第3章 厚膜与薄膜技术
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薄膜材料与薄膜技术答案薄膜材料与薄膜技术(答案)第一章真空技术基础1、膜的定义及分类。
答:当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时,我们将这样的固体或液体称为膜。
通常,膜可分为两类:(1)厚度大于1mm的膜,称为厚膜;(2)厚度小于1mm的膜,称为薄膜。
2、人类所接触的真空大体上可分为哪两种?答:(1)宇宙空间所存在的真空,称之为“自然真空”;(2)人们用真空泵抽调容器中的气体所获得的真空,称之为“人为真空”。
3、何为真空、绝对真空及相对真空?答:不论哪一种类型上的真空,只要在给定空间内,气体压强低于一个大气压的气体状态,均称之为真空。
完全没有气体的空间状态称为绝对真空。
目前,即使采用最先进的真空制备手段所能达到的最低压强下,每立方厘米体积中仍有几百个气体分子。
因此,平时我们所说的真空均指相对真空状态。
4、毫米汞柱和托?答:“毫米汞柱(mmHg)”是人类使用最早、最广泛的压强单位,它是通过直接度量长度来获得真空的大小。
1958 年,为了纪念托里拆利,用“托(Torr)”,代替了毫米汞柱。
1 托就是指在标准状态下,1 毫米汞柱对单位面积上的压力,表示为1Torr=1mmHg。
5、真空区域是如何划分的?答:为了研究真空和实际使用方便,常常根据各压强范围内不同的物理特点,把真空划分为以下几个区域:(1)粗真空:l´105 ~ l´102 Pa,(2)低真空:l´102 ~ 1´10-1Pa,(3)高真空:l´10-1 ~ 1´10-6Pa和(4)超高真空:< 1´10-6Pa。
6、真空各区域的气体分子运动规律。
答:(1)粗真空下,气态空间近似为大气状态,分子仍以热运动为主,分子之间碰撞十分频繁;(2)低真空是气体分子的流动逐渐从黏滞流状态向分子状态过渡,气体分子间和分子与器壁间的碰撞次数差不多;(3)高真空时,气体分子的流动已为分子流,气体分子与容器壁之间的碰撞为主,而且碰撞次数大大减少,在高真空下蒸发的材料,其粒子将沿直线飞行;(4)在超高真空时,气体的分子数目更少,几乎不存在分子间的碰撞,分子与器壁的碰撞机会也更少了。
薄膜与厚膜技术介绍与对比薄膜与厚膜技术相对于三维块体材料,所谓膜,因其厚度及尺寸比较小,一般来说可以看做是物质的二维形态。
利用轧制、捶打、碾压等制作方法的为厚膜,厚膜(自立膜)不需要基体、可独立成立;由膜的构成物堆积而成的为薄膜,薄膜(包覆膜)只能依附在基体之上。
膜的主要功能分为三种:电气连接、元件搭载、表面改性。
1.电气连接。
电路板及膜与基板互为一体,元器件搭载在基板上达到与导体端子相互连接。
2.元件搭载。
不论采用引线键合还是倒装片方式,芯片装载在封装基板上需要焊接盘。
而元器件搭载在基板上,不论采用DIP还是SMT方式都依赖导体端子,其中焊接盘和导体端子都是膜电路重要的部分。
3.表面改性。
通过膜的使用可以使材料在某些性能上得到改性,如增加材料的耐磨性、抗腐蚀性、耐高温性等等。
薄膜技术介绍一、薄膜材料1.导体薄膜主要用于形成电路图形,为半导体芯片、元件、电阻、电容等电路搭载部件提供金属化及相互引线。
值得注意的是,成膜后造成膜异常的原因包括:严重的热适配导致应力过剩,膜层的剥离导致电路断线;物质物理性质的原因,如热扩散、电迁移、反应扩散等。
2.介质薄膜因其优良的电学性、机械电性及光学电性在电子元器件、光学器件、机械器件等领域具有较大应用。
其成膜方法有MO、CVD、射频磁控溅射、粒子束溅射等。
3.电阻薄膜常用的制作方法有真空蒸镀、溅射镀膜、电镀、热分解等。
4.功能薄膜在传感器、太阳能电池、光集成电路、显示器、电子元器件等领域具有广泛的应用。
二、成膜方法1.干膜。
真空蒸镀原理为镀料在真空中加热、蒸发,蒸汽析出的原子及原子团在基板上形成薄膜;溅射镀膜原理为将放电气体导入真空,通过离子体中产生的正离子的加速轰击,使原子沉积在基板上;CVD指气态原料在化学反应下形成固体薄膜在基板上形成沉积的过程。
2.湿膜。
依据电场反应,金属可在金属盐溶液中析出成膜。
其中,电镀的还原能量由外部电源提供;化学镀利用添加还原剂的方法,促成分解成膜。
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