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1Surface Mount Ultrafast RectifierUS1A thru US1M FEATURES•Low profile package•Ideal for automated placement •Glass passivated chip junction •Ultrafast reverse recovery time •Low switching losses, high efficiency •High forward surge capability•Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C•Compliant to RoH S Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definitionTYPICAL APPLICATIONSFor use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer, and telecommunication.MECHANICAL DATACase: DO-214AC (SMA)Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoH S compliant, and commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Color band denotes cathode endPRIMARY CHARACTERISTICSIF(AV) 1.0 A V RRM 50 V to 1000 VI FSM 30 A t rr 50 ns, 75 ns V F 1.0 V, 1.7 V T J max.150 °CDO-214AC (S MA)MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOLUS1AUS1BUS1DUS1GUS1JUS1KUS1MUNITMaximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltageV DC 501002004006008001000V Maximum average forward rectified current at T L = 110 °C I F(AV) 1.0A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated loadI FSM 30A Operating and storage temperature rangeT J , T STG- 55 to + 150°C2Note(1)Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycleNote(1)PCB mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areaRATINGS AND CHARACTERSITICS CURVES(T A = 25 °C unless otherwise noted)Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERTEST CONDITIONS SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Maximum instantaneous forward voltage1.0 AV F (1) 1.01.7V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage T A = 25 °C I R 10μAT A = 100 °C50Maximum reverse recovery timeI F = 0.5 A, I R = 1.0 A,I rr = 0.25 A t rr 5075ns Typical junction capacitance4.0 V, 1 MHzC J1510pFTHERMAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOL US1AUS1BUS1DUS1G US1JUS1KUS1MUNIT Maximum thermal resistanceR θJA (1)75°C/WR θJL (1)27ORDERING INFORMATION (Example)PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g)PREFERRED PACKAGE CODEBASE QUANTITYDELIVERY MODEUS1J-M3/61T 0.06461T 18007" diameter plastic tape and reel US1J-M3/5AT0.0645AT750013" diameter plastic tape and reelFig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 4 - Typical Reverse Leakage CharacteristicsFig. 5 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 6 - Typical Reverse Leakage Characteristics Fig. 7 - Typical Junction CapacitanceFig. 8 - Typical Transient Thermal Impedance3PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)4。
ASEMI SS24(DO-214AC SMA)肖特基二极管规格书
我想用于充电器，可以吗？尺寸是多少呢？详见下解：
ASEMI品牌的SS24是2A 40V的贴片小二极管，属于肖特基封装，SMA超薄封装，小功率的，常用于家用的小功率电器，也常用于充电器，适配器
正向电流：2A
反向耐压：40V
芯片材质：GPP硅芯片
漏电流：0.5uA
操作温度：-40℃~150℃
正向电压：0.55V-0.95V
浪涌电流：30A
芯片尺寸：50mil
引线数量：2个
恢复时间：5ns
包装方式：5000/盘
这个品牌的打标采用的是镭射激光打标，不褪色，黑胶材质，外形黑体部分用环氧塑脂材料，包封稳定性好，引脚是无氧铜材质，导电性能好
常规包装是2000/盘
尺寸如下：
规格书。
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。
以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。
通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。
2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。
通常为30-200V。
3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。
通常为几十毫安到几安。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。
通常非常小，一般为几微安到几毫安。
5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。
由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。
6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。
肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。
7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。
由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。
这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。
肖特基二极管参数表摘要：1.肖特基二极管的基本概念和特点2.肖特基二极管的分类和应用领域3.常用肖特基二极管的型号与参数4.肖特基二极管的主要性能指标及其意义5.选择和使用肖特基二极管时需关注的因素正文：肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。
它以金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作，而非利用PN结原理。
由于其独特的性能优势，被广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。
肖特基二极管的特点包括：1.低功耗：正向导通压降仅0.4V左右，整流电流可达到几千毫安。
2.高速度：反向恢复时间极短，可达到几纳秒。
3.良好的热稳定性：具有较高的热稳定性，可以承受较高的功耗。
根据应用领域和性能要求，肖特基二极管可分为不同类型。
例如，用于续流二极管、保护二极管等。
在通信电源、变频器等电路中，肖特基二极管有着广泛的应用。
常用的肖特基二极管型号包括：1.引线式肖特基二极管：D80-004、B82-004等。
2.封装式肖特基二极管：MBR1545、MBR2535、MBR300100CT、MBR400100CT等。
在选择和使用肖特基二极管时，需要关注以下性能指标：1.正向电压VF：指肖特基二极管正向导通时，正向电压与正向电流的比值。
VF越低，功耗越小。
2.反向漏电IR：指二极管反向漏电流。
IR越小，二极管的反向性能越好。
3.反向电压VR：二极管能承受的最大反向电压。
VR越高，二极管的耐压能力越强。
4.反向恢复时间trr：二极管从反向导通到截止的时间。
trr越小，二极管的开关速度越快。
总之，肖特基二极管具有低功耗、高速度等优点，广泛应用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管等电路。
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。
但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
SX32 ...... SX310表面安装肖特基二极管反向电压 20 ---100 V正向电流 3.0 A极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal CharacteristicsRatings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.Surface Mount Schottky Barrier RectifierReverse Voltage 20 to 100 VForward Current 3.0 A·正向压降低。
Low Forward Voltage Drop·大电流承受能力。
High Current Capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃/10 秒, 0.375" (9.5mm)引线长度。
250℃/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,·引线可承受5 磅 (2.3kg) 拉力。
5 lbs. (2.3kg) tension机械数据 Mechanical Data·端子: 镀锡轴向引线 Terminals: Plated axial leads·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end ·安装位置: 任意 Mounting Position: Any特征 Features3.01000.57520140.550.8560V V ℃AV A mA ℃//W pF 单位UnitV V R(RMS)最大正向平均整流电流最大峰值反向电压最大反向有效值电压-50 --- +150V RRM I FM 最大正向电压降 @IF =3.0AV F 正向峰值浪涌电流 8.3mS单一正弦半波I FSM 最大反向漏电流IR 典型热阻工作温度和存储温度R θJA Tj, T STG典型结电容 VR = 4.0V f = 1.0MHzCj @TA = 25℃Maximum repetitive peak reverse voltageMaximum RMS voltage最大直流阻断电压Maximum DC blocking voltageMaximum average forward rectified currentMaximum forward voltagePeak forward surge current 8.3 ms single half sine-waveMaximum reverse currentTypical thermal resistanceOperating junction and storage temperature rangeType junction capacitance符号SymbolsV DC 20302130402840503550604260805680100701000.7SX32SX33SX34SX35SX36SX38SX310正向电流 I F (A )正向特性曲线（典型值）正向电压 V F (V)环境温度 Ta(°C )通过电流的周期峰值正向浪涌电流 I F S M (A )平均正向电流 I F (A V ) (A )浪涌特性曲线（最大值）TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICFORWARD CURRENT DERATING CURVEI F I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d C u r r e n t (A )V F Instantaneous Forward Voltage (V)Tamb, ambient temperature (°C)I F (A ) A v e r a g e F o r w a r d R e c t i f i e d C u r r e n t (A )MAXIMUM NON REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENTNumber of Cycles at 60 Hz.I F S M P e a k F o r w a r d S u r g e C urr e n t (A )正向电流降额曲线0.010.1110500.6 1.2 1.602550751001251501753.02.52.01.51.00.501246102040100806040200100峰值反向电压百分比(%)TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSPercent Of Peak Reverse Voltage,%I R I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t (µA )反向特性曲线(典型值)反向电流 I R (μA )0.0010.010.11080140T J =125°CT J =25°C2040601001201.00.20.8 1.40.4特性曲线 Characteristic CurvesT J =75°C120SS32-SS34SS35-SS36SS38-SS310SX32 ...... SX310。
