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模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。
2.减小；增大。
3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。
4.0.5；0.7；0.1；0.2。
5. 15V；9.7V；6.7V；1.4V；6V；0.7V。
6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。
2. ②；①。
3.①。
4.③。
5.③。
6.③。
三、1、2、5、6对； 3、4错。
思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=(10-0.7)/5.1×103≈1.82mA；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=14.3Ω。
再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[14.3/(14.3+25)]u i≈3.6sinωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。
(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥1.7V时VD1导通，VD2截止，u o=1.7V；当u i≤-1.7V时VD2导通，VD1截止，u o= -1.7V；当-1.7V≤ u i≤1.7V时VD1、VD2均截止，u o=u i。
故u o为上削顶下削底，且幅值为±1.7V的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图1.3.2(c)来表示。
当-0.5V<u i<0.5V时，VD1、VD2均截止，u o=u i。
当u i≥0.5V时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈1.42V。
同理，当u i≤-0.5V时，U om≈-1.42V。
图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。
因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。
截止。
1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；-0.7V<u i<8V时，u o=u i；u i<-0.7V时，u o=-0.7V。
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。
3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。
PN结的这种特性称为单向导电性。
4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。
6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。
7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。
8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。
9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。
（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。
（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
第一章 自测题五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∵45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。
试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。
解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。
(2)当1BB V V =时，因为60BB BEQBQ bV U I A R μ-==3CQ BQ I I mA β==9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQBQ bV U I A R μ-==，2311.3CC CESCQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====， 所以T 处于饱和状态2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。
【电子行业】模电模拟电子技术基础课后答案xxxx年xx月xx日xxxxxxxx集团企业有限公司Please enter your company's name and contentv第一章自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM＝200mW可得：U CE＝40V时I C＝5mA，U CE＝30V时I C≈6.67mA，U CE＝20V时I C＝10mA，U CE＝10V时I C＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、U O＝U CE＝2V。
2、临界饱和时U CES＝U BE＝0.7V，所以七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3u i和u o的波形如图所示。
tt1.4u i和u o的波形如图所示。
1.5u o的波形如图所示。
1.6I D＝（V－U D）/R＝2.6mA，r D≈U T/I D＝10Ω，I d＝U i/r D≈1mA。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8 I ZM＝P ZM/U Z＝25mA，R＝U Z/I DZ＝0.24～1.2kΩ。
1.9（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故当U I＝15V时，由于上述同样的原因，U O＝5V。
当U I＝35V时，U O＝U Z＝5V。
自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题1.C2.C3.C4.B5.B6.B7.D8.A9.A 10.A 11.A 12.B 13.B 14.B15.B三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大9.1K Ω 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题1.C2.D3.D4.D三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接，阻容，变压器，直接自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题1.D2.C3.A4.A5.C6.C7.B8.D三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大8.10mV9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级 中间级 输出级 偏置电路 13.差模信号 共模信号自测题五一、判断题1.错2.对3.对4.错5.对6.错二、单选题1.D2.A3.B三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零4.两输入端电位相等5.输入端无电流6.负反馈自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题1.D2.C3.D4.D5.C6.B7.A8.C三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题七一、判断题1.错2.错3.错4.错5.对6.错二、单选题1.B2.D3.C4.D5.D6.C三、填空题1.没有输入信号2.RC3.LC4.石英晶体5.电阻 电容6. ,2,1,0,2=n n π7.相位8.1>AF 9.AF ＝110.3自测题八一、判断题1.对2.对3.对4.错二、单选题1.D2.B3.A4.D三、填空题1.42.互补对称3.交越失真 甲乙4.78.5自测题九一、判断题1.对2.对3.错4.错5.对6.对二、单选题1.B2.B3.B4.B5.C6.D7.D8.B9.C三、填空题1.电源变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路2.将交流变为直流3.因电流过大而烧坏4.滤掉交流成分5.基准电压与采样电压之差6.0.457.越好8.反向击穿。
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
2010上学期模拟电子技术自测题一、选择题（从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中。
）1、N型半导体中的多数载流子是（ A ）A．自由电子 B．空穴 C．正离子2、要使放大电路的输出电压稳定，输入电阻增大，应引入（ B ）负反馈。
A．电压并联B．电压串联C．电流串联3、某晶体管，测得电流I1=1.53mA，I2=1.5mA，I3=0.03mA，则可判断出三个电极为( A )A．(1)为e极，(2)为c极，(3)为b极B．(1)为c极，(2)为e极，(3)为b极C．(1)为b极，(2)为c极，(3)为e极4、选用差分放大电路的原因是( CD )A．稳定放大倍数 B．提高输入电阻C．抑制温漂 D．抑制零点漂移5、对于共模抑制比K CMR，以下说法正确的是( BC )A．K CMR越大则电路的放大倍数越稳定B．K CMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强C．K CMR越大则电路抑制温漂能力越强D．K CMR越大则电路输入信号中差模成分越大6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有（ABC ）。
A.电源电压不稳定B.晶体管的老化C.晶体管参数受温度影响7、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为20dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( BC )A．200倍B．100倍C．40db D．30db8、理想运放构成电路如图1所示,则( B )A．u i>u o B．u i=u o C．u i<u o D．u i= -u o图19、PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ A ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能10、互补输出级采用共集形式是为了使（ C ）A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强11、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ A ）A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路12、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ C ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能13、当信号频率等于放大电路的截止频率f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）A. 0.5 倍B. 0.7 倍C. 0.9 倍D. 2倍14、在NPN管组成的共射放大电路中，当输入5mV/10kHz的正弦波时，输出电压波形出现了底部削平的现象，这种失真是（ A ）A．饱和失真 B.截止失真 C．频率失真15、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( AD ) A．1000倍 B．400倍 C．400 dB D．60 dB16、共集电极放大电路的特点是( AB )A.输入电阻高B.输出电阻小C.电压放大倍数大17、乙类功放电路，因静态工作点不合适引起的失真为( C )。
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；假设掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单项选择题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，I CBO增大，导通电压U BE 减小。
第1章习题一、填空题：1. N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素构成。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2. 双极型三极管内部分有基区、发射区和集电区三个区，发射结和集电结两个PN结，从三个区向外引出三个铝电极。
3. PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，电阻很小，多子扩散形成较大的正向电流，PN结导通；PN结反向偏置时，其内、外电场方向相同，电阻很大，少子漂移形成很小的反向电流，PN结几乎截止。
PN结的这种特性称为单向导电性。
4. 二极管的伏安特性曲线划分为四个区，分别是死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
5. 用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都极小时，说明该二极管已经老化不通。
6. BJT中，由于集电极大电流i c受基极小电流i b控制，属于电流控制型器件；FET 中，由于漏极大电流i D受栅源电压u Gs控制，属于电压控制型器件。
7. 温度升高时，PN结内电场增强，造成二极管正向电压减小，反向电压增大。
8. 稳压管正常工作时应在反向击穿区；发光二极管正常工作时应在正向导通区；光电二极管正常工作应在反向截止区。
9. 晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
10. 晶闸管既有单向导电的整流作用，又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时，门控极也要有正向触发电压，关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
二. 判断下列说法的正确与错误：1. 半导体中自由电子是带负电的离子，空穴是带正电的离子。
（错）2. 晶体管和场效应管都是由两种载流子同时参与导电。
（错）3. 用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10k档位。
（错）4. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。
（对）5. 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（对）7. 二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（错）8. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可改变成P型半导体。
（对）9. 场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。
（对）10. 双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）11. 只要晶闸管门极上加正向触发电压，晶闸管就会导通。
（错）12. 晶闸管触发脉冲与主电路不需要同步。
（错）三．单项选择题：1. 单极型半导体器件是（C）。
A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价B、四价C、五价D、六价3. 特殊二极管中，正常工作时是在反向击穿区的是（A）。
A、稳压二极管B、发光二极管C、光电二极管D、变容二极管4. 用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1kΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断5. PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散B、少子扩散C、少子漂移D、多子漂移6. 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区7. 绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大B、较小C、为零D、无法判断8. 正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波B、等腰三角波C、正弦半波D、仍为正弦波9. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于（B）；少子的浓度则受（A）的影响很大。
A、温度B、掺杂浓度C、掺杂工艺D、晶体缺陷10. 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（B）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏四．简答题：1. N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。
上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。
因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。
2. 某人用测电位的方法测出放大电路中晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，其中管脚③电位高于管脚②，管脚①电位最高，符合NPN 管的放大电路中集电极电位最高，发射极电位最低的原则，因此判断该管是NPN 型硅管。
其中管脚③是基极，管脚②是发射极，管脚①是集电极。
3. 齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏？为什么？答：齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿，其过程可逆，只要控制使其不发生质变引起热击穿，一般不会造成二极管的永久损坏。
4. 图1.44所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u o 的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管VD 导通，u o =u i ，当u i <E 时，二极管截止时，u o =E 。
所以u o 的波形图如下图所示：5.PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。
因为，根据三极管的内部结构条件，基区很薄，只能是几个微米，若将两个二极管背靠背连接在一起，其基区太厚，即使是发射区能向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续扩散到集电区，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。
6. 如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。
因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7. 有A 、B 、C 三个二极管，测得它们的反向电流分别是2μA 、0.5μA 和5μA ，在外加相同的电压时，电流分别是10mA 、30mA 和15mA 。
比较而言，哪个二极管的性能最好？答：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性能越好，所以综合来看，B 管的性能最好。
8. 晶闸管与普通二极管、普通三极管的导通和截止的条件有什么不同？答：普通二极管正向偏置时导通，反向偏置时截止；普通三极管只要发射结正向偏置t图1.44VD就会导通，发射结反向偏置或正向电压小于死区电压时均可截止；晶闸管加正向电压且门极有同步触发时导通，当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到小于维持电流I H 时，晶闸管也会自动关断。
9. 晶闸管可控整流电路中采用何种触发方式？为什么？答：实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发”。
只有当触发脉冲与主电路电压同步时，在晶闸管承受的正半周电压范围内，门控极才能获得一个时刻相同的正向触发脉冲，晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用。
因此，晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发，否则由于每个正半周的控制角不同，输出电压就会忽大忽小发生波动，从而产生失控现象。
五. 计算分析题：1. 在图1.45所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试对应u i 画出各输出电压u o 的波形。
解：（a ）图：当u i >-E 时，VD 导通，u o =u i +E ；当u i <-E 时，VD 截止，u o =0。
图（b ）：当u i <E 时，VD 导通，u o =u i ；当u i >E 时，VD 截止，u o =E 。
图（c ）：当u i <-E 时，VD 导通，u o =-E ；当u i >-E 时，VD 截止，u o =u i 。
2.U 及电流I 的大小。
图1.45（a ）（b ）o（c ）（a ）图 （b ）图解：（a ）图中，VD 导通，U 钳位在-5V ，I =[5-（-5）]/10=1mA ； （b ）图中，VD 截止，U 钳位在5V ，I =0；（c ）图中，VD 导通，U 钳位在5V ，I =[5-（-5）]/10=1mA ； （d ）图中，VD 截止，U 钳位在-5V ，I =0。
3. 同理想二极管构成的电路如图1.47所示，求图中电压U 及电流I 的大小。
解：图（a ）中，输入端+3V 与电源-5V 之间电位差大首先使VD 2导通，U 被钳位在3V ，使VD 1反偏截止，I =[3-(-5)]/1=8mA ；图（b ）中，+5V 电源与+1V 输入端之间电位差大首先使VD 1导通，U 被钳位在1V ，使VD 2反偏截止，I =(5-1)/1=4mA.4在图1.48所示的电路图中，已知U S ＝5V ，t u ωsin 10=V ，其中VD 为理想二极管，试在输入波形的基础上画出u R 和u D 的波形图。
解：当u >U S 时，VD 导通，u R =u -U S ；u D =0 当u <U S 时，VD 截止，u R =0，u D =u -U S 波形图如右图所示。
5. 稳压管的稳压电路如图1.49所示。
已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，最小稳定电流图1.46（a ）U（b ）U（c ）U（d ）U图1.47（a ）（b ）＋＋R图1.48I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW ，试求电路中的限流电阻R 的取值范围。
解：由题可计算出稳压管的最大稳定电流流过稳压管的电流应满足zmax z zmin I I I <<，又因R 的取值范围：Ω<< 1.8k R k Ω36.0 6. 测得某电路中晶体三极管的三个电极对地电位分别是：V 1＝4V ，V 2＝3.4V ，V 3＝9.4V ，判断该管的类型及三个电极。
如果测得另一管子的三个管脚对地电位分别是V 1＝－2.8V ，V 2＝－8V ，V 3＝－3V ，判断此管的类型及三个电极。
