电力电子技术复习题及答案96416

解：（1）
(2)
(3)
选晶闸管的额定电压为2000V
19在三相全控桥式有源逆变电路中，直流侧输出电流电压Ud=__-2.34 U2__cosβ。（电路中电感L足够大且电流连续，设变压器二次侧相电压有效值为U2）
20在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，假设VT1不能导通，画出 整流电压ud波形。（5分）
t1前：VT1、VT4通，VT2、VT3断，uo、io均为正，VT2、VT3电压即为uo。
t1时：触发VT2、VT3使其开通，uo加到VT4、VT1上使其承受反压而关断，电流从VT1、VT4换到VT3、VT2。
t1必须在uo过零前并留有足够裕量，才能使换流顺利完成。
6.电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
3）不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。
4）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。
16．按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三
17.电力二极管的主要类型？
答：电力二极管的主要类型有普通、快恢复、肖特基。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电流驱动和电压驱动两类
①会使输出电压波形缺少四个波头。
②在电流连续的情况下输出电压约降低2/3。
如果是逆变电路，将造成短路故障，使逆变失败。
24分别画三相半波整流电路电感性负载α=0°和三相全控有源逆变电路电感性负载β=60°的输出电压ud波
26在三相半波整流电路中，α=90°，试绘出在电阻性负载整流电压ud和电流id的波形；
10.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：维持晶闸管导通的条件是晶闸管的电流大于使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。

A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。

A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。

A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。

答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。

答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。

答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。

答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。

答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。

电力电子技术课后复习题（全面）1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换、和传输的技术。

2、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。

3、电力电子技术的基本转换形式和功能：整流电路----AC/DC----整流器直流斩波----DC/DC----斩波器逆变电路----DC/AC----逆变器交流电路----AC/AC----变频器4、电力电子器件是指在可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。

5、广义上，电力电子器件也可分为电真空器件和半导体器件。

6、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度的程度进行分类：不可控器件---------电力二极管（功率二极管PD）半控型器件---------晶闸管(SCR)全控型器件---------电力晶体管（GTR）7、全控型器件也称自关断器件。

代表元件：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）。

8、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质进行分类：电流驱动型：晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。

电压驱动型：电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管等。

9、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件:电力二极管、晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管单极型器件：电力场效应晶体管。

复合型器件：绝缘栅双极晶体管。

10、功率二极管（PD）又称电力二极管，也称半导体整流器。

其基本结构与普通二极管一样。

有螺栓型和平板型两种封装。

正平均电流I F(A V): 电流最大有效值I 11．功率二极管的测试：用万用表的Rx100或Rx1测量。

【注】严禁用兆欧表测试功率二极管。

选择二极管时要考虑耗散功率。

不可控器件------功率二极管（电力二极管）12、功率二极管的主要类型：普通二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管。

13、半控型器件----晶闸管（SCR）是硅晶体闸流管的简称，又称为可控硅整流器。

电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。

2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。

3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。

《电力电子技术》复习题一、填空题1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管______________；可关断晶闸管______________；功率场效应晶体管______________；绝缘栅双极型晶体管______________；2、晶闸管对触发脉冲的要求是______________、______________和______________。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑______________的问题，解决的方法是______________。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为______________，输出电流波形为______________。

5、当温度降低时，晶闸管的触发电流会______________、正反向漏电流会______________ ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会______________、正反向漏电流会______________。

6、由晶闸管构成的逆变器换流方式有换流和换流。

7、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为逆变器与逆变器两大类。

8、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK ；200表示表示，9表示。

9、单结晶体管产生的触发脉冲是脉冲；主要用于驱动功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为脉冲；可以触发功率的晶闸管。

10、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的大电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为；晶闸管的额定电流可选为。

11、在电流型逆变器中，输出电压波形为______________，输出电流波形为______________。

二、简答题1、使晶闸管导通的条件是什么？2、如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?3、多相多重斩波电路有何优点?4、什么是TCR，什么是TSC？它们的基本原理是什么？各有何特点？5、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？6、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？7、实现正确触发的同步定相的方法步骤有哪些？三、在降压斩波电路中，已知E=200V，R=10Ω，L值微大，E=30V，T=50μs，ton=20μs，计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。

一、选择题1. 电力电子技术的主要研究对象是什么？A. 电力系统B. 电子电路C. 功率半导体器件及其应用D. 电力设备和控制系统答案：C2. 以下哪种器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. MOSFETC. 晶体管D. 线圈答案：D3. 在电力电子技术中，以下哪个不是一种电力变换方式？A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 波形变换答案：D4. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电压的升降？A. 逆变器B. 整流器C. 直流变换器D. 交交变频器答案：C5. 电力电子技术中的“开关频率”指的是什么？A. 电路中电流的频率B. 电路中电压的频率C. 功率开关动作的频率D. 输出电压或电流的频率答案：C二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行_________的技术。

答案：功率半导体器件；高效变换2. 电力电子技术中常用的功率半导体器件有_________、_________和_________。

答案：晶闸管；MOSFET；GTO3. 电力电子技术中的“硬开关”和“软开关”技术主要针对_________。

答案：开关过程三、判断题1. 电力电子技术只应用于工业领域，与日常生活无关。

（）答案：错误2. 电力电子技术中的整流器可以将交流电转换为直流电。

（）答案：正确3. 电力电子技术中的逆变器只能将直流电转换为交流电。

（）答案：错误4. 电力电子技术中的变频器可以实现交流电的频率变换。

（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。

答案：电力电子技术在电力系统中的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：- 交流-直流变换：如太阳能光伏发电、风力发电等新能源的并网；- 直流-直流变换：如电动汽车充电、电力电子设备供电等；- 交流-交流变换：如变频调速、电力电子补偿等。

2. 简述电力电子技术中的功率半导体器件的特点。

答案：电力电子技术中的功率半导体器件具有以下特点：- 高开关速度：能够快速实现电路的通断；- 高导通电压：能够在高电压下工作；- 高导通电流：能够在大电流下工作；- 高功率密度：能够在有限的体积内实现高功率输出。

电力电子技术期末复习题一、填空题1.请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管_________;可关断晶闸管_________；功率场效应晶体管_________；绝缘栅双极型晶体管_________；IGBT是_________和_________的复合管。

2.晶体管对触发脉冲的要求是__________________ __________________和_________。

3.多个晶体管相并联时必须考虑____________的问题，解决的方法是________________。

4.在电流型逆变电器中，输出电压波形为___________波，输出电流波形为____________波5.型号为KS100-8的元件表示________________晶闸管，它的额定电压为________________伏，额定有效电流为________________安6.180度导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在________________上的上、下二个元件之间进行；而120度导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在________________上的元件之间进行的。

7.当温度降低时，晶闸管的触发电流会________________、正反向漏电流会_____________；当温度升高时，晶闸管的触发电流会________________、正反向漏电流会________________。

8.在有环流逆变系统中，环流指的是只流经________________、________________而不流经________________的电流。

环流可在电路中加________________来限制。

为了减小环流一般采用控制角α ______________β的工作方式。

9.常用的过电流保护措施有________________、________________、________________、________________。

电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。

（×）A、正确B、错误正确答案：B2.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。

（）A、正确B、错误正确答案：B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B5.提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。

（）A、正确B、错误正确答案：A6.电力电子电路只能实现电能的变换，而不能实现电能的控制。

（）A、正确B、错误正确答案：B7.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。

（）A、正确B、错误正确答案：A8.直流变换电路多用于牵引调速。

（）A、正确B、错误正确答案：A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。

（）A、正确B、错误正确答案：A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。

（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

（）A、正确B、错误正确答案：A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。

（）A、正确B、错误正确答案：B13.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。

（）A、正确B、错误正确答案：A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。

（）A、正确B、错误正确答案：A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

（）A、正确B、错误正确答案：A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。

（）A、正确B、错误正确答案：A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。

（）A、正确B、错误正确答案：A19.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

一、选择题1. 电力电子技术中，下列哪种器件属于功率半导体器件？A. 晶体管B. 晶闸管C. 电阻D. 电容答案：B2. 下列哪种变换器属于直流变换器？A. 逆变器B. 整流器C. 交交变频器D. 交流-交流变换器答案：B3. 电力电子技术中，下列哪种控制方式属于开环控制？A. 比例控制B. 比例-积分控制C. 比例-积分-微分控制D. 电流控制答案：A4. 下列哪种电路属于三相桥式整流电路？A. 单相桥式整流电路B. 双相桥式整流电路C. 三相桥式整流电路D. 交交变频电路答案：C5. 电力电子技术中，下列哪种器件可以实现交流-交流变换？A. 晶闸管B. 晶体管C. MOSFETD. GTO答案：A二、填空题1. 电力电子技术是利用_________对电能进行高效变换的一种技术。

答案：功率半导体器件2. 电力电子变换器主要有_________、_________、_________和_________四种类型。

答案：整流器、逆变器、直流变换器、交交变频器3. 电力电子技术中，_________控制方式属于开环控制。

答案：比例4. 电力电子技术中，_________电路属于三相桥式整流电路。

答案：三相桥式5. 电力电子技术中，_________器件可以实现交流-交流变换。

答案：晶闸管三、判断题1. 电力电子技术中，晶体管属于功率半导体器件。

（）答案：错误2. 电力电子变换器中的整流器可以将交流电转换为直流电。

（）答案：正确3. 电力电子技术中，比例-积分控制属于开环控制。

（）答案：错误4. 电力电子技术中，三相桥式整流电路可以输出三相交流电。

（）答案：错误5. 电力电子技术中，GTO器件可以实现交流-交流变换。

（）答案：正确四、简答题1. 简述电力电子技术的应用领域。

答案：电力电子技术在电力、电子、自动化、新能源等领域有广泛的应用，如：电力系统中的电能变换、电力电子设备中的功率控制、新能源发电系统中的并网控制等。

电力电子技术复习题（整理版）电力电子技术复习题—、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：_______ ■极、 ___ 和______ ■极。

2、单相半波可控整流电路中，控制角a的最大移相范围是____________ 。

3、对于同一个晶闸管，其维持电流I H 擎住电流I I （数值大小关系）。

4、在GT和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是，属于电流驱动的器件是。

5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得的输出电压。

6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行____________。

7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称__________ ，而把直流电能转换成交流电能称 _________ 。

8、可关断晶闸管（GTO的电流关断增益B off的定义式为B of= ______________ 其值越_______ 越好。

9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角B = 。

10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为变器。

11、________________________________________________________________________________ 对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是 _______________ 过高，二是 _______________ 。

12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为___________ 器件。

能保持晶闸管导通的最小电流称为 _________ 。

13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着____________ 口防止开关器件承受反压的作用。

14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有____________ 隔离和 _________ 隔离。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。

2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。

的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。

的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术知识考核题库一、单选题1、（）出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明期。

[单选题] *A、电力二极管B、水银整流器C、晶闸管√D、IGBT2、（）属于全控型器件，它是MOSFET 和BJT的复合。

其性能十分优越，使之成为现代电力电子技术的主导器件。

[单选题] *A、电力二极管B、晶闸管C、GTOD、IGBT√3、（）是MOSFET 和GTO 的复合。

其目前也取得了相当的成功，已经获得大量应用。

[单选题] *A、SITB、晶闸管C、IGBTD、IGCT√4、晶闸管属于半控型器件，它的触发信号加在（）之间。

[单选题] *A、阳极与阴极B、门极与阴极√C、栅极与集电极D、栅极与发射极5、IGBT属于电压驱动型器件，它的驱动控制信号加在（）之间。

[单选题] *A、阳极与阴极B、门极与阴极C、栅极与集电极D、栅极与发射极√6、随着全控型电力电子器件的不断进步，电力电子电路的工作频率也不断提高，电力电子器件的（）也随之增大。

[单选题] *A、通态损耗B、断态损耗C、开关损耗√D、开通损耗7、电化学工业大量使用直流电源，电解铝、电解食盐水等都需要大容量（）。

[单选题] *A、整流电源√B、逆变电源C、直流斩波电源D、变频器8、以前的电梯大都采用直流调速系统，而近年来（）调速已成为主流。

[单选题] *A、斩波B、交流变相C、交流调压D、交流变频√9、轻型直流输电主要采用（）器件。

[单选题] *A、晶闸管B、电力MOSFETC、GTOD、IGBT√10、通信设备中的程控交换机所用的直流电源以前用晶闸管整流电源，现在已改为采用全控型器件的（）。

[单选题] *A、逆变电源B、直流斩波电源C、线性稳压电源D、高频开关电源√11、逆导IGBT相当于将一个IGBT 两端反并联一个（）。

[单选题] *A、快速二极管√B、晶闸管C、电力MOSFETD、GTO12、下列器件中，（）与SIT速度相当。

[单选题] *A、晶闸管B、GTOC、电力MOSFET√13、以下器件中，开关速度达几百kHZ，甚至高达1MHZ的是（）。

《电力电子技术》总复习题一、填空题：1．造成电力电子装置过电压原因有雷击过电压、、和关断过电压。

P372．使晶闸管导通的条件是，要使它从导通状态变成关断状态，必须。

P173．单相桥式全控整流电路大电感负载，当α=30º时，电路的位移因数为υ= ，功率因数λ= 。

P704．直流快速断路器整定在动作，过电流继电器整定在动作。

P38为与之比。

P235．GTO的电流关断增益βOff6．三相桥式全控可逆电路,整流变压器联接为D,Y—11，采用NPN锯齿波触发器,并随有滞后60°的R—C滤波器，则同步变压器的联接组别，共阴极组为YY-3，共阳极组为YY-9。

P967.三相交—交变频电路主要有和两种接线方式。

P1258. 开关开通前，或关断前，具有这样开关过程的开关称为软开关。

P1719．根据软开关技术发展的历程可以将软开关电路分成准谐振电路、电路和电路。

P17210. 变压器漏抗产生的重叠角为20°，晶闸管的关断时间为0.11ms（2°），取安全角为10°时，最小逆变角为。

P8311. 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路，适用于要求电压、电流的场合。

P7312. 写出任意三种保护晶闸管过电流的方法：、、。

P3813. 在 PWM控制电路中，与之比称为载波比。

P15514. 间接交流变流电路是先将，再将。

P17915.直流斩波电路得到的PWM波是波形，SPWM波得到的是波形。

P15116.当多相多重斩波电路的电源为3个独立电源，向一个负载供电时，则称为相重斩波电路。

P11017. 交流电力控制电路可分为和两种电路。

P11218. 在电力开关管的驱动电路中，一般采用的电气隔离技术是磁隔离和光隔离。

P33二、判断题：1. 对于三相半波整流电路，电阻性负载，当电流平均值I d一定时，流过晶闸管的电流有效值I T随控制角α的增加而增加。

（×）P472．在晶闸管从关断态变为导通状态后，去掉门极触发信号，仍能维护导通的最小电流称为擎住电流。

自动化专业《电力电子技术》复习题一、填空题（此题共8 小题，每空 1 分，共 20 分）1、电子技术包含 ______________和电力电子技术两大分支，往常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自己消耗，提升效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频次较高时，_________消耗会成为主要的消耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频次与调制信号频次之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频次范围区分红若干频段，每个频段内载波频次与调制信号频次之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而 _______不同的窄脉冲加在拥有惯性的环节上时，其成效基真相同。

5、在 GTR、GTO 、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 _________，单管输出功率最大的是 _____________，应用最为宽泛的是 ___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能蒙受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其蒙受的最大正向电压为。

逆变，假如接到负载，则称7、逆变电路的负载假如接到电源，则称为为逆变。

8、以以下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示 ) 。

(1)0~t1 时间段内，电流的通路为 ________；(2)t1~t2 时间段内，电流的通路为 _______；(3)t2~t3 时间段内，电流的通路为 _______；(4)t3~t4 时间段内，电流的通路为 _______；(5)t4~t5 时间段内，电流的通路为 _______；二、选择题（此题共10 小题，前 4 题每题 2 分，其他每题 1 分，共14 分）1、单相桥式PWM 逆变电路以以下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是）（A、V1 与V4 导通， V2 与V3 关断B、V1 常通， V2 常断， V3 与V4 交替通断C、V1 与V4 关断， V2 与V3 导通D、V1 常断， V2 常通， V3 与V4 交替通断2、对于单相沟通调压电路，下边说法错误的选项是（）A 、晶闸管的触发角大于电路的功率要素角时，晶闸管的导通角小于180 度B、晶闸管的触发角小于电路的功率要素角时，一定加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率要素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为 180 度D、晶闸管的触发角等于电路的功率要素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线沟通调压电路中，输出电压的波形以以下图所示，在t1~t2 时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。

A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。

A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。

A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。

A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。

A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。

A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。

A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。

A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。

A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。

A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。

A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。

A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。

电力电子技术复习题（含参考答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流正确答案：B2.三相半波可控整流电路的自然换相点是()。

A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、交流相电压的过零点C、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°正确答案：C3.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。

A、0～180B、0～90C、0～150D、0～120正确答案：D4.对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。

A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C5.下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。

A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT正确答案：C6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、30°～150B、0°～150°C、15°～125°D、0°～120°正确答案：B7.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、2msB、3msC、4msD、1ms正确答案：B8.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、交流相电压的过零点C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、本相相电压与相邻电压正半周的交点处正确答案：D9.有源逆变发生的条件为（）A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于90°C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法都是对的正确答案：D10.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。