模电自测题

《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。

2.减小；增大。

3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。

4.0.5；0.7；0.1；0.2。

5. 15V；9.7V；6.7V；1.4V；6V；0.7V。

6.大；整流。

二、1.①；⑤；②；④。

2. ②；①。

3.①。

4.③。

5.③。

6.③。

三、1、2、5、6对； 3、4错。

思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=(10-0.7)/5.1×103≈1.82mA；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=14.3Ω。

再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[14.3/(14.3+25)]u i≈3.6sinωt(mV)。

1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。

(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。

1.3.3 当u i≥1.7V时VD1导通，VD2截止，u o=1.7V；当u i≤-1.7V时VD2导通，VD1截止，u o= -1.7V；当-1.7V≤ u i≤1.7V时VD1、VD2均截止，u o=u i。

故u o为上削顶下削底，且幅值为±1.7V的波形(图略)。

1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图1.3.2(c)来表示。

当-0.5V<u i<0.5V时，VD1、VD2均截止，u o=u i。

当u i≥0.5V时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈1.42V。

同理，当u i≤-0.5V时，U om≈-1.42V。

图略。

1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。

因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。

截止。

1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；-0.7V<u i<8V时，u o=u i；u i<-0.7V时，u o=-0.7V。

第一章 自测题五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∵45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。

试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。

解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。

(2)当1BB V V =时，因为60BB BEQBQ bV U I A R μ-==3CQ BQ I I mA β==9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。

(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQBQ bV U I A R μ-==，2311.3CC CESCQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====， 所以T 处于饱和状态2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。

A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。

A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。

A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。

3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 性能。

6．三极管最重要的特性是 。

8．场效应晶体管属于 控制器件。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管 11.N沟道增强型 12.P沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（）be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。

（）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。

A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（）。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题1.C2.C3.C4.B5.B6.B7.D8.A9.A 10.A 11.A 12.B 13.B 14.B15.B三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大9.1K Ω 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题1.C2.D3.D4.D三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接，阻容，变压器，直接自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题1.D2.C3.A4.A5.C6.C7.B8.D三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大8.10mV9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级 中间级 输出级 偏置电路 13.差模信号 共模信号自测题五一、判断题1.错2.对3.对4.错5.对6.错二、单选题1.D2.A3.B三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零4.两输入端电位相等5.输入端无电流6.负反馈自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题1.D2.C3.D4.D5.C6.B7.A8.C三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题七一、判断题1.错2.错3.错4.错5.对6.错二、单选题1.B2.D3.C4.D5.D6.C三、填空题1.没有输入信号2.RC3.LC4.石英晶体5.电阻 电容6. ,2,1,0,2=n n π7.相位8.1>AF 9.AF ＝110.3自测题八一、判断题1.对2.对3.对4.错二、单选题1.D2.B3.A4.D三、填空题1.42.互补对称3.交越失真 甲乙4.78.5自测题九一、判断题1.对2.对3.错4.错5.对6.对二、单选题1.B2.B3.B4.B5.C6.D7.D8.B9.C三、填空题1.电源变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路2.将交流变为直流3.因电流过大而烧坏4.滤掉交流成分5.基准电压与采样电压之差6.0.457.越好8.反向击穿。

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

2010上学期模拟电子技术自测题一、选择题（从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中。

）1、N型半导体中的多数载流子是（ A ）A．自由电子 B．空穴 C．正离子2、要使放大电路的输出电压稳定，输入电阻增大，应引入（ B ）负反馈。

A．电压并联B．电压串联C．电流串联3、某晶体管，测得电流I1=1.53mA，I2=1.5mA，I3=0.03mA，则可判断出三个电极为( A )A．(1)为e极，(2)为c极，(3)为b极B．(1)为c极，(2)为e极，(3)为b极C．(1)为b极，(2)为c极，(3)为e极4、选用差分放大电路的原因是( CD )A．稳定放大倍数 B．提高输入电阻C．抑制温漂 D．抑制零点漂移5、对于共模抑制比K CMR，以下说法正确的是( BC )A．K CMR越大则电路的放大倍数越稳定B．K CMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强C．K CMR越大则电路抑制温漂能力越强D．K CMR越大则电路输入信号中差模成分越大6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有（ABC ）。

A.电源电压不稳定B.晶体管的老化C.晶体管参数受温度影响7、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为20dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( BC )A．200倍B．100倍C．40db D．30db8、理想运放构成电路如图1所示,则( B )A．u i>u o B．u i=u o C．u i<u o D．u i= -u o图19、PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ A ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能10、互补输出级采用共集形式是为了使（ C ）A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强11、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ A ）A．共射放大电路 B. 共集放大电路 C．共基放大电路12、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ C ）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D.以上都有可能13、当信号频率等于放大电路的截止频率f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）A. 0.5 倍B. 0.7 倍C. 0.9 倍D. 2倍14、在NPN管组成的共射放大电路中，当输入5mV/10kHz的正弦波时，输出电压波形出现了底部削平的现象，这种失真是（ A ）A．饱和失真 B.截止失真 C．频率失真15、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为40dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( AD ) A．1000倍 B．400倍 C．400 dB D．60 dB16、共集电极放大电路的特点是( AB )A.输入电阻高B.输出电阻小C.电压放大倍数大17、乙类功放电路，因静态工作点不合适引起的失真为( C )。

模拟电子技术自测题一一.填空题：(20分)1. PN结伏安特性方程为I=_____________________。

2.高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN结存在___________(A. 结电容B. 反向击穿C. 单向导电性)。

3.温度升高时，二极管的正向导通压降将。

(A.增大B. 减小C. 不变)4.单管共射电路当输入正弦波信号幅度很大时，输出信号波形可能产生_______和_________失真（A 饱和B 截止C 交越D 频响）。

5.放大器为了稳定放大倍数，可以引入______(A.交流 B.直流)。

6.100μV～10V范围内的音频信号, 经过_____(A.对数B.指数C.乘法)运算电路处理后，可以用0V～10V范围的电压表反映。

二．分析计算题：1．(18分)图示单管共射电路中，已知晶体管β=100，rbb'=200，（1）求ICQ ,UCEQ（2）求rbe(3) 画出微变等效电路(4) 求Au，Ri4．(10分)图示放大电路中，试求电压放大倍数Au （Au=21Ui Ui Uo -）参考答案一． 填空题：1．)1(/-=T U U S e I I1．A2．B3．A B4．A5．A6．C二．分析计算题1．（1）I CQ =2mA, U CEQ =3.32V （2）r be =1.3k （3）（4）Au=-163，Ri=1.3k ，Ro=4.3k4．Au=21Ui Ui Uo -=1+R4/R3模拟电子技术自测题二一.填空题：(20分)1. 温度升高时，三极管的β将要。

(A.增大B. 减小C. 不变)2. 多级放大器的级间耦合方式有_____________ 、_______________和____________________等三种。

3. 如果测得三极管的三个引脚电压分别为U1=0.7V, U2=0V , U3=5V, 则引脚1,2,3分别为___、____和_____极。

模电考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^1B. 10^2C. 10^3D. 10^5 至 10^6答案：D3. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可放大性答案：B4. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的增益带宽积D. 有限的电源电压答案：C5. 在模拟电路设计中，以下哪个不是噪声的来源？A. 电源B. 电阻C. 运算放大器D. 外部电磁干扰答案：B6. 一个二阶低通滤波器的截止频率是1kHz，若要将其转换为高通滤波器，其截止频率将如何变化？A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：A7. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 差模抑制与共模增益的比值D. 共模增益与差模增益的比值答案：B8. 一个理想二极管的正向导通电压是多少？A. 0VB. 0.7VC. 1.5VD. 3.3V答案：B9. 在模拟电路设计中，以下哪个不是电源管理的考虑因素？A. 电源纹波B. 电源效率C. 电源稳定性D. 电源的频率响应答案：D10. 什么是增益带宽积（GBW）？A. 放大器的增益与带宽的乘积B. 放大器的增益与截止频率的比值C. 放大器的带宽与截止频率的比值D. 放大器的增益与截止频率的乘积答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的基本应用之一——非反相放大器的工作原理。

答案：非反相放大器是一种基本的运算放大器应用，其工作原理基于运算放大器的虚短和虚断特性。

在非反相放大器中，输入信号被连接到运算放大器的非反相输入端，输出信号则从运算放大器的输出端获得。

由于运算放大器的高增益，输出信号是输入信号的线性放大版本，其增益由反馈电阻和输入电阻的比值决定。

模电自测练习题（A）一、填空二极管1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。

导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。

P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。

N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。

半导体中的空穴带正电。

9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。

10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。

11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。

按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。

12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。

13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，其工作温度较低。

2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。