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IPM/IGBT模块良否的简单测试方法一般来说，仅用简单的测试方法如用一般的万用表，是不能正确判断IPM/IGBT模块的状态的。
但对于模块是否发生短路或开路损坏，用以下方法可进行初步判断。
测试要求：1.测试仪器的输出电流应不足以损坏模块（如，1A）；2.待测电流应远大于I CES，否则，本来是不到痛的情况可能会被误判为导通；3.考虑二极管的压降，测试仪器的输出电压应大于3V，否则，在测试方向特性时本来是好的模块可能会被误判为不良；当然，输出电压应小于VCES；4.除待测端子外，其他端子均不应有任何电路连接；5.测量时P-N间不应施加电压，否则，可能导致模块损坏或测试人员触电等事故。
逆变器IGBT模块/IPM测试部位描述如下：1.逆变器部IGBT的C-E间顺向（P-U/V/W & U/V/W-N），C2E1极与C1、E1、E2、G1、G2极之间的测量正向：红表笔接C2E1脚，黑表笔分别接各电极，与C1极之间有0.46V压降以外，其它各极均为无穷大。
不导通则为良品，导通为不良，反向：与E2极有0.45V压降，其它各极均为无穷大。
2.逆变器部IGBT的C-E间逆向（U/V/W-P & N-U/V/W），导通为良品，不导通为不良；3.制动单元IGBT的C-E间顺向，不导通为良品，导通为不良；4.制动单元IGBT的C-E间逆向，导通为良品，不导通为不良。
注：(a) 在进行方向导通测量时，若测得的电阻明显低于一般良品，则可判定该模块不良。
(b) 通过测量C-E间的电阻可判断IGBT是否击穿或短路，但是，像IGBT耐压降低，仅IGBT的C-E断路而续流二极管正常的情况，则上述方法无法判断。
用数字万用表简单测量IGBT的方法(逆变器）：IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。
变频器IGBT损坏原因和测量方法1、IGBT模块因散热不良导致其损坏变频器在运转中突然发出爆炸声响，同时外接保险烧毁，拆机发现变频器的igbt模块损坏。
经过对相关板卡的测试，发现igbt触发线路损坏，测量其他板块正常。
在拆卸变频器板卡时发现其电源板和电流检测板上有很多的油污和灰尘。
打开变频器的散热片风机，看到散热片上也粘满了油污和杂物，将变频器的散热通道完全堵死。
由此推断变频器的IGBT模块因散热不良导致其损坏。
维修过程：首先将变频器完全拆开，将散热通道的散热片拆下，用空压气体将散热片清理干净，同时将变频器内部结构件和板卡全部清理干净。
安装igbt模块，安装igbt模块时候要按照模块的要求，顺序安装，力矩适度。
修理触发线路，然后依次安装其他器件。
安装结束后进行静态的测试，静态测试结果良好后进行通电测试和带负载试验。
带负载试验合格，顺利完成维修。
经验总结：综合不同型号和不同的使用环境中的数台变频器维修情况，总结出变频器igbt模块损坏的主要原因是使用环境的恶劣，使得门极驱动卡上电子元件损坏以及变频器的散热通道堵塞导致。
最容易损坏的器件是稳压管及光耦。
检查驱动电路是否有问题，可在断电时比较一下各路触发端电阻是否一致。
通电开机可测量触发端的电压波形。
但是有的变频器不装入模块不能开机，这时在模块p端串入假负载防止检查时误碰触发端或其他线路引起烧坏模块。
2、IGBT模块的简单测量方法变频器输出电压不平衡表现为马达抖动，转速不稳，一般没有经验是很难判定是哪路驱动有问题，这时可启动变频器2hz，用万用表直流电压档分别测：p-u、p-v、p-w及u-n、v-n、w-n的电压值，这6路电压这时也会不一样，那一路偏高则这一路有问题，其原理大家可自己画图分析一下。
对于IGBT模块，我们介绍最简单的测量方法(专业不是这样测量)将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1、e1、c2、e2之间以及栅极g与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
igbt模块硅凝胶的测试流程下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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IGBT 模块认证测试规范拟 制： 张 广 文 日 期： 2011-03-07 审 核： 姜 明 日 期：__________ 批 准： 董 瑞 勇 日 期：__________测试部测试规范英威腾电气股份有限公司测试部规范编码：版 本：V2.0 密 级：机 密 生效日期：2011.3页 数： 40 页更改信息登记表规范名称：IGBT模块认证测试规范规范编码：版本更改原因更改说明更改人更改时间新拟制测试项目，升级原测张广文2011.3.7 V2.0 规范升级试项目内容及标准。
评审会签区：人员签名意见日期董瑞勇吴建安唐益宏林金良张波目录1. 目的 (4)2. 范围 (4)3. 定义 (4)4. 引用标准 (5)5. 测试设备 (6)6. 测试环境 (6)7. 测试项目 (7)7.1规格参数比对 (7)7.2封装结构测试 (8)7.2.1封装外观检查 (8)7.2.2封装外形尺寸测试 (9)7.2.3基板平整度测试 (9)7.2.4封装内部结构测试 (11)7.3晶体管电特性测试 (12)7.3.1集-射极耐压VCES测试 (13)7.3.2 IGBT集-射极饱和压降VCE(sat)测试 (14)7.3.3 IGBT栅-射极阀值电压VGE(th)测试 (15)7.3.4 IGBT内置二极管正向压降VF测试 (16)7.4 Ices和IR测试 (17)7.5绝缘耐压测试 (19)7.6高温电应力老化测试 (20)7.7高低温老化测试 (21)7.8 NTC热敏电阻特性测试 (22)7.9驱动波形测试 (23)7.9.1驱动波形质量测试 (23)7.9.2开通关断时间测试 (25)7.9.3驱动电压幅值测试 (27)7.9.4死区时间测试 (28)7.10限流测试 (29)7.11均流测试 (30)7.12短路测试 (31)7.13温升测试 (35)7.14 IGBT晶元结温测试 (37)8. 数据记录及报告格式 (41)IGBT模块认证测试规范1.目的检验IGBT模块各项性能指标是否满足标准和产品设计要求。
IGBT 参数检测仪根据测试条件和测试线路的不同，可将IGBT模块的测试分为两大类:一类是静态参数测试，即在IGBT模块结温为25C︒时进行测试，此时IGBT工作在非开关状态；另一类是动态参数测试，即在IGBT模块结温为125C︒时进行测试，此时IGBT工作在开关状态。
一、静态参数的测试1. 栅极一发射极阀值电压的测试在规定条件下，测量栅极—发射极阀值电压()GE thV，测试电路原理图如图1所示图1()GE thV测试电路电路说明和要求:Gl、G2:可调直流电压源;Vl、V2:直流电压表;A:直流电流表;DUT:被测量的IGBT(下同)。
测量程序:调解电压源G2至规定的集电极—发射极电压(15V);调节电压源Gl，从零开始逐渐增加栅极一发射极间的电压。
当电流表A显示出规定的集电极电流值(()CE ONprotCCoffVIVE)时，电压表Vl的显示值即为被测器件的栅极一发射极阀值电压。
2. 集电极—发射极截止电流的测试在规定条件下，测量器件的栅极—发射极短路时集电极—发射极截止电流CESI，原理电路如图2所示。
图2 CES I 测试电路电路要求和说明:G:可调直流电压源;V:高阻抗直流电压表;A:直流电流表;R:限流电阻器。
测量程序:调节电压源G ，从零开始逐渐增加集电极—发射极间的电压到电压表V 显示出规定的值(10V)，从电流表A 读出集电极—发射极截止电流CES I 。
3. 栅极—发射极漏电流的测试在规定条件下，测量器件在集电极—发射极短路条件下栅极—发射极漏电流GES I ，原理图如图3所示。
图3电路说明和要求:G:可调直流电压表;Vl ，V2:直流电压表;R:测量电阻器。
这时栅极一发射极漏电流为: /CES I V R 。
测量程序:调节电压源G ，使栅极一发射极电压Vl 到规定值(20V)。
从V2读出V2，则栅极一发射极漏电流为V2/R 。
4. 集电极一发射极饱和电压的测试在规定条件下，测量器件在集电极一发射极饱和电压()CE sat V ，原理图如图6一5所示。
IGBT模块认证测试规范拟制：张广文日期： 2011-03-07审核：姜明日期：__________批准：董瑞勇日期：__________更改信息登记表规范名称：IGBT模块认证测试规范规范编码：评审会签区：目录1. 目的......................................................错误!未定义书签。
2. 范围......................................................错误!未定义书签。
3. 定义......................................................错误!未定义书签。
4. 引用标准..................................................错误!未定义书签。
5. 测试设备..................................................错误!未定义书签。
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7. 测试项目..................................................错误!未定义书签。
规格参数比对..............................................错误!未定义书签。
封装结构测试..............................................错误!未定义书签。
封装外观检查..........................................错误!未定义书签。
封装外形尺寸测试......................................错误!未定义书签。
基板平整度测试........................................错误!未定义书签。
IGBT模块常规测量以及故障维修方法IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，随着节能环保等理念的推进，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广，此类产品在市场上将越来越多见。
入手IGBT模块我们应先对其进行一个常规检测。
那我们应该如何检测呢？我们可以分为以下几个方面：1.判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )，其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2.判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3.检测注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
• 99•IGBT器件因为其优良的工作特性而被广泛应用于新能源电机控制器领域，但由于开关损耗比较大以及工作环境的影响，一定会带来散热问题，从而引起结温升高。
由于IGBT电特性与可靠性等都与其工作结温直接相关，结温过高可能会引起IGBT失效，因此准确获取结温对于IGBT的工作性能和可靠性都具有重要意义。
本文基于常用的结温测试方法，总结出一种简单可行并相对准确的热敏参数工程测试方法。
1 常用的结温测试方法因为IGBT芯片在模块内部，难以直接测量，也不易直接接触，国内外关于IGBT芯片的结温测试方法有很多研究，这也是近年来半导体器件的研究热点与难点之一。
现有的IGBT模块内部芯片的结温检测技术可大致分为如下三种方法：热敏参数法、热成像法和热电偶法。
1.1 热敏参数法因为半导体器件内部物理参数与温度有着一一对应的关系，因此半导体材料受温度影响的特性将会使得IGBT功率器件的工作电气特性呈现单调变化的趋势，热敏参数法就是利用了半导体器件电气参数随温度变化而变化的特性。
在不同的工况下，IGBT芯片的结温会发生变化，使得对应的电气参数也发生变化。
热敏参数法就是通过测量IGBT的电气参数，从而逆向评估IGBT芯片的结温。
热敏参数法测试IGBT结温时，一般有两个状态：工作状态和测量状态。
测试过程中，将IGBT从工作状态向测量状态切换时，需要成像仪测试之前，需要将待测IGBT做特殊处理。
将IGBT模块的封装盖板打开，刮掉晶圆表面的透明硅脂；然后需要将IGBT晶圆表面涂黑，因为这样可以增加辐射系数，从而提高温度测试的准确度。
热成像法的优点是最高结温和热阻非常准确，可用于校验其他测试方法的准确性。
但是需要破坏器件，将IGBT模块拆开，特制IGBT黑模块，热成像法测试系统比较复杂，而且成本昂贵，在工程应用中并不多见。
1.3 热电偶法热电偶法是通过直接与IGBT模块的芯片接触而获取结温的方法。
热电偶法测量时对模块具有一定的破坏性，测量温度仅能反应热电偶附近的温度，不能获取整个IGBT芯片的温度，而且热电偶与芯片直接接触，也会导致测量结果与真实结温偏差较大。
检测IGBT模块的的办法
以两单元为例:用模拟万用表测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;
表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个
单元没有明显的故障.
动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400殴,把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的.
用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的.
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。
此时即可判断IGBT 是好的。
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
IGBT模块工作原理注意事项及检验方法一、IGBT模块工作原理：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）和BJT（Bipolar Junction Transistor）的特点。
它具有MOSFET的高输入阻抗和低控制电流特性，以及BJT的低导通电压和高开关速度特性。
IGBT模块由一组IGBT晶片和驱动电路组成。
当输入电压施加在控制端时，驱动电路产生合适的电压和电流信号，控制晶片的导通与关断。
在导通状态下，IGBT模块能够承受大电流和高电压，而在关断状态下，则能够实现较低的能耗。
控制阶段：控制信号施加在控制端，通过驱动电路控制IGBT晶片的导通与关断。
开关阶段：当控制信号将IGBT晶片导通时，由于其结构上的PN结，会使其导通电压下降，其中增加的电流主要由N型补偿垒区供应。
导通阶段：一旦IGBT模块导通，其阻抗降低，电流将大量通过。
在导通状态下，其阻抗几乎只取决于N型补偿区的电阻。
关断阶段：当控制信号将IGBT晶片关断时，PN结上的耗尽层扩展，致使导通层的蓄积区被移出，电流迅速减少。
二、IGBT模块注意事项：1.温度控制：IGBT模块在高负载情况下产生较大的热量，需要结合设计要求和工况要求，进行散热措施，以防止超温。
2.静电防护：IGBT晶片非常敏感，需要采取静电防护措施，如使用防静电工作台、穿着导电手套等。
3.输入电压限制：IGBT模块的输入电压有一定的限制范围，超过此范围可能导致损坏。
因此，在使用时需要注意输入电压的范围。
4.输入信号控制：控制端输入信号的电压和电流要在规定范围内，以保证IGBT模块的正常工作。
5.导通和关断速度：IGBT模块的导通和关断速度会影响其性能，因此需要选择合适的驱动电路和控制信号。
6.绝缘耐压：IGBT模块需要具备良好的绝缘性能，以保证在高压环境下的安全性能。
IGBＴ模块认证测试规范拟制: 张广文日期: 2０１1-０３-0７审核: 姜明日期：_______＿＿＿批准: 董瑞勇日期:_____＿_＿＿_ﻬ更改信息登记表规范名称:IGBT模块认证测试规范规范编码:评审会签区:ﻬ目录1、ﻩ目得ﻩ错误!未定义书签。
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7、3晶体管电特性测试...........................................................................错误!未定义书签。
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7、３、2 IＧＢT集－射极饱与压降VＣＥ(sａt）测试 ..............错误!未定义书签。
7、3、3 IGBT栅－射极阀值电压VＧE(th）测试ﻩ错误!未定义书签。
7、3、4 IGBT内置二极管正向压降ＶF测试 ...............................错误!未定义书签。
IGBT模块的测试方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种高性能的功率开关器件，主要用于交流电转直流电的变换和功率控制。
为了确保IGBT模块的正常运行和可靠性，需要进行相应的测试和检验。
1.外观检查：首先要对IGBT模块的外观进行检查，包括外壳是否完好，引脚是否弯曲或者损坏，有无明显的划痕或者焊接痕迹等。
如发现问题应及时处理或更换。
2.规格参数测试：对IGBT模块的规格参数进行测试，包括额定电压、额定电流、耐压、漏电流等参数的测试。
可以使用测试仪器如万用表、电桥等进行测试，确保IGBT模块符合规格要求。
3.电性能测试：通过测试IGBT模块的电性能来评估其性能指标。
包括静态工作特性测试、开关特性测试和动态电流特性测试等。
-静态工作特性测试：分别测量IGBT模块的输入电阻、输出电阻和反向漏极电阻。
可以利用电桥或者万用表进行测试。
-开关特性测试：测试IGBT模块的开关特性，包括导通电压降、截止电流、开启时间、关断时间等。
可以利用示波器和信号发生器等仪器进行测试。
-动态电流特性测试：测试IGBT模块在不同负载和工作频率下的电流响应能力。
可以通过施加正弦波或方波负载来进行测试。
4.温度测试：IGBT模块的工作温度是其可靠性和寿命的重要参数，需要进行温度测试。
可以使用红外测温仪或者热电偶进行测量，确保IGBT模块在规定的工作温度范围内。
5.保护功能测试：IGBT模块通常具有过流保护、过压保护、过温保护等功能，需要进行相应的保护功能测试。
可以通过模拟过流、过压、过温等情况来检验模块的保护功能是否正常。
除了以上测试方法，还需要注意以下几点：-测试环境：IGBT模块的测试环境应该干燥、无尘、温度适宜，避免灰尘和湿气对模块的影响。
-测试设备：使用高质量的测试设备和仪器，确保测试的准确性和可靠性。
-测试记录：进行测试时，应有详细的测试记录，包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息，便于后续分析和检查。
IGBT 模块的原理及测量判断方法IGBT 模块的原理及测量判断方法本文以介绍由单只IGBT 管子或双管做成的逆变模块及其有关测盈和判断好坏的方法。
场效应管有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大、电压与电流容量小的缺点。
而双极型器件恰怡有与之相反的特点，如电流控制、导通压降小、功率容里大等，二者复合，正所谓优势互补。
IGBT 管，或者IGBT 模块的由来，即基于此。
从结构上看，类似于我们熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP 型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。
放大能力是两管之积。
IGBT 管子的等效电路及符号如图1 所示。
常用IGBT 单、双管模块(CM200Y-24NF)的引脚功能如图2 所示。
在实践中，维护维修拆机前可对模块进行大致测且，初步判断其好坏。
以图3 为例,4,5,6 端子为变频器的U,V,W 输出端，22,24 分别为变频器内部直流主电路的P(+)端和N(-)端。
找到这5 个端子后，用数字或指针式万用表都可以测里了。
U,V,W 三端子都对P,N 端子有正、反向电阻。
在IGBT 管子正常的情况下，C,E 极之间电阻是无穷大的，只能侧出管子上并联的6 只二极管的正、反向电阻。
如果把4,5,6 端子看成三相交流输入端的话，六只二极管相当于一个三相整流桥电路，用侧食和判断二相整流桥的方法就可以了。
一、在线测量1．测量这个三相整流桥不正常，则为模块损坏了：2. 测量这个三相整流桥是正常的，还不能确定模块就是好的。
应打开变频器的主电路板，进行进一步的测量和验定tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。
仅供参阅！。
IGBT模块认证测试规范拟制：张广文日期： 2011-03-07审核：姜明日期：__________批准：董瑞勇日期：__________更改信息登记表规范名称：IGBT模块认证测试规范规范编码：评审会签区：目录1.目的 (6)2.范围 (6)3.定义 (6)4.引用标准 (8)5.测试设备 (8)6.测试环境 (9)7.测试项目 (9)规格参数比对 (9)封装结构测试 (10)7.2.1封装外观检查 (10)7.2.2封装外形尺寸测试 (11)基板平整度测试 (12)7.2.4封装内部结构测试 (13)晶体管电特性测试 (15)7.3.1集-射极耐压VCES测试 (15)7.3.2 IGBT集-射极饱和压降VCE(sat)测试 (16)7.3.3 IGBT栅-射极阀值电压VGE(th)测试 (17)7.3.4 IGBT内置二极管正向压降VF测试 (18)Ices和IR测试 (19)绝缘耐压测试 (21)高温电应力老化测试 (23)高低温老化测试 (24)NTC热敏电阻特性测试 (25)驱动波形测试 (26)7.9.1驱动波形质量测试 (26)7.9.2开通关断时间测试 (28)7.9.3驱动电压幅值测试 (30)7.9.4死区时间测试 (31)限流测试 (32)均流测试 (33)短路测试 (35)温升测试 (39)IGBT晶元结温测试 (42)8.数据记录及报告格式 (45)IGBT模块认证测试规范1.目的检验IGBT模块各项性能指标是否满足标准和产品设计要求。
本规范主要从IGBT 结构、电气性能、可靠性等方面全面评估IGBT模块各项性能指标。
2.范围本规范规定的IGBT模块性能测试方法，适用于英威腾电气股份有限公司IGBT模块器件选型认可及产品开发过程中IGBT模块单体性能测试。
3.定义绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)：是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
MOS管和IGBT模块的测试方法
MOS管（MOSFET）的测试方法:
场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.
另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别
（1）从包装上区分
由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量
用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.
2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚
一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为
由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.
简单方法检测IGBT模块的好坏：
l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ），这时 IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断 IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管（ P 一 MOSFET ）的好坏。
以两单元为例:用模拟万用表测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;
表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子,
显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个
单元没有明显的故障.
动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400殴,把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的.
用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的.
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。
此时即可判断IGBT 是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
