱上、下端截面及中间截面
16.关于梁端弯矩调幅,下列叙述中正确得就是( )
A.人为减少梁端弯矩
B.仅对水平荷载作用下产生得内力进行调幅
C.调幅得目得就是为了增大梁得刚度
D.调幅得原因就是由于实际弯矩大于计算值
17、风荷载作用下,框架结构最大层间位移一般位于
A、框架顶部
B、框架约2/3高度处
C、框架中部
D、框架底部
18、用分层法计算框架内力时,各层柱线刚度得修正原则就是
A、底层不变,其她各层应折减
B、底层不变,其她各层应增大
C、底层应折减,其她各层不变
D、底层应增大,其她各层不变
19、框架结构设计中,梁端弯矩调幅得原则就是
A、在内力组合之前,将竖向荷载作用下得梁端弯矩适当减小
B、在内力组合之前,将竖向荷载作用下得梁端弯矩适当增大
C、在内力组合之后,将梁端弯矩适当减小
D、在内力组合之后,将梁端弯矩适当增大
20、梁、板、柱均为预制,节点区钢筋焊接、混凝土现浇,则该结构属于
A、全现浇式框架
B、装配整体式框架
C、装配式框架
D、半现浇式框架
21、竖向荷载作用下,关于多层多跨规则框架得内力分布规律,下列叙述不正确
．．．得就是(不确定)
A、同一层得柱,中柱轴力一般大于边柱
B、同一层得柱,边柱剪力一般大于中柱
C、柱剪力从上到下逐渐增大
D、柱轴力从上到下逐渐增大
22、关于框架梁弯矩调幅,下列说法中不正确得就是( )
A、弯矩调幅仅在竖向荷载作用下进行
B、弯矩调幅后,梁支座弯矩将减小
C、弯矩调幅后,梁跨中弯矩将减小
D、弯矩调幅系数β≤1、0
23、水平荷载作用下,多层框架结构得侧移主要由( )
A、柱剪切变形引起
B、梁剪切变形引起
C、梁、柱弯曲变形引起
D、柱轴向变形引起
24、用D值法分析框架结构时,柱得反弯点高度( )
A、与上层层高变化无关
B、与下层层高变化无关
C、与上下层横梁得线刚度比无关
D、与抗震设防烈度无关
25、关于框架梁截面得最不利内力组合,下列选项正确得就是( )
A、梁端截面:+M max、V max
B、跨中截面:+M max
C、梁端截面:+M min、V max
D、跨中截面:-M max
26、对于框架结构,当楼面梁得负荷面积大于25m2时,楼面___活______荷载要乘以折减系数0、9。
7.确定钢筋混凝土现浇框架柱得计算长度时,下列因素中不需
．．考虑得就是
A.框架侧向得约束条件B、荷载情况
C.柱得二阶效应D、轴向变形
27.关于柱得反弯点,下列说法正确得就是
A.反弯点位于柱中弯矩为零处B、反弯点位于柱中剪力为零处
C.反弯点位于柱高1/2处D、反弯点位于层间水平侧移为零处
28.框架结构中,梁端截面最不利内力组合不包括
．．．
A.+M max B、-M min
C.V max D、|N|max
29.关于框架结构节点得构造,下列说法不正确
．．．得就是
A.框架节点得混凝土强度等级应不低于柱得混凝土强度等级
B、在框架节点范围内应设置竖向箍筋
C.梁上部纵向钢筋应贯穿中间节点
D、框架柱得纵向受力钢筋不宜在楼层节点中切断
30.在水平荷载作用下,大多数楼层中有反弯点得就是
A.整截面墙B、整体小开口墙
C.壁式框架得框架柱D、联肢墙得墙肢
二、填空题(每小题1分)
请在每小题得空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1、、框架结构在风荷载作用下得侧移变形曲线属于___剪切_________型。
2、水平荷载作用下得反弯点法,适用于层数较少、楼面荷载较大,梁柱线刚度比_大于3______
得框架。
3、___框架_____结构由横梁、立柱与基础连接而成。
4.反弯点法假定,对于下端固定得底层柱,其反弯点位于距柱底__2/3____柱高处。
5、框架结构得柱与基础得连接一般就是__刚性______连接。
6、高度50m以上得框架结构,侧移近似计算时,除考虑梁与柱得弯曲变形得影响外,还应考虑
柱得___轴向_____变形得影响。
7.计算框架结构得柱与基础时,___楼面活______荷载可考虑折减。
8.计算壁式框架柱侧移刚度D值时,需要考虑刚域与____剪切_____变形得影响。
三、问答题(每小题4分)
1、简述框架柱得抗震设计原则。
答: 1、强柱弱梁;
2、在弯曲破坏之前不发生剪切破坏,使柱有足够得抗剪能力;
3、控制柱得轴压比不要太大;
4、加强约束,配置必要得约束箍筋。
2.用分层法计算竖向荷载作用下框架弯矩得主要计算步骤就是什么?
答: 1、计算各层梁上竖向荷载值与梁得固端弯矩;
2、将框架分层,各层梁跨度及柱高与原结构相同,柱端假定为固端;
3、计算梁、柱线刚度;
4、计算与确定梁、柱弯矩分配系数与传递系数;
5、按力矩分配法计算单层梁、柱弯矩;
6、将分层计算得到得、但属于同一层柱得柱端弯矩叠加得到柱得弯矩。
3.简述用反弯点法计算水平荷载作用下框架弯矩得主要步骤。
答:1、求楼层总剪力
2、求各柱子反弯点处剪力
3、求柱端弯矩
底层柱:
上层柱: 4、利用节点平衡求梁端弯矩 4.降低框架柱轴压比得措施有哪些? 答:减小柱轴力、增大混凝土强度、增大柱截面面积。
5.水平荷载作用下,影响框架柱反弯点位置得主要因素有哪些?
答:1、梁柱得线刚度比及楼层位置;
2、上下横梁线刚度比;
3、层高变化。
6.水平荷载作用下,用反弯点法计算多层框架结构得适用条件就是什么?“改进反弯点法”得基本计算要点有哪些?
答:反弯点法计算多层框架结构得适用条件:层数较少、楼面荷载较大、梁柱线刚度比值超过3。
改进反弯点法”得基本计算要点:1、求修正后得侧向刚度D;2、求反弯点位置。
7．简述现浇楼板对框架梁梁端截面与跨中截面抗弯刚度得影响。
答:梁端截面影响较小,在跨中楼板处于受压区形成T 形截面梁,楼板对框架梁跨中截面抗弯刚度得影响较大。
对现浇楼盖,中框架取I=2I0;边框架取I=1、5I0;
对做装配整体式楼盖,中部框架梁I=1、5I0;边框架梁I=1、2I0;
对装配式楼盖,I=I0、
四、计算题(每小题6分)
1、某两层三跨框架如图所示,括号内数字为各杆相对线刚度。试用反弯点法求AB 杆得杆端弯矩,并画出该杆得弯矩图。
2、某两层三跨框架得计算简图如题39图所示。各柱线刚度均为1、0×104kN ·m,边柱侧移刚度修正系数为=0、6,中柱侧移刚度修正系数为=0、7。试用D 值法计算柱AB 得B 端弯
矩。 (提示:底层反弯点高度比为0、65)
题39图
3、某多层框架结构得计算简图如题38图所示,括号中数值为顶层梁得相对线刚度。顶层各柱线刚度均为1、0×104kN ·m,边柱侧移刚度修正系数=0、6,中柱侧移刚度修正系数=0、7。m kN 32.4375.485.3112
.366.366.3M m
kN 25.8075.485.31M 4m kN 75.485.43
15.32M M m kN 5.312.42
115M M (3) kN 5.321304
1V V kN 156041V V (2)kN 1307060V kN 60V 1BA AB B A B A 1211222112?=++=?=+=?=??==?=??===?===?===+==）（）（）（下下上上
试用D 值法求梁AB 得B 端弯矩。
(提示:顶层柱反弯点高度比y =0、55)
4、某三层两跨框架得计算简图如题38图所示。括号内为各杆得相对线刚度。试用反弯点法
计算梁AB 得B 端弯矩。
解 (1)
(2)
(3)
(4)
5.某两层三跨框架如题38图所示。各柱线刚度均为1、0×l04kN ·m,边柱与中柱得侧移刚度修正系数分别为0、5与0、6。试计算该框架由梁柱弯曲变形引起得顶点侧移值。
m kN 44.1088.202
1(5)M m
kN 88.202.455.0-105.11(4)M kN 05.1130D 7.0D 6.0D 6.0D 7.0(3)V kN
30V )2(D 7.0D D 6.0D )1(h 12i
D :BA B 3232?=?=?=??==?++=
====）（；
，柱刚度解下中边
第3章自测题及参考答案 一、名称解释 1．需求分析2．当前系统 3．目标系统4．SA 5．DFD 二、填空题 1．需求分析阶段产生的最重要的文档是_________。 2．为解决一个复杂问题，往往采取的策略是__________。 3．SA方法中使用半形式化的描述方式表达需求，采用的主要描述工具是__________。4．数据流图中有四种符号元素，它们是__________。 5．数据字典中有四类条目，分别是___________。 6．在IDEF0图中，表示系统功能的图形称为___________图形。 7．在画分层的DFD时，父图与子图的输入输出数据流要__________。 8．用于描述基本加工的小说明的三种描述工具是_______________。 9．IDEF0是建立系统_________模型的有效方法。 10．在IDEF0方法中，被标志为A—0的图称为系统的_________图。 三、选择题 1．分层DFD是一种比较严格又易于理解的描述方式，它的顶层图描述了系统的( )。 A．细节B．输入与输出C．软件的作者D．绘制的时间 2．需求规格说明书的内容还应包括对( )的描述。 A．主要功能B．算法的详细过程C．用户界面及运行环境D．软件的性能 3．需求规格说明书的作用不应包括( )。 A．软件设计的依据B．用户与开发人员对软件要做什么的共同理解 C．软件验收的依据D．软件可行性研究的依据 4．SA方法用DFD描述( ) A．系统的控制流程B．系统的数据结构 C．系统的基本加工D．系统的功能
5．一个局部数据存储只有当它作为( )时，就把它画出来。 A．某些加工的数据接口B．某个加工的特定输入 C．某个加工的特定输出D．某些加工的数据接口或某个加工的特定输入/输出 6．对于分层的DFD，父图与子图的平衡指子图的输入、输出数据流同父图相应加工的输入、输出数据 流( )。 A．必须一致B．数目必须相等C．名字必须相同D．数目必须不等 7．需求分析阶段不适用于描述加工逻辑的工具是( )。 A．结构化语言B．判定表C．判定树D．流程图 8．SA方法的分析步骤是首先调查了解当前系统的工作流程，然后( )。 A．获得当前系统的物理模型，抽象出当前系统的逻辑模型，建立目标系统的逻辑模型B．获得当前系统的物理模型，抽象出目标系统的逻辑模型，建立目标系统的物理模型C．获得当前系统的物理模型，建立当前系统的物理模型，抽象出目标系统的逻辑模型D．获得当前系统的物理模型，建立当前系统的物理模型，建立目标系统的物理模型9．SA方法的基本思想是( ) A．自底向上逐步抽象B．自底向上逐步分解 C．自顶向下逐步分解D．自顶向下逐步抽象 10．初步用户手册在( )阶段编写。 A.可行性研究B．需求分析C．软件概要设计D．软件详细设计 四、简答题 1．什么是需求分析？该阶段的基本任务是什么？ 2．简述结构化分析方法的步骤。 3．数据流图与数据字典的作用是什么？画数据流图应注意什么？ 4．简述SA方法的优缺点。 5．简述建立IDEF0图的步骤。 五、应用题 1．某电器集团公司下属一个成套厂(产品组装)和若干零件厂等单位，成套厂下设技术科、
第三章自测题 1、在单处理器的多进程系统中，进程什么时候占有处理器以及决定占用时间的长短是由（Ｂ）决定的。 A、进程运行时间 B、进程的特点和进程调度策略 C、进程执行的代码 D、进程完成什么功能 2、时间片轮转算法是为了（Ａ） A、多个用户能及时干预系统 B、优先级较高的进程能得到及时响应 C、是系统变得更为高效 D、需要CPU时间最少的进程最先执行 3、（Ａ）有利于CPU繁忙型的作业，而不利于I/O繁忙型的作业。 A、时间片轮转算法 B、先来先服务调度算法 C、短作业优先算法 D、优先级调度算法 4、为了照顾短作业用户应采用（Ｂ）调度算法；为了能实现人机交互应采用（ＲＲ）调度算法；既能使短作业用户满意又能使长作业用户满意应采用（Ｃ）调度算法。 A、FCFS B、SJF C、HRRN D、RR 5、有三个作业分别为J1、J2、J3，其运行时间分别为2h、5h、3h，假定它们能同时达到，并在同一台处理器上以单刀方式运行，则平均周转时间最小的执行顺序为（１，３，２） 6、关于优先权大小的论述中，正确的是（Ｄ） A、资源要求多的作业优先权应高于资源要求少的作业优先权 B、用户进程的优先权，应高于系统进程的优先权 C、在动态优先权中，随着作业等待时间的增加，其优先权将随之下降 D、在动态优先权中，随着作业执行时间的增加，其优先权将随之下降 7、进程调度算法采用固定时间片轮转调度算法，当时间片过大时，就会时时间片轮转算法转化为（Ｂ）调度算法。 A、HRRN B、FCFSC C、SPF D、优先级 8、在调度算法中，对短进程不利的是（Ｂ）调度算法。 A、SPF B、FCFS C、HRRN D、多级反馈队列 9、下列选项中，满足短任务优先且不会发生饥饿现象的调度算法是（Ｃ），最有利于提高系统吞吐量的调度算法是（Ｄ） A．FCFS B．HRRN C．RR D．SJ(P)F 10、下列调度算法中，下列选项中，不可能导致饥饿现象的调度算法是（Ａ）。 A．RR B．静态优先数调度 C．非抢占式短作业优先D．抢占式短作业优先 11、一个进程的读磁盘操作完成后，操作系统针对该进程必做的是（）。 A．修改进程状态为就绪态B．降低进程优先级 C．给进程分配用户内存空间D．增加进程时间片大小 12、对资源采用按序分配策略能达到（）的目的。 A、预防死锁 B、避免死锁 C、检测死锁 D、解除死锁 13、死锁预防是保证系统不进入死锁状态的静态策略，其解决办法是破坏产生死锁的4个必要条件之一，下列办法中破坏了“循环等待”条件的是（）。 A、银行家算法 B、一次性分配策略 C、剥夺资源法 D、资源有序分配策略 14、银行家算法是一种（）算法。 A、预防死锁 B、避免死锁 C、检测死锁 D、解除死锁 15、在下列解决死锁的方法中，属于死锁预防策略的是（）。
第三章拱坝 一、填空题 1.拱坝是一空间壳体结构,其坝体结构可近似看作由一系列凸向上游的__________和一系列竖向__________所组成,坝体结构既有拱作用又有梁作用，因此具有双向传递荷载的特点。 2.拱坝所承受的水平荷载一部分由________的作用传至两岸岩体，另一部分通过_______的作用传到坝底基岩，拱坝在外荷载作用下的稳定性主要是依靠__________的反力作用，并不完全依靠坝体重量来维持稳定。这样就可以将拱坝设计得较薄。 3.拱结构是一种________，在外荷作用下内力主要为___________，有利于发挥筑坝材料（混凝土或浆砌块石）的抗压强度。 4.拱坝坝身不设___________，其周边通常是固接于基岩上，因而__________和________对坝体应力的影响较显著，设计时，必须考虑基岩变形，并将温度荷载作为一项主要荷载。 5.拱坝理想的地形应是左右两岸_______，岸坡______无突变，在平面上向下游______的峡谷段。 6.坝址处河谷形状特征常用河谷的____及_____两个指标来表示。 7.拱坝的厚薄程度，常以坝底最大厚度T和最大坝高H的比值，即___________来区分。
8.拱坝理想的地质条件是；基岩_______单一、完整稳定、强度 ________、刚度大、透水性小和耐风化等。 9.拱坝按拱坝的曲率分_____________、___________。 10.拱坝按水平拱圈形式分可分为__ __、___ _、_________。 11.静水压力是坝体上的最主要荷载，应由拱、梁系统共同承担，可通过___________、来确定拱系和梁系上的荷载分配。 12.混凝土拱坝在施工时常分段浇筑，最后进行__ _，形成整体。 13.温降时拱圈将缩短并向下游变位，由此产生的弯矩、剪力及位移的方向都与库水压力作用下所产生的弯矩、剪力及位移的方向____，但轴力方向________。 14.当坝体温度高于封拱温度时，称温升，拱圈将伸长并向上游变位，由此产生的弯矩、剪力和位移的方向与库水压力所产生的方向______，但轴力方向则_______。 15.拱坝坝身的泄水方式有：_____、_____、_____及______等。 16.水流过坝后具有______现象，水舌入水处单位面积能量大，造成集中冲刷，因此消能防冲设计要防止发生危害性的河床集中冲刷。 17.拱坝坝基的处理措施有坝基开挖、__________、__________、 __________、坝基排水、断层破碎带和软弱夹层的处理等。 18.在防渗帷幕下游侧应设置__________，以减小坝底扬压力。
一、判断题： 1、包含了多个处理器的计算机系统就是“多处理器系统” 2、计算机系统由硬件和软件两部分组成，其中只有硬件是必不可少的。 3、I/O接口就是I/O设备与I/O总线之间的连接装置。 4、计算机的性能与CPU的速度密切相关，因此在其他配置相同时，一台使用3G Hz Pentium4作为CPU 的PC机比另一台使用1.5GHz Pentium4作为CPU的PC机在完成同一项任务时速度快1倍。 5、PC机中CPU与主存的工作速度几乎差不多，增加Cache只是为了扩大主存的容量。 6、机器指令是一种使用二进制编码表示的操作命令，它用来规定计算机执行什么操作以及操作数所在的位置。一条机器指令是由运算符和操作数组成的。 7、RAM代表随机存取存储器，ROM代表只读存储器，关机后前者所存储的信息会丢失，后者不会。对 8、保存在BIOS中的系统主引导记录装入程序的功能是装入操作系统。 9、I/O操作的启动、执行和完成都需要CPU通过指令直接过问和干预。 10、在PC机中，I／O设备和CPU可以并行工作。 11、USB可以高速地传输数据，因此USB是并行接口。 12、键盘上的Alt键只能与另一个字母键或功能键同时按下时才有作用。 13、计算机运行程序时，CPU所执行的指令和处理的数据都直接从磁盘或光盘中读出，处理结果也直接存入磁盘。 14、内存储器和外存储器不是统一编址的。内存储器的编址单位是字节，外存储器的编址单位不是字节。 15、软盘、CD光盘和DVD光盘两个记录面。 16、一般情况下，外套存储器中存储的信息在机器断电后不会丢失。 17、在Windows中不能直接使用从未格式化过的磁盘。 18、显示器的像素单元越多，则可允许设置的显示分辨率就越高。 19、主板上的AGP插槽既可以插入显示卡，也可以插入其他I／O设备控制器的扩充卡。 20、CRT显示器的刷新速率越高，图像越清晰。 21、PC机中常用的输出设备都通过各自的扩充卡与主板相连，这些扩充卡只能插在主板的PCI总线插槽中。 22、打印分辨率越高的打印机，其印刷出来的图像就越清晰。 23、CPU中指令计数器的作用是统计已经执行过的指令数目。 24、不同公司生产的CPU，其指令系统必定是完全不相同的。 25、在数码相机中存储器存储容量不变的前提下，拍摄图像时所设定的图像分辨率越高，则一次可拍摄的数字相比的数量就越少。 26、扫描仪能直接将印刷体文字输入到计算机中。 27、键盘与主机的接口有多种形式，一般采用的是AT接口或PS／2接口，比较新的产品采用USB接口。 28、数码相机内部存储芯片中保存的是所拍摄景物的数字图像信号。 二、单选题： 1、计算机的存储器分为内存储器和外存储器两大类，这两类存储器的本质区别在于。 A、内存储器在机箱内部而外存储器在机箱外部 B、内存储器存取速度快而外存储器存取速度慢 C、内存储器存储容量小而外存储器存储容量大 D、内存储器能被CPU直接存取而外存储器不能被CPU直接存取 2、从逻辑上来讲，计算机硬件系统中最核心的部件是。 A、内存储器 B、中央处理器 C、外存储器 D、I/O设备 3、以下所列一般不属于个人计算机的是。
第三章练习题 一、判断正误并解释 1.所谓商品的效用，就是指商品的功能。 分析：这种说法是错误的。商品的效用指商品满足人的欲望的能力，指消费者在消费商品时所感受到的满足程度 2.不同的消费者对同一件商品的效用的大小可以进行比较。 分析：这种说法是错误的。同一个消费者对不同商品的效用大小可以比较。但由于效用是主观价值判断，所以同一商品对不同的消费者来说，其效用的大小是不可比的。 3.效用的大小，即使是对同一件商品来说，也会因人、因时、因地而异。分析：这种说法是正确的。同一商品给消费者的主观心理感受会随环境的改变而改变。 4.边际效用递减规律是指消费者消费某种消费品时，随着消费量的增加，其最后一单位消费品的效用递减。 分析：这种说法是错误的。必须在某一特定的时间里，连续性增加。5.预算线的移动表示消费者的货币收入发生变化。 分析：这种说法是错误的。只有在收入变动，商品价格不变，预算线发生平移时，预算线的移动才表
示消费者的收入发生了变化。 6.效应可以分解为替代效应和收入效应，并且替代效应与收入效应总是反向变化。 分析：这种说法是错误的。正常物品的替代效应和收入效应是同向变化的。 二、选择 1.当总效用增加时，边际效用应该：（A ） A.为正值，但不断减少； B.为正值，且不断增加； C.为负值，且不断减少； D.以上都不对 ２.当某消费者对商品Ｘ的消费达到饱合点时，则边际效用ＭＵχ为：（C ） Ａ.正值Ｂ.负值Ｃ.零Ｄ.不确定 ３.正常物品价格上升导致需求量减少的原因在于：（C ） Ａ.替代效应使需求量增加，收入效应使需求量减少； Ｂ.替代效应使需求量增加，收入效应使需求量增加；
混凝土结构设计——复习资料三 一、选择题（每小题2分） 1.一般情况下，风荷载作用下的多层多跨框架（） A.迎风面一侧的框架柱产生轴向压力 B.背风面一侧的框架柱产生轴向拉力 C.框架外柱轴力小于内柱轴力 D.框架内柱轴力小于外柱轴力 2.关于伸缩缝、沉降缝、防震缝，下列说法中，不正确 ．．．的是（） A.伸缩缝之间的距离取决于结构类型和温度变化情况 B.沉降缝应将建筑物从基顶到屋顶全部分开 C.非地震区的沉降缝可兼作伸缩缝 D.地震区的伸缩缝和沉降缝均应符合防震缝要求 3.非抗震设计的现浇框架，混凝土强度等级不宜低于（） A.C30 B.C20 C.C15 D.C10 4.关于框架结构的弯矩调幅，下列说法中正确的是（） A.调幅是对水平荷载作用下的内力进行的 B.先与水平荷载产生的内力进行组合，再进行弯矩调幅 C.现浇框架梁端的调幅系数大于装配整体式框架梁端的调幅系数 D.调幅是对柱端弯矩进行的 5.水平荷载作用下的多层框架结构，在其它条件不变时，某层的（） A.上层层高加大，则该层柱的反弯点上移 B.上层层高减小，则该层柱的反弯点上移 C.下层层高加大，则该层柱的反弯点上移 D.本层层高减小，则该层柱的反弯点下移 6.多层框架底层柱的计算长度（） A.应取基础顶面到二层横梁底面之间的距离 B.应取基础顶面到二层楼板顶面之间的距离 C.应取室外地面到二层楼板顶面之间的距离 D.应取基础顶面到二层楼板底面之间的距离 7.关于在框架梁端设置箍筋加密区的目的，下列说法中错误 ．．的是（） A.约束混凝土 B.提高梁的变形能力 C.满足抗剪承载力要求 D.增加梁的延性 8.在用D值法计算框架结构时，与框架柱标准反弯点高度比无关 ．．的因素是（）
第2章 第一定律自测题 1．在一定温度下，一定量理想气体所进行的可逆过程与不可逆过程，体积功的大小相比较可知： 可逆过程系统对环境作( )；环境对系统做( )功；恒温可逆过程的-W r ( ) 。 (A )最大；(B)最小；(C)大小无法确定。 2．在一定压力下和一定的温度范围内，液体的摩尔蒸发焓随温度的变化率() vap m /p H T ???( )。 (A )>0；(B)＜0；(C)＝0；(D)正、负无法确定。 3．在一定压力下，任一化学反应的()r m /p H T ??? ( ) (A )>0；(B)＜0；(C)＝0；(D)无法确定。 4．气体可视为理想气体的某气相反应，反应式中各物质计量数的代数和 B ν ∑＝1.5，反应的r ,m V C ?＝ B ,m (B)V C ν ∑＝-1.5R ，则()r m /p H T ???( )。 (A )>0；(B)＜0；(C)＝0；(D)无法确定。 5．在25℃的标准状态下，反应C 2H 6(g )＋3.5O 2(g ) → 2CO 2(g )＋3H 2O(l ) 此反应过程的m H ?( )； m U ?( )； Q ( )；W ( )。 (A)>0；(B)＜0；(C)＝0；(D)无法确定。 6．在隔离系统中分别发生下列过程： (1)发生某燃烧反应使系统的温度上升，压力变大，此过程的U ?( )；H ?( )； (2)发生某气相聚合反应，使系统的T ，p 皆下降，n B(g ) → B n (g ) 此过程的U ?( )；H ?( )； (3)发生某固态物质的升华过程，使系统的T 下降，p 变大，B(s) → B(g) 此过程的U ?( )；H ?( )。 (A)>0；(B)＜0；(C)＝0；(D)无法确定。 7．在恒压、绝热、W '＝0的条件下发生某化学反应，使系统的温度上升、体积变大， 则此过程的H ?( )；U ?( )；W ( )。 (A)>0；(B)＜0；(C)＝0；(D)无法确定。 8．在一个体积恒定的绝热箱中有一绝热隔板，其两侧放有n ，T ，p 皆不相同的N 2(g )，N 2(g )可视为理想气体。今抽去隔板达到平衡，则此过程的U ?( )；W ( ) ；H ?( )。 (A)>0；(B) ＝0；(C)＜0；(D)无法确定。 9．在一保温良好、门窗紧闭的房间内，放有电冰箱，若将电冰箱门打开，且不断向冰箱供给电能使其运 转，室内的气温将( )。 (A)逐渐降低；(B)逐渐升高；(C)不变；(D)无法确定。 10．在一个体积恒定的绝热箱中有一隔板，其一边为200 kPa ，300 K 的真实气体，另一边为真空。现在除去隔板，达到平衡后温度下降，则此过程的U ?( )；H ?( )。 (A)>0；(B) ＝0；(C)＜0；(D)无法确定。 11．有系统如下： 隔板及容器皆绝热，V ＝V 1＋V 2恒定，A 为双原子理想气体，B 为单原子理想气体。除去隔板并达到平衡，此过程的H ?( A)( )；H ?( B)( )；U ?( )；H ?( )。 (A)>0；(B) ＝0；(C)＜0；(D)无法确定。 12．在同一温度下，W '＝0，同一个化学反应的p Q ,m ( )V Q ,m 。
第四章土石坝答案 一、填空题 1．碾压式土石坝；水力充填坝；定向爆破堆石坝 2．均质坝；粘土心墙坝；粘土斜心墙坝；粘土斜墙坝。 3．；坝顶高程；宽度；坝坡；基本剖面 4． Y= R+e+A ； R:波浪在坝坡上的最大爬高、 e:最大风雍水面高度；A安全加高。 5.马道；坡度变化处 6.高出设计洪水位0.3－0.6m且不低于校核洪水位；校核水位。 7.松散体；水平整体滑动。 8.浸润线；渗透动水压力；不利。 9.曲线滑裂面；直线或折线滑裂面 10.开挖回填法；灌浆法；挖填灌浆法 11.临界坡降；破坏坡降。 12.饱和；浮 13.护坡 14.粘性土截水墙；板桩；混凝土防渗墙
15.渗流问题 16.集中渗流；不均匀沉降 17.开挖回填法；灌浆法；挖填灌浆法。 18. “上截下排”；防渗措施；排水和导渗设备 二、单项选择题 1.土石坝的粘土防渗墙顶部高程应（ B ）。 A、高于设计洪水位 B、高于设计洪水位加一定超高，且不低于校核洪水位 C、高于校核洪水位 D、高于校核洪水位加一定安全超高 2.关于土石坝坝坡，下列说法不正确的有（ A ）。 A、上游坝坡比下游坝坡陡 B、上游坝坡比下游坝坡缓 C、粘性土料做成的坝坡，常做成变坡，从上到下逐渐放缓，相邻坡率 差为0.25或0.5 D、斜墙坝与心墙壁坝相比,其下游坝坡宜偏陡些,而上游坝坡可适当放 缓些 3.反滤层的结构应是（ B ）。 A、层次排列应尽量与渗流的方向水平
B、各层次的粒径按渗流方向逐层增加 C、各层的粒径按渗流方向逐渐减小，以利保护被保护土壤 D、不允许被保护土壤的细小颗粒（小于0.1mm的砂土）被带走 4.砂砾地基处理主要是解决渗流问题，处理方法是“上防下排”,属于上防的措施有（ A ）。 A、铅直方向的粘土截水槽、混凝土防渗墙、板桩 B、止水设备 C、排水棱体 D、坝体防渗墙 5．粘性土不会发生（ A ）。 A、管涌 B、流 土 C、管涌或流土 D、不确定 6．下列关于反滤层的说法不正确的是（ B ）。 A、反滤层是由2～3层不同粒径的无粘性土料组成，它的作用是滤土排 水 B、反滤层各层材料的粒径沿渗流方向由大到小布置。 C、相邻两层间，较小层的颗粒不应穿过粒径较大层的孔隙 D、各层内的颗粒不能发生移动 7．土石坝上、下游坝面如设变坡，则相邻坝面坡率差值一般应在（ C ）
第2章自测题 一、单项选择题 1．在植物组织培养中，培养基的pH一般为（）。 A．低于5.0 B． 5.6～6.5 C．6.0～7.0 D．7.0以上 2．病毒在植物体中的分布规律为（）。 A．从茎尖到底部含量越来越多 B．从茎尖到底部含量越来越少 C．病毒在植株体的分布是均匀的 D．茎尖含量最多，底部几乎没有 3．下列有关细胞全能性的含义，正确的是（）。 A．每个生物体内的所有细胞都具有相同的功能 B．生物体内的任何一个细胞可以完成该个体的全部功能 C．生物体的每一个活细胞都具有发育成完整个体的潜能 D．生物体的每个细胞都经过产生、分裂、分化、生长、衰老、死亡的全过程。4．经高温灭菌后，培养基的pH会（）。 A．降低 B．升高 C．不变 D．不能确定 5．生长素与细胞分裂素在植物组织培养中的作用是（）。 A．生长素促进芽的生长，细胞分裂素促进根的生长 B．生长素促进根的生长，细胞分裂素促进芽的生长 C．生长素与细胞分裂素均促进根的生长 D．生长素与细胞分裂素均促进芽的生长 6．培养基的灭菌方法是（）。 A．干热灭菌 B．湿热灭菌 C．50%酒精灭菌 D．紫外灯灭菌 7．热处理脱毒的原理是（）。 A．杀死病毒 B．钝化病毒 C．产生抗体 D．病毒抑制 8．接种用具可用（）法灭菌。 A．灼烧灭菌 B．化学灭菌 C．过滤灭菌 D．照射灭菌 9．下列不属于细胞分裂素类的植物激素是（）。 A．BA B．NAA C．ZT D．KT 10．高温易被破坏分解的植物激素是（）。 A．IBA B．GA C．NAA D．BA 11．组培中，进行微茎尖剥离的设备是（）。
A．放大镜 B．显微镜 C．解剖镜 D．无需设备 12．植物组培时，培养温度一般控制在（）。 A．23～27℃ B．25+2℃ C．<30℃ D．>15℃ 二、多项选择题 1．下列不属于生长素类的植物激素是______。 A．KT B．IAA C．NAA D．BA 2．植物组织培养按照培养对象可分为_________等类型。 A．器官培养 B．组织培养 C．原生质体培养 D．细胞培养 E．茎尖培养 F．根培养 3．植物组织培养可用于__________。 A．快速繁殖 B．脱除病毒 C．育种 D．减少品种变异 4．从苗的生理看，组培苗移栽不易成活的原因_____________ A．根的吸收功能差 B．适应性差 C．叶的光合能力低 D．叶的蒸腾能力低5．影响培养基凝固程度的因素有_________。 A．琼脂的质量好坏 B．高压灭菌的时间 C．高压灭菌的温度 D．培养基的pH 6．活性炭在组织培养中的作用有_________。 A．吸附有毒物质 B．减少褐变，防止玻璃化 C．创造黑暗环境，增加培养基的通透性，利于根的生长 D．增加培养基中的养分7．试管苗生态环境与自然环境的差异在于_________。 A．高温且恒温 B．高湿 C．强光 D．无菌 E．弱光 F．人为调控下8．诱导试管苗生根，培养基的调整应_________。 A．加大生长素的浓度 B．加大细胞分裂素的浓度 C．加活性炭 D．降低无机盐的浓度 三、判断题 1．2，4-D可用95%的酒精助溶，而后加蒸馏水定容。（）2．一般来说，光照强度较强，幼苗容易徒长，而光照强度较弱幼苗生长的粗壮。（）3．一般的说，pH高于6.5时，培养基会变硬；低于5.0时，琼脂不易凝固。（）4．茎尖培养脱毒的效果与茎尖大小呈正相关。（） 5．热处理法脱毒的原理是利用病毒对热的不稳定性，此法可脱除全部病毒。（）6．用于外植体、手、超净台等的表面消毒酒精浓度越大，消毒效果越好。（）7．培养容器洗涤后要求透明锃亮，内外壁水膜均一，水珠均匀。（）
第三章测试题 1箱子里装有12件产品,其中两件是次品.每次从箱子里任取1件产品,共取两次(取后不放回).定义随机变量X Y ，如下: 0X=1???，若第一次取出正品，若第一次取出次品 0Y=1??? ，若第二次取出正品，若第二次取出次品 (1)求出二维随机变量X Y （，）的联合分布律及边缘分布律； （2）求在Y=1的条件下，X 的条件分布律。 解 （2） 2 设二维随机变量 X Y （，）的概率密度Cy(2-x),0x 1,0y x, f(x,y)=0,.≤≤≤≤??? 其他 （1）试确定常数C ；（2）求边缘概率密度。 解 （1）1)(=??+∞∞-+∞∞-dy dx x f 即1)2(100=??-x dxdy x Cy x ，5 12 = ∴C 3设X Y （，）的联合分布律为： 求（1）Z X Y =+的分布律；（2）V min(X ,Y )=的分布律 （2）
4设X 和Y 是两个相互独立的随机变量，X 服从(0,1)上的均匀分布，Y 的概率密度为： y 212Y e ,y 0 f (y )0,y 0 -??>=? ≤?? （1）求X 和Y 的联合概率密度； （2）设含有a 的二次方程为2 a 2Xa Y 0++=，试求a 有实根的概率。 解 （1）X 1,0x 1 f (x )0,other <<<==∴-other y x e y f x f y x f y Y X , 00,10,21)()(),(2 （2）2 a 2Xa Y 0++=有实根，则0442≥-=?Y X ，即求02 ≥-Y X 的概率 ?-=??=??=≥---≥-1 01 00 20 2 2 22 121),(}0{dx e dy e dx dxdy y x f Y X P x x y y x 3413.0)0()1(211 2 2=Φ-Φ=?- dx e x π ，π23413.010 22=?∴-dx e x
第三章拱坝答案 一、填空题 1.水平拱圈；悬臂梁 2.拱；梁；两岸拱端 3.推力结构；轴向力 4.永久伸缩缝；温度变化；基岩变形 5.对称；平顺；收缩 6.宽高比；河谷断面形状 7.厚高比“T／H” 8.均匀；高 9.单曲拱坝；双曲拱坝 10.圆弧拱坝；心拱坝；变曲率拱坝 11.拱梁分载法 12.灌浆封拱 13.相同；相反 14.相反；相同 15.自由跌流式；鼻坎挑流式；滑雪道式；坝身泄水孔 16.向心集中
17.固结灌浆；接触灌浆；防渗帷幕灌浆 18.排水孔幕 二、单项选择题 1.A 2．D 3．C 4．C 三、名词解释 1．拱冠梁 答：位于水平拱圈拱顶处的悬臂梁称为拱冠梁。 2．双曲拱坝 答：双曲拱坝在水平断面和悬臂梁断面都有曲率，拱冠梁断面向下游弯曲，适用于V形河谷或岸坡较缓的U形河谷 3．封拱温度 答：拱坝系分块浇筑，经充分冷却，当坝体温度降至相对稳定值时，进行封拱灌浆，形成整体，在封拱时的坝体温度称作封拱温度。 4．温度荷载 答：拱坝为超静定结构，在上下游水温、气温周期性变化的影响，坝温度将随之变化，并引起坝体的伸缩变形，在坝体内将产生较大的温度应力。 5．拱冠梁法 答：拱冠梁法是一种简化的拱梁分载法，计算时，只取拱冠处的一根悬臂梁为代表与若干层水平拱圈组成计算简图，并按径向位移一致条件，对拱梁进行荷载分配。
6．空中冲击消能 答：对于狭窄河谷中的中高拱坝，可利用过坝水流的向心作用特点，在拱冠两侧各布置一组溢表孔或泄水孔，使两侧水舌在空中交汇，冲击掺气，沿河槽纵向激烈扩散，从而消耗大量的能量。 7．水垫消能 答：水流从坝顶表孔或坝身孔口进接跌落到下游河床，利用下游水流形成水垫水能，由于水舌入水点距坝趾较近，需采取相应防冲措施，一般在下游一定距离处设置消力坎，二道或挖深式消力池 8．滑雪道泄洪 答：滑雪道式泄洪是拱坝特有的一种泄洪方式，在溢流面曲线由溢流坝顶和紧接其后的泄槽组成，泄槽通常由支墩或其它结构支承，与坝体彼此独立。 9．重力墩 答：重力墩是拱坝的坝端处的人工支座，对形状复杂的河谷断面，通过设重力墩改善支承坝体的河谷断面形状，它承受拱端推力和上游库水压力，靠本身重力和适当的断面来保持墩的抗滑稳定。 四、判断题 1．√ 2．╳ 3．╳ 4．╳ 5．√ 6．√ 7．╳ 8．√ 9．╳ 10．√ 五、简答题 1、拱坝对地形和地质条件的要求？
环境监测第三章练习题答案 一、名词解释 1、辐射逆温 答：平静而晴朗的夜晚，地面因辐射而失去热量，近地气层冷却强烈，较高气层冷却较慢，形成从地面开始向上气温递增的现象。 2、硫酸盐化速率 答：由大气中的含硫污染物二氧化硫、硫化氢、硫酸等经过一系列的氧化演变过程生成对人类更为有害的硫酸雾和硫酸盐雾，大气中硫化物的这种演变过程的速率称为硫酸盐化速率。 3、二次污染物 答：由污染源排放到空气中的一次污染物，在空气中相互作用或者与空气中的组分发生了物理、化学等作用所产生的新的污染物。 4、山谷风 答：山区往往山坡受热强，谷底受热弱，使得地表受热不均，引起局部气流有规律的变化，在白天，山坡受热快，气温上升，谷底的气流沿山坡上升，形成谷风；夜间，山坡空气冷却较快，重力原因，山坡的空间沿坡下滑至谷底，产生山风。山谷风转换时往往造成严重的空气污染。 5、海陆风 答：海洋由于大量水的存在，温度变化缓慢，而陆地表面温度变化剧烈。因此，在白天形成海洋指向陆地的气压梯度，形成海风；在夜间陆地表面温度降低的比较快，形成陆地指向海洋的气压梯度，形成陆风，即海陆风。海陆风形成所产生的循环作用和往返作用加重环境污染。 6、空气污染指数 答：空气污染指数是一种向社会公众公布的反映和评价空气质量状况的指标。它将常规监测的几种主要污染物浓度经过处理简化为单一的数值形式，分级表示空气质量和污染程度，具有简明、直观和使用方便的优点。 7、光化学氧化剂 答：除去氮氧化物以外的能氧化碘化钾的物质。 二、填空题 1、大气层分为，对流层、平流层、中间层、热层、散逸层，其中，大气污染物的迁移和转
化主要发生在对流层。 2、产生急性危害必须满足两个条件：短时间内有大量污染物排入、有不利于污染物迁移和扩散的条件（如天气形势和地理地势引起的逆温）。 3、直接从污染源排放到空气中的有害物质称为一次污染物，经过发生作用，产生一些新的物质，这些物质和直接排放的污染物的物理化学性质均有很大不同，毒性也比较大，这些新产生的污染物称为二次污染物。如臭氧、硫酸盐、硝酸盐、过氧乙酰基硝酸酯（PAN）。 4、空气中的污染物按存在状态进行分类，可以分为分子状态污染物、粒子状态污染物。 5、粒子状态污染物（或颗粒物）是分散在空气中的微小液体和固体颗粒，粒径多在0.01-200微米之间，是一个复杂的非均匀体系，通常分为降尘、可吸入颗粒物。 6、PM10是指可吸入颗粒物（或者粒径小于10微米的颗粒物）、TSP是指总悬浮颗粒物。 7、空气污染物的常规监测项目有TSP 、SO2、NO2 、硫酸盐化速率、灰尘自然沉降量。 8、大气采样点应设在整个监测区域的高、中、低三种不同污染物浓度的地方。 9、污染源比较集中的地区，若主导风向较明显，应污染源下风向位置多设采样点。 10、大气采样的布点方法有功能区布点法、网格布点法、同心圆布点法、扇形布点法。 11、对于区域性的常规监测一般采用功能区布点法。 12、如某地区有多个污染源，且分布较均匀，采样的过程中，应采用网格布点法进行布设采样点。 13、网格布点法的监测结果可以绘制成污染物空间分布图，对指导城市环境规划和管理具有重要意义。 14、同心圆布点法适用于多个污染源构成污染群，且大污染源较集中的地区。 15、扇形布点法适用于孤立的高架点源，且主导风向明显的地区。扇形的角度一般为45-90度。 16、采用同心圆和扇形布点法时，要特别注意高架点源排放污染物的扩散特点，在最大地面浓度出现的位置应多布设采样点。
第 3 章 场效应管及其基本放大电路 自测题 填空题 1．按照结构，场效应管可分为 。它属于 型器件，其最大的优点是 。 2．在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。 3．当场效应管工作于线性区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。 4．某耗尽型MOS 管的转移曲线如题3.1.4图所示， 由图可知该管的DSS I = ，U P = 。 5．一个结型场效应管的电流方程为 2GS D 161(mA)4U I ??=?- ?? ?，则该管的DSS I = ， U P = ；当GS 0u =时的m g = 。 6．N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。 7．耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。 8．在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。 9．源极跟随器的输出电阻与 和 有关。 答案：1．结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。2．漏，源，源，漏，源。 3．GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U ??=- ???，2GS D DO T 1u i I U ??=- ??? 。4．4mA ，?3V 。5．16mA ， 题 3.1.4图
4V ，8ms 。6．p U ，GS P u U -，T U ，GS T u U -。7．自给，分压式。8．减小，减小，减小。9．m g ，s R 。 选择题 1．P 沟道结型场效应管中的载流子是 。 A ．自由电子； B ．空穴； C ．电子和空穴； D ．带电离子。 2．对于结型场效应管，如果GS P |||U U >，那么管子一定工作于 。 A ．可变电阻区； B ．饱和区； C ．截止区； D ．击穿区。 3．与晶体管相比，场效应管 。 A ．输入电阻小； B ．制作工艺复杂； C ．不便于集成； D ．放大能力弱 4．工作在恒流状态下的场效应管，关于其跨导m g ，下列说法正确的是 。 A ．m g 与DQ I 成正比； B ．m g 与2GS U 成正比； C ．m g 与DS U 成正比； D ．m g 成正比。 5．P 沟道增强型MOS 管工作在恒流区的条件是 。 A ．GS T u U <，DS GS T u u U ≥-； B ．GS T u U <，DS GS T u u U ≤- ； C ．GS T u U >，DS GS T u u U ≥-； D ．GS T u U >，DS GS T u u U ≤-。 6．某场效应管的DSS I 为6mA ，而DQ I 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是 。 A ．P 沟道结型管； B ．增强型PMOS 管； C ．耗尽型PMOS 管； D ．N 沟道结型管； E ．增强型NMOS 管； F ．耗尽型NMOS 管。 7．增强型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 ；耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 。 A ．只能为正； B ．只能为负； C ．可正可负； D ．任意。 8．GS 0V U =时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A ．结型管； B ．增强型MOS 管； C ．耗尽型MOS 管。 9．分压式偏置电路中的栅极电阻g R 一般阻值很大，这是为了 。 A ．设置静态工作点； B ．提高输入电阻； C ．提高放大倍数。 答案：1．B 。2．C 。3．D 。4．D 。5．B 。6．C 。7．B 、D 。8．A 、C 。9．B 。 判断题 1．对于结型场效应管，栅源极之间的PN 结必须正偏。（ ） 2．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。（ ）
第四章土石坝自测题 一、填空题 1．土石坝按施工方法可分为、、和等形式。 2．土坝按防渗体的位置分为、、、。 3．土石坝的剖面拟定是指、、和的拟定。 4．在土石坝的坝顶高程计算中，超高值Y= （写出公式）。公式中各字母代表的含义是：、、。 5.碾压式土石坝上下游坝坡常沿高程每隔10～30m设置，宽度不小于～，一般设在。 6.当有可靠防浪墙时，心墙顶部高程应，否则，心墙顶部高程应不低于。 7.由于填筑土石坝坝体的材料为，抗剪强度低，下游坝坡平缓，坝体体积和重量都较大，所以不会产生。 8.土石坝挡水后，在坝体内形成由上游向下游的渗流。坝体内渗流的水面线叫做。其下的土料承受着，并使土的内磨擦角和粘结力减小，对坝坡稳定。 9..土石坝可能滑动面的形式有、和复合滑裂面。 10.土石坝裂缝处理常用的方法有、、等。 11.土石坝管涌渗透变形中使个别小颗粒土在孔隙内开始移动的水力坡降；使更大的土粒开始移动，产生渗流通道和较大范围内破坏的水力坡降称。 12.在土石坝的坝坡稳定计算中，可用替代法考虑渗透动水压力的影响，在计算下游水位以上、浸润线以下的土体的滑动力矩时用重度，计算抗滑力矩时用重度。
13.土石坝的上游面，为防止波浪淘刷、冰层和漂浮物的损害、顺坝水流的冲刷等对坝坡的危害，必须设置。 14.土石坝砂砾石地基处理属于“上防”措施，铅直方向的有、板桩、和帷幕灌浆。 15.砂砾石地基一般强度较大，压缩变形也较小，因而对建筑在砂砾石地基上土石坝的地基处理主要是解决。 16.土石坝与混凝土坝、溢洪道、船闸、涵管等混凝土建筑物的连接，必须防止接触面的，防止因而产生的裂缝，以及因水流对上下游坝坡和坝脚的冲刷而造成的危害。 17.土坝的裂缝处理常用的方法有、、等。 18.土石坝的渗漏处理时，要遵循“”的原则，即在坝的上游坝体和坝基、阻截渗水，在坝的下游面设排出渗水。 二、单项选择题 1.土石坝的粘土防渗墙顶部高程应（）。 A、高于设计洪水位 B、高于设计洪水位加一定超高，且不低于校核洪水位 C、高于校核洪水位 D、高于校核洪水位加一定安全超高 2.关于土石坝坝坡，下列说法不正确的有（）。 A、上游坝坡比下游坝坡陡 B、上游坝坡比下游坝坡缓
第 2 章 双极型晶体管及其基本放大电路 自测题 2.1填空题 1．晶体管的穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的 倍。在选用管子时，一般希望CEO I 尽量 。 2．晶体管的电流放大作用是用较小的 电流控制较大的 电流，所以晶体管是一种 控制器件。 3．某三极管的极限参数CM 150mW P =，CM 100mA I =，(BR)CEO 30V U =，若它的工作电压CE 10V U =，则工作电流C I 不得超过 mA ；若工作电压CE 1V U =，则工作电流不得超过______ mA ；若工作电流C 1mA I =，则工作电压不得超过______V 。 4．根据题2.1.4图中各三极管的电位，分别填写出它们所处的状态。（从左到右） ______、______、______、______、______、 、______、______。 5．题2.1.5图画出了固定偏置共射放大电 路中的晶体管的输出特性曲线和直流、交流负 载线。由此可得出：（1）电源电压CC V =_____； （2）静态集电极电流CQ I =_____，管压降 CEQ U =_____；（3）集电极电阻c R =_____， 负载电阻L R =_____；（4）晶体管的电流放大 系数β=_____，进一步计算可得电压放大倍 数u A = _____（bb 200Ωr '=）；（5 ）放大电路题2.1.4图 题2.1.5图
的最大不失真输出正弦电压的有效值约为_____；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅应小于 ；（7）不产生失真时的最大输入电压的峰值为_____。 6．在晶体管放大电路中，集电极负载电阻c R 的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为 放大作用。 7．在不带e C 的分压式稳定工作点放大电路中，已知晶体管100β=，bb 300Ωr '=，BE 0.6V U =。电容1C 、2C 足够大， CC 12V V =，b160k ΩR =，b220k ΩR =，c 3.6k ΩR =，e 2.4k ΩR =。 （1）静态工作点CQ I ≈_____，CEQ U ≈_____；（2）输入电阻i R ≈_____，输出电阻o R ≈_____；（3）空载时的电压放大倍数u A ≈ _____。 8．如果PNP 管共发射极单级放大电路发生截止失真，且假定输入电压为正弦信号，则基极电流b i 的波形_____，集电极电流c i 的波形_____，输出电压o u 的波形_____。 9．试比较三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是________电路；输出电阻较小的是________电路；输出信号与输入信号同相位的是________电路；带负载能力强的是________电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是 电路。 答案：1．1+β（），小。2．基极，集电极，电流。3．15，100，30。4．（从左到 右）饱和，放大，截止，放大，饱和，放大，放大，截止。5．（1）6V ；（2）1mA ，3V ；（3）3k Ω，3k Ω；（4）50，-50；（5）1V ；（6）20μA ；（7）30mV 。6．电压。7．（1）1mA ，6V ；（2）14.13k Ω，3.6k Ω；（3）-1.47。8．削底，削底，削底。9．共集，共集，共集和共基，共集，共射。 2.2选择题 1．工作在放大区的某晶体管，如果测得晶体管B =30A I μ时C =2.4mA I ，而B =40A I μ时C =3mA I ，则该管的交流电流放大系数为 。 A ．80； B ．60； C ．75； D ．100。 2．晶体管的CEO I 大，说明其 。 A ．工作电流大； B ．击穿电压高； C ．寿命长； D ．热稳定性差。 3．晶体管发射结正偏，集电结反偏，若此时仅增大CE U ，则 ；若增大B I ，则 。 A ．C I 减小； B ． C I 基本不变； C ．C I 增大； D ．C 0I ≈。 4．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3k Ω的负载后输出电压降为3V 。这说明放大电路的输出电阻为 。 A ．10k Ω； B ．2k Ω； C ．1k Ω； D ．0.5k Ω。
第三章拱坝 第一节概述 一、拱坝的特点 ●结构特点：拱坝是一空间壳体结构,坝体结构可近似看作由一系列凸向上游的水平拱圈和一系列竖向悬臂梁所组成。 坝体结构既有拱作用又有梁作用。其所承受的水平荷载一部分由拱的作用传至两岸岩体，另一部分通过竖直梁的作用传到坝底基岩。 拱坝两岸的岩体部分称作拱座或坝肩；位于水平拱圈拱顶处的悬臂梁称作拱冠梁，一般位于河谷的最深处。 拱坝示意图 拱坝平面及剖面图 ●稳定特点：拱坝的稳定性主要是依靠两岸拱端的反力作用。 ●内力特点：拱结构是一种推力结构，在外荷作用下内力主要为轴向压力，有利于发挥筑坝材料（混凝土或浆砌块石）的抗压强度，从而坝体厚度就越薄。 拱坝是一高次超静定结构，当坝体某一部位产生局部裂缝时，坝体的梁作用和拱作用将自行调整，坝体应力将重新分配。所以，只要拱座稳定可靠，拱坝的超载能力是很高的。混凝土拱坝的超载能力可达设计荷载的5—11倍。 ●性能特点：拱坝坝体轻韧，弹性较好，整体性好，故抗震性能也是很高的。拱坝是一种安全性能较高的坝型。 ●荷载特点：拱坝坝身不设永久伸缩缝，其周边通常是固接于基岩上，因而温度变化和基岩变化对坝体应力的影响较显著，必须考虑基岩变形，并将温度荷载作为一项主要
荷载。 ●泄洪特点：在泄洪方面，拱坝不仅可以在坝顶安全溢流，而且可以在坝身开设大孔口泄水。目前坝顶溢流或坝身孔口泄水的单宽流量已超过200m3/（s.m）。 ●设计和施工特点：拱坝坝身单薄，体形复杂，设计和施工的难度较大，因而对筑坝材料强度、施工质量、施工技术以及施工进度等方面要求较高。 二．拱坝对地形和地质条件的要求 （一）对地形的要求 左右两岸对称，岸坡平顺无突变，在平面上向下游收缩的峡谷段。坝端下游侧要有足够的岩体支承，以保证坝体的稳定 以“厚高比”T/H来区分拱坝的厚薄程度。当T/H<0.2时，为薄拱坝；当T/H=0.2~0.35时，为中厚拱坝；当T/H>0.35时，为厚拱坝或重力拱坝。 坝址处河谷形状特征用河谷“宽高比”L/H及河谷的断面形状两个指标来表示。 L/H值小，说明河谷窄深，拱的刚度大，梁的刚度小，坝体所承受的荷载大部分是通过拱的作用传给两岸，因而坝体可较薄。反之，当L/H值很大时，河谷宽浅，拱作用较小，荷载大部分通过梁的作用传给地基，坝断面较厚。 在L/H<2的窄深河谷中可修建薄拱坝； 在L/H=2~3的中等宽度河谷中可修建中厚拱坝； 在L/H=3~4.5的宽河谷中多修建重力拱坝； 在L/H＞4.5的宽浅河谷中，一般只宜修建重力坝或拱形重力坝。 左右对称的V形河谷最适宜发挥拱的作用，靠近底部水压强度最大，但拱跨短，因而底拱厚度仍可较薄；U形河谷靠近底部拱的作用显著降低，大部分荷载由梁的作用来承担，故厚度较大，梯形河谷的情况则介于这两者之间。 河谷形状对荷载分配和坝体剖面的影响 （二）对地质的要求 基岩均匀单一、完整稳定、强度高、刚度大、透水性小和耐风化等。 两岸坝肩的基岩必须能承受由拱端传来的巨大推力、保持稳定并不产生较大的变形。 三．拱坝的形式 1．按拱坝的曲率分：单曲和双曲之分。 2．按水平拱圈形式分：圆弧拱坝、多心拱坝、变曲率拱坝（椭圆拱坝和抛物线拱坝等）。