反激变压器设计实例(一)
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反激式开关变压器的通俗讲解及实例计算反激式开关变压器的通俗讲解及实例计算咱先看下在理想情况下的VDS波形上面说的是指变压器和开关都是理想工作状态!从图上可以看出Vds是由VIN和VF组成,VIN大家可以理解是输入电压,那VF呢?这里我们引出一个反激的重要参数:反射电压即VF,指次级输出电压按照初次级的砸比反射到初级的电压。
可以用公式表示为VF=VOUT/(NS/NP),(因分析的是理想情况,这里我们忽略了整流管的管压降,实际是要考虑进去的)式中VF为反射电压;VOUT为输出电压;NS为次级匝数;NP为初级匝数。
比如,一个反激变换器的匝比为NP:NS=6:1,输出电压为12V,那么可以求出反射电压VF=12/(1/6)=72V。
上边是一个连续模式(CCM模式)的理想工作波形。
下面咱在看一个非连续模式(DCM模式)的理想工作波形从图上可以看出DCM的Vds也是由VIN和VF组成,只不过有一段时间VF为0,这段时候是初级电流降为0,次级电流也降为0。
那么到底反激变化器怎么区分是工作在连续模式(CCM)还是非连续模式(DCM)?是看初级电感电流是否降到0为分界点吗,NO,反激变换器的CCM和DCM分界点不是按照初级电感电流是否到0来分界的,而是根据初次级的电流是否到0来分界的。
如图所示从图上可以看出只要初级电流和次级电流不同时为零,就是连续模式(CCM);只要初级电流和次级电流同时为零,便是不连续模式(DCM);介于这俩之间的是过度模式,也叫临界模式(CRM)。
以上说的都是理想情况,但实际应用中变压器是存在漏感的(漏感的能量是不会耦合到次级的),MOS管也不是理想的开关,还有PCB板的布局及走线带来的杂散电感,使得MOS的Vds波形往往大于VIN+VF。
类似于下图这个图是一个48V输入的反激电源。
从图上看到MOS的Vds有个很大的尖峰,我用的200V的MOS,尖峰到了196了。
这是尖峰是由于漏感造成的,上边说到漏感的能量不能耦合到次级,那么MOS关断的时候,漏感电流也不能突变,所以会产生个很高的感应电动势,因无法耦合到次级,会产生个很高的电压尖峰,可能会超过MOS的耐压值而损坏MOS管,所以我们实际使用时会在初级加一个RCD吸收电路,把尖峰尽可能的吸到最低值,来确保MOS管工作在安全电压。
技术要求:输入电压Vin: 9 0 -253Vac 输出电压Vo:27、6 V输岀电流Io: 6 A输出功率Po: 1 6 6W 效率<1 : 0 . 85输入功率Pin:195W一、输入滤波电容计算过程:上图为整流后滤波电容上电压波形,在最低输入电压下,如果我们想在滤波电容上得到得电压Vd c为115 V,则从上图可以得到:Vp k =9 0 *1.4 1 4=1 2 7VVmin=Vd c —(Vpk—V d c) = 10 3 V将电源模块等效为一个电阻负载得话,相当于在T3时间内电容对恒泄功率负载进行放电, 电容电压降低(Vp k —Vmin)V aIde* T 3 =C*AV其中:A V =Vpk—Vmin = 127-1 0 3 = 24V关键部分在T3得计算,T3 = tl+t2,t2为半个波头,时间比较好算,对于50H Z得交流来说,t 1 =5mS,然后就就是计算t 2 ,英实t 2也很好计算,我们知道交流输入电压得公式为Vx=Vpksin 0 x,根据已知条件0 3V,Vpk= 1 27V,可以得到()X =54 度,所以t 2=54*10 m s / 1 8 0= 3 m S z T3=t 1+t2=8mSo—7*8/24=0、57mF= 5 70u F二、变压器得设计过程变压器得设计分別按照DCM. CCM、QR两种方式进行计算,英实QR也就是DCM得一种,不同得地方在于QR得工作频率就是随着输入电压输出功率得变化而变化得。
对于变压器磁芯得选择,比较常用得方法就就是AP法,但经过多次具体设汁及根据公司常用型号结合,一般可以直接选择磁芯,象这个功率等级得反激,选择PQ 3 53 5得磁芯即可、磁芯得参数如下:AE=19 0 mm 2 Z AL= 4 300nH,Bmax^0. 32T1)DC M变压器设计过程:开关频率选择80K,最大占空比选择0 .4 8,全范围DCM,则在最低输入电压V d c下,占空比最大,电路工作在BCM状态,根据伏秒平衡,可以得到以下公式,V d c*Dmax=V o r^fl-Dmax),匝比压降n = V o r/(Vo+Vf )=3、3 2 Vf为整流二极l=Vinmi从而il•算反射电压为V or=9 5V计算初级匝数计算副边匝数则原边匝数调整为Ns=N p / n=6o 3 2,选择7 匝,Np=3、32*7=2 3 匝讣算辅助绕组匝数,输出电压变化范围按照20-27.6V设计,要求在2 0 V输出下辅助绕组能正常供电,所以,辅助绕组选择4匝。
技术要求:输入电压Vin : 90-253Vac 输出电压Vo:27.6V 输出电流Io: 6A输出功率Po: 166W 效率η: 0.85输入功率Pin:195W一、输入滤波电容计算过程:上图为整流后滤波电容上电压波形,在最低输入电压下,如果我们想在滤波电容上得到的电压VdC 为115V,则从上图可以得到:Vpk=90*1.414=127VVmi n=Vdc-(Vpk-Vdc)=103V将电源模块等效为一个电阻负载的话,相当于在T3时间内电容对恒定功率负载进行放电,电容电压降低(VPk-Vmin)V Oldc*T3=C* △ V其中:△ V=VPk-Vmi n=127-103=24V关键部分在T3的计算,T3=t1+t2 , t1为半个波头,时间比较好算,对于50Hz的交流来说,t1=5mS,然后就是计算t2,其实t2也很好计算,我们知道交流输入电压的公式为VX=VPkSin θX,根据已知条件,Vx=103V , Vpk=127V ,可以得到θx=54度,所以t2=54*10ms∕180=3mS , T3=t1+t2=8mS。
C=1.7*8∕24=0.57mF=570uF二、变压器的设计过程变压器的设计分别按照DCM、CCM、QR两种方式进行计算,其实QR也是DCM的一种,不同的地方在于QR的工作频率是随着输入电压输出功率的变化而变化的。
对于变压器磁芯的选择,比较常用的方法就是AP法,但经过多次具体设计及根据公司常用型号结合,一般可以直接选择磁芯,象这个功率等级的反激,选择PQ3535的磁芯即可。
磁芯的参数如下:AE=190mm2,AL=4300nH, Bmax≥0.32T1) DCM变压器设计过程:开关频率选择80K,最大占空比选择0.48,全范围DCM,则在最低输入电压VdC下,占空比最大,电路工作在BCM状态,根据伏秒平衡,可以得到以下公式,Vdc*Dmax=Vor*(1-Dmax),IrmS = IPk L* n*^Dma^ ≡12.3AV 3根据电流有效值, 求,即可得到合适的变压器。
技术要求:输入电压Vin:90-253Vac输出电压Vo:27、6V输出电流Io:6A输出功率Po:166W效率η:0、85输入功率Pin:195W一、输入滤波电容计算过程:上图为整流后滤波电容上电压波形,在最低输入电压下,如果我们想在滤波电容上得到得电压Vdc为115V,则从上图可以得到:Vpk=90*1.414=127VVmin=Vdc—(Vpk—Vdc)=103V将电源模块等效为一个电阻负载得话,相当于在T3时间内电容对恒定功率负载进行放电,电容电压降低(Vpk—Vmin)V。
Idc*T3=C*△V其中:△V=Vpk—Vmin=127-103=24V关键部分在T3得计算,T3=t1+t2,t1为半个波头,时间比较好算,对于50Hz得交流来说,t 1=5mS,然后就就是计算t2,其实t2也很好计算,我们知道交流输入电压得公式为Vx=Vpksinθx,根据已知条件,Vx=103V,Vpk=127V,可以得到θx=54度,所以t2=54*10ms/180=3mS, T3=t1+t2=8mS。
C=1.7*8/24=0、57mF=570uF二、变压器得设计过程变压器得设计分别按照DCM、CCM、QR两种方式进行计算,其实QR也就是DCM得一种,不同得地方在于QR得工作频率就是随着输入电压输出功率得变化而变化得。
对于变压器磁芯得选择,比较常用得方法就就是AP法,但经过多次具体设计及根据公司常用型号结合,一般可以直接选择磁芯,象这个功率等级得反激,选择PQ3535得磁芯即可、磁芯得参数如下:AE=190mm2,AL=4300nH,Bmax≥0。
32T1)DCM变压器设计过程:开关频率选择80K,最大占空比选择0.48,全范围DCM,则在最低输入电压Vdc下,占空比最大,电路工作在BCM状态,根据伏秒平衡,可以得到以下公式,Vdc*Dmax=Vor*(1-Dmax),从而计算反射电压为Vor=95V匝比n=Vor/(Vo+Vf)=3、32 Vf为整流二极管压降计算初级匝数计算副边匝数Ns=Np/n=6。
反激式变压器的设计实例尽管在buck变换器的设计中没有用到反激式变压器,但由于反激式变压器介于电感与变压器之间,为了帮助大家进一步搞清楚这个特殊的磁性元件,在此我们给出反激式变压器的设计,并作为设计范例。
介绍的内容要比直流电感简单一些,但是很多方面是一致的。
说明一下,这里设计的反激式变压器是有隔离的,而非隔离反激式电感的设计除了没有副边以外,其他的几乎相同。
我们的设计要求为:直流输入电压为48V(为了简便起见,假设没有线电压波动),功率输出为10W,开关频率是250kHz,允许功率损耗0.2W(根据总的损耗,可以知道变换器的效率要求),因此变换器效率为98%(0.2W/10W=2%)。
效率的大小与磁芯的尺寸有关,变压器体积越小,效率越低。
(隔离、断续模式的)反激式变压器原边设计时只需要用到四个参数:输出功率、开关频率、功耗、输入电压(设计非隔离反激式电感也只需这四个参数)。
这里,我们还没有提到电感量,电感量由很多参数决定,在下面的内容中我们将会介绍它们之间的关系。
我们用UC3845芯片(8脚、中等价格)提供PWM信号,其最大占空比为45%,占空比的大小是根据变换器是工作在连续状态还是断续状态来确定的,稍后的章节中将介绍如何计算占空比,在这个例子中,我们选用断续模式。
我们再增加一项设计要求:就是变压器体积要尽量小,有一定的高度限制。
我们将会看到,变压器的设计与电感的设计不完全相同,变压器通常可以选用多种不同的磁芯来实现相同的电气特性。
在这个例子中,还要根据其他一些要求来选择磁芯,包括尺寸、成本等因素。
1 反激式变压器的主要方程首先,我们做一些基本的准备工作。
正如这一章一开始介绍的理论内容中所说的那样,当反激式变换器原边开关器件导通时,变压器原边绕组的作用相当于一个电感。
电压加在原边电感上,开关导通期间,电流持续上升:这里,DC是占空比,f是开关频率,T=1/f是开关周期,这个方程适用于电流断续模式反激式变压器,原边电流波形如图案5-17所示。
关于反激变压器的设计1、确定Dmax和Vor。
2、求匝比n。
3、求初级电感量Lp。
4、选择磁芯。
5、求最小初级匝数。
6、初级、次级和反馈绕组匝数关系。
7、选择线经,确定初级、次级和反馈绕组匝数。
8、做样品、调整参数。
9、参考例子。
原理:一、确定Dmax和Vor当开关管Q闭合时,初级线圈电压为:Vin(当输入为265V时,达到375V),如果变压器初级线圈为:Np;次级线圈为:Ns。
匝比:n=Np/Ns。
则:次级线圈的电压为:Vin/n。
由于次级二极管D3反向,没有形成回路,所以线圈没有电流流经负载。
而二极管的反向耐压:VDf=Vin/n+Vo,Vo为输出电压。
当开关管Q关断时,变压器中储存的能量向负载释放。
次级线圈的电压VS=Vo+Vd,Vd为整流二极管D3正向压降。
初级线圈的电压为:VP=n*VS+Vleg。
Vleg为变压器漏感产生的尖锋电压;与输入电压反向。
设定Vor=n*VS,为反射电压。
则开关管承受的电压Vds=Vinmax+Vor+Vleg。
实际选择开关管是必须留20~50V的余量。
所以:Vor=VDS-(Vinmax+Vleg+余量)=600-(375+120+20~50)=55~85V VDS:开关管的额定耐压,600VVin:在265V输入时,375VVleg:一般在120V余量:20V~50V根据伏秒法则:Vin*Ton=Vor*ToffTon:为开关管闭合时间。
Toff:为开关管关断时间。
占空比:D=Ton/(Ton+Toff),Ton+Toff为周期T。
Ton=T*DToff=T*(1-D)所以: Vin*D=Vor*(1-D)D=Vor/(Vin+Vor)Dmax=Vor/(Vinmin+Vor)建议设置在0.3~0.5 当输入电压最小时取得最大占空比。
二、求匝比nn =Vor/(Vo+Vd)三、求初级电感量Lp。
计算电感量:BCM时,有电感、电压、电流和时间的关系:L=V*t/Ipp t:为时间。
反激变压器设计实例(一)反激变压器设计实例(一)版本修订人备注01目录1.导论 (3)2.磁芯参数和气隙的影响 (3)2.1 AC极化 ........................................ 错误!未定义书签。
2.2 AC条件中的气隙影响 (6)2.3 DC条件中的气隙影响 (7)3. 110W反激变压器设计例子 (9)3.1 步骤1,选择磁芯尺寸 (10)3.2 步骤2,选择导通时间 (13)3.3 步骤3,变换器最小DC输入电压的计算 (14)3.4 步骤4,选择工作便宜磁通密度 (15)3.5 步骤5,计算最小原边匝数 (16)3.6 步骤6,计算副边匝数 (17)3.7 步骤7,计算附加匝数 (18)3.8 步骤8,确定磁芯气隙尺寸 (19)3.9 步骤9,磁芯气隙尺寸(实用方法) (21)3.10 步骤10,计算气隙 (22)3.11 步骤11,检验磁芯磁通密度和饱和裕度 (24)4 反激变压器饱和及暂态影响 (27)1.导论由于反激变换器变压器综合了许多功能(储存能量、电隔离、限流电感),并且还常常支持相当大的直流电流成分,故比直接传递能量的正激推挽变压器的设计困难得多、以下变压器设计例子中没选择过程使用反复迭代方法,无论设计从哪里开始没开始时须有大量近似的计算。
没有经验工程师的问题是要得到对控制因数的掌握。
特别的,磁芯大小、原边电感的选择、气隙的作用、原边匝数的选择以及磁芯内交流和直流电流(磁通)成分的相互作用常常给反激变压器设计带来挑战。
为使设计者对控制因数有好的感觉,下面的设计由检查磁芯材料的特性和气隙的影响开始,然后检查交流和直流磁芯极化条件,最后给出100W变压器的完整设计。
2.磁芯参数和气隙的影响图1表示一个铁氧体变压器在带有和不带气隙时典型的B/H(磁滞回归线)环。
注意到虽然B/H环的磁导率(斜率)随气隙因此,为了支持加于原边的交流电压(更准确的说是所加伏秒),就需要磁通密度的变化(见图2的纵轴)。
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CCM连续电流模式反激变压器的设计一. 序言反激式变换器以其电路结构简单,成本低廉而深受广大开发工程师的喜爱,它特别适合小功率电源以及各种电源适配器.但是反激式变换器的设计难点是变压器的设计,因为输入电压范围宽,特别是在低输入电压,满负载条件下变压器会工作在连续电流模式(CCM),而在高输入电压,轻负载条件下变压器又会工作在不连续电流模式(DCM);另外关于CCM模式反激变压器设计的论述文章极少,在大多数开关电源技术书籍的论述中, 反激变压器的设计均按完全能量传递方式(DCM模式)或临界模式来计算,但这样的设计并未真实反映反激变压器的实际工作情况,变压器的工作状态可能不是最佳.因此结合本人的实际调试经验和心得,讲述一下不完全能量传递方式(CCM) 反激变压器的设计.二.反激式变换器(Flyback Converter)的工作原理1).反激式变换器的电路结构如图一.2).当开关管Q1导通时,其等效电路如图二(a)及在导通时初级电流连续时的波形,磁化曲线如图二(b).当Q1导通,T1之初级线圈渐渐地会有初级电流流过,能量就会储存在其中.由于变压器初级与次级侧之线圈极性是相反的,因此二极管D1不会导通,输出功率则由Co来提供.此时变压器相当于一个串联电感Lp,初级线圈电流Ip可以表示为:Vdc=Lp*dip/dt此时变压器磁芯之磁通密度会从剩磁Br增加到工作峰值Bw.3.当Q1截止时, 其等效电路如图三(a)及在截止时次级电流波形,磁化曲线如图三(b).当Q1截止时,变压器之安匝数(Ampere-Turns NI)不会改变,因为∆B并没有相对的改变.当∆B向负的方向改变时(即从Bw降低到Br),在变压器所有线圈之电压极性将会反转,并使D1导通,也就是说储存在变压器中的能量会经D1,传递到Co 和负载上.此时次级线圈两端电压为:Vs(t)=Vo+Vf (Vf为二极管D1的压降).次级线圈电流:Lp=(Np/Ns)2*Ls (Ls为次级线圈电感量)由于变压器能量没有完全转移,在下一次导通时,还有能量储存在变压器中,次级电流并没有降低到0值,因此称为连续电流模式或不完全能量传递模式(CCM).三.CCM模式下反激变压器设计的步骤1. 确定电源规格.1..输入电压范围Vin=85—265Vac;2..输出电压/负载电流:Vout1=5V/10A,Vout2=12V/1A;3..变压器的效率ŋ=0.902. 工作频率和最大占空比确定.取:工作频率fosc=100KHz, 最大占空比Dmax=0.45.T=1/fosc=10us.Ton(max)=0.45*10=4.5usToff=10-4.5=5.5us.3. 计算变压器初与次级匝数比n(Np/Ns=n).最低输入电压Vin(min)=85*√2-20=100Vdc(取低频纹波为20V).根据伏特-秒平衡,有: Vin(min)* Dmax= (Vout+Vf)*(1-Dmax)*n.n= [Vin(min)* Dmax]/ [(Vout+Vf)*(1-Dmax)]n=[100*0.45]/[(5+1.0)*0.55]=13.644. 变压器初级峰值电流的计算.设+5V输出电流的过流点为120%;+5v和+12v整流二极管的正向压降均为1.0V. +5V输出功率Pout1=(V01+V f)*I01*120%=6*10*1.2=72W+12V输出功率Pout2=(V02+V f)*I02=13*1=13W变压器次级输出总功率Pout=Pout1+Pout2=85W如图四, 设Ip2=k*Ip1, 取k=0.41/2*(Ip1+Ip2)*Vin(min)*Ton(max)/T= Pout/ŋIp1=2*Pout/[ŋ(1+k)*Vin(min)*Dmax]=2*85/[0.90*(1+0.4)*100*0.45]=3.00AIp2=0.4*Ip1=1.20A5. 变压器初级电感量的计算.由式子Vdc=Lp*dip/dt,得:Lp= Vin(min)*Ton(max)/[Ip1-Ip2]=100*4.5/[3.00-1.20]=250uH6.变压器铁芯的选择.根据式子Aw*Ae=Pt*106/[2*ko*kc*fosc*Bm*j*ŋ],其中:Pt(变压器的标称输出功率)= Pout=85WKo(窗口的铜填充系数)=0.4Kc(磁芯填充系数)=1(对于铁氧体),变压器磁通密度Bm=1500 Gsj(电流密度): j=5A/mm2;Aw*Ae=85*106/[2*0.4*1*100*103*1500Gs*5*0.90]=0.157cm4考虑到绕线空间,选择窗口面积大的磁芯,查表:EER2834S铁氧体磁芯的有效截面积Ae=0.854cm2它的窗口面积Aw=148mm2=1.48cm2EER2834S的功率容量乘积为Ap =Ae*Aw=1.48*0.854=1.264cm4 >0.157cm4故选择EER2834S铁氧体磁芯.7.变压器初级匝数及气隙长度的计算.1).由Np=Lp*(Ip1-Ip2)/[Ae*Bm],得:Np=250*(3.00-1.20)/[85.4*0.15] =35.12 取Np=36由Lp=uo*ur*Np2*Ae/lg,得:气隙长度lg=uo*ur*Ae*Np2/Lp=4*3.14*10-7*1*85.4mm2*362/(250.0*10-3mH)=0.556mm 取lg=0.6mm2). 当+5V限流输出,Ip为最大时(Ip=Ip1=3.00A),检查Bmax.Bmax=Lp*Ip/[Ae*Np]=250*10-6*3.00/[85.4 mm2*36]=0.2440T=2440Gs <3000Gs因此变压器磁芯选择通过.8. 变压器次级匝数的计算.Ns1(5v)=Np/n=36/13.64=2.64 取Ns1=3Ns2(12v)=(12+1)* Ns1/(5+1)=6.50 取Ns2=7故初次级实际匝比:n=36/3=129.重新核算验证占空比Dmax和Dmin.1).当输入电压为最低时: Vin(min)=100Vdc.由Vin(min)* Dmax= (Vout+Vf)*(1-Dmax)*n,得:Dmax=(Vout+Vf)*n/[(Vout+Vf)*n+ Vin(min)]=6*12/[6*12+100]=0.4182).当输入电压为最高时: Vin(max)=265*1.414=374.7Vdc.Dmin=(Vout+Vf)*n/[(Vout+Vf)*n+ Vin(max)]=6*12.00/[6*12.00+374.7]=0.1610. 重新核算验证变压器初级电流的峰值Ip和有效值Ip(rms).1).在输入电压为最低Vin(min)和占空比为Dmax条件下,计算Ip值和K值.(如图五)设Ip2=k*Ip1.实际输出功率Pout'=6*10+13*1=73W1/2*(Ip1+Ip2)*Vin(min)*Ton(max)/T= Pout'/ŋ(1)K=1-[Vin(min)* Ton(max)]/(Ip1*Lp) (2)由(1)(2)得:Ip1=1/2*{2*Pout'*T/[ŋ* Vin(min)*Ton(max)]+Vin(min)* Ton(max)/Lp}=0.5*{2*73*10/[0.90*100*4.18]+100*4.18/250.0}=2.78AK=1-100*4.18/[2.78*250]=0.40Ip2=k*Ip1=2.78*0.40=1.11A2).初级电流有效值Ip(rms)=[Ton/(3T)*(Ip12+Ip22+Ip1*Ip2)]1/2=[0.418/3*(2.782+1.112+2.78*1.11)] 1/2=1.30A11. 次级线圈的峰值电流和有效值电流计算:当开关管截止时, 变压器之安匝数(Ampere-Turns NI)不会改变,因为∆B并没有相对的改变.因此开关管截止时,初级峰值电流与匝数的乘积等于次级各绕组匝数与峰值电流乘积之和(Np*Ip=Ns1*Is1p+Ns2*Is2p).由于多路输出的次级电流波形是随各组负载电流的不同而不同, 因而次级电流的有效值也不同.然而次级负载电流小的回路电流波形,在连续时接近梯形波,在不连续时接近三角波,因此为了计算方便,可以先计算负载电流小的回路电流有效值.1).首先假设+12V输出回路次级线圈的电流波形为连续,电流波形如下(图一):1/2*[Is2p +Is2b]*toff/T=I02(3)Ls1*[Is2p–Is2b]/toff=V02+Vf (4)Ls2/Lp=(Ns2/Np)2(5)由(3)(4)(5)式得:Is2p=1/2*{2*I02/[1-D]+[V02+Vf]*[1-D]*T*Np2/[Ns22*Lp]}=0.5*{2*1/[1-0.418]+[12+1]*[1-0.418]*10*362/[72*250]}=5.72AIs2b =I01/[1-D]-1/2*[V01+Vf]*[1-D]*Np2/[Ns22*Lp]=1/0.582-0.5*13*0.582*10*362/[72*250]=-2.28A <0因此假设不成立.则+12V输出回路次级线圈的电流波形为不连续, 电流波形如上(图七).令+12V整流管导通时间为t’.将Is2b=0代入(3)(4)(5)式得:1/2*Is2p*t’/T=I02(6)Ls1*Is2p/t’=V02+Vf (7)Ls2/Lp=(Ns2/Np)2(8)由(6)(7)(8)式得:Is2p={(V02+Vf)*2*I02*T*Np2/[Lp*Ns22]}1/2={2*1*[12+1]*10*362/[72*250]} 1/2=5.24At’=2*I02*T/ Is2p=2*1*10/5.24=3.817us2).+12V输出回路次级线圈的有效值电流:Is2(rms)= [t’/(3T)]1/2*Is2p=[3.817/3*10] 1/2*5.24=1.87A3).+5v输出回路次级线圈的有效值电流计算:Is1rms= Is2(rms)*I01/I02=1.87*10/1=18.7A12.变压器初级线圈和次级线圈的线径计算.1).导线横截面积:前面已提到,取电流密度j=5A/mm2变压器初级线圈:导线截面积= Ip(rms)/j=1.3A/5A/mm2=0.26mm2变压器次级线圈:(+5V)导线截面积= Is1(rms)/j=18.7A/5A/mm2=3.74 mm2(+12V)导线截面积= Is2(rms)/j=1.87A/5A/mm2=0.374mm22).线径及根数的选取.考虑导线的趋肤效应,因此导线的线径建议不超过穿透厚度的2倍.穿透厚度=66.1*k/(f)1/2k为材质常数,Cu在20℃时k=1.=66.1/(100*103)1/2=0.20因此导线的线径不要超过0.40mm.由于EER2834S骨架宽度为22mm,除去6.0mm的挡墙宽度,仅剩下16.0mm的线包宽度.因此所选线径必须满足每层线圈刚好绕满.3).变压器初级线圈线径:线圈根数=0.26*4/[0.4*0.4*3.14]=0.26/0.1256=2取Φ0.40*2根并绕18圈,分两层串联绕线.4).变压器次级线圈线径:+5V: 线圈根数=3.74/0.1256=30取Φ0.40*10根并绕3圈, 分三层并联绕线.+12V: 线圈根数=0.374/0.1256=3取Φ0.40*1根并绕7圈, 分三层并联绕线.5).变压器绕线结构及工艺.为了减小变压器的漏感,建议采取三文治绕法,而且采取该绕法的电源EMI性能比较好.四.结论.由于连续模式下电流峰值比不连续模式下小,开关管的开关损耗较小,因此在功率稍大的反激变换器中均采用连续模式,且电源的效率比较高.由于反激式变压器的设计是反激变换器的设计重点,也是设计难点,如果参数不合理,则会直接影响到整个变换器的性能,严重者会造成磁芯饱和而损害开关管,因此在设计反激变压器时应小心谨慎,而且变压器的参数需要经过反复试验才能达到最佳.。
反激变压器设计实例(一)目录1.导论 (2)2.磁芯参数和气隙的影响 (2)2.1 AC极化 (3)2.2 AC条件中的气隙影响 (3)2.3 DC条件中的气隙影响 (3)3. 110W反激变压器设计例子 (4)3.1 步骤1,选择磁芯尺寸 (4)3.2 步骤2,选择导通时间 (6)3.3 步骤3,变换器最小DC输入电压的计算 (6)3.4 步骤4,选择工作便宜磁通密度 (6)3.5 步骤5,计算最小原边匝数 (7)3.6 步骤6,计算副边匝数 (7)3.7 步骤7,计算附加匝数 (8)3.8 步骤8,确定磁芯气隙尺寸 (8)3.9 步骤9,磁芯气隙尺寸(实用方法) (9)3.10 步骤10,计算气隙 (9)3.11 步骤11,检验磁芯磁通密度和饱和裕度 (10)4 反激变压器饱和及暂态影响 (11)1.导论由于反激变换器变压器综合了许多功能(储存能量、电隔离、限流电感),并且还常常支持相当大的直流电流成分,故比直接传递能量的正激推挽变压器的设计困难得多、以下变压器设计例子中没选择过程使用反复迭代方法,无论设计从哪里开始没开始时须有大量近似的计算。
没有经验工程师的问题是要得到对控制因数的掌握。
特别的,磁芯大小、原边电感的选择、气隙的作用、原边匝数的选择以及磁芯内交流和直流电流(磁通)成分的相互作用常常给反激变压器设计带来挑战。
为使设计者对控制因数有好的感觉,下面的设计由检查磁芯材料的特性和气隙的影响开始,然后检查交流和直流磁芯极化条件,最后给出100W变压器的完整设计。
2.磁芯参数和气隙的影响图1表示一个铁氧体变压器在带有和不带气隙时典型的B/H(磁滞回归线)环。
注意到虽然B/H环的磁导率(斜率)随气隙的长度变化,但磁芯和气隙结合后的饱和磁通密度保持不变。
进一步,在有气隙的情况下,磁场强度H越大,剩磁通密度B r越低。
这些变化对反激变压器非常有用。
图1.不同情况下磁芯的磁滞回归曲线图2只表示了反激变压器使用的磁滞回环的前四分之一,也表示了磁芯中引入气隙所产生的影响。
最后,改图表示了极化条件对直流和交流影响之间的差异。
图2.(a)铁氧体变压器在带有和不带气隙时典型的磁滞回环(b)单端反激变换器的典型磁芯在大气隙或无气隙时第一象限磁化曲线。
注意当采用大气隙时,传递能量∆H会增加2.1 AC极化由法拉第感应定律emf=N dΦd t很显然,磁芯中的磁通密度必须以一定的速率和幅值变化,绕组中的感应电动势(反向)等于所加电动势(假设损耗可以忽略)。
因此,为了支持加于原边的交流电压(更准确的说是所加伏秒),就需要磁通密度∆B ac的变化(见图2的纵轴)。
因此∆B ac的幅值正比于所加的电压和开关晶体管的导通时间,即B ac 是由外部所加的交流条件而不是由变压器气隙来限定。
图1表示一个铁氧体变压器在带有和不带气隙时的B/H(磁滞回环)图2表示使用大、小气隙时,单端反激变换器中典型铁氧体磁芯的前四分之一磁滞回环。
注意大气隙时传递的能量增加∆H。
因此,可以认为所加的交流条件作用于B/H环的垂直B轴,使磁场电流∆H ac向上变化,所以,可以认为H是因变量2.2 AC条件中的气隙影响从图2中可见,次新气隙增加使B/H特性的斜率减小,但需要的∆B ac不变。
因此磁场电流∆H ac增加。
这表示磁芯的导磁率显著减小及原边电感减小。
因此磁芯气隙不会改变交流磁通密度的需求,或相反还改善了磁芯的交流性能。
通常错误的观点是,假设由于原边匝数不够、过度施加交流电压或工作频率低(即过度施加伏秒∆B ac)而导致的磁芯饱和可以通过引入气隙来纠正。
从图2可见这不是真实的。
有或没有气隙,饱和磁通密度B sat都保持一样。
可是引入气隙会减小剩余磁通密度B r,并增加∆B ac的工作范围,这在不连续方式中是有帮助的。
2.3 DC条件中的气隙影响绕组中的DC电流成分使B/H环中平行于H轴的DC磁化力H DC增加(H DC正比于平均直流安匝)。
对于一个特定的副边负载电流,H DC的值是确定的。
对于直流条件,B被认为是因变量。
应该注意到,有气隙的磁芯可以支持大得多的H值(DC电流)而不饱和。
很清楚,在此例中较高的H值H DC2足以使无气隙的磁芯饱和(即使无任何交流成分)。
因此,气隙对放置由绕组中的DC电流成分引起的磁芯饱和非常有效。
当反激变换器工作于连续方式时,会产生大量的DC电流成分,故必须使用气隙。
图2表示了有气隙和无气隙时磁通密度偏移∆B ac(用于承受所加的交流电压)加于由DC 成分H DC产生的平均磁通密度B dc上的例子。
对于无气隙磁芯,小的直流极化H DC1会产生磁通密度B dc。
对于有气隙磁芯,产生同样的磁通密度B dc需要大得多的DC电流H DC2,还有可清楚地看到在有气隙例子中,即使加上最大的直流和交流成分,磁芯都不会饱和。
总之,图2表示磁通密度∆B ac是由施加的交流电压引起的,在磁芯中引入气隙对磁通密度∆B ac没有影响。
可是在磁芯中引入气隙会使平均磁通密度B dc(由绕组中的DC电流成分产生)大大减小。
在处理不完全能量传递(连续方式)工作方式时,提供直流磁化电流的裕度变得特别重要。
这种方式中,磁芯电流永远不会降到零,很明显无气隙时磁芯就会饱和。
记住,使用的伏秒、匝数和磁芯尺寸决定了垂直于B轴的磁通密度∆B ac的变化,而平均直流电流、匝数和此路长度决定了平行轴上H DC的值。
要提供足够的匝数和磁芯尺寸来支持所加的交流电压,要提供足够的磁芯气隙来放置饱和及支持直流电流成分。
3. 110W反激变压器设计例子在以下设计中,分别考虑施加于原边的交流和直流电压。
使用这种方法,很明显,所加的交流电压、频率、磁芯尺寸和磁芯材料的最大磁通密度控制了最小的原边匝数,而不管磁芯导磁率、气隙大小、DC电流或所需的电感。
应该注意,开始阶段原边电感不是被考虑的变压器设计参数。
理由是电感控制的是电源的工作模式,这不是变压器设计的主要需求,因此电感将在设计的后期考虑。
进一步,当铁氧体材料用于60KHz频率以下时,下面的设计方法对于所选磁芯尺寸按最小变压器损耗给出了最大的电感。
因此,由于大电感变压器通常工作于不完全能量传递方式。
如果需要完全能量传递方式,在支持最小直流极化的需求下只要简单地增加磁芯气隙就可得到,因此可减小电感。
这并不影响原来的变压器设计。
当铁氧体材料用于30KHz频率以下时,发现最小的铜损耗超过磁芯损耗。
因此如果使用最大的磁通密度,会得到最大(而不是最优)的效率。
增加B可有最小的匝数和铜损耗。
在这种条件下,该设计称为“饱和限制”。
在频率较高或使用效率较低的磁芯材料时,磁芯损耗将成为主要因数,这种情况磁通密度值较低,匝数增加,该设计称为“磁芯损耗限制”。
第一种情况限制了设计效率,由于优化效率需要磁芯损耗和铜损耗几乎相等,故不能实现。
3.1 步骤1,选择磁芯尺寸需要的输出功率是110W,假定副边效率为典型的85%(仅考虑输出二极管和变压器损耗),则变压器传递的功率为130W。
没有简单的基本公式计算变压器尺寸和功率额定值。
选择时要考虑大量的因数,其中最重要的是磁芯材料的性质、变压器的形状(即表面积对体积的比率)、表面的辐射特性、允许的温升、以及变压器工作环境。
许多制造商提供了特性图,为特殊磁芯设计给出尺寸选择的推荐,这些选择推荐通常是针对对流冷却且基于典型的工作频率及设定温升。
一定要选择为变压器设计的铁氧体,它们具有高饱和度、低生育磁通密度、工作频率下的低损耗以及高居里温度的优点。
对于反激变换器来说,高磁导率不是重要因数,因为铁氧体材料总是要有气隙。
图3是TDK Epcos N27硅铁氧体材料在25KHz工作频率、30K温升时的推荐图标。
可是大部分的真实环境没有大气,或者因为空间受限而使用强迫风冷时,实际温升较大。
因此针对这些影响要做出修正。
制造商通常给出的图标是关于他们自己所选的磁芯及材料的。
在大多数情况下,使用“面积——矢量积”计算方法。
图3.可转换功率P为磁芯尺寸(体积)的函数,以变换器型式为参数的列线图(来源于TDKEpcos)该例中,使用图3中的图标得到了磁芯尺寸初始选择。
反激变换器的容许功率为130W,在图中对应为“E42/20”(图中对应的是20KHz工作频率;30KHz时,磁芯的额定功率会高些)。
图4中显示了N27铁氧体(一种典型的变压器材料)的静态磁化曲线。
图4.N27铁氧体材料的静态磁化曲线图(来源于TDK Epcos)3.2 步骤2,选择导通时间原边功率晶体管Q的最大导通时间出现在最小输入电压和最大负载时。
对本例,假设最大导通时间不能超过总的工作周期的50%(后面可以看到,使用特别的控制电路和变压器设计时最大导通时间是可以超过50%的)。
实例频率30KHz周期33us半周期16.5us留有裕量以使控制保持在合适的最小输入电压,因此可用周期是16us。
因此t on(max)=16μs3.3 步骤3,变换器最小DC输入电压的计算计算变换器工作于满载和最小电源输入电压时的输入DC电压V cc。
对于输入电容整流滤波器,DC电压不能够超过输入电压有效值的1.4倍,也不可能小于输入电压有效值的1.2倍。
该电压的确切计算很困难,因为它取决于许多不确定的因数,如电源线路的源阻抗、整流器电压降、储能电容值及其特性以及负载电流。
该例中使用1.3倍的输入电压有效值(使用倍压时再乘以1.9),将给出在弥漫在时相当近似的V cc工作值。
实例线路输入为90V有效值,则DC电压V cc将接近90×1.3×1.9=222V3.4 步骤4,选择工作便宜磁通密度对于E42/20磁芯,根据制造商的数据,中心磁芯的有效面积是240mm2。
饱和磁通密度100℃时是360mT。
工作磁通密度的选择要综合考虑,反激频率在中频范围内尽可能搞,以便从磁芯得到最好效益和最小铜损耗。
对于典型的铁氧体磁芯材料和形状,工作频率上升到30KHz,即便选择最大的磁通密度,反激变压器的铜损耗通常超过磁芯损耗,这样的设计为“饱和限制”。
因此在该例中选择最大磁通密度,可是要保证磁芯在任何条件下都不饱和,如在最低工作频率下使用最大脉宽。
在下面的设计方法中,不完全能量变换器可能存在最小电源电压输入和最大负载的工作条件。
如果这种情况出现,将会出现来自变压器磁芯有效DC成分的感应现象。
可是,下面例子表明当使用大气隙时,来自DC成分的影响很小,因此工作磁通密度选择在220mT,以提供较好的工作裕量。
因此该例最大峰峰交流磁通密度B ac选择在220mT。
在设计最后要检查总的交流和DC磁通密度,以保证磁芯在高温时不会饱和。
对于不同的磁通量,可能需要重复设计。
3.5 步骤5,计算最小原边匝数在一个单的导通周期内使用伏秒方法,可以计算最小原边匝数,因为施加的电压是方波:N min=V t ∆B ac A e其中,N min=最小原边匝数;V=V cc(施加的DC电压);t=导通时间,单位是us;∆B ac=最大的ac磁通密度,单位是T;A e=磁芯的最小横街面积,单位是mm2实例对于最小电源电压(90V有效值)和16us的最大脉宽N min=V t∆B ac A e=222×160.220×181=89匝因此,Np(min)=89匝3.6 步骤6,计算副边匝数在反激相期间,储存在磁场的能量会传递到输出电容和负载。