模拟集成电路基本单元
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集成电路的工作原理集成电路是现代电子技术的重要组成部分,它的出现使得电子设备变得更加小型化、高效化和可靠化。
本文将详细介绍集成电路的工作原理,从晶体管、逻辑门到集成电路的制造过程等方面进行探讨。
1. 晶体管的基本原理晶体管是集成电路的基本单元,其基本原理是利用半导体材料的特性来实现信号放大和开关控制。
在晶体管中,一般由两个PN结构组成:N型半导体和P型半导体。
当控制端施加适当电压时,PN结的导电性发生变化,使得电流可以通过或被阻断。
2. 逻辑门的构成和功能逻辑门是由晶体管组成的电路,用于处理数字信号。
常见的逻辑门有与门、或门、非门等。
以与门为例,当输入端1和输入端2同时为高电平时,输出端才为高电平;否则输出端为低电平。
逻辑门的功能是根据输入信号的逻辑条件,产生相应的输出信号。
3. 集成电路的分类和特点集成电路可分为模拟集成电路和数字集成电路。
模拟集成电路主要用于信号的放大和处理,数字集成电路用于处理离散的二进制信号。
集成电路的特点包括体积小、功耗低、性能稳定和可靠性高等,这使得它在电子产品中得到广泛应用。
4. 集成电路的制造过程集成电路的制造过程主要包括晶圆制备、光刻、扩散、腐蚀和封装等环节。
首先,通过化学物质对硅晶片进行处理,形成所需的零件结构。
然后,利用光刻技术将图形投射到硅片上,并进行刻蚀。
接着,通过扩散和腐蚀等工艺步骤,形成晶体管和逻辑电路等功能。
最后,将集成电路封装到外壳中,以便安装和连接。
5. 集成电路的应用领域集成电路广泛应用于计算机、通信、消费电子、汽车电子和医疗器械等领域。
在计算机领域,中央处理器和内存芯片等都是基于集成电路技术的。
在通信领域,手机和网络设备等都需要借助集成电路来实现信号处理和通信功能。
总结:集成电路是利用晶体管和逻辑门构成的电路,通过制造工艺将它们集成到一个小的芯片上。
它的工作原理基于晶体管的特性和逻辑门的功能,实现信号的放大、处理和控制。
集成电路具有体积小、功耗低、性能稳定和可靠性高等特点,广泛应用于各个领域。
- 43 -第9章 基本放大电路放大是模拟电路最重要的一种功能。
本章所要介绍的基本放大电路几乎是所有模拟集成电路的基本单元。
工程上的各类放大电路都是由若干基本放大电路组合而成的,其中第一级称为输入级,最后一级称为输出级,其余各级为中间级。
9.1 放大电路的工作原理放大电路或称为放大器,其作用是把微弱的电信号、电压、电流、功率放大到所需要的量级,而且输出信号的功率要比输入信号的功率大,输出信号的波形要与输入信号的波形相同。
现以晶体管共射极接法的电路为例来说明放大电路的工作原理。
输入信号按波形不同可分为直流信号与交流信号两种。
由于正弦信号是一种基本信号,在对电路进行性能分析与测试时,常以它作为输入信号。
因此,也以正弦信号作为输入信号来说明放大电路的工作原理。
在输入端与输出端分别接有电容C 1、C 2,它们起着传递信号,隔离直流的作用,电容C 1、C 2称为输入和输出耦合电容或隔直电容。
由于耦合作用要求电容的容抗值很小,一般为几微法至几百微法,因而需要采用有极性的电解电容器。
输入端未加输入信号时,放大电路的工作状态称为静态。
这时U CC 提供了直流偏置电流。
由于电容的隔直作用,输入端和输出端不会有电压与电流。
可见,静态时,除了输入端与输出端外,晶体管各极电压与电流都是直流,其波形如图9-1各波形中的虚线所示。
输入端加上输入信号时,放大电路的工作状态称为动态。
交流输入信号u i 通过C 1耦合到晶体管的发射结两端,使发射结电压u BE 以静态值U BE 为基准上下波动,但方向不变,即u BE 始终大于零,发射结保持正向偏置,晶体管始终处于放大状态。
这时的发射结电压u BE =U BE +u be 。
忽略C 1上的交流电压降,则u be =u i 。
发射结电压的变化会引起各极电流的相应变化,而且它们都会有一个静态直流分量和一个交流信号分量,其波形如图9-1所示。
i C 的变化引起R C i C 的相应变化。
模拟电子技术课程教案第一章:模拟电子技术基础1.1 课程介绍了解模拟电子技术的基本概念和应用领域明确本课程的教学目标和学习要求1.2 模拟电子技术概述介绍模拟电子技术的基本原理和特点理解模拟信号与数字信号的区别1.3 模拟电路的基本元件介绍电阻、电容、电感等基本元件的特性分析电路中元件的作用和相互关系1.4 电路定律与分析方法学习欧姆定律、基尔霍夫定律等基本电路定律掌握节点分析、支路分析等电路分析方法第二章:放大电路2.1 放大电路的基本原理了解放大电路的作用和分类明确放大电路的基本组成和性能指标2.2 晶体管放大电路学习晶体管的特性和工作原理分析晶体管放大电路的输入输出特性2.3 放大电路的设计与分析学习放大电路的设计方法和步骤掌握放大电路的稳定性分析、频率响应分析等2.4 放大电路的应用实例分析音频放大器、功率放大器等应用实例了解放大电路在实际应用中的限制和优化方法第三章:滤波电路3.1 滤波电路的基本原理了解滤波电路的作用和分类明确滤波电路的基本组成和性能指标3.2 低通滤波器学习低通滤波器的原理和设计方法分析低通滤波器的频率特性和平滑特性3.3 高通滤波器学习高通滤波器的原理和设计方法分析高通滤波器的频率特性和平滑特性3.4 滤波电路的应用实例分析信号处理、通信系统等领域的滤波应用实例了解滤波电路在实际应用中的限制和优化方法第四章:模拟电路的测量与调试4.1 测量仪器与仪表学习示波器、信号发生器、万用表等测量仪器的基本原理和使用方法了解测量误差的概念和减小方法4.2 电路调试与故障排除学习电路调试的基本方法和步骤掌握故障排除的技巧和常用方法4.3 电路测试与性能评估学习电路测试的方法和指标了解电路性能评估的方法和准则4.4 实例分析:放大电路的测量与调试分析放大电路的测量参数和方法了解放大电路的调试过程和故障排除方法第五章:模拟电路的应用实例5.1 信号发生器的设计与实现学习信号发生器的基本原理和设计方法分析信号发生器的电路结构和性能指标5.2 模拟信号处理电路学习模拟信号处理电路的基本原理和设计方法分析滤波器、放大器等信号处理电路的应用实例5.3 模拟通信系统学习模拟通信系统的基本原理和组成分析调制解调器、放大器等通信电路的应用实例5.4 电源电路的设计与实现学习电源电路的基本原理和设计方法分析开关电源、线性电源等电源电路的应用实例第六章:运算放大器及其应用6.1 运算放大器的基本原理了解运算放大器的工作原理和特性明确运算放大器的应用领域和性能指标6.2 运算放大器的应用电路学习运算放大器的差分放大电路、比例放大电路等基本应用分析运算放大器在信号处理、滤波器设计等领域的应用实例6.3 运算放大器的选型与使用学习运算放大器的选型原则和使用注意事项掌握运算放大器的级联、偏置电路设计和补偿方法6.4 运算放大器的troubleshooting 与优化学习运算放大器电路的故障分析和排除方法了解运算放大器电路的性能优化技巧第七章:振荡电路7.1 振荡电路的基本原理了解振荡电路的作用和分类明确振荡电路的基本组成和性能指标7.2 LC 振荡电路学习LC 振荡电路的原理和设计方法分析LC 振荡电路的频率稳定性和Q 值的影响7.3 晶体振荡电路学习晶体振荡电路的原理和设计方法分析晶体振荡电路的频率稳定性和应用实例7.4 振荡电路的应用实例分析信号发生器、无线通信等领域的振荡应用实例了解振荡电路在实际应用中的限制和优化方法第八章:模拟集成电路8.1 集成电路的基本原理了解集成电路的分类和特点明确集成电路的设计流程和制造工艺8.2 模拟集成电路的基本单元学习放大器、滤波器、转换器等基本模拟集成电路单元的设计方法分析集成电路中元件的匹配和布局要求8.3 集成电路的封装与测试学习集成电路的封装技术和测试方法掌握集成电路的可靠性评估和品质控制要点8.4 集成电路的应用实例分析音频处理、视频处理等领域的集成电路应用实例了解集成电路在现代电子设备中的广泛应用和趋势第九章:模拟电子技术的现代发展9.1 集成电路的设计软件与工具了解现代集成电路设计所需的软件和工具掌握电子设计自动化(EDA)工具的基本使用方法9.2 现代模拟集成电路技术的发展趋势学习FinFET、MEMS 等先进集成电路技术的特点和应用了解物联网、等新兴领域对模拟电子技术的需求和挑战9.3 混合信号集成电路及其应用学习混合信号集成电路的设计方法和应用领域分析模拟数字接口、模拟数字转换器等混合信号电路的应用实例9.4 电源管理集成电路学习电源管理集成电路的基本原理和设计方法分析电源管理集成电路在便携式电子设备中的应用实例第十章:模拟电子技术的实验与实践10.1 实验设备与实验流程了解模拟电子技术实验所需设备和材料掌握实验操作的基本流程和安全注意事项10.2 实验项目与实验指导学习放大电路、滤波电路等基本实验项目的设计与调试分析实验中可能遇到的问题和解决方法10.3 设计性实验与创新实践学习设计性实验的要求和评价标准探索模拟电子技术在创新实践中的应用和解决方案掌握实验结果的展示和交流技巧重点和难点解析重点环节1:模拟电子技术的基本原理和特点解析模拟电子技术的基本概念,包括模拟信号与数字信号的区别强调模拟电子技术的应用领域和实际意义重点环节2:放大电路的作用和分类解析放大电路的基本原理和性能指标强调不同类型放大电路的特点和应用场景重点环节3:滤波电路的设计与分析解析滤波电路的基本原理和设计方法强调滤波电路的频率特性和平滑特性分析重点环节4:模拟电路的测量与调试方法解析测量仪器与仪表的使用方法和测量误差的概念强调电路调试的步骤和故障排除技巧重点环节5:模拟电路的应用实例分析解析信号发生器、音频放大器等应用实例的设计与实现强调模拟电路在实际应用中的限制和优化方法重点环节6:运算放大器的基本原理和应用解析运算放大器的工作原理和特性强调运算放大器的应用电路设计和优化方法重点环节7:振荡电路的原理和设计解析LC振荡电路和晶体振荡电路的设计方法强调振荡电路的频率稳定性和应用实例重点环节8:模拟集成电路的设计与测试解析集成电路的基本单元设计和封装技术强调集成电路的测试方法和可靠性评估重点环节9:现代模拟电子技术的发展趋势解析现代集成电路设计工具和先进技术的发展趋势强调新兴领域对模拟电子技术的需求和挑战重点环节10:模拟电子技术的实验与实践强调实验操作的基本流程和安全注意事项全文总结和概括:本教案涵盖了模拟电子技术的基本原理、放大电路、滤波电路、测量与调试、应用实例、运算放大器、振荡电路、模拟集成电路、现代发展趋势以及实验与实践等十个重点环节。
模拟集成电路基本单元
第八章模拟集成电路基本单元
8.1 电流源电路
8.2 基准电压源
8.3单端反相放大器
8.4差分放大器
8.5运算放大器
8.6振荡器
1
8.1电流源电路
基本偏置:
电流偏置:提供电路中相关支路的静态工作电流。
电压偏置:提供相关节点与地之间的静态工作电压。
电流源电路:做各种放大器的恒流偏置,且可用它取代
电阻作为放大器的负载。
对电流源的基本要求:有足够大的动态内阻、对温度的
敏感度极低、能抵抗电源电压或其他外因的变化。
电流偏置电路的基本形式是电流镜。
由两个或多个并联的相关电流支路组成,各支路的电流
依据一定的比例关系而成比例。
2
8.1.1 双极型镜像电流源
2
电流源电流I 0与另一支路(参考支路)的电流I R (参考电流)近似相等I 0与对温度敏感的晶体管参数几乎无关,电路具有较好的温度特性。
缺点:动态内阻(~r ce )不够大,镜像精度不够高,
抗电源电压变化能力较差。
基本镜像电流源(电流镜)0CC BE R V U I I R -≈=0C C R V I I R ≈≈若V CC >>U BE 3
基本镜像电流源的镜像误差
在此支路中插入一射极跟随器T 3,利用T 3的电
流放大作用,进一步减小T 1、T 2基极电流对I R 的分流作用,提高镜像精度。
0303
21B R B I I I I I b =+=++3
带缓冲级的镜像电流源I o 与I R 的差值由2I B 减小到2I B /(1+β3)
4330(1)(1)()
E B R I I I I b b =+=+-0322
E B I I I b ==02
11
2211(1)R R
I I I b b b =
≈+++1b >>
如果T 3的工作电流(约为2 I B )很小,其β值也就较小,则T 3的缓冲作用就不够好,镜
像精度就不够高。
为了适当提高T 3的工作电流,在T 1、T 2
的基、射极间并联了一只电阻。
0303
21B R B I I I I I b =+=++R B 若R B 选得过小,T 3电流过大,则又加大
了I o 与I R 的差值。
综合考虑选择合适的R B ,使缓冲作用达到最佳。
优缺点:提高了镜像精度,但动态内阻仍不够大(~r ce )
带缓冲级的镜像电流源5
设T 1、T 2、T 3的参数均相同
232222
C E C B C I I I I I b =+=+0233(1)(1)222C E B I I I I b
b
b b b b b b b
==+=++++013012R C B I I I I I b b b
+=+=++威尔逊电流源6可自动的稳定电流源电流I 0。
设由于温度或负载等因素变化使得I 0↑ ,
则I E3及其镜像I C1 ↑,促使V C1(V B3) ↓,I B3↓,驱使I 0回落。
当b =10时,I 0=0.984I R ,可见即使在b 很小时,I 0≈ I R ,I 0受基极电
流影响很小。
镜像精度高
求动态内阻R0的等效电路
<>l
设三管参数相同,且r be<<="" ce,r="" ce,r<
7
I r I o 8.1.2 MOS 电流镜
忽略沟道长度调制效应,可以写出:
21()()(1)2n ox GS TH DS W I C V V V L
μl =-+M1 M2:饱和区恒流源
M1M2
NMOS 基本电流镜
8只需选择好两管的栅极宽长比,即可实现按比例输出。
多支路比例电流镜
如果有多个输出支路,则:在一个模拟集成电路中由一个参考电流以及各成比例的NMOS 晶体管就可以获得多个支路的电流偏置。
6
关键特性:可以精确的复制电流而不受工艺和温度的影响。
I 0、I r 比值由器件尺寸的比率决定,该值可以控制在合理地精度范围内。
电流源:输出电流稳定,输出阻抗高,是恒流源。
沟道效应:沟道长度较大,影响较小----长沟道器件作为输出支路器件。
Ps:沟道长度变大,占用面积增加,输出节点电容增加,影响电路动态性能,因此沟道长度选择要适当。
沟道长度调制效应的作用,使得交流输出电阻变小。
9
NMOS 威尔逊电流镜电路采用了串联电流负反馈结构提高电路的交流输出电阻。
提高输出电阻的基本原理是:在M1的源极接有M2而形成的串联电流负反馈。
M2在电路中相当于一个串联电阻(有源电阻)。
与基本电流镜相比,输出电阻较大,其恒流
NMOS威尔逊电流镜特性优于基本电流镜。
M3的漏节点提供了M1的偏置电压
10
I0↑ V GS2 ↑ V GS1 ↓ I0↓
I0趋于恒流
如果M1和M2的宽长比相同,其它的器件参数也相同,因为在其中流过的电流相同,则它们的V GS 必然相同,使M3的V DS3=2V GS2, 而M2的V DS2=V GS2。
M2、M3这种V DS 上的差异也将导致输出电流与参考电流的21()()(1)2n ox GS TH DS W I C V V V L μl =-+误差。
由M4晶体管构成的有源电阻消耗了一个V GS,使M2、M3的漏源电压相等。
如果M1和M2的宽长比相同,从M1、M4的栅极到M2、M3的源极的压差为2V GS2,如果M4、M3相同,则M4的栅源电压就为V
GS2,使M3管的漏源电压
和M2的漏源电压相同,都为V
GS2。
威尔逊电流镜的改进结构使参考支路
和输出支路的电流以一个几乎不变的
比例存在。
威尔逊电流镜的改进结构
12
8.2 基准电压源8.2.1
双极型三管能隙基准源
11
三管能隙基准源此电路的输出基准电压V REF 为:其中:13
式中I E1、I E2、A E1、A E2、J 1、J 2分别为Q 1和Q 2管的发射极电流、有效发射结面积和发射极电流密度。
利用等效热电压V T的正温度系数和V BE的负温度系数相互补偿,可使输出基准电压的温度系数接近为零。
由文献知:
式中V g0=1.205V,是温度为0K时的硅外推能隙电压;
n 为常数,其值与晶体管的制作工艺有关,对于集成电路中的
双扩散晶体管,n=1.5~2.2;
T
为参考温度。
假设R
2
/R3、J1/J2与温度无关,则可以令在T=T0时的基准电压的温度系
数为0,即?V
REF /?T =0,求得在参考温度T
附近时,基准电压和温度的关系。
14
ln J 1J 2
R 2kT 0R 3q V REF =V BE0+T =T 0kT 0q =V g 0+n 实际上nkT 0/q <<="" p="">
g0
V REF /?T =0 ,可得:
V REF ≈V T =T 0这说明在选定参考温度T 0后,只要适当设计R 2/ R 3和J 1/ J 2,即可使在该温度下基准电压的温度系数接近零。
由于这种温度系数为零的基准电压,其值接近于材料的能隙电压V g0,所以称为能隙基准源。
15
假设Q 1,Q 2的几何尺寸相同,晶体管的βF 较大,则:
J 1/J 2=I E1/I E2 =I 1/I 2
由电路图可见:I 1R 1+V BE1=V REF ≈I 2R 2+ V BE3所以:
I 1R 1≈I 2R 214可得:
R 2R 1R 2kT 0R 3q
V REF ln =V BE0+T =T 0由于在工艺上V BE 值和电阻的比值都较易控制,所以这类电源的输出基准电压可调得较准。
16。