场效应管的检测和使用

判断智能手机电路场效应管的好坏
判断智能手机电路中场效应管的好坏，可以采用以下步骤：
1. 外观检查：检查场效应管的封装是否有损坏，标识是否清晰。

2. 极性检查：使用万用表检查场效应管的三个电极（栅极、源极和漏极），以确认其极性。

3. 性能检测：将万用表调至合适的电阻档，对场效应管的三个管脚两两进行测量。

如果测量结果显示两个管脚之间存在阻值，则说明场效应管正常工作。

4. 温升检测：通过红外测温仪或热电偶测量仪测量场效应管的表面温升，以判断其工作状态。

如果温升过高，则可能是由于电流过大或散热不良引起的。

5. 电路连接检测：检查场效应管是否与其他元件正常连接，无短路或断路现象。

6. 故障分析：如果场效应管损坏，可能出现开路、击穿或性能变差等问题。

具体表现为丧失其在电路中的作用、工作点电压变化或整机电流增加等。

通过以上步骤，可以初步判断智能手机电路中场效应管的好坏。

如果仍有问题，建议寻求专业技术人员的帮助。

场效应管万用表检测IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

场效应管好坏测量1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。

若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S 极与D极。

用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。

对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。

例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。

适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。

以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。

备课教案第周课题场效应管的测量所需课时 3教学目的1、结型场效应管的管脚识别与检测方法2、VMOS场效应管的检测方法重点结型场效应管、VMOS场效应管的检测方法难点结型场效应管、VMOS场效应管各极的判别方法教学过程：一、复习：1、场效应管的工作原理2、场效应管的主要参数二、新课讲授：一、1.场效应晶体管分类2.目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。

二、1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。

将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D 和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。

对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。

若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。

源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。

因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。

这时表针指示出的是D-S极间电阻值。

然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。

由于管子的放大作用，UDS 和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。

场效应管好坏测量方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、调制和其他电路中。

在实际应用中，我们经常需要对场效应管进行好坏测量，以确保电路的正常工作。

本文将介绍场效应管好坏测量的方法，希望能够为大家提供一些帮助。

首先，我们可以通过使用万用表来测试场效应管的好坏。

在测试前，需要将场效应管从电路中取下，并清洁引脚，以确保测试的准确性。

然后，将万用表调至二极管测试档位，分别用红表笔和黑表笔连接场效应管的源极和漏极，观察表笔的指示情况。

如果表笔指示正常，说明场效应管工作正常；如果表笔不指示，说明场效应管可能损坏。

接着，再用表笔连接场效应管的栅极和源极，进行同样的测试。

通过这种方法，我们可以初步判断场效应管的好坏。

除了使用万用表进行测试外，我们还可以利用示波器来测试场效应管的好坏。

示波器可以直观地显示电压和电流的变化情况，对于一些特殊情况下的场效应管好坏测试非常有帮助。

在测试时，将示波器的探头连接到场效应管的源极和漏极，然后将输入信号连接到场效应管的栅极，观察示波器屏幕上的波形变化。

如果波形变化正常，说明场效应管工作正常；如果波形变化异常，说明场效应管可能存在问题。

通过示波器的测试，我们可以更加准确地判断场效应管的好坏。

除了以上介绍的两种方法外，还有一些其他的测试方法可以用来判断场效应管的好坏，比如使用专门的场效应管测试仪器进行测试。

不同的测试方法适用于不同的场合，我们可以根据实际情况选择合适的方法进行测试。

总的来说，场效应管好坏的测量方法有多种，每种方法都有其适用的情况。

在实际工作中，我们可以根据需要选择合适的方法进行测试，以确保场效应管的正常工作。

希望本文介绍的方法能够为大家在实际工作中提供一些帮助。

场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。

最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。

再把管脚分开，然后拆掉导线。

（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。

若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。

交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。

日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。

（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。

双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。

为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。

MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。

MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。

也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。

（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。

（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。

拆机时顺序相反。

（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。

场效应管的检测与代换场效应管的极性判定：方法：指针万用表（1）将万用表置于R×1K档；（2）将红（黑）表笔中的任意一只固定，另一只黑（红）表笔去接触其余两只引脚，测其阻值。

当出现两次阻值近似或相等时，则红（黑）所接的是栅极G，其余分别为漏极D和源极S。

如果没有出现两次近似或相等，则换电极重新测试。

（3）将两只表笔分别接在D和S上，测其阻值，然后调换表笔，所得阻值较小的一次（一般为几千欧至十几千欧），对于N沟道：黑笔接的是源极S，红笔接的是漏极D；对于P沟道：黑笔接的是漏极S，红笔接的是源极D。

场效应管的沟道判定：N沟道：将万用表置于“二极管”档，红笔接S，黑笔分别接G、D所得值（500左右）应该相同。

P沟道：将万用表置于“二极管”档，黑笔接S，红笔分别接G、D所得值（500左右）应该相同。

场效应管的检测方法：[必须开路测试]方法一：（开路测试）（数字万用表）：（1）将数字万用表置于“二极管”档，然后将场管三个引脚短接放电。

（2）接着用两表笔分别接触场管三个引脚中的两个，测量三组数据：G、S与G、D之间的数值应为“1”；D、S之间的数值应为500（300-800）（N沟道：红接S，黑接D；P沟道：红接D，黑接S；管），则说明场管正常；如果有数据为“0”或蜂鸣声，则场管被击穿。

方法二：（软击穿）：（1）场管不受G极控制，当G极有电压时，DS就导通。

（2）G极控制电压不正常。

代换方法：（1）N沟道代换N沟道，P沟道代换P沟道。

（2）功率可代功率小的。

（3）技嘉主板中给CPU主供电的场管要原值代换。

VMOS场效应管基础知识及检测方法VMOS（Vertical Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，垂直金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种特殊的场效应晶体管。

与传统的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）相比，VMOS的结构更加紧凑，具有更高的功率密度和更低的开通电阻。

本文将介绍VMOS场效应管的基础知识和检测方法。

一、VMOS场效应管的基础知识1.结构与工作原理2.优点与应用3.特征参数二、VMOS场效应管的检测方法1.静态参数测量静态参数是指在没有交流信号作用下，对场效应管进行直流参数测量的过程。

-零门源电流（IDSS）：将栅极与源极短接，通过漏极施加一定的电压，可以测量到的漏极电流即为零门源电流。

其值越大，场效应管的增益越高。

-零栅源电压漏极电流（IGSS）：在零栅源电压下，测量出的漏极电流即为零栅源电压漏极电流。

其值越小，场效应管的绝缘性能越好。

-耗散功率（PD）：在一定的漏源电压下，测量出的场效应管的耗散功率。

其值应小于最大耗散功率，以保证场效应管的安全工作。

-开通电阻和关断电阻：通过测量开通电压和电流，关断电压和电流，可以计算出场效应管的开通电阻和关断电阻。

开通电阻应尽可能小，关断电阻应尽可能大。

2.动态参数测量动态参数是指在有交流信号作用下，对场效应管进行参数测量的过程。

动态参数测量通常需要示波器等测试仪器，以下是几个常用的动态参数测量方法：-开通和关断时间：通过示波器观察开通时间和关断时间，可以评估场效应管的开关速度。

-频率响应：通过给场效应管施加一定频率的信号，测量输出的电压和电流，可以评估场效应管的频率响应能力。

-功率增益：通过测量输入和输出的电压和电流，可以计算功率增益，评估场效应管的放大能力和功率损耗。

总结起来，VMOS场效应管的检测方法包括静态参数测量和动态参数测量。

静态参数测量主要包括零门源电流、零栅源电压漏极电流、耗散功率以及开通电阻和关断电阻的测量。