电阻、电容和电感的选型指南20100820

1、铝电解电容作为储能元件。

因此，电解电容的选型要关注以下特性：容量，耐压，温度范围，元件封装形式与尺寸;纹波电流、纹波电压；漏电流、ESR、散逸因数、阻抗/频率特性；电容寿命;实际需要、性能和成本等综合考量。

2、电解电容选型参数选型规则：电压参数选型规则:实际电路工作电压乘以1。

5倍，在此基础上向上选取最近一个通用电压.例如：电路为5V,则降额后需要耐压7。

5V,最终选择额定电压10V。

温度参数选型规则：温度范围选型需要依据产品热设计及使用环境确定;对于室内产品，温度范围可以在—25℃～105℃,对于室外产品，推荐-40℃～105℃必要时选用125℃。

3、铝电解电容的特点3。

1铝电解电容器的卷绕结构及简图电解电容包含两个导电电极，中间有绝缘层隔开.一个电极(阳极)由扩大了表面积的铝箔形成。

铝氧化层（AL2O3）在其表面形成绝缘层。

与其它电容相比，铝电解电容的负极(阴极)是导电液体,称作电解液。

另外一个铝箔，是所谓的阴极箔,其有更大的表面积,以传递电流到电解液。

电容的阳极是极纯的铝箔，其有效表面被极大地增大（比例可以到200倍)，增大方式是一个电化学腐蚀过程,这样可以使电容到最大容量。

化学腐蚀的方式以及程度过程不同,决定于其不同要求。

铝电解电容器的主要生产原材料为:阳极箔、阴极箔、电解纸、电解液、导箔、胶带、盖板、铝壳、套管、垫片等,其生产工序主要有:切割、卷绕、含浸、装配、老化、封口、印刷、套管、测量、包装、检验等，以下为其主要生产工艺图：电解电容的结构和原理决定了其有一下特点：优点:容量大、耐压高、价格便宜;缺点:漏电流大、误差大、稳定性差、寿命随温度的升高下降很快。

数字电路中使用的铝质电解电容一般用于电源平滑滤波，除容量、耐压、容量误差、工作温度、封装尺寸等熟知的参数外,还有几个有关电容器品质的重要参数,包括损耗角正切、漏电流、等效串联电阻ESR、允许的纹波电流、使用寿命等。

这些参数不标在成品封装外皮上,只在产品规格书中体现的，但这些参数有可能是关系电路性能的关键。

电阻：由于表贴元件具有低寄生参数的特点，因此，表贴电阻总是优于有引脚电阻。

对于有引脚的电阻，应首选碳膜电阻，其次是金属膜电阻，最后是线绕电阻。

由于在相对低的工作频率下（约MHz数量级），金属膜电阻是主要的寄生元件，因此其适合用于高功率密度或高准确度的电路中。

线绕电阻有很强的电感特性，因此在频率敏感的应用中不能用它。

它最适合用在大功率处理电路中。

在放大器的设计中，电阻的选择非常重要，在高频环境下，电阻的阻抗会因为电阻的电感效应而增加。

因此，增益控制电路的位置应该尽可能的靠近放大器电路以减少电路板的电感。

在上拉/下拉电阻的电路中，晶体管或集成电路的快速切换会增加上升时间。

为了减小这个影响，所有的偏置电阻必须尽可能靠近有源器件及他的电源和地，从而减少PCB连线的电感。

在稳压或参考电路中，直流偏置电阻应尽可能的靠近有源器件以减轻去耦效应（即改善瞬态响应时间）。

电容：由于电容种类繁多，性能各异，选择合适的电容并不容易。

但是电容的使用可以解决许多EMC问题。

铝质电解电容通常是在绝缘薄层之间以螺旋状态缠绕金属箔而制成的，这样可在单位体积内得到较大的电容值，但也使得该部分的内部感抗增加。

钽电容由一块带直板和引脚连接点的绝缘体制成，其内部感抗低于铝电解电容。

陶制电容的结构是在陶瓷绝缘体中包含多个平行的金属片。

其主要寄生为片结构的感抗，并且通常这将在低于MHz的区域造成阻抗。

绝缘材料的不同频率响应特性意味着一种类型的电容会比另一种更适合于某种应用场合。

铝电解电容和钽电解电容适用于低频终端，主要是存储器和低频滤波器领域。

在中频范围内（从KHz到MHz），陶质电容比较适合，常用于去耦电路和高频滤波。

特殊的低损耗陶质电容和云母电容适合于甚高频应用和微波电路。

为了得到最好的EMC特性，电容具有低的ESR（equivalentseriesresistance,等效串联电阻）值是很重要的，因为它会信号造成大的衰减，特别是在应用频率接近电容谐振频率的场合。

电路设计时对电阻、电容、电感优先选用标称值在新产品设计时除保证性能指标外，同时要兼顾制造工艺性，在产品设计工艺性审核时，其中有一个指标是：产品电路继承系数：K C=（产品所用标准电路+借用电路）/电路图中电路总数。

就是说在我们选用电子元件标称值时也要尽量选用常用的值。

这样作有利于物料采购同时也有利于自动化生产。

下表是国内常用的电阻、电容、电感等元件标称值系列：精密元件还有E48（±2%）、E96（±1%）、E192（±0.5%）标称值系列。

电子元件的标称值应该符合系列规定的数值，并用系列数值乘以10n(n 为整数)。

在电路设计中：电阻、电容、电感等元件在电路性能允许的情况下不管精度要求多高尽量选用E6系列。

当你选用的元件误差为±20%时只能从E6系列里选取，如大容量的电解电容。

例如，电阻、电容、电感你选用的精度无论是±1%、±5%、±10%应优先选用E6系列然后是E12系列、E24系列；电阻如选：1.0Ω、10Ω、100Ω、1KΩ、10KΩ、100KΩ、1MΩ、10 MΩ…。

1.5Ω、15Ω、150Ω、1.5 KΩ、15 KΩ、150 KΩ、1.5 MΩ…。

2.2Ω、22Ω、220Ω、2.2 KΩ、22 KΩ、220 KΩ、2.2 MΩ…。

3.3Ω、33Ω、330Ω、3.3 KΩ、33 KΩ、330 KΩ、3.3 MΩ…。

4.7Ω、47Ω、470Ω、4.7 KΩ、47 KΩ、470 KΩ、4.7 MΩ…。

6.8Ω、68Ω、680Ω、6.8 KΩ、68 KΩ、680 KΩ、6.8 MΩ…。

当以上数值满足不了设计要求时再从E12系列优选.可选:1.2Ω、12Ω、120Ω、1.2 KΩ、12 KΩ、120 KΩ、1.2 MΩ…。

1.8Ω、18Ω、180Ω、1.8 KΩ、18 KΩ、180 KΩ、1.8 MΩ…。

2.7Ω、27Ω、270Ω、2.7 KΩ、27 KΩ、270 KΩ、2.7 MΩ…。

1．贴片电容C：100nF/ 50V X7R +/-10% 0805, -55℃到+125℃>100nF / 25V X5R +/-10% 0805，+10℃---+85℃一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装DC="50V"DC="100V"08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装DC="50V"DC="100V"0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

电容、电阻、电感的标称值，该如何选取？答；此类问题技术含量一般，阅读者不多，比起八挂差得不是一星半点。

下面就此问题本人尽力回答一下，我从早晨开始，到下午3点钟才完成回答，自己感觉在头条上己经精疲力尽，效果不一定好。

本人准备离开这个悟空问答，过自己的随心所欲很自由自在的简单生活。

首先简单说一下电容的标称值；它是电容器上标注的该电容的各种参数，标准单位是F（法拉），常用的其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF），由于单位F 的容量太大，所以人们平时看到的一般都是μF、nF、pF的单位.换算关系：1F＝1000000μF,1μF=1000nF=1000000pF。

还有允许误差（表示标称容量与实际容量之差，再除以标称值所得的百分比。

通常电容器的允许误差分别8个等级）。

耐压值；它指电容容在电路中长期有效工作而不会被击穿所能承受的最大交直流电压。

电容的耐压值与制造时所用的介质材料有关。

值得注意的是电容在电路中实际承受的电压切不可超过其耐压值，否则电容器会被击穿损坏，甚至出现爆裂。

在滤波电路中耐压值不可小于交流有效值的√2倍，此外使用电解电容时，尤其注意其正、负极不可接错。

不同电路中，应选用不同类型的电容器。

对于电源滤波和放大器中耦合、退耦电路，选用电解电容器。

对于高频电路和高压电路，选用瓷介电容和云母电容器。

对于谐振电路，宜用云母电容、陶瓷电容器和有机薄膜电容器。

对于隔直电路，最好选用涤纶电容、云母和陶瓷电容器。

对于谐振回路可选用空气电容、云母电容、高频陶瓷电容、小型密封可变电容器等。

一般都标注在电容器上。

它有二种标识法，一种为直读标识，另一种为颜色标识法（黑o、棕1.、红2、橙3、黄4、绿5、蓝6、紫7、灰8、白9）。

常用电容分为高频旁路电容、低频旁路电容、滤波电容、可变电容、高频耦合电容、低频耦合电容等等。

在要求不高的电路中，通常无需考虑电容器的允许误差。

但对于振荡电路和延时电路，它就要考虑允许误差尽可能小于5％以下。

电感选取指南器件选型是硬件工程师的基本工作，本文主要从电感的工艺和应用出发，介绍电感如何选型。

一、电感的基本原理电感，和电容、电阻一起，是电子学三大基本无源器件；电感的功能就是以磁场能的形式储存电能量。

以圆柱型线圈为例，简单介绍下电感的基本原理如上图所示，当恒定电流流过线圈时，根据右手螺旋定则，会形成一个图示方向的静磁场。

而电感中流过交变电流，产生的磁场就是交变磁场，变化的磁场产生电场，线圈上就有感应电动势，产生感应电流：电流变大时，磁场变强，磁场变化的方向与原磁场方向相同，根据左手螺旋定则，产生的感应电流与原电流方向相反，电感电流减小；电流变小时，磁场变弱，磁场变化的方向与原磁场方向相反，根据左手螺旋定则，产生的感应电流与原电流方向相同，电感电流变大。

以上就是楞次定律，最终效果就是电感会阻碍流过的电流产生变化，就是电感对交变电流呈高阻抗。

同样的电感，电流变化率越高，产生的感应电流越大，那么电感呈现的阻抗就越高；如果同样的电流变化率，不同的电感，如果产生的感应电流越大，那么电感呈现的阻抗就越高。

所以，电感的阻抗于两个因素有关：一是频率；二是电感的固有属性，也就电感的值，也称为电感。

根据理论推导，圆柱形线圈的电感公式如下：可以看出电感的大小与线圈的大小及内芯的材料有关。

实际电感的特性不仅仅有电感的作用，还有其他因素，如：绕制线圈的导线不是理想导体，存在一定的电阻；电感的磁芯存在一定的热损耗；电感内部的导体之间存在着分布电容。

因此，需要用一个较为复杂的模型来表示实际电感，常用的等效模型如下：等效模型形式可能不同，但要能体现损耗和分布电容。

根据等效模型，可以定义实际电感的两个重要参数。

自谐振频率(Self-Resonance Frequency)由于Cp的存在，与L一起构成了一个谐振电路，其谐振频率便是电感的自谐振频率。

在自谐振频率前，电感的阻抗随着频率增加而变大；在自谐振频率后，电感的阻抗随着频率增加而变小，就呈现容性。

电感的参数与选型时间:2010-08-28 01:32来源:互联网作者:点击:次一、电感参数我们首先看一下电感元件的主要参数。

见表1。

表1 电感元件的主要参数国半专家谈如何为便携式系统选择电感元件设计人员在考虑无源器件时，他们想到的是电感电容的生产容限，一般为± 20% 或±10%。

这在理论上是对的，但在实际应用中却不然。

本文介绍电容电感易受影响的一些参数以及系统设计人员必须了解的知识，并讨论如何为最小但最高效的便携式电源系统解决方案选择外部元件。

二、选择电感为便携式电源应用选择电感，需要考虑的最重要的三点是：尺寸大小、尺寸大小，第三还是尺寸大小。

移动电话的电路板面积十分紧俏珍贵，随着MP3 播放器、电视和视频等各种功能被增加到电话中时，尤其如此。

功能增加也将增加电池的电流消耗量。

因此，以前一直由线性调节器供电或直接连接到电池上的模块需要效率更高的解决方案。

实现更高效率解决方案的第一步是采用磁性降压转换器。

正如其名称所暗示的，这时需要一个电感。

电感的主要规格除尺寸大小外，还有开关频率下的电感值、线圈的直流阻抗(DCR)、额定饱和电流、额定rms电流、交流阻抗(ESR)以及Q因子。

根据应用的不同，电感类型的选择――屏蔽式或非屏蔽式――也是很重要的。

类似于电容中的直流偏置，厂商A的2.2μH电感可能与厂商B的完全不同。

在相关温度范围内电感值与直流电流的关系是一条非常重要的曲线，必需向厂商索取。

在这条曲线上可以查到额定饱和电流(ISAT)。

ISAT一般定义为电感值降量为额定值的30%时的直流电流。

某些电感生产商没有规定ISAT。

他们可能之给出了温度高于环境温度40 ?C时的直流电流。

DCR引起传导损耗，在输出电流较高时影响效率。

ESR随工作频率的提高而增加，在输出电流较小时影响占主导地位的开关损耗。

ESR与Q因子成正比。

相同频率下，低ESR电感的Q因子更高。

在电感满足所有其它规格时，为什么系统设计人员还应考虑ESR和Q因子呢？当开关频率超过2MHz时，必需格外关注电感的交流损耗。

电路中的电容器与电感器选型与应用电容器和电感器是电子电路中常见的被动元件，它们在电路设计和实际应用中扮演着重要的角色。

正确选型和应用这两种元件，对于电路的性能和稳定性起着至关重要的作用。

本文将就电容器和电感器的选型与应用进行探讨，介绍一些基本概念、选型方法以及应用实例。

一、电容器的选型与应用电容器是一种存储电荷的元件，可以用来储存和释放电能。

在电子电路中，电容器广泛应用于滤波、耦合、时序控制以及存储电能等方面。

为了选取合适的电容器，我们需要考虑以下几个因素：1. 电容值：电容值是电容器最为重要的指标之一。

通常使用法拉(F)或微法(F)作为单位来表示。

电容值的大小决定了电容器所能存储的电荷量，因此需要根据具体电路要求来选择合适的电容值。

2. 电压等级：电容器的电压等级是指电容器所能承受的最大工作电压。

在选取电容器时，需要确保其电压等级高于电路中的最大工作电压，以避免发生电压过大破损电容器或损坏电路的情况。

3. 介质类型：电容器的介质类型决定了其性能和适用环境。

常见的介质类型有电解型、陶瓷型和聚合物型等。

电解型电容器具有较大的电容值和较高的工作电压，适用于大电容值和较高电压的应用。

陶瓷型电容器则适用于高频和精密电路，聚合物型电容器则适用于小型和高密度电路。

4. 尺寸与结构：电容器的尺寸与结构需要根据实际应用场景来进行选取。

在空间受限的情况下，需要选择体积小、尺寸紧凑的电容器。

此外，不同结构的电容器还会对其频率响应、ESR值和寿命等性能产生影响，需根据具体要求选择合适的结构类型。

电容器的应用非常广泛。

例如，在电源滤波电路中，电容器被用来滤除电源中的高频杂波，提供稳定的直流电压。

在调整电路的时间常数方面，电容器可以与电阻串联或并联，实现不同的时间常数。

此外，电容器还常用于振荡电路、脉冲电路、存储电路等应用中。

二、电感器的选型与应用电感器是一种存储磁能的元件，具有阻挡交流信号和传导直流信号的特性。

在电子电路中，电感器常用于滤波、耦合、调整电路频率等方面。

常用元器件选型指南在电子产品的设计和制造过程中，元器件的选择是至关重要的。

合适的元器件能够确保产品的性能稳定和可靠性，同时也对成本和制造周期产生重要影响。

以下是一些常用元器件的选型指南，帮助您在设计中做出明智的选择：1.电容器电容器用于储存和释放电荷，是电子电路中常见的元器件。

在选型时，需要考虑以下几个方面：-容值：根据电路需求选择合适的容值，一般应预留一定的余量。

-电压等级：应该选择比电路中最高电压高一些的电容器，以确保电容器能够正常工作。

-介质类型：有钽电解、铝电解、陶瓷等不同的介质可供选择，根据应用场景来决定。

-ESR：等效串联电阻，选择较低的ESR可提高电容器的效果。

2.电阻器电阻器用于限制电流、分压等功能。

在选型时应考虑以下几个方面：-阻值：根据电路需求，选择适当阻值的电阻器。

-功率：根据电阻器在电路中的功率消耗来选择适当的功率等级。

-精度：高精度电路应选择精度较高的电阻器。

-温度系数：选择温度系数较小的电阻器。

3.二极管二极管是允许电流在一个方向上流动的器件，具有整流和开关功能。

在选型时需考虑以下几个方面：-正向电压降：根据电压降的大小选择适当的二极管。

-最大正向电流：根据电路中的最大电流来选择合适的二极管。

-反向损耗：选择反向损耗较小的二极管可提高效率。

- 反向恢复时间(Trr)：根据需求选择反向恢复时间较短的二极管。

4.三极管三极管广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。

在选型时需考虑以下几个方面：-集电极最大电压：选择比电路中最大电压高一些的三极管。

-集电极最大电流：根据电路中的最大电流来选择合适的三极管。

-功率：根据三极管在电路中的功率消耗来选择适当的功率等级。

-增益：根据电路需求选择合适的放大倍数。

5.微控制器微控制器是一种高度集成的芯片，包含了中央处理器、内存、输入/输出接口等功能。

在选型时需考虑以下几个方面：-存储空间：根据应用需求选择合适的存储空间。

-处理器性能：根据应用需求选择合适的处理器速度和性能。

精密电阻电容电感选型手册,Resistor 电阻Automotive GradeNew Resistance TCR Product Type Series SPEC Tolerance Size Product Range (ppm/?)Automotive Grade ThinFilm Precision Chip 0402/0603/0805Resistor AR..A 10Ω~1MΩ ?0.05%~?1% 25/50 1206/1210 汽车等级高精密薄膜芯片2010/2512电阻Automotive Grade Chip 0402/0603/0805/1206 Resistor CR..A1Ω~100MΩ ?0.1%~?5%, 100/200/400 1210/2010/2512 汽车等级厚膜芯片电阻Automotive GradeAnti-Sulfurated Chip 0402/0603/0805/1206 AS..A1Ω~10MΩ ?0.5%,?1%,?5% 100/200 Resistor 1210/2010/2512汽车等级抗硫化芯片电阻Automotive Grade Current 0402/0603/0805Sensing Chip Resistor 100/150/200 1206/1210/2010 CS..A3mΩ~8000mΩ ?1%,?2%,?5% 汽车等级电流感应芯片电300/400/6002512/1225/3720阻 7520 Thin filmNew Resistance TCR Product Type Series SPEC Tolerance Size Product Range (ppm/?)0201/0402/0603 Thin Film Precision Chip Resistor 5/10/15 AR1Ω~3MΩ ?0.01%~?1% 0805/1206/1210 高精密薄膜芯片电阻 25/50 2010/2512Anti-Corrosive Thin Film 0402/0603/0805 Precision Chip Resistor PR 10Ω~1.5MΩ ?0.1%~?0.5% 15/25/50 1206/2010/2512 抗蚀高精密薄膜芯片电阻Thin Film Current Sensing Chip 0402/0603/0805 Resistor TCS50mΩ~1000mΩ ?0.5%,?1% 50/100/200 1206/2010/2512 电流感应芯片电阻Wire Bondable Chip Resistor WB 10Ω~332KΩ ?0.1%~?10% 25/50/100 0201/0402/0603 打线式芯片电阻Thin Film Anti-Sulfurated Chip TAS 24.9Ω~499KΩ ?0.05%~?1%10/15/25/50 0603/0805 Resistor曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供高精密薄膜抗硫化芯片电阻Thin Film Array Chip Resistor TFAN 100Ω~33KΩ ?0.1%~?1% 10/15/25/50 0603x4 高精密薄膜芯片排阻Resistor ArrayNew TCR Product Type Series SPEC Resistance Range Tolerance Size Product (ppm/?)Thin Film Array Chip Resistor ?0.1%,?0.25% TFAN 100Ω~33KΩ10/15/25/50 0603x4 高精密薄膜芯片排阻 ?0.5%Thick Film Array Chip Resistor CN 1Ω~1MΩ ?1%,?5% 200 0402x4 厚膜芯片排阻 CNAThick Film Flat Array Chip Resistor CN-21 0201x2 10Ω~1MΩ ?5% 200 厚膜芯片平板排阻 CN-41 0201x4MELF/CarbonNew TCR Product Type Series SPEC Resistance Range Tolerance Size Product (ppm/?)Metal Film Precision Resistor 10/15/25 CSR 0.1Ω~10MΩ ?0.1%~?5% 0102/0204/0207tr> 金属精密薄膜电阻 50/100Metal Film Precision Resistor 10/15/25 CSRV 0.1Ω~1MΩ ?0.1%~?5% 0204/0207 金属精密薄膜电阻 50/100Carbon Film Resistor CFS 1Ω~1MΩ ?2%,?5% - 0204/0207/0309 碳膜无脚电阻Thick filmNew Resistance TCR Product Type Series SPEC Tolerance Size Product Range (ppm/?)01005/0201/0402 Thick Film Chip Resistor CR 1Ω~100MΩ ?0.1%~?5%50/100/200/400 /0603/0805/1206/ 厚膜芯片电阻 1210/2010/2512High Ohmic Chip Resistor HMR 110MΩ~1GΩ ?5% 500/1000 0805/1206 高阻值厚膜芯片电阻曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供Pulse Withstanding Chip 0603/0805/1206 Resistor PWR1Ω~20MΩ ?0.5%~?5% 100/200 1210/2010/2512 耐突波贴片电阻Surge Withstanding Chip 0603/0805/1206 Resistor SWR1Ω~20MΩ ?5%~?20% 100/200 1210/2010/2512 抗浪涌芯片电阻High Voltage Thick Film 0402/0603/0805 Chip Resistor HVR10Ω~100MΩ ?1%,?5% 100/200/400 1206/2010/2512 耐高压厚膜芯片电阻Anti-Sulfurated Thick Film 0201/0402/0603Chip Resistor AS 1Ω~10MΩ ?0.5%,?1%,?5% 100/200 0805/1206/1210 抗硫化芯片电阻 2010/2512Trimmable Thick Film 0402/0603/0805Chip Resistor RT 1Ω~10MΩ -10%~-30% 100/200 1206/1210/2010 可雷切芯片电阻 2512 LeadedNew Resistance TCR Product Type Series SPEC Tolerance Size Product Range (ppm/?)Metal Film Leaded Precision 5/10/15/25 0318/0623/0932 Resistor MFR 0.1Ω~10MΩ ?0.05%~?1% 50/100 1145/1550 插件式金属精密电阻Me tal Film Leaded Resistor ?0.02%,?0.05%, MFD 10Ω~1MΩ 5/10/15/25 0727/1040 高精密金属膜固定电阻器 ?0.1%Carbon Film Leaded Resistor 0318/0623/0932 CFR 0.1Ω~22MΩ ?2%,?5% - 插件式碳膜电阻 1145/1550Metal Oxide Leaded Film 0623/0932/1145 Resistor MOF0.1Ω~22MΩ ?1%,?2%,?5% 200 1550/1765/2485 插件式金属氧化皮膜电阻Current sensingNew Resistance TCR Product Type Series SPEC Tolerance Size Product Range (ppm/?)0201/0402/0603 Current Sensing Chip 100/150/200/300 0805/1206/1210 Resistor CS 3mΩ~8000mΩ ?1%,?2%,?5% 400/600/1000 2010/2512/1225 电流感应芯片电阻 3720/7520 曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供Thin Film Current 0402/0603/0805 Sensing Chip Resistor TCS50mΩ~1000mΩ ?0.5%,?1% 50/100/200 1206/2010/2512 薄膜电流感应芯片电阻Current Sensing Thick 0402/0603/0805 200/500/800 Film Chip Resistor RS 10mΩ~976mΩ ?1%, ?5% 1206/1210/2010 1200/1500 电流感应芯片电阻 2512Ultra Low Ohm (MetalStrip) Chip Resistor LR 0.5mΩ~15mΩ ?1%,?3%,?5% 50/75/100/1501206/2010/2512 1W~3W合金超低阻芯片电阻Chip Shunt Resistor 50/60/75 LRS 0.5mΩ~4mΩ ?1%,?2%,?5% 1050/1575分流芯片电阻 100/120Current Sensing Metal 0805/1206 Chip Resistor CSM10mΩ~100mΩ ?1%,?2%,?5% 50/100 2010/2512 电流感应金属芯片电阻Low Ohm (Metal Strip)Chip Resistor LRM 5mΩ~100mΩ ?1%,?2%,?5% 75/100 1206/2010/2512 合金低阻芯片电阻Power resistorPower ResistorNew TCR Product Type Series SPEC Resistance Range Tolerance power Product (ppm/?)TO-220 Power Resistor ?0.5%,1%, 5%, TR20 0.05Ω~10KΩ 50/100/200/300 20W 插件式功率电阻 10%TO-220 Power Resistor ?0.5%,1%, 5%, TR30 0.05Ω~10KΩ 50/100/200/300 30W 插件式功率电阻 10%TO-220 Power Resistor ?0.5%,1%, 5%, TR35 0.05Ω~10KΩ 50/100/200/300 35W 插件式功率电阻 10%TO-220 Power Resistor ?0.5%,1%, 5%, TR50 0.1Ω~10KΩ 50/100/200/300 50W 插件式功率电阻 10%TO-247 Power Resistor ?0.5%,1%, 5%, TR100 0.05Ω~10KΩ50/100/200/300 100W 插件式功率电阻 10%曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供TO-220 Power Resistor ?0.5%,1%, 5%, TR50-H 0.1Ω~10KΩ50/100/200/300 50W 插件式功率电阻 10%,Inductor 电感高频电感(RF Inductor)New Inductance Product Product Description Series SPEC Curve Tolerance SRF(MHZ) DCR(Ω) IDC(mA) Size Product RangeThin Film Chip 0201 Inductor ?0.1,0.2,0.3nH AL 0.1nH~100nH1000~14000 0.1~7.5 75~800 0402 高频薄膜精密芯片电?1%,2%,3%,5% 0603 感Multilayer Chip ?0.3nH 0402 Inductor CL 1nH~220nH 600~10000 0.1~2.7 100~500 ?5%,10% 0603 高频陶瓷积层电感Wire Wound Chip 0402Inductor 0603(Low Profile, High Q, WL 1nH~15000nH ?2%, 5%,10% 15~12700 0.02~11.5 80~2400 0805 Current, High SRF) 1008高频陶瓷绕线电感 1206功率电感(Power Inductor)New Product Inductance Product Series SPEC Tolerance DCR(Ω) I DC(A) Size Product Description RangeNon-shielded,High Power, WireWound Power ?20% 1608/1813/3316 PDH 0.47u~100uH 0.003~1.6 0.4~30 Inductor +40%-20% 4920/5022 开磁路绕线功率电感Non-shielded,Wire Wound Power 1608/3308/3316 Inductor PD 0.18u~1000uH ?20%,30% 0.007~13.8 0.1~40 3340/5022 开磁路绕线功率电感曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供Non-shielded,Low Profile Wire 0301/0302/0402/0403 Wound Power PCD1.0u~1000uH ?10%,20% 0.01~10.19 0.09~9.5 0502/0503/0504/0703 Inductor 0705/1004/1005/1006 开磁路绕线功率电感Low Profile , Mini Wire Wound Power Inductor MPI 1.2u~1000uH ?20%, 0.04~22.6 0.08~2.5 0610/0612/0620 小型绕线功率电感Low Profile , Mini Wire Wound Power Inductor MPE 1u~68uH ?20%,30% 0.08~4.2 0.17~1.4 0312 小型绕线功率电感Shielded, Wire Wound Power Inductor PS 1u-10000uH ?10%,20%0.021~32.8 0.02~5 1608/3316/5022 闭磁路绕线功率电感Shielded, Wire Wound Power ?20% 62B/64B/73/74 Inductor PCS 1.2u-1000uH 0.007~9.44 0.14~9.8 +40%-20% 124/125/127 闭磁路绕线功率电感Shielded, Wire Wound Power 0628/0728/0730Inductor PCDR 1.2u~1500uH ?20%,30% 0.0069~4.78 0.13~130732/0745/1045 闭磁路绕线功率1255/1265/1275电感Shielded, Low Cost, Wire Wound Power Inductor PCDS10u~820uH ?20%,30% 0.03~2 0.33~3.15 63B/74B/105B/125B 闭磁路绕线功率电感Shielded, Low Profile Wire Wound Power 5D28 PSDB 1.3u~1000uH ?30% 0.006~1.989 0.4~10.5 Inductor 1003/1004/1005 闭磁路绕线功率电感曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供Shielded, Low Profile Wire Wound Power 2D12/2D15 SCDB1.2u~47uH ?20%,30% 1.2~47 0.22~1.1 Inductor 2D18 闭磁路绕线功率电感Shielded, Low Profile Wire 3D18Wound Power 4D18/4D22/4D28 SCDS 1u~470uH ?30% 0.012~6.56 0.13~6.15 Inductor 5D18/5D28 闭磁路绕线功率6D28/6D38电感Shielded Wire 4010/4020/4030 Wound Power 5010/ 5020/5030 Inductor PCF 0.36u~10000uH ?20%,30% 0.005~201.16 0.026~12.6 6915/6919/7040 闭磁路绕线功率1015/1040/1062 电感Shielded, Low Profile Wire Wound Power 0.47u~ 0302/0303/0418PDRH ?20%,30% 0.009~175.4 17~4820 Inductor 27000uH 0501/0502/0503 闭磁路绕线功率电感Shielded, Wire Wound Power Inductor SDRH 1.0u~100uH ?30% 0.0095~0.43 0.75~9 0830/0840/0845 闭磁路绕线功率电感Shielded, Wire Wound Power Inductor SDB 0.10u~47uH ?20% 0.0015~0.210 1.2~32.5 0630/1040 闭磁路绕线功率电感Miniature Wire Wound Power 0312/0412/0612 Inductor SDIA1u~100uH ?20% 0.016~60 0.05~8.16 0820/0825/0840 小型绕线功率电感Shielded, 201609E/201514 Non-shielded, ?5%,10% 321618C/322515 Miniature Wire VLH 0.1u~10000uH 0.0098~140 0.023~50 ?20%,30%322520C/453226C Wound Power 575047C Inductor曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供小型绕线功率电感Shielded, LowProfile Wire 2D10/2D15/2D18 SCDA 0.47uH~100uH ?20%,?30% 0.035~3.840.18~3.9 Wound Power 3D12/3D15/3D18 Inductor磁芯电感(Ferrite Inductor)New Product Inductance Product Series SPEC Tolerance SRF(MHZ) DCR(Ω) IDC(mA) Size Product Description RangeMultilayerFerrite ChipInductor ML 0.01~33uH ?10%,20% 13~320 0.15~2.55 5~300 0603/0805/1206 积层芯片式黑电感Multilayer 0402/0603/0805/1204 Chip Bead CB 5~2700Ω ?25% - 0.01~250~6000 1206/1210/1808/1812 贴片磁珠Wound ChipInductors(Ferrite) ?5%,10% 0805/1008/1210 NL 0.12uH~1000uH 0.5~800 0.03~150 30~1800 铁芯绕线电感?20% 1812/2220 (开放，铸膜及背胶)Chip CommonMode Choke CM 67~2200Ω ?20% - 0.25~1.2 200~400 0805/1206 共模滤波器插件式电感(DIP Power Inductor)New Product Inductance Product Series SPEC Tolerance DCR(Ω) IDC(A) Size Product Description RangeDIP PowerInductor DRGH 10u~47000uH ?10%,20% 0.022~96.4 0.038~5.3664/855/875/895/106/108/110 插件式开磁路功率电感曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供DIP PowerInductor DRGR 10u~10000uH ?10%,20% 0.023~35 0.074~3.51664/875/108/110 插件式闭磁路功率电感DIP Power 0708/0808/1210 DM 0.22u~33uH ?20% 0.0006~0.025 6~56 Inductor 1310/1818,Capacitor 电容积层电容(SMD Capacitor)New Product Capacitance Picture Series SPEC Tolerance Voltage Material Size Product Description Range Multilayer ?0.1,0.25,0.5pF Ceramic 6.3V,10V,16V NPO/X7R 0402/0603/0805 MC-1 0.5pF~100uF ?5%,10%,20% Capacitor 25V,50V,100V X5R/Y5V 1206/1210/1812 -20/+80% 迭层贴片电容MultilayerCeramicCapacitor ?0.25,0.5pF (Middle & 200V,250V,500V NPO/X7R0603/0805/1206 MC-2 0.5pF~0.68uF ?5%,10%,20% High 630V,1KV,2KV,3KV Y5V 1210/1808/1812 -20/+80% Voltage)中高壓迭层贴片电容MultilayerCeramicCapacitor ?0.25,0.5pF 6.3V,10V,16V NPO/X7R (Ultra-Small MC-30.3pF~0.1uF 0201 ?5%,10%,20% 25V,50V X5R Capacitor)小型迭层贴片电容MultilayerCeramicCapacitor ?0.1,0.25,0.5pF MCHL 0.5pF~3300pF 16V,25V,50V,100V NPO0402/0603/0805 (High Q, Low ?5%ESR)迭层贴片电容Multilayer ?0.05,0.1,0.25,0.5pF 6.3V,10V,25V 0201/0402/0603 Ceramic MCRF 0.1pF~100pF NPO ?1%,2%,5% 50V,100V,250V 0805 Capacitor曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供(Ultra HighQ, Low ESR)高频迭层贴片电容MultilayerCeramicCapacitor(Low MCLI 10nF~150nF ?10%,20% 50V X7R 0612 Inductance)低感迭层贴片电容------------------------------ 咨询及样品申请，请联系光颉viking代理: 曹小姐提供**************************曹小姐提供 010 - 5 6 0 3 4 1 9 5 viking台湾光颉提供。

电阻选型指南导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。

一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。

如R表示电阻，W表示电位器。

第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。

1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。

第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。

2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。

3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。

4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

三、主要特性参数1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2% -0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

电阻电容的选型规则电阻电容的选型很重要，这关乎着每个电⼦产品的使⽤质量、使⽤寿命等。

选型不恰当，产品发⽣失效还是⼩事，严重可能会爆炸，危机⼈⾝安全也是有可能的。

电阻选型规则1、电阻阻值优先选⽤10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列，51系列,68系列，82系列。

2、贴⽚电阻优选0603和0805的封装，0402以下的封装禁选。

3、插脚电阻优选0.25W，0.5W，1W，2W，3W，5W，7W，10W，15W。

4、对于电阻的温漂，J档温漂不能超过500ppm/，F档温漂不能超过100ppm/，B档温漂不能超过10ppm/。

5、⾦属膜电阻1W及1W以上禁选，⾦属膜电阻750k以上禁选。

6、7W以上功率电阻轴线型禁选。

7、慎选电位器，如果⽆法避免，选⽤多圈的，品牌⽤BOURNS。

电⼦电位器按照芯⽚选型规范操作。

8、电阻品牌优选YAGEO、MK、贝迪思。

电容选型规则铝电解电容选型规则1、普通应⽤中选择标准型、寿命1000HR~3000HR（为价格考虑，慎选长寿命型），选择铝电解电容寿命尽量选择2000Hr。

2、对于铝电解电容的耐压，3.3V系统取10V、5V系统取10V、12V系统取25V、24V系统取50V；48V以上系统选100V。

3、铝电解电容必须选⽤⼯作温度为105度的。

4、对于铝电解电容的容值，优选10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（⽤⽚状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。

5、对于⾼压型铝电解电容保留400V。

禁选⽆极性铝电解电容。

6、普通铝电解电容选⽤品牌"SAMWHA"（三和），⾼端铝电解电容选⽤NCC（⿊⾦刚）或其他⽇本名牌铝电解电容。

7、禁⽌选⽤贴⽚的铝电解电容。

钽电解电容选型规则1、钽电解电容禁⽌选⽤耐压超过35V以上的。

2、插脚式钽电解电容禁选。

3、对于钽电解电容的耐压，3.3V系统取10V、5V系统取16V、12V系统取35V，10V、16V、35V为优选，4V、6.3V、50V为禁⽤（⽤铝电解电容替代）。

电子电路中的电子器件选择指南在设计和搭建电子电路时，选择合适的电子器件是至关重要的。

不同的电子器件具有不同的性能和特点，因此，正确选择电子器件可以确保电路的正常运行和稳定性。

本文将介绍一些选择电子器件的指南，帮助读者更好地进行电子电路设计。

一、电阻器选用指南电阻器是电子电路中常用的器件之一，用于限制电流、降低电压、分压、匹配阻抗等。

在选择电阻器时，需要考虑以下几点：1. 电阻值：根据电路的需求，选择与所需电阻值最接近的标准值。

2. 功率：确定电阻器所需的功率，以防止因过高的功率导致电阻器损坏。

3. 精度：根据电路的要求选择适当的精度。

如果电路对电阻值的精度要求较高，选择精度较高的电阻器。

二、电容器选用指南电容器是存储电荷的器件，常见于滤波、耦合、隔直流以及电容式传感器等应用中。

在选择电容器时，应注意以下几个方面：1. 电容值：根据电路的需求，选择与所需电容值最接近的标准值。

2. 额定电压：确定电容器所需的额定电压，以免因过高的电压导致电容器损坏。

3. 介质类型：根据电路的要求选择适当的介质类型，如陶瓷电容器、铝电解电容器等。

三、二极管选用指南二极管是电子电路中常用的器件之一，用于整流、解调、保护等。

在选择二极管时，应考虑以下几点：1. 反向电压：确定电路所需的反向电压，选择额定电压略高于电路中的最大反向电压。

2. 正向电流：根据电路所需的正向电流，选择额定电流适当的二极管。

3. 芯片类型：根据电路的需要，选择合适的芯片类型，如快恢复二极管、肖特基二极管等。

四、晶体管选用指南晶体管是电子电路中重要的放大和开关器件。

在选择晶体管时，应注意以下几个方面：1. 极性：确定电路所需的NPN型晶体管还是PNP型晶体管。

2. 倍数：根据电路的放大倍数要求，选择合适的晶体管。

3. 频率特性：如果电路工作于高频范围，需要选择具有高频响应特性的晶体管。

五、集成电路（IC）选用指南集成电路是包含多个电子器件和电路的器件，广泛应用于电子系统中。

电子电路设计中电阻选型指南1.了解电阻的基本参数：在选择电阻之前，首先要了解电阻的一些基本参数，例如额定阻值、功率、精度、温度系数等。

额定阻值指的是电阻的标准阻值，通常以欧姆（Ω）为单位。

功率表示电阻能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。

精度表示电阻的阻值与标称值之间的误差范围。

温度系数表示电阻阻值随温度变化的变化率。

2.确定电阻类型：根据电路的要求，确定所需的电阻类型。

常见的电阻类型有碳膜电阻、金属膜电阻、贴片电阻等。

碳膜电阻价格低廉，但精度不高，温度系数较大；金属膜电阻精度较高，温度系数较小，适合高精度应用；贴片电阻体积小，适用于高密度集成电路。

3.了解电路的工作条件：在选择电阻时，需要考虑电路的工作条件，例如工作电流、工作温度等。

电阻的额定功率必须大于电路所需的最大功率，以确保电阻不会过热。

电路的工作温度应该在电阻的允许温度范围内，以保证电阻的稳定性和可靠性。

4.参考经验值：根据设计经验，选择一些常用的电阻阻值。

电阻阻值一般按照10的倍数递增，常见的阻值有10Ω、100Ω、1kΩ、10kΩ等。

在实际设计中，可以根据需要调整电阻阻值，以满足电路的要求。

5.注意电阻的精度：根据电路的要求，选择合适的电阻精度。

一般来说，电阻的精度越高，价格越高，因此需要权衡成本和性能。

如果电路对阻值的精度要求不高，可以选择精度较低的电阻，以降低成本。

6.注意电阻的温度系数：对于一些精密的应用，例如测量电路或稳压电路，需要选择温度系数较小的电阻，以确保电路的稳定性。

温度系数一般以ppm/℃来表示，表示电阻阻值每变化1℃时的变化量。

较小的温度系数意味着电阻阻值随温度变化的影响较小。

最后需要注意的是，电阻的选择应该结合实际应用需求和设计要求。

在实际设计中，可能会涉及到更多的电阻选型问题，例如高频应用中的电阻参数、特殊环境下的电阻选型等。

因此，完全依赖于以上指南可能不够全面。

在实际设计中，需要根据具体情况进行综合考虑，以选择最适合的电阻。

电路电感的选择与应用如何选择合适的电感值和类型电路电感的选择与应用电感是电子电路中常见的被动元件之一，广泛应用于各种电路中。

正确选择合适的电感值和类型对电路性能的稳定性和可靠性至关重要。

本文将介绍如何选择合适的电感值和类型，并探讨电感在电路中的应用。

一、电感的基本概念和作用原理电感是指载流线圈或线圈产生的自感现象。

当电流通过线圈时，会在线圈周围产生磁场，进而自感现象就会出现。

电感的作用是在电路中提供阻抗，抵抗电流的变化，调整电路中的信号频率。

二、选择合适的电感值1. 了解电路所需的电感值范围：根据电路的设计要求，明确所需的电感值范围。

不同的电路对电感值的要求不同，需要根据具体的电路参数和系统需求来选择合适的电感值。

2. 考虑线圈的材料和尺寸：线圈的材料和尺寸会直接影响电感值。

常见的线圈材料有铁氧体、铁氧化锌、铁氧化钡等。

尺寸包括线圈的导线长度、直径和线圈的层数等。

根据具体的应用场景选择合适的线圈材料和尺寸，以满足电感值的要求。

3. 考虑电路频率：不同频率下，电感对电流的响应也不同。

因此，在选择电感值时要考虑所使用电路的频率范围。

一般来说，较高频率的电路需要使用较小的电感值，而较低频率的电路则需要较大的电感值。

三、选择合适的电感类型1. 有线电感：有线电感通过线圈上的线圈反应电压变化来实现电感效果。

这种电感在低频电路中应用广泛，具有较高的电感值和良好的电容性。

2. 铁芯电感：铁芯电感通过在线圈中引入铁芯来增强磁场效应。

这种电感常用于高频电路中，具有较小的电感值和较高的电感效果。

3. 多层电感：多层电感是将多个线圈叠加在一起，以增加电感值。

这种电感常用于需要较大电感值的电路中。

4. 陶瓷电感：陶瓷电感利用陶瓷材料的特性来实现电感效果。

这种电感被广泛应用于高频电路和射频电路中，具有较小的尺寸和较高的电感效果。

四、电感在电路中的应用1. 滤波器：电感可以组成滤波器电路，用于抑制噪声和滤除杂散信号，保证信号的纯净性。

1．贴片电容C：100nF/ 50V X7R +/-10% 0805, -55℃到+125℃>100nF / 25V X5R +/-10% 0805， +10℃---+85℃一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装DC="50V"DC="100V"08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装DC="50V"DC="100V"0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

电容指南第1讲：电容的特性(隔直通交)电容器是一种能储存电荷的容器．它是由两片靠得较近的金属片，中间再隔以绝缘物质而组成的．按绝缘材料不同，可制成各种各样的电容器.如：云母．瓷介．纸介，电解电容器等．在构造上，又分为固定电容器和可变电容器．电容器对直流电阻力无穷大，即电容器具有隔直流作用.电容器对交流电的阻力受交流电频率影响，即相同容量的电容器对不同频率的交流电呈现不同的容抗.为开么会出现这些现象呢\'这是因为电容器是依靠它的充放电功能来工作的，如图1，电源开关s未合上时．电容器的两片金属板和其它普通金属板—样是不带电的。

当开关S合上时，如图2所示，电容器正极板上的自由电子便被电源所吸引，并推送到负极板上面。

由于电容器两极板之间隔有绝缘材料，所以从正极板跑过来的自由电子便在负极板上面堆积起来．正极板便因电子减少而带上正电，负极板便因电子逐渐增加而带上负电。

电容器两个极板之间便有了电位差，当这个电位差与电源电压相等时，电容器的充电就停上了．此时若将电源切断，电容器仍能保持充电电压。

对已充电的电容器，如果我们用导线将两个极板连接起来，由于两极板间存在的电位差，电子便会通过导线，回到正极板上，直至两极板间的电位差为零．电容器又恢复到不带电的中性状态,导线中也就没电流了．电容器的放电过程如图3所示．加在电容器两个极板上的交流电频率高，电容器的充放电次数增多；充放电电流也就增强；也就是说．电容器对于频率高的交流电的阻碍作用就减小,即容抗小,反之电容器对频率低的交流电产生的容抗大．对于同一频率的交流电电．电容器的容量越大，容抗就越小，容量越小,容抗就越大.第2讲:电容器的参数与分类在电子产品中，电容器是必不可少的电子器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源的退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。

由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，我们不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点，以及机械或环境的限制条件等。