【TWI667503B】光波导结构及其制作方法【专利】

[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公开说明书[11]公开号CN 1729415A [43]公开日2006年2月1日[21]申请号200380107032.1[22]申请日2003.11.06[21]申请号200380107032.1[30]优先权[32]2002.12.24 [33]US [31]10/328,766[86]国际申请PCT/US2003/035257 2003.11.06[87]国际公布WO2004/061497 EN 2004.07.22[85]进入国家阶段日期2005.06.20[71]申请人3M创新有限公司地址美国明尼苏达州[72]发明人张俊颖 B·J·盖茨 J·K·拉森 B·J·科克 T·L·史密斯[74]专利代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人沙永生[51]Int.CI.G02B 6/12 (2006.01)权利要求书 2 页 说明书 8 页 附图 13 页[54]发明名称光波导制造方法[57]摘要根据本发明制造光波导器件的方法，包括沉积下包层(114)；在下包层上直接涂覆光刻胶层(118)；将光刻胶层图形化形成通道(117)；沉积芯层(116)，此时芯层的第一部分沉积在通道内，第二部分覆盖在经图形化的光刻胶层上；除去图形化光刻胶层以及覆盖在图形化光刻胶层上的第二部分芯层；沉积上包层(120)。

200380107032.1权 利 要 求 书第1/2页1.制造光波导器件的方法，包括以下步骤：a.沉积下包层；b.在下包层上直接涂覆光刻胶层；c.将光刻胶层图形化形成通道；d.沉积芯层，此时芯层的第一部分沉积在通道内，第二部分覆盖在图形化的光刻胶层上；e.除去图形化光刻胶层以及覆盖在图形化光刻胶层上的第二部分芯层；f.沉积上包层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光波导是单模波导。

专利名称：一种光波导结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：王诗男,武震宇
申请号：CN201910464620.3
申请日：20190530
公开号：CN112014922A
公开日：
20201201
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请提供一种光波导结构及其制造方法，所述光波导结构具有：形成于金刚石晶体中的折射率调制区域，所述折射率调制区域的折射率不同于所述金刚石晶体的折射率；以及形成于所述金刚石晶体中的非折射率调制区域，所述非折射率调制区域的折射率与所述金刚石晶体的折射率相同，所述金刚石晶体中至少一个荧光点缺陷中心位于所述光波导结构中，所述光波导结构将所述至少一个荧光点缺陷中心发出的光引导到所述金刚石晶体的表面。

本申请的光波导结构能够使金刚石晶体中点缺陷中心发出的光子的检测变得容易、高效，同时使检测系统小型化，并且，该光波导结构的制造方法简单，加工的自由度高，并且制造成本较低。

申请人：上海新微技术研发中心有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
国籍：CN
代理机构：北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：刘元霞
更多信息请下载全文后查看。

专利名称：光波导及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：平贺将浩,古川成男
申请号：CN02803357.4
申请日：20020918
公开号：CN1481517A
公开日：
20040310
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明的光波导由包层1及埋入包层1中的形成波导的芯子20构成，在设定形成芯子20的玻璃材料的热膨胀系数为α1、形成包层1的玻璃材料的热膨胀系数为α2时，上述玻璃材料的热膨胀系数之差(α1－α2)的绝对值在0～9×10/℃的范围内。

通过直接接合使折射率不同、且热膨胀系数不同的玻璃材料进行接合。

此外，通过溅射形成上部包层。

与以往的方法相比，由于能够以低温制得光波导，因此能够提供可缩短制造工时及制造时间、传输损耗小、且价格低廉的光波导及其制造方法。

申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本国大阪府门真市
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：胡烨
更多信息请下载全文后查看。

专利名称：光波导及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：宗和范,望月周,清水裕介,金城直隆申请号：CN200510008165.4
申请日：20050208
公开号：CN1657988A
公开日：
20050824
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：为提供能提高生产效率而且操作性及生产稳定性优良的光波导的制造方法、以及由该光波导制造方法制造的光波导，在底层2上涂布含有芴衍生物和光致产酸剂的光聚合性树脂组合物的清漆，经干燥形成表面无粘性的树脂层4。

使光掩模5与该树脂层4接触，经接触曝光法使树脂层4曝光后，经显影，使树脂层4形成图形。

之后，使树脂层4固化，形成芯层3，然后，在底层2上形成外涂层6将芯层3覆盖，得到光波导。

利用本法，由于形成表面无粘性的树脂层4，可经接触曝光法曝光，因而可减少夹入隔离片等的工时和繁杂的工序，可提高生产效率。

申请人：日东电工株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：胡烨
更多信息请下载全文后查看。

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910733165.2(22)申请日 2019.08.09(71)申请人 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层(72)发明人 胡晓　肖希　王磊　张宇光　陈代高　李淼峰　(74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270代理人 王军红　张颖玲(51)Int.Cl.H01S 3/11(2006.01)(54)发明名称波导结构、光器件及波导结构的制作方法(57)摘要本发明实施例公开了一种波导结构、光器件及波导结构的制作方法，所述波导结构包括：第一电介质层；芯层，堆叠在第一电介质层上，芯层的折射率大于第一电介质层的折射率；第二电介质层，堆叠在芯层上；其中，第二电介质层包括凹槽，凹槽的开口背离芯层，第二电介质层的折射率小于芯层的折射率；吸收层，覆盖在第二电介质层外表面，与凹槽的侧壁以及凹槽的底部接触；其中，吸收层具有非线性饱和吸收性。

权利要求书2页 说明书8页 附图2页CN 110600985 A 2019.12.20C N 110600985A1.一种波导结构，其特征在于，包括：第一电介质层；芯层，堆叠在所述第一电介质层上，所述芯层的折射率大于所述第一电介质层的折射率；第二电介质层，堆叠在所述芯层上；其中，所述第二电介质层包括凹槽，所述凹槽的开口背离所述芯层，所述第二电介质层的折射率小于所述芯层的折射率；吸收层，覆盖在所述第二电介质层外表面，与所述凹槽的侧壁以及所述凹槽的底部接触；其中，所述吸收层具有非线性饱和吸收性。

2.根据权利要求1所述的波导结构，其特征在于，当所述第二电介质层中包括多个所述凹槽时，至少两个所述凹槽的开口尺寸相同；和/或，当所述第二电介质层中包括多个所述凹槽时，至少两个所述凹槽的底部与所述芯层之间的距离相同。

专利名称：光波导元件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：杨智仁,黄莉婷,陈东森,吕奇明申请号：CN201711480957.0
申请日：20171229
公开号：CN109975924A
公开日：
20190705
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种光波导元件，包括下包覆层、核心层及上包覆层，核心层置于下包覆层及上包覆层之间。

下包覆层的组成物包括不可被蚀刻的已闭环的聚酰亚胺及片状粘土，其中下包覆层之片状粘土的重量百分比介于20％至60％之间。

核心层的组成物包括可被蚀刻的已闭环的聚酰亚胺及片状粘土，其中核心层的片状粘土的重量百分比介于20％至60％之间。

上包覆层的组成物包括聚合物及片状粘土，其中上包覆层的片状粘土的重量百分比介于20％至60％之间。

核心层的折射率大于上包覆层及下包覆层的折射率。

申请人：财团法人工业技术研究院
地址：中国台湾新竹县
国籍：TW
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：秦剑
更多信息请下载全文后查看。

专利名称：光波导及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：樋口诚良,高桥敏幸,户谷浩巳,安田成留,细川速美,佐藤文彦
申请号：CN02144433.1
申请日：20020927
公开号：CN1410786A
公开日：
20030416
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供通过复制法可以容易地进行制作并且具有内部的光信号不易从波导芯内部泄漏的结构的光波导及其制造方法。

在包层板2的上面设置用以形成波导芯的凹槽3。

其次，在凹槽3的两侧，通过平坦部5形成凹坑6。

将紫外线固化型透明树脂8涂敷在该包层板2的上面之后，通过压模13挤压透明树脂8。

此时，由于可以在凹槽3内形成波导芯4，同时在压模13与平坦部5之间被压出的多余的透明树脂8能够向凹坑6侧流动排出，所以在短时间内可以将透明树脂8变薄。

从而，残留在平坦部5的上面的透明树脂8变为光不从波导芯4泄漏的程度的厚度与宽度。

申请人：欧姆龙株式会社
地址：日本京都府
国籍：JP
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看。