模拟电路第2章习题

三种基本组态放大电路特性与分析
三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 （带反馈Re）
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课（一）
共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课（一）
共基小信号（微变）等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课（一）
直流等效电阻 RD：
RD
VD ID
交流（动态）电阻 rd：
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课（一）
共射（共E）BJT工作原理
以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏

注意:答案仅供参考！ 一、填空题1。

半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。

2。

放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。

3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。

4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。

5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。

6。

静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。

7。

对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω,V BE =0.7V ，V CE(sat ）=0.3V ，当β=50,静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3。

2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。

8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0。

7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282。

5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。

9。

对于下图所示电路，已知V CC =12V ，R b1=27 k Ω,R c =2 k Ω，R e =1 k Ω，V BE =0。

7V,现要求静态电流I CQ =3mA ，则R b2= 12 k Ω .10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE =0。

7V,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。

11。

当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小 。

在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。

Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au＝60（35.6dB），Ai＝72（37.1dB），Ap＝4320（36.4dB），Ri＝1.2kΩ，Ro＝0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝80，
UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝3.3k，RB＝470k，RC＝
（2）Au＝－75，Aus＝－43，Ri＝1.37kΩ，Ro ＝3kΩ
7
5．NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝
100，UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝500，RB1＝33k，
RB2＝10k，RC＝4.7k，RE＝2k，RL＝5.1k，电源电压＋VCC＝＋12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
（1）IBQ＝10.5μA ，ICQ＝1.05mA，UCEQ＝5V （2）Au＝－91，Aus＝－73，Ri＝2kΩ，Ro＝4.7kΩ 8

模拟电路（康光华）第二章课后习题答案2.4.1电路如图题2.4.1所示。

（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。

解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。

Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。

2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。

设二极管是理想的。

解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。

图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。

图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。

图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。

2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。

②应如何调整电路参数以消除失真？
解:①电路产生饱与失真;
②应降低Q点,为此可增大Rb2或减小Rb1。
本题得意图就是用图解法分析波形失真。
◆题2-9试作出图P2-9中所示放大电路得负载线。已知:Rb=560kΩ,Rc＝5、1kΩ,R1=R=10kΩ,RL＝1MΩ,两个直流电源均为12V,三极管得输出特性曲线如图P2-6(b)所示。
本题得意图就是掌握放大电路得组成原则与放大原理。
◆题2-2试画出P2-2中各电路得直流通路与交流通路。设电路中得电容均足够大,变压器为理想变压器。
解:
本题得意图就是掌握直流通路与交流通路得概念,练习画出各种电路得直流通路与交流通路。
◆题2-3在NPN三极管组成得单管共射放大电路中,假设电路其她参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路得IBQ、ICQ、UCEQ将增大、减小还就是不变。① 增大Rb;②增大VCC;③增大β。
解:
①
②
③
④
本题得意图就是理解分压式稳定Q放大电路中各种参数变化时对Q点与电压放大倍数得影响。
◆题2-5设图P2-5中得三极管β＝100,UBEQ=0、6V,VCC＝12V,Rc＝3kΩ,Rb=120kΩ。求静态工作点处得IBQ、ICQ与UCEQ值。
解:
本题得意图就是学习运用静态分析得基本方法求解一个简单得但课堂上并未讲过得放大电路得静态工作点。
◆题2-6已知图P2-2(a)中:Rb=510kΩ,Rc=10kΩ,RL=1、5kΩ,VCC＝10V。三极管得输出特性如图(b)所示。①试用图解法求出电路得静态工作点,并分析这个工作点选得就是否合适;②在VCC与三极管不变得情况下,为了把三极管得静态集电极电压UCEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数？如何改法？③在VCC与三极管不变得情况下,为了使ICQ=2mA,UCEQ=2V,应改变哪些参数？改成什么数值？

习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。

b 饱和状态。

c 截止状态。

d 放大状态。

2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。

解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。

（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。

2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。

解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。

（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。

（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。

2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。

图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。

电源极性与三极管不符。

b 无放大作用。

I B =0。

c 无放大作用。

交流通路输入短路。

d 无放大作用。

2.7 (b) λ=γ=0 , VTH=0.7V
• 当0<Vin<1.3V时，M1工作在线性区，则 V I D out R1
M1 2V
Vout R1
+ Vin -
1 W nCOX [2 (2 Vout 0.7)(Vin Vout ) (Vin Vout ) 2 ] 2 L
1 W 1 W 2 I X nCOX [2 0.2(VX 1) (VX 1) ] nCOX (1.4 VX )(VX 1) 2 L 2 L W W g m nCOX VDS nCOX (Vx 1) L L
③ 当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区
• 当Vin≥1.3V时，M1工作在饱和区，则
M1 2V R1
+ Vin Vout
ID
Vout
1 W nCOX (2 Vout 0.7) 2 R1 2 L
2.7 (c) λ=γ=0 , VTH=0.7V
当0<Vin<2.3V时，M1工作在线性区，则 V I D out R1 •
3
2
Cox
0 sio
tox
2
3.837 103 F / m2
a) PMOS管： 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚 阈值导电 ① 当| VGS | <0.8V 时，PMOS管工作在截止区，则ID=0 ② 当| VGS | ≥0.8V时， PMOS管工作在饱和区，PMOS
sio 3.9
2
I D 4.8 10 (VSG 0.8)
3
2
Cox
0 sio
tox
2
3.837 103 F / m2

gmnC O XW LV D SnC O XW L(1 V x)
② 当1V<VX<1.2V时,MOS管工作在线性区
I X 1 2 n C O X W L [ 2 0 . 2 ( V X 1 ) ( V X 1 ) 2 ] 1 2 n C O X W L ( 1 . 4 V X ) ( V X 1 )
W
W
gmnC O XLV D SnC O XL(V x 1 )
精品课件
③ 当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区
IX
+
IX 1 2n C O X W L ( V G S V T H )2 1 2n C O X W L (0 .2 )2
1.9V
VX
M1
-
+
g mn C O XW L(V G S V T H )0 .2n C O XW L
1
ID2
pC oxL W eff (V G SV TH)2(1p3)
ID4 .8 1 0 3(V S G0 .8 )2
08.8541012F/msio2 3.9
Cox
0 sio2 tox
3.837103F/m2
精品课件
2.2 W/L=50/0.5, |ID|=0.5mA，计算NMOS和PMOS的跨导 和输出阻抗，以及本证增益gmro
解：
gm
2Cox
W L
ID
ro
1 ID
gmro
2CoxW LID1 IDA
W L ID
精品课件
2.4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参
数；b)以VBS为参数，并在特性曲线中标出夹断点
解：以NMOS为例
+

第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示，二极管为理想元件，t sin 3u i ω=V ，U=3V ，当ωt = 0 瞬间，输出电压 u O 等于何值？ A ． 0 V B ． 3 VC ． —3 VD ． 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A ．提示：ωt = 0 瞬间u i = 0，二极管D 的阳极为电位最低点，因而此时二极管D 承受反向电压截止，0u u i 0==。

2-2 电路如题2-2图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，则电压u 0等于多少？ A ．U s B ．U S / 2 C ．0V D ．0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A ．提示：二极管承受正向电压而导通，二极管D 为理想元件，所以电阻两端电压应等于电压源电压，即u O = U s 。

2-3 电路如题2-3图所示，D 1，D 2 均为理想二极管，设V 6U 2=， U 1 的值小于 6V ， 则U 0 为多大？A ．+12VB ．+6VC ．U 1D ．U 1 － U 2O题2-3图2-3正确答案是C ．提示：D 1，D 2 均承受正向电压而导通，二极管为理想元件。

所以 u O = U 1 。

2-4 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是哪一个？2-4提示：其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。

2-5 电路如题2-5图所示，A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少？A ．0.3VB ．－2.3VC ．1.0VD ．1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A ．提示：先将二极管摘开，求出A 点和B 点的电位：Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况：二极管承受正向电压而导通，2AP15是锗管，导通管压降为0.3V 。

得
R10 R8 uo R9 R7
R6 ( R7 R8 ) ui2 ui1 R8 ( R5 R6 )
若满足R7=R5，R8=R6，则
uo R10 R8 ui2 ui1 R9 R7
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
解法二 因为A3、A4整体构成负反馈，所以有 U+=U－ 其中
可见
式中
R2 R2 uo1 ui1 U M ui1 U M R1 R1 R6 1 UM UN ui2 ui2 R5 R6 2
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-4 (a) 电路图； (b) 波形图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图P2-4′ 图P2-4(a)的分解图
S2闭合
S1闭合
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-3
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2-4 理想运放组成的电路如图P2-4(a)所示，设输入信号 ui1为1 kHz正弦波，ui2为1 kHz方波，如图P2-4(b)所示，试求 输出电压和输入电压的关系式及波形。 解 将图P2-4所示电路分解为两级运算，如图P2-4′(a)、 (b)所示。
若满足R5=R7，R8=R6，则
R10 R8 uo (ui2 ui1 ) R9 R7
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2-13 设计一个反相相加放大器，要求最大电阻值为300 kΩ，输入输出关系为uo=－(7ui1+14ui2+3.5ui3+10ui4)。 解 设计一个相加器，要求最大电阻为300 kΩ，选择电 路如图P2-13所示。 令Rf=300 kΩ，则
第二章 集成运算放大器的线性应用基础

2.1 已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。

试画出各晶体管的电路符号，确定每管的b 、e 、c 极，并说明是锗管还是硅管。

解：2.3 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。

8V0V0.7V硅NPN -8V 0V-0.7V硅PNP 1V4V3.7V锗PNP 9V 4.3V锗NPN 4V题图（a ）：题图（b ）：题图（c ）：题图（d ）：-0.3V0V(a)12V0V(d)3DG8 6.3V7V(c)8V3V(b) 3BX1 题图2.38V0V(a)-8V0V(b)1V3.7V(c)4.3V9V(d)题图2.1解：题图（a ）3AX 为PNP 锗管，30.U BE -=V （正偏），74.U CE -=V （反偏），放大状态题图（b ）：e 结反偏，c 结反偏，截止状态 题图（c ）：e 结正偏，c 结正偏，饱和状态 题图（d ）：e 结开路，晶体管损坏2.5某晶体三极管在室温C o 25时的80=βV ，65.0)(=on BE U V ，10=CBO I pA 。

试求Co70的β，)(on BE U 和CBO I 的数值。

解：116~98)2570(80)01.0~005.0()25()70(=-⨯⨯+=C C o o ββ()())mV (..U U )C (BE )C (BE o o 55272570522570=--+=3.2262102570)25()70(==-C CBO C CBO o o I I pA2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示 （1） 求I BQ =0.3mA 时，Q 1、Q 2点的β值。

（2） 确定该管的U (BR)CEO 和P CM 。

题图2.6解：（1）Q 1点：。

点：0,502≈≈ββQ （2）。

mW P V U CM CEO BR 330,40)(≈≈2.7 硅晶体管电路如题图2.7所示。

解：
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。

模拟电路第二版习题册答案模拟电路第二版习题册答案模拟电路是电子工程中的重要学科之一，它研究的是电子信号的传输、处理和控制。

在学习模拟电路的过程中，习题册是非常重要的辅助材料。

本文将为大家提供模拟电路第二版习题册的答案，帮助大家更好地理解和掌握相关知识。

第一章：基础电路理论1. 电流和电压的关系是通过欧姆定律来描述的，即I=V/R，其中I表示电流，V 表示电压，R表示电阻。

根据题目给出的电流和电压值，可以计算出电阻的数值。

2. 串联电路中的电阻相加，即R=R1+R2+R3+...，并联电路中的电阻求倒数后相加再取倒数，即1/R=1/R1+1/R2+1/R3+...3. 电路中的功率可以通过P=VI来计算，其中P表示功率，V表示电压，I表示电流。

根据题目给出的电流和电压值，可以计算出功率的数值。

第二章：放大电路1. 放大电路中常用的放大器有共射放大器、共基放大器和共集放大器。

根据题目给出的电路图，可以分析出放大器的工作方式和参数。

2. 放大电路中的增益可以通过A=Vout/Vin来计算，其中A表示增益，Vout表示输出电压，Vin表示输入电压。

根据题目给出的输入和输出电压值，可以计算出增益的数值。

3. 放大电路中的频率响应可以通过Bode图来描述，其中包括幅频特性和相频特性。

根据题目给出的电路参数，可以绘制出对应的Bode图，并进行相应的分析。

第三章：运算放大器1. 运算放大器是一种非常重要的电子元件，它可以用来放大和处理电压信号。

根据题目给出的电路图，可以分析出运算放大器的工作方式和参数。

2. 运算放大器中的输入电阻可以通过Rin=Vcm/Iin来计算，其中Rin表示输入电阻，Vcm表示共模电压，Iin表示输入电流。

根据题目给出的参数，可以计算出输入电阻的数值。

3. 运算放大器中的输出电阻可以通过Rout=Vout/Iout来计算，其中Rout表示输出电阻，Vout表示输出电压，Iout表示输出电流。

第二章训练题一、判断题：1.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（×）2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

（×）3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（× ）4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

5. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（×）6. 当单级放大电路的静态工作点过高时，根据I b=I c/β，可选用β大的晶体三极管来减小I b 。

（×）7. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（×）8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型，输出电压的底部失真时为饱和失真。

（√）9. 在共射放大电路中，若晶体管为NPN，输出电压u o出现底部失真，则该失真为截止失真。

（×）10. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（×）11.可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12.若单管共射放大电路出现截止失真，可适当增大基极电阻R B消除失真。

（ × ）13.某二级电压放大电路中，已知A u1=－10、A u2=－50 ，则总的电压放大倍数为500。

（√）14. 某二级电压放大电路中，已知Au1=50、Au2=100 ，则总的电压放大倍数为150。

（√）15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

（×）16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA，因此推算出：be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。

（×）17.放大电路如图1所示，已知：U CC＝12V，R B＝240kΩ，R C＝3kΩ，晶体管β＝40，且忽略U BE。

号模型分析法求AV；4）电路其他参数不变，如果要使VCEQ=4 V，问上偏流电阻为多大？
12V VCC
60k Rb1
VCEQ VCC I CQ Rc I EQ Re
Rc
3k
VCC I CQ (Rc Re )
+ vo RL 6k
C1 + vi Rb2 20k iB Re 2k
－第二章 双极结型三极管及放大电路基础－
习题：2.9
分别求电压增益、输入电阻和输出电阻。1）vs2=0,从集电极输 出；2）vs1=0,从集电极输出；3）vs2=0,从发射极输出。
ib R c R c AV ib rbe 1 ib Re rbe 1 Re Ri ib rbe 1 ib Re ib rbe 1 Re
A IA
A：集电极 2mA
IB
B: 基极
2.04mA
C
IC
B
2 50 0.04
NPN管
0.04mA
－第二章 双极结型三极管及放大电路基础－
习题：2.3
BJT输出特性曲线及电路如图所示,电流源电流30微安,集电极电阻 1k,VCC=12V。求该电路中的IBQ、ICQ和VCEQ的值。

iC 2mA 200 iB 10 A
iC
C2
12 1.15 5 6.25
iE
CE
-
I BQ
I CQ β
19.2A
－第二章 双极结型三极管及放大电路基础－
习题：2.5
2）求输入电阻rbe；3）用小信号模型分析法求AV
12V VCC
60k Rb1
ib
ic

第二章 电路的基本分析方法求题图所示电路的等效电阻。

解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：(b)(a)(c)(d)6Ω7ΩΩaaabb bddcb(a)(d)(c)(b)6Ωb4Ω（a ）图 R ab =8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω （b ）图 R ab =7||(4||4+10||10)=7||7=Ω（c ）图 R ab =5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+=Ω（d ）图 R ab =3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）用电阻的丫-△的等效变换求题图所示电路的等效电阻。

解：为方便求解，将a 图中3个6Ω电阻和b 图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。

（a ） R ab =2+(2+3)||(2+3)=Ω （b ） R ab =6||(3||6+3||6)=6||4=Ω将题图所示电路化成等效电流源电路。

bab a(b)(a)题2.2图(b)(a)题2.3图babΩ(a)(b)解：（a ）两电源相串联，先将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，最后再变换成电流源；等效电路为（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与5A 恒流源串联的9V 电压源亦可除去（短接）。

两电源相并联，先将电压源变换成电流源，再将两并联的电流源变换成一个电流源，等效电路如下：将题图所示电路化成等效电压源电路。

解：（a ）与10V 电压源并联的8Ω电阻除去（断开），将电流源变换成电压源，再将两串联的电压源变换成一个电压源，再变换成电流源，最后变换成电压源，等效电路如下：（b ）图中与12V 恒压源并联的6Ω电阻可除去（断开），与2A 恒流源串联的4Ω亦可除去（短接），等效电路如下：(a)(b)题2.4图baabababab abbb用电源等效变换的方法，求题图中的电流I 。