2005年上海交大硕士研究生入学考试
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上海交通大学一九九九年硕士生入学考试试题微观经济学名词解释:(每题4分,3、 共20分)(1) 经济学中的“均衡“含义;(2) 供求规律;(3) 瞬时均衡;(4) 帕累托最优状态;(5) 科斯定理。
4、 判断题:(正确+,5、 错误-6、 )(每题4分,7、 共20分)(1) 弧弹性系数对曲线需求曲线的点弹性系数的估计在弧长变短和弧的曲率变小时将得到改善。
……….( )(2)某方案的机会成本是指(3)决策者为采取该方案而(4)放弃的所有其他方案的利益。
…………( )(5) 需求曲线斜率为正的充要条件是低档商品且收入效应超过替代效应。
………………..( )(6) 导出社会福利曲线必须作出道德的价值的判断。
………( ) (7) 某项生产活动存在外部不(8) 经济时,(9) 其产量大于怕累托最优产量。
……………………( )8、 选择题:(单选,9、 每题4分,10、 共20分)(一)某个消费者的无差异曲线图包含无数条无差异曲线,因为( )A、 收入有时高,B、 有时低;C、 欲望是无限的;D、 消费者个数是无限的;E、 商品的数量是无限的。
(二)如果规模报酬不变,单位时间里增加了20%的劳动使用量,但保持资本量不变,则产出将( )。
A、 增加20%;B、 减少20%;C、 增加大于20%;D、 增加小于20%。
(三)在从原点出发的直线(射线)与TC曲线的切点上,AC( ) `A、是最小;B、等于MC;C、等于AVC+AFC;D、上述都正确。
(四)垄断竞争厂商长期均衡时,必然有( )。
A、厂商一定能获得超额利润;B、在均衡点上,主观需求曲线上的弹性大于实际需求曲线上的弹性;C、资源在广告中浪费;D、边际成本等于实际需求曲线中的产生的边际收益。
(五)在完全竞争的产品和要素市场中经营的厂商,其总利润率达到最大的条件为( )A、Px=MCx,且MCx上升;B、MPPa/Pa=MPPb/Pb;C、MPPa/Pa=MPPb/Pb=1/MCx ;D、MPPa/Pa=MPPb/Pb=1/MCx ;=1/Px(设厂商以要素a、b生产商品x)11、 简答题:(每题5分,12、 共20分)(1) 按照需求定理,(2) 商品的需求量是与其价格呈反方向变动的,(3) 但市场的实际情况是:商品需求增加,(4) 价格上升,(5) 需求减少,(6) 价格下降,(7) 需求与价格是呈正方向变动的。
目录1.05年北师大物理类各方向2.05年长光所3.05年东南大学4.05年中科大5.05年南京大学6.05年华中科大7.05年吉林大学(原子所)8.05年四川大学(原子与分子)9.05年北京理工10.05年河北理工11.05年长春理工北京师范大学2005年招收硕士研究生入学考试试题专业:物理类各专业科目代号:459研究方向:各方向考试科目:量子力学[注意]答案写在答题纸上,写在试题上无效。
1.(20分)一个电子被限制在一维谐振子势场中,活动范围求激发电子到第一激发态所需要的能量(用ev表示)(,,)提示:谐振子能量本征函数可以写成2.(30分)一个电子被限制在二维各向同性谐振子势场中(特征频率为)。
(1)写出其哈密顿量,利用一维谐振子能级公式找到此电子的能级公式和简并度。
(2)请推导电子的径向运动方程。
并讨论其在时的渐近解。
提示:极坐标下3.(50分)两个质量为的粒子,被禁闭在特征频率为的一维谐振子势场中,彼此无相互作用(此题中波函数无须写出具体形式):(1)如果两个粒子无自旋可分辨,写出系统的基态(两个都在自己的基态)和第一激发能级(即一个在基态,另一个在第一激发态)的波函数和能量(注意简并情形)。
(10分)(2)如果两个粒子是不可分辨的无自旋波色子,写出系统的基态和第一激发态的能量和波函数。
如果粒子间互作用势为,计算基态能级到一级微扰项。
(15分)(3分)如果两个粒子是不可分辨的自旋1/2粒子,写出基态能级和波函数(考虑自旋)。
如果粒子间互作用能为,计算基态能量。
(15分)(4)同(3),解除势阱,两个粒子以左一右飞出。
有两个探测器分别(同时)测量它们的y方向自旋角动量。
请问测量结果为两电子自旋反向的几率是多少?(10分)4.(30分)中心力场中电子自旋与轨道角动量存在耦合能。
总角动量,是的共同本征态。
现有一电子处于态,且。
(1)在一基近似下,可用代替,请问电子的能量与态差多少?(2)请计算该电子产生的平均磁矩,并由此计算在z方向均匀磁场B中电子的能量改变多少?(),当,,当,5.(20分)一个定域(空间位置不动)的电子(自旋1/2)处于z方向强磁场中。
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上海交通大学硕士研究生入学考试 2005年自动控制理论基础试题解析一、(共20分)2(1)图中为一摆杆系统,两摆杆长度均为L,摆杆质量忽略不计,摆杆末端的质量块M 视为质量点,两摆杆中点处连接了一根弹簧,当1θθ=时,弹簧没有伸长与压缩,外力f(t)作用在左杆中点处。
假设摆杆与交点间没有摩擦与阻尼,且位移足够小,满足sin θ=θ, cos θ=1。
a)写出系统的运动方程;b)写出系统的状态空间表达式。
[试题解析]12121212221212212211122(1)x x 1[f t k(x x )]cos M sin 21k(x x )cos M sin 21[f t k(x x )]M 21k(x x )M 21sin x x 21sin x 2l l l ll l l ll l θθθθθθθθθθ⎧−⋅=⎪⎪⎨⎪−⋅=⎪⎩⎧−⋅=⎪⎪⎨⎪−⋅=⎪⎩⎧=⎪⎪⇒⎨⎪=⎪⎩LLL 设两摆的水平位移分别为,根据力矩守恒原理,可得:()-运动方程由于,很小,则上两式可化为:()-12212121x 211()f (t)k 4Mf (t)4Ml l l θθθθ⎧=⎪⎪⎨⎪=⎪⎩⎧=+⎪⎪⇒⎨⎪=⎪⎩(2)信流图如下:1111211122234632561311223462561212561256ii111225611223462561212Y (s)/R (s):P G G L H G G L H G G G L H G G L L 1H G G H G G G H G G H H G G G G 1H G G P Y (s)/R (s)=G G (1H G G )1H G G H G G G H G G H H G G G =−Δ=+−−−Δ=−ΔΔ−=+−−−∑①有一条前向通路:有三个回环::, :, :有一对互不接触回环:与56G22156234611122i i22561123461122346256121256Y (s)/R (s):P G G P G G G 1+H G G 1P Y (s)/R (s)=G G (HH G G )G G G 1H G G H G G G H G G H H G G G G ==ΔΔ=Δ=ΔΔ+=+−−−∑②有二条前向通路:,值不变,二、(共20分)32K(s+1)G(s)=s +as +2s+1若系统以ω=2rad/s (2)荡,确定其频率和幅值。
2005年上海交通大学安泰经济与管理学院452管理学(II)考研真题及详解考试科目:管理学(II)科目代码:452一、名词解释(共30分,每题5分)1.SWOT方法2.职业生涯高原3.激励4.感召力5.计划6.目标管理二、简答题(共60分,每题20分)1.组织冲突产生的原因是什么?2.有效控制的基本要求有哪些?3.试比较集体决策与个人决策的优缺点。
三、论述题(共60分,每题30分)1.试述亨利·法约尔行政管理论述评。
2.请结合实际,从管理成本的角度说明提高管理者才能的意义。
参考答案:一、名词解释(共30分,每题5分)1.SWOT方法答:SWOT分析(SWOT Analysis)是一种综合考虑企业内部条件和外部环境的各种因素,进行系统评价,从而选择出最佳经营战略的方法。
在这里,S指企业内部的优势(Strengths),W指企业内部的劣势(Weakness),O指企业外部环境的机会(Opportunities),T指企业外部环境的威胁(Threats)。
(1)企业内部的优势和劣势是相对于它的竞争对手而言的,一般表现在企业的资金、技术设备、职工素质、产品、市场、管理技能等方面。
判断企业内部的优势和劣势一般有两项标准:一是单项的优势和劣势。
如果企业资金雄厚,则在资金上占优势;市场占有率低,则在市场上占劣势。
二是综合的优势和劣势。
为了评估企业的综合优势和劣势,应选定一些重要的因素加以评价打分,然后根据其重要程度加权来确定。
(2)企业外部环境的机会是指环境中对企业有利的因素,比如政府支持、高新技术的应用、良好的购买者和供应者关系等。
企业外部环境的威胁是指环境中对企业不利的因素,比如新竞争对手的出现、市场增长率缓慢、购买者和供应者讨价还价增强、技术老化等。
这是影响企业当前的竞争地位或影响企业未来的竞争地位的主要障碍。
(3)SWOT分析法依据企业的目标,通过列表定出对企业生产经营活动及发展有着重大影响的内部及外部因素,并且根据所确定的标准,对这些因素进行评价,从中判定出企、比的优势与劣势、机会和威胁。
上海交通大学2005年硕士研究生入学考试试题试题号:438试题名称:经济学一解释下列术语(每小题5分,共30分)1.范围经济2.无谓损失3.道德风险4.菜单成本5.自然失业率的总产出6.货币乘数二简答并附必要图示(每小题10分,共40分)7.市场势力与勒纳指数及其关系8.福利经济学第一定理及其涵义9.用生产可能性边界图,说明一个社会的经济增长依赖技术进步是最有可行性的10.实际商业周期理论中,供给冲击的要义三计算,说明或图示(每小题20分,共80分)11.设一产品的市场需求函数为Q=10000-10P,成本函数为C=40Q。
试求:(1)如果该产品为一垄断厂商生产,利润最大化时的产量,价格和利润为多少?(2)假如要使生产达到帕累托效率,产量和价格应各为多少?(3)两相比较,在垄断厂商生产时,社会福利损失了多少?12.某人仅消费X和Y两种产品,其效用函数为:U=58X-0.5+1000Y- 其收入I=672,=4,(1)推导出此人对Y的需求函数(2)如果=14,此人将消费多少X?(3)在均衡状态下,计算此人对X的需求收入弹性E。
13.设一个经济的总需求方程是Y=6000+G+(M/),价格调整方程为= +(-)/。
其中,=1,自然率总产出=15000,政府购买G=2000,名义货币供给M=5550,预期的通胀率=,=0。
试求:(1)这个经济从T=0开始到T=3的运行路径(即顺序列出各期的总产出,通胀率和价格水平)(2)这个经济从T=0开始到第几期,总产出可以达到=1.18的水平。
14.牧民A和B在同一块地放牧。
假设:如果这块地上有20头牛,每头牛终生可以产出40000元的牛奶;这块地上有30头奶牛时,每头牛终生可以产出30000元的牛奶;有40头牛时候可以产出20000元的牛奶。
牧民购买一头牛的成本10000元。
显然,如果在这块地上放牧更多的牛,每头牛能吃的草少了,牛奶的产量也就少了。
(1)设A和B每人可以买L=10头牛,也可以买H=20头牛。
上海交通大学硕士材料科学基础真题2005年(总分:150.00,做题时间:90分钟)一、单选题(总题数:25,分数:75.00)1.化学键中既无方向性又无饱和性的为______。
(分数:3.00)A.共价键B.金属键√C.离子键解析:2.立方结构的(112)与(113)晶面同属于______晶带轴。
(分数:3.00)A. √B.C.解析:3.晶体的对称轴中不存在______。
(分数:3.00)A.3次对称轴B.4次对称轴C.5次对称轴√解析:4.半结晶期是指______。
(分数:3.00)A.结晶时间进行到一半时对应的时间B.固相量为一半时对应的时间√C.上述(A)和解析:5.fcc晶体若以100面为外表面,则表面上每个原子的最邻近原子数为______个。
(分数:3.00)A.12B.6C.8 √解析:6.最难以形成非晶态结构的是______。
(分数:3.00)A.陶瓷B.金属√C.聚合物解析:7.下面关于Schottky和Frenkel缺陷的表述中,错误的为______。
(分数:3.00)A.Schottky缺陷同时包含空位和间隙原子√B.Frenkel缺陷的形成能通常较Schottky缺陷大C.同温度下,通常Schottky缺陷的浓度大于Frenkel缺陷解析:8.下列Burgers矢量可能表示了简单立方晶体中的全位错:(分数:3.00)A.[100] √B.1/2[110]C.1/3[111]解析:9.下面关于位错应力场的表述中,正确的是______。
(分数:3.00)A.螺型位错的应力场中正应力分量全为零√B.刃型位错的应力场中正应力分量全为零C.刃型位错的应力场中切应力分量全为零解析:10.能进行滑移的位错为______。
(分数:3.00)A.肖克利不全位错√B.弗兰克不全位错C.面角位错解析:11.铁素体(bcc,点阵常数a b=0.287nm)与奥氏体(fcc,点阵常数a f=0.365nm)间可形成K-S关系([111]b∥[110]f,,则在半共格界面上沿[111]b方向上的位错间距为______。
上海交通大学
2005年硕士研究生入学考试试题 试题名称:半导体物理与器件基础
一、 一块掺杂均匀的硅半导体材料,其掺杂元素为磷,杂质浓度为1×31210-cm 。
1、求该半导体材料是何种类导电类型的半导体及在温度时的载流子浓度。
2、定性绘出该半导体材料载流子浓度与温度(0—700k )的特性曲线。
3、求出该半导体材料600k 时空穴的浓度。
(25分)
二、 请简要说明半导体材料的光电与发光效应的基本机理;计算硅半导体材料的本征吸收长波限。
(15分)
三、 一块n 型硅半导体材料的杂质浓度为1.5×31410
-cm ,在室温时小注入非平衡载流子浓度为1.5×3610-cm
,求该条件下多数载流子非平衡时雨平衡时费米能级的差值。
(15分)
四、 已知一pn 结受主杂质浓度为315/10cm ,施主杂质浓度为320/10cm ,外加反向电压为10V 时,请计算该PN 结空间电荷区宽度。
(15分)
五、 何为双极型晶体管发射效率?假定基区和发射区的复合可以忽略,基区和发射区的电子、空穴迁移率相等。
请证明缓变基区晶体管的发射效率为 γ=1/(1+b e R R /) 其中γ为发射效率;e R 为发射区方块电阻;b R 为基区方块电阻。
(20分)
六、 何为发射极电流集边效应?减少集边效应可采用何种方法?请计算当基区横向压
降(发射区中心至横向y 处)减少到q KT
2
1,室温时的横向电流密度与中心处的电流密度之比
)0()(E E J y J。
(25分) 七、 设硅P 沟硅栅MOS 晶体管的沟道长2μm ;沟道宽40μm ;空穴迁移率为500cm/(V S ⋅);栅氧化厚度为100A ;阈值电压为1V ;V V gs 3=;V V ds 2=时,请计算该晶
体管的漏电流。
(15分)
八、 何为MOS 晶体管的沟道长度调制效应?N 沟MOS 晶体管的沟道长度为1μm ,沟道宽度为20μm ,电子速率为1350)/(2S V cm ⋅,栅氧化厚度为100埃。
沟道长度调制系数为0.01/V 。
阈值电压为1V ,当V V V V GS DS 5,10==时,请计算该MOS 晶体管的
漏电流。
(20分)
常用参数:
电子电量q=1.6×1910- C 电子伏特eV=1.6×1910-J 电子惯性质量Kg m 31
0101.9-⨯=
普朗克常数h=6.625×3410-S J ⋅ 波耳兹曼常数23
010380.1-⨯=k J/K
真空介电常数=8.854×1410-F/cm 二氧化硅相对介电参数 9.30=si ε 硅相对介电参数si ε=11.7 硅的禁带宽度eV E g 12.1= 室温时硅本征浓度310
/105.1cm n i ⨯=
硅的电子密度有效质量)
4(062.10*
K m m n = 硅的空穴密度有效质量)
4(591.00*
K m m p =。