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otl功率放大电路原理
OTL功率放大电路原理
OTL功率放大电路是一种无输出变压器的功率放大电路，它的原理是利用晶体管或场效应管的高电压放大特性，将输入信号放大到足够的电平，以驱动负载。
OTL功率放大电路具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，被广泛应用于音频放大器、电视机、电脑音响等领域。
OTL功率放大电路的基本原理是利用晶体管或场效应管的高电压放大特性，将输入信号放大到足够的电平，以驱动负载。
在OTL功率放大电路中，晶体管或场效应管的输出端直接连接到负载，没有输出变压器，因此输出电阻很小，可以有效地驱动负载。
同时，由于没有输出变压器，OTL功率放大电路的失真很低，频响也很宽，可以保证音频信号的高保真度。
OTL功率放大电路的设计需要考虑多个因素，如输入电路、输出电路、功率管的选择等。
输入电路需要保证输入信号的稳定性和低噪声，输出电路需要保证输出电阻的小和输出功率的大。
功率管的选择需要考虑其工作电压、工作电流、最大功率等参数，以保证其能够稳定地工作在OTL功率放大电路中。
OTL功率放大电路的应用非常广泛，特别是在音频放大器领域。
由于OTL功率放大电路具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，可
以保证音频信号的高保真度，因此被广泛应用于音响设备、电视机、电脑音响等领域。
同时，OTL功率放大电路还可以应用于其他领域，如电动车控制器、太阳能控制器等。
OTL功率放大电路是一种无输出变压器的功率放大电路，具有输出电阻小、失真低、频响宽等优点，被广泛应用于音频放大器、电视机、电脑音响等领域。
在设计OTL功率放大电路时，需要考虑多个因素，如输入电路、输出电路、功率管的选择等，以保证其能够稳定地工作。
场效应管功率放大器设计经验汇总场效应管功率放大器是一种常用的电路，用于放大电信号的功率。
在电子领域中，功率放大器的设计和实现是非常重要的。
本文将综述场效应管功率放大器的设计经验，介绍其基本原理、设计要点和常见问题解决方法，帮助读者更好地理解和设计场效应管功率放大器。
1. 基本原理场效应管功率放大器是通过控制场效应管的栅极电压和漏源电流来放大输入信号的功率。
场效应管通过调节栅极-源极电压的变化来控制漏源电流的大小，从而实现对输入信号的放大。
场效应管的三个极端分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。
其中，栅极电压作为控制信号，漏极-源极电压作为放大信号输入，漏极电流作为放大信号输出。
2. 设计要点2.1 选择合适的场效应管在设计场效应管功率放大器时，需要根据放大的频率范围、功率要求、输入输出阻抗等参数来选择合适的场效应管。
不同型号的场效应管有不同的特性参数，例如增益、输入输出容量、截止频率等。
需要根据实际需求来选择合适的场效应管，并进行模拟和实际测试来验证其性能。
2.2 设置偏置电路场效应管需要设置适当的偏置电路来确保其工作在合适的工作点上。
偏置电路的设计应考虑工作电流和工作温度等因素，以提高放大器的稳定性和线性度。
偏置电路的设计还要考虑功耗和效率的折中，尽量减小功耗并提高效率。
2.3 电源设计场效应管功率放大器的电源设计非常重要。
合理的电源设计可以提高功率放大器的工作效率和稳定性。
电源设计应考虑电源噪声、电源稳定性和功率输出等因素。
选择合适的电源电压和电源容量，并采取适合的滤波电路来降低电源噪声。
2.4 保护电路设计在场效应管功率放大器设计中，需要加入保护电路来保护场效应管和其他部件免受过负载、过电流等因素的影响。
常用的保护电路包括过载保护、过热保护和静电保护等。
保护电路的设计需要根据实际应用场景来确定，并进行充分测试和验证。
3. 常见问题解决方法在场效应管功率放大器的设计和应用过程中，可能会遇到一些常见的问题，例如功率输出不稳定、失真和频率响应不均等。
场效应管功放电路原理场效应管功放电路是一种在音频电路中广泛使用的放大器。
这种电路依赖于场效应管的输出功率进行放大，可提供高品质的音频输出。
在本文中，我们将解释场效应管功放电路的原理，以及它是如何工作的。
场效应管（FET）是一种半导体器件，与双极型晶体管相比，其特点是输入电阻高、输出电阻低，并且具有高增益和低噪声。
由于这些优点，场效应管在音频电路中经常被用作放大器。
场效应管功放电路的基本原理如下：信号源通过输入电容连接到场效应管的栅极。
栅极电压变化，通过栅极和源极之间的通道控制了场效应管的电流。
输出电容将电流信号连接到负载，如扬声器或耳机。
一个负反馈网络可以添加在输出和输入之间，以确保输出信号匹配输入信号。
放大器的设计和实现是针对性的。
如果希望放大器具有高功率输出，需要使用高功率的场效应管。
此类场效应管需要与合适的散热器相连。
因为这些场效应管工作时会产生大量的热量。
另外，输出电容的大小应适当地选择，以确保信号不被截断。
场效应管功放电路的另一个关键因素是选择适当的电源电压和电源电容。
电源电压可以影响放大器的最大输出功率，但是过高的电源电压可能会使放大器过载。
电源电容可以降低电源的波动，从而提高放大器的噪声性能。
但是，选择过大的电源电容可能会导致初始启动时的过电流。
在设计场效应管功放电路时，还需要选择适当的输入和输出电容，以确保阻止带外信号。
输入电容是信号源和放大器之间的阻断电容，而输出电容是放大器和负载之间的阻断电容。
总的来说，场效应管功放电路是一种在音频应用中非常重要的放大器。
它具有高输入阻抗，低输出阻抗和高增益，是电子产品中广泛应用的器件之一。
合适的选型和设计可以使其产生出清晰、高质量的音频效果。
50瓦mosfet放大器电路50瓦MOSFET放大器电路是一种常见的放大器电路，它可以将输入信号放大到较高的功率水平。
本文将对50瓦MOSFET放大器电路进行详细介绍。
我们来了解一下MOSFET放大器的基本原理。
MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应管，它的特点是输入电阻高、噪声低、频率响应宽等。
MOSFET放大器的核心是MOSFET管，通过控制其栅极电压来控制输出信号的放大倍数。
在50瓦MOSFET放大器电路中，通常会采用功率MOSFET管作为放大器的输出级。
功率MOSFET管具有较高的功率承受能力和较低的输出电阻，能够实现较大的输出功率和较低的失真。
在电路中，通常会使用耦合电容器将输入信号与MOSFET管的栅极相连。
这样可以实现输入信号的隔离和直流偏置。
同时，为了保证MOSFET管的工作状态稳定，还需要在栅极和源极之间串联一个电阻，以形成稳定的工作点。
在50瓦MOSFET放大器电路中，还需要一个驱动电路来提供足够的栅极驱动电流。
通常会采用晶体管作为驱动电路的核心元件。
晶体管可以实现输入信号的放大和驱动MOSFET管的栅极。
在50瓦MOSFET放大器电路中，为了保证电路的稳定性和可靠性，还需要合适的电源滤波和稳压电路。
这样可以有效地减小电源噪声和波动，提供稳定的工作电压。
总结一下，50瓦MOSFET放大器电路是一种常见的放大器电路，通过控制MOSFET管的栅极电压来实现信号的放大。
在电路中还需要耦合电容器、电阻、晶体管等元件来实现信号的隔离、偏置和驱动。
同时，合适的电源滤波和稳压电路也是保证电路稳定性和可靠性的重要因素。
希望通过本文的介绍，读者对50瓦MOSFET放大器电路有了更加深入的了解。
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
场效应管后级大功率功放
在设计场效应管后级大功率功放时，需要考虑以下几个方面：
1. 电路设计，功率放大器的电路设计需要考虑到输入输出阻抗匹配、稳定性、线性度和功率传输效率。
场效应管的偏置电路和工作点选择对电路性能有重要影响。
2. 散热设计，大功率功放会产生较多的热量，因此需要设计有效的散热系统来确保场效应管工作在安全温度范围内。
3. 电源供应，高功率功放需要稳定的电源供应，以确保输出的稳定性和可靠性。
4. 保护电路，为了防止场效应管受到过电压、过电流等因素的损坏，需要设计相应的保护电路。
5. 输出匹配网络，为了最大化功率传输效率，需要设计合适的输出匹配网络来匹配负载阻抗。
场效应管后级大功率功放在音频放大、射频通信、雷达系统等
领域有着广泛的应用。
通过合理的设计和优化，可以实现高功率输出、低失真和高效率的功率放大器。
因此，在设计场效应管后级大功率功放时，需要综合考虑电路设计、散热设计、电源供应、保护电路和输出匹配网络等多个方面，以实现高性能的功率放大器。
本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。
为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。
增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该场效应管才能进入放大区。
IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。
只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压GND_0VOFF = 0v电阻的阻值取常用的即可。
从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。
功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。
功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。
如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。
甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。
(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
注意事项质量好的印刷电路板组装的电路。
采用IRF250场效应管制作胆味功放及电路图笔者用绝缘栅VMOS大功率场效应管IRF250制作纯甲类功率放大器。
这类管子在音响界里是冷僻管，不大受人喜欢。
该类管通常用于开关电源中，由于该类管高频区线性好、开关速度快、输出电流大、耐压高，让笔者很感兴趣，把它用于音频放大器中作功率输出管，在甲类输出状态下，声音极具"胆"味。
该管的价位低廉，拆机品2元／只，便宜好找，适合工薪族发烧(IRF250电流30A，耐压220V，导通电阻0．8 5Ω，功率150W，IRF240电流40A耐压180V，导通电阻0．55Ω，功率150W)，何乐而不为?一、场效应管与电子管的原理比较有相似之处场效应管与电子管的原理相比较如图1所示。
场效应管的源极供应电子，相当于电子管的阴极，漏极泄漏电子，相当于电子管的屏极(阳极)，栅极是控制电子流的大小，和电子管的栅极作用完全一样，都是通过栅极"G"来输入控制，开大或开小电流从漏极流向源极(电子管是阳极流向阴极)。
它们都属于电压控制器件。
二、VMOS管的缺点与制作中的克服对于电源开关管IRF250、IRF240而言，确与音频名管中的K135、J49等有差异，使众多的发烧友不大喜欢用这类管子。
笔者认为其成了冷僻管的原因有两点，一是开启电压的差异，IRF250达到3V～5V不等，给推动级增加了极大的负担。
二是该管的一致性差，不好配对，N沟道和P沟道的异极型就更难配对了。
音频CMOS管在0．2V～1．5V的范围就能开启，并进入良好的线性工作区，对推动级的驱动能力要求低，且一致性好，容易配对。
因此用IRF250给制作带来一定难度，工作中有时一部分管子已到甲类状态，而另一部分管子还在乙类状态，甚至有的工作在开启与夹断之间，劣化了音质。
制作场效应管功率放大器场效应管功率放大器是一种广泛应用于电子电路中的功率放大器，它通过场效应管的操控来实现信号的放大。
下面将介绍制作场效应管功率放大器的步骤。
首先，我们需要准备以下材料和工具：1.一块电路板2.场效应管（有源器件）3.小信号二极管4.电阻5.电容6.输入、输出端子7.直流电源8.滤波电容9.电流表和电压表10.焊接工具11.示波器（可选）步骤1：设计电路根据功率放大器的需求，设计所需电路图，确定电路中各个元器件的数值和连接方式。
主要包含输入信号源、输入电容、放大电路、输出电容、输出信号负载等部分，其中的输出电容和输出信号负载是用来保证放大的信号稳定和驱动外部负载。
步骤2：打开电路板按照电路图的设计，将电路板上不需要的部分切割或去除。
保留需要焊接进电路板的部分。
步骤3：焊接电路将先前准备好的各个元器件按照电路图的要求，一个接一个地焊接到电路板上。
注意焊接的顺序和技巧，确保焊点牢固可靠。
步骤4：连接输入和输出端子连接输入和输出端子，用于提供输入信号和接收输出信号。
输入端子可以连接到信号源，输出端子可以连接到负载。
步骤5：连接直流电源和滤波电容连接直流电源和滤波电容，用于提供工作电压和滤除电路中的杂散电压。
步骤6：安装场效应管将场效应管安装到电路板上，注意引脚的正确连接和插入方式。
在插入前，可以清洁引脚和插孔。
步骤7：测试和调试连接相应的测试设备，如电流表和电压表，对电路进行测试和调试。
通过测量输出电压、电流和输入电压等参数，调整电路的工作点和放大系数，以达到预期的功率放大效果。
步骤8：优化和改进根据实际测试结果和需求，对电路进行优化和改进。
可以尝试更换元器件，调整电路参数，改进电路拓扑结构，以提高功率放大器的性能和稳定性。
在制作场效应管功率放大器的过程中，需要注意以下几点：1.仔细阅读和理解电路图和规格书，确保元器件的正确使用和连接。
2.在焊接过程中，注意安全操作，避免因电路短路或电源短路而引起危险。
功率放大器原理1. 简介功率放大器是一种可以将输入信号放大到较大幅度的电子设备。
它是电子产品中常见的一种电路，用于放大音频信号、射频信号等。
本文将介绍功率放大器的工作原理、分类和主要应用。
2. 工作原理功率放大器的工作原理基于晶体管或场效应管的放大功能。
晶体管可以根据输入信号的大小，控制电流的放大倍数。
利用该原理，功率放大器能够将微弱的信号放大到需要的输出功率。
功率放大器通常由三个主要部分组成：输入电路、放大电路和输出电路。
输入电路将输入信号提供给放大电路，放大电路通过晶体管或场效应管放大信号，输出电路将放大后的信号提供给负载。
3. 分类根据放大电路的不同工作方式，功率放大器可以分为A类、B类、AB类、C类和D类等几种类型。
3.1 A类功率放大器A类功率放大器是一种线性放大器，它工作在全波通信状态。
它的特点是输入和输出信号波形相同，且无失真。
A类功率放大器适用于对信号质量要求较高的音频放大应用。
3.2 B类功率放大器B类功率放大器是一种分立工作的放大器，它的工作状态在仅限于信号的一个半周期。
它的优点是效率高，但是存在着失真问题，需要使用一个负载才能得到完整的波形。
B类功率放大器常用于音响设备中。
3.3 AB类功率放大器AB类功率放大器是A类和B类的结合，它既有A类功率放大器的线性特点，又有B类功率放大器的高效率。
它是目前应用最广泛的功率放大器类型之一。
3.4 C类功率放大器C类功率放大器是一种谐振放大器，它工作在开关状态。
它的特点是效率高，但存在较大的失真。
C类功率放大器通常用于射频信号放大。
3.5 D类功率放大器D类功率放大器是一种开关型放大器，它的输出波形是由输入信号的调制电流来控制的。
D类功率放大器的效率非常高，但存在一些非线性失真问题。
D类功率放大器常用于音频放大和无线通信等领域。
4. 主要应用功率放大器在多个领域有着广泛的应用。
4.1 音频放大功率放大器常用于音响设备中，将音频信号放大到足够的功率输出到扬声器。
全对称互补场效应管Hi-Fi功率放大器
用VMOS场效应管制造的功放，指标颇优，纷纷被专业音响厂家及广大音响爱好者所采用。
不少“焊机派”发烧友都希望自己动手制作一台VMOS 场效应管功放，但由于VMOS场效应管的输入阻抗高达108Ω，容易在制作过程中感应静电造成损坏，也给发烧友业余制作带来一定困难。
为满足广大音响爱好者对新型VMOS场效应管功率放大器的需求，在此向大家介绍一款全对称互补VMOS场效应管功率放大器。
电路原理：该功率放大器（见附图）采用全对称互补结构，可使功放正负半周的放大波形接近平衡，使偶次谐波失真充分抵消。
在每一级放大中加入一定深度的局部负反馈，在整个环路加入不太深的整体负反馈。
在保证电路稳定工作的同时，尽量减少补偿电容，以提高转换速率，减小瞬态失真。
取消反馈端耦合电容器，使低频响应延伸到0Hz。
输出级采用三对全互补大功率管并联输出，使功放内阻进一步降低，输出额定功率达100W×2。
......
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场效应管结合晶体管前置放大电路概述及解释说明1. 引言1.1 概述场效应管和晶体管是电子学中常用的两种器件，它们在现代电路设计中起着重要的作用。
场效应管通过调控栅极电压来控制源极与漏极之间的导通状态，而晶体管则利用控制基极-发射极电压来控制集电极-发射极之间的导通状态。
这两种器件有着不同的工作原理和特性，但都可以被用来实现放大功能。
1.2 文章结构本文将围绕场效应管结合晶体管前置放大电路展开讨论。
首先，我们会介绍场效应管和晶体管的基本原理，包括它们的工作原理、特点和应用领域。
接下来，我们会概述前置放大电路的定义、用途以及常见分类及特点。
最后，我们会详细解析场效应管结合晶体管前置放大电路，包括其结合原理与优势、电路示意图及元件选型说明以及工作过程和信号增益分析。
1.3 目的本文旨在介绍场效应管结合晶体管前置放大电路，并对其原理和特点进行详细说明。
通过阅读本文，读者将能够了解场效应管和晶体管的基本原理、前置放大电路的概述，以及如何设计和分析场效应管结合晶体管前置放大电路。
同时，我们也希望能够展望该技术在未来的发展方向，为读者提供对电子学领域中这一重要电路的深入理解和应用的启示。
2. 场效应管和晶体管的基本原理：2.1 场效应管的工作原理：场效应管，也称为晶体管场效应管（FET），是一种三极电子器件。
它由沟道、栅极和漏源组成。
在工作时，栅极施加的电压可以控制沟道中电子的浓度，从而改变漏源之间的电流流动情况。
场效应管有两种主要类型：增强型（n通道与p通道）和耗尽型（n通道与p通道）。
增强型FET的工作原理如下：当栅极电压低于临界值时，沟道中存在很少数量的载流子；而当栅极电压高于临界值时，会形成一个导电通路并产生大量的载流子。
因此，在增强型FET中，栅极电压对沟道中载流子浓度和导电性能起到关键影响。
2.2 晶体管的工作原理：晶体管是一种用于放大信号和控制电流流动的半导体器件。
它由三个区域组成：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
返回＞＞第四章场效应管放大电路由于半导体三极管工作在放大状态时，必须保证发射结正偏，故输入端始终存在输入电流。
改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管是电流控制器件，因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。
场效应管是通过改变输入电压(即利用电场效应)来控制输出电流的，属于电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此输入电阻十分高，可高达上百兆欧。
除此之外，场效应管还具有温度稳定性好，抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所得到广泛的应用。
场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGFET)，目前最常用的MOS管。
由于半导体三极管参与导电的两种极性的载流子，电子和空穴，所以又称为半导体三极管双极性三极管。
场效应管仅依靠一种极性的载流子导电，所以又称为单极性三极管。
FET－Field Effect transistorJFET－Junction Field Effect transistorIGFET－Insulated Gate Field Effect TransistorMOS－Metal-Oxide-Semiconductor§1 结型场效应管一、结构结型场效应管有两种结构形式。
N型沟道结型场效应管和P型沟道结型场效应管。
以N沟道为例。
在一块N型硅半导体材料的的两边，利用合金法、扩散法或其它工艺做成高浓度的P+型区，使之形成两个PN结，然后将两边的P+型区连在一起，引出一个电极，称为栅极G。
在N型半导体两端各引出一个电极，分别作为源极S和漏极D。
夹在两个PN结中间的N型区是源极与漏极之间的电流通道，称为导电沟道。
由于N型半导体多数载流子是电子，故此沟道称为N 型沟道。
同理，P型沟道结型场效应管中，沟道是P型区，称为P型沟道，栅极与N型区相连。
电路符号如图所示，箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
二、工作原理从结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压U DS，则在源极和漏极之间形成电流I D。
