P+ PN结电容 MOS电容
§2-3 横向PNP管
双极集成电路中的基本器件 是NPN管,但在模拟电路中也往 往需要PNP管子,如运算放大器的 输入输出级的有源负载等都经常 使用PNP管。虽然PNP管的单管性 能不如NPN管,但仍然使电路的 性能得到了改善。横向PNP管的出 现,也促使了IIL电路的实现。
C 移速度。 是栅氧化层的单位面积的电容。 OX
式(3.2)就是NMOS器件工作在非饱和区的I-V特性, I D
与 V D S 呈平方律的关系。
如图,我们给出了不同的V G S 下,
根据式(3.2)得出的抛物线,表示
了器件产生的电流随 V G S 增大而增
加。通过计算偏导数很容易计算出
每条抛物线的极值均发生在
以NMOS晶体管为例,我们假设:0 V D S V G S V T H ,在
图中我们从半导体物理的角度出发进行一系列的推导,得到
I VVVV D K 2 ,W L 2
G S T H
D S2 D S
(3.2)
式中 K , 称为器件的跨导系数,
K C , n OX
(3.3)
称为低场电子迁移率,表示单位场强下电子的平均漂 n
一、衬底PNP管
1.集电区是整个电路的公
共衬底。
C
EB
2.其晶体管作用只发生在
纵向,各节面积较平坦, P+
发生区面积可以做的很
P N+
N–-epi
P+
大,所以工作电流可以 P-Sub
很大。
3.因为衬底作为集电区,故不存在有源寄生效应,故可不 用掩埋层。
4.基区电阻较大。
5.集电极串联电阻和集电结电容较大。