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目录第一章快速入门 (2)第二章变量和基本类型 (7)第三章标准库类型 (13)第四章数组和指针 (21)第五章表达式 (31)第六章语句 (37)第七章函数 (37)第八章标准IO库 (37)第九章顺序容器 (43)第十章关联容器 (60)第十一章泛型算法 (75)第十二章类和数据抽象 (86)第十三章复制控制 (94)第十四章重载操作符与转换 (102)第十五章面向对象编程 (116)第十六章部分选做习题 (133)第十七章用于大型程序的工具 (138)第十八章特殊工具与技术 (138)第一章快速入门习题 1.1查看所用的编译器文档，了解它所用的文件命名规范。
编译并运行本节的main程序。
【解答】一般而言，C++编译器要求待编译的程序保存在文件中。
C++程序中一般涉及两类文件：头文件和源文件。
大多数系统中，文件的名字由文件名和文件后缀（又称扩展名）组成。
文件后缀通常表明文件的类型，如头文件的后缀可以是.h 或.hpp 等；源文件的后缀可以是.cc 或.cpp 等，具体的后缀与使用的编译器有关。
通常可以通过编译器所提供的联机帮助文档了解其文件命名规范。
习题1.2修改程序使其返回-1。
返回值-1 通常作为程序运行失败的指示器。
然而，系统不同，如何（甚至是否）报告main 函数运行失败也不同。
重新编译并再次运行程序，看看你的系统如何处理main 函数的运行失败指示器。
【解答】笔者所使用的Windows 操作系统并不报告main 函数的运行失败，因此，程序返回-1 或返回0 在运行效果上没有什么区别。
但是，如果在DOS 命令提示符方式下运行程序，然后再键入echo %ERRORLEVEL%命令，则系统会显示返回值-1。
习题1.3编一个程序，在标准输出上打印“Hello, World”。
【解答】#include<iostream>int main(){std::cout << "Hello, World" << std::endl;return 0;}习题1.4我们的程序利用内置的加法操作符“+”来产生两个数的和。
数字系统设计与veriloghdl课后答案【篇一：数字逻辑与数字系统设计习题参考答案】>第1章习题解答1.3 (1)86(2)219(3)106.25(4)0.6875 (4)0.1011.4 (1)101111(2)1001000(3)100001l.111.5 (1)(117)10=(165)8=(1110101)2=(75)16(2)(3452)10=(6574)8=(110101111100)2=(d7c)16(3)(23768.6875)10=(56330.54)8=(101110011011000.1011)2=(5cd 8.b)16 (4)(0.625)10=(0.5)8=(0.101)2=(0.a)16 1.6(1)(117)8=(1001111)2=(79)10(2)(7456)8=(111100101110)2=(3886)10(3)(23765.64)8=(10 0111 1111 0101.1101)2=(10229.8125)10(4)(0.746)8=(0.11111)2=(0.96875)10 1.7 (1)(9a)16=(10011010)2=(154)10(2) (3cf6)16=(11110011110110)2=(15606)10(3) (7ffe.6)16=(111111*********.011)2=(32766.375)10 (4)(0.c4)16=(0.110001)2=(0.765625)10 1-8(1)(125)10=(000100100101)8421bcd(2)(7342)10=(0111001101000010)8421bcd(3)(2018.49)10=(0010000000011000.01001001)8421bcd(4)(0.785)10=(0.011110000101)8421bcd1.9(1)(106)10=(1101010)2 原码=反码=补码=01101010 (2)(-98)10=(-1100010)2原码=11100010反码=10011101 补码=11100011(3)(-123)10=(-1111011)2 原码=11111011反码=10000101 补码=11111011(4)(-0.8125)10=(-0.1101)2 原码=1.1101000反码=1.0010111 补码=1.00110001.10(1)(104)10=(1101000)2 [1101000]补=01101000(-97)10=(-1100001)2 [-1100001]补=1001111101101000 + 10011111 0000011110000011 + 01001111 11010010[104-97]补=01101000+10011111=00000111, 104-97=(00000111)2=7 (2) (-125)10=(-1111101)2(79)10=(01001111)2[-1111101]补=10000011 [01001111]补=0100111101111000 [-125+79]补=10000011+01001111=11010010，-125+79=(-0101110)2=-46 (3) (120)10=(1111000)2[01111000]补=01111000(-67)10=(-1000011)2[-1000011]补=10111101[120-67]补=10000011+01001111=00110101，-125+79=(00110101)2=53 (4) (-87)10=(-1010111)2[-1010111]补=10101001(12)10=(1100)2[1100]补=00001100[-87+12]补=10101001+00001100=10110101，-125+79=(-1001011)2=-75+ 10111101 0011010110101001+ 00001100 10110101第2章习题解答2.3 解：根据逻辑图可直接写出逻辑表达式：(a) f=ab?bc；(b)f=abbcac解：设3个输入变量分别为a、b、c，输出为f，按题意，其中有奇数个为1，则输出f＝1，因此可写出其逻辑表达式为f=abc?abc?abc?abc。
FPGA设计与应用_大连理工大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.关于always语句说法不正确的是（）。
参考答案:always语句一定综合成触发器。
2.下列Verilog HDL标识符错误的是（）。
参考答案:16_bitss3.最适合做开关级建模的语言是（）。
参考答案:Verilog HDL4.Verilog HDL的常量不包括（）。
参考答案:枚举型5.Xilinx FPGA芯片的核心资源不包括（）。
参考答案:Flash6.不属于ChipScope Pro工具的部分是（）。
参考答案:XPower7.关于MicroBlaze处理器说法错误的是（）。
参考答案:MicroBlaze和PowerPC一样固化在FPGA芯片中8.关于assign语句说法不正确的是（）。
参考答案:assign语句有可能综合成触发器。
9.关于LUT说法错误的是（）。
参考答案:不可以直接对LUT原语进行例化。
10.关于BlockRam说法正确的是（）。
参考答案:BlockRam的深度和位宽是可以配置的。
11.关于ModelSim行为仿真说法错误的是（）。
参考答案:只能例化一个源文件的顶层Module。
12.语句`timescale 1ns/1ps中，仿真的精度是。
参考答案:1ps##%_YZPRLFH_%##ps13.下列语句书写是合法的，并且描述了一个四路选通器。
assign Mux = (S = =0)? A : 'bz;assign Mux = (S = = 1)? B : 'bz;assign Mux = (S = = 2)? C : 'bz;assignMux = (S = = 3)? D : 'bz;参考答案:正确14.不属于用户约束文件（.ucf文件）所包含内容的是（）。
参考答案:物理约束15.在Verilog HDL中，错误的整数表示是（）。
参考答案:4’200016.形如always @ (posedge Clk or negedge Rst) …语句中，使用的复位方式称为复位。
Verilog试题A答案.doc北京航空航天大学2011 ～2012 学年第二学期数字 EDA 期末考试试卷（2012 年5 月23 日）班级：__________；学号：______________；姓名：__________________；成绩：___________注意事项：1、填空题与选择题直接在试题上作答2、设计题在答题纸上作答正题：一、填空题（共30 分，每道题3分）1．写出表达式以实现对应电路的逻辑功能。
ABCDEF assign F= E ^ ( (A&B) | (!(C&D)))2．根据图中输入输出关系将Verilog 模块定义补充完整，其中信号A为5比特宽度，其余信号为1比特宽度。
module tblock( A,B,C ) ;output [4:0] A;C AB tblock 5-bit宽i nput B;inout C;//省略了功能描述endmodule // 模块结束3．IEEE标准的硬件描述语言是verilog HDL 和VHDL 。
4．你所知道的可编程逻辑器件有（至少两种）：FPGA, CPLD, GAL, PAL （任写其二）。
5．假定某 4 比特位宽的变量 a 的值为4’b101，1计算下列运算表达式的结果&a = 1 ’b0 ~a = 4 ’b0100{3{a}} = 12’b101110111011 {a[2:0],a[3]} = 4 ’b0111(a<4 ’d3) || (a>=a) = 1 ’b1 !a = 1 ’b06．Verilog语言规定了逻辑电路中信号的4 种状态，分别是0，1，X 和 Z。
其中 0 表示低电平状态， 1 表示高电平状态，X 表示不定态（或未知状态），Z 表示高阻态。
7．下面两段代码中信号in，q1，q2 和q3 的初值分别为0，1，2 和3，那么经过 1 个时钟周期后，左侧程序中q3 的值变成0 ，右侧程序中q3 的值变成 2 。
国开作业安卓手机软件拼图式开发AppInventor18参考(含答案)国开作业安卓手机软件拼图式开发App Inventor18参考(含答案)App Inventor 18是一款用于开发安卓手机应用程序的拼图式开发工具，它为用户提供了一种简单易用的方式来创建自己的应用程序。
本文将介绍App Inventor 18的基本功能和使用方法，同时提供一些参考答案，帮助读者更好地理解和应用这个工具。
一、什么是App Inventor 18App Inventor 18是由麻省理工学院（MIT）开发的一款可视化拼图式开发工具，旨在让任何人都能够快速创建自己的安卓手机应用程序。
与传统的编程语言相比，App Inventor 18使用图形化界面，通过拖拽和连接不同的积木块来构建应用程序。
二、基本功能和使用方法1. 创建新项目要使用App Inventor 18开发应用程序，首先需要创建一个新项目。
在App Inventor 18的界面中，点击"新建项目"按钮，然后输入项目的名称和其他相关信息。
点击"创建"按钮，即可创建一个新的项目。
2. 组件库App Inventor 18提供了丰富的组件库，包括按钮、文本框、列表等常用的界面元素，以及传感器、数据库等其他常用功能组件。
用户可以通过拖拽这些组件到界面编辑器中，来构建自己的应用程序界面。
3. 设计界面通过点击界面编辑器中的各种组件，可以设置它们的属性，如大小、位置、字体等。
同时，还可以通过设置各种事件，如点击事件、滑动事件等，为组件添加功能，使之能够响应用户的操作。
4. 逻辑编程App Inventor 18采用积木块的方式来实现逻辑编程。
用户只需要从拼图库中选择相应的积木块，并将它们拖拽到blocks编辑器中，然后连接它们以完成逻辑流程的设计。
使用这种方式，即使没有编程基础的用户也能够轻松理解和使用。
5. 运行和测试在完成应用程序的设计之后，用户可以点击"运行"按钮，将应用程序安装到手机模拟器或实际手机上进行测试。
数字信号处理（Digital Signal Processing）智慧树知到课后章节答案2023年下聊城大学聊城大学绪论单元测试1.声音、图像信号都是（）。
A:二维信号 B:一维信号 C:确定信号 D:随机信号答案:随机信号第一章测试1.序列的周期为（）。
A:7 B:7 C:14 D:14答案:142.序列的周期为（）。
A:10 B:10 C:8 D:8答案:103.对于一个系统而言，如果对于任意时刻n0，系统在该时刻的响应仅取决于此时刻及此时刻以前时刻的输入系统，则称该系统为____系统。
（）A:线性 B:因果 C:稳定 D:非线性答案:因果4.线性移不变系统是因果系统的充分必要条件是______。
（）A:n<0,h(n)=0 B:n>0,h(n)=0 C:n>0,h(n)>0 D:n<0,h(n)>0答案:n<0,h(n)=05.要想抽样后能够不失真的还原出原信号，则抽样频率必须，这就是奈奎斯特抽样定理。
（）A:等于2倍fm B:小于等于2倍fm C:大于2倍fm D:大于等于2倍fm答案:大于等于2倍fm6.已知x(n)=δ(n),其N点的DFT[x(n)]=X(k),则X(N-1)= 1。
（）A:对 B:错答案:对7.相同的Z变换表达式一定对应相同的时间序列。
（）A:对 B:错答案:错8.滤波器设计本质上是用一个关于z的有理函数在单位圆上的特性来逼近所有要求的系统频率特性。
（）A:错 B:对答案:对9.下面描述中最适合离散傅立叶变换DFT的是（）A:时域为离散周期序列，频域也为离散周期序列 B:时域为离散有限长序列，频域也为离散有限长序列 C:时域为离散序列，频域也为离散序列 D:时域为离散无限长序列，频域为连续周期信号答案:时域为离散有限长序列，频域也为离散有限长序列10.巴特沃思滤波器的幅度特性必在一个频带中（通带或阻带）具有等波纹特性。
（）A:错 B:对答案:错第二章测试1.N＝1024点的DFT，需要复数相乘次数约（）。
第三章逻辑代数基础（Basis of Logic Algebra）1．知识要点逻辑代数（Logic Algebra）的公理、定理及其在逻辑代数化简时的作用；逻辑函数的表达形式及相互转换；最小项（Minterm）和最大项（Maxterm）的基本概念和性质；利用卡诺图（Karnaugh Maps）化简逻辑函数的方法。
重点：1．逻辑代数的公理（Axioms）、定理（Theorems），正负逻辑（Positive Logic, Negative Logic）的概念与对偶关系（Duality Theorems）、反演关系（Complement Theorems）、香农展开定理，及其在逻辑代数化简时的作用；2．逻辑函数的表达形式：积之和与和之积标准型、真值表（Truth Table）、卡诺图（Karnaugh Maps）、最小逻辑表达式之间的关系及相互转换；3．最小项（Minterm）和最大项（Maxterm）的基本概念和性质；4．利用卡诺图化简逻辑函数的方法。
难点：利用卡诺图对逻辑函数进行化简与运算的方法（1）正逻辑（Positive Logic）、负逻辑（Negative Logic）的概念以及两者之间的关系。
数字电路中用电压的高低表示逻辑值1和0，将代数中低电压（一般为参考地0V）附近的信号称为低电平，将代数中高电压（一般为电源电压）附近的信号称为高电平。
以高电平表示1，低电平表示0，实现的逻辑关系称为正逻辑（Positive Logic），相反，以高电平表示0，低电平表示1，实现的逻辑关系称为负逻辑（Negative Logic），两者之间的逻辑关系为对偶关系。
（2）逻辑函数的标准表达式积之和标准形式（又称为标准和、最小项和式）：每个与项都是最小项的与或表达式。
和之积标准形式（又称为标准积、最大项积式）：每个或项都是最大项的或与表达式。
逻辑函数的表达形式具有多样性，但标准形式是唯一的，它们和真值表之间有严格的对应关系。
人工智能练习题库（含参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.卷积神经网络(convolu-tional neural network，CNN)，是一种专门用来处理具有类似( )的数据的神经网络。
A、网格结构B、数组结构C、序列结构D、表格结构正确答案：A2.在证据理论中，信任函数与似然函数的关系为（）。
A、Bel≤PlB、Bel＜PlC、Bel≥PlD、Bel＞Pl正确答案：A3.在Python中，函数（）。
A、不可以嵌套定义B、不可以嵌套调用C、不可以递归调用D、以上都不对正确答案：D4.在IBMSPSS中，将评判准则和评判方法抽象为数学计算方法，就是()的内容。
A、数据挖掘B、统计分析C、数理统计D、优化技术正确答案：D5.隐马尔可夫模型（HiddenMarkovModel，简称HMM）主要用于(___)数据建模A、时长B、时间C、时态D、时序正确答案：D6.下列对《国务院关于印发新一代人工智能发展规划的通知》中关于到2030年人工智能发展战略目标，表述错误的是（）。
A、成为世界主要人工智能创新中心B、人工智能理论、技术与应用达到世界领先水平C、人工智能产业成为新的重要经济增长点D、智能经济、智能社会取得明显成效正确答案：C7.数组与列表的区别在于（）A、数组元素可变，列表元素不可变B、以上都不对C、列表元素类型必须一致，数组可以不一致D、数组元素类型必须一致，列表可以不一致正确答案：D8.下列哪部分不是专家系统的组成部分A、用户B、综合数据库C、知识库D、推理机正确答案：A9.SOM网络是一种()的无监督神经网络，它能将高维输入数据映射到低维空间。
A、竞争学习型B、匹配学习型C、在线学习型D、增量学习型正确答案：A10.Word2Vec提出了哪两个算法训练词向量？A、COBWSoftmaxB、Softmax、CBOWC、CBOW、Skip-gramDD、Skip-gramCOBWC正确答案：C11.在数据加工过程中，将特征值按比例缩小，使之落入一个特定的区间的方法是()A、标准化B、聚集C、平滑处理D、特征构造正确答案：A12.图像灰度的方差表示图像的哪种属性A、&图像细节B、&图像对比度&C、图像整体亮度&D、&图像饱和度&正确答案：B13.通常池化操作的效果是：A、使图片变大B、使图片变成圆形C、使图片变成三角形D、使图片变小正确答案：D14.TensorF1ow 是下列哪个公司首先开发的?A、OracleB、FacebookC、GoogleD、英伟达正确答案：C15.关于update语句和delete语句的使用需要注意的问题，下列说法正确的是()A、使用delete语句的时候需要注意把where字句写上，如果没有指定WHERE 子句，MySQL 表中的所有记录将被删除B、在iris表中删除sepal_length等于6的记录，写法是“delete * from iris where sepal_length = 6C、”D、更新数据的时候可以忽略更新数据的数据类型E、每一次使用update更新数据的时候，只可以更新一个字段正确答案：A16.算法性能显著不同时，需要进行(___)来进一步区分各算法。
人工智能模拟练习题（含参考答案）一、多选题（共100题，每题1分，共100分）1.下列哪些项是决策树常用的属性选择指标（）A、距离平方和B、Gini系数C、信息增益率D、信息增益正确答案：BCD2.以下表达式输出结果中不包含重复元素的有A、set ([1,1,2,3])B、list((1,1,2,3))C、{1,1,2,3}D、list({1,1,2,3})正确答案：ACD3.卷积神经网络中的池化层可以减小下层输入的尺寸。
常见的池化有:A、最小地化层B、乘积池化层C、最大池化层D、平均池化层正确答案：CD4.人工智能因其突出的（）等能力，可在网络信息安全领域和社会公共安全领域有许多创新性应用A、知识提取B、数据分析C、自主学习D、智能决策正确答案：ABCD5.前馈神经网络由（）、（）、（）构成？A、中间层B、隐藏层C、输出层D、输入层正确答案：BCD6.图像数字化需要经过的步骤包括（）A、裁剪B、采样C、旋转D、量化正确答案：BD7.在Python中，令cars=['bmw','audi','toyota','subaru'] 运行cars.sort(reverse=True)后，cars的值为（）；运行sorted(cars,reverse=True)后，cars的值为（）A、['audi', 'bmw', 'subaru', 'toyota']B、['toyota','subaru','bmw','audi']C、['subaru','toyota','audi','bmw']D、['bmw','audi','toyota','subaru']正确答案：BD8.下列哪些部分是专家系统的组成部分？A、用户B、知识库C、推理机D、综合数据库正确答案：BCD9.C语言中三种基本的类型为（）。
0.18LG PROCESS FLOW 相关问题1.ZERO OXIDE 的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。
PR中所含的有机物很难清洗。
第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。
第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。
2.ZERO PHOTO的目的是什么？WAFTER MARK是否用光照？ZERO PHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose。
WAFTER MARK不用光照，用LASER刻出W AFTER的刻号。
3.PAD OXIDE 的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE 作为缓冲层，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LAYER。
如果太薄，会托不住NITRIDE,对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长线氧时易形成鸟嘴。
PAD OXIDE是用湿氧的方法生长的。
4.STI NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？NITRIDE是作为STI CMP的STOP LAYER。
NITRIDE的厚度要精确控制，一方面与PAD OXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CD control最好；另一方面与BIRD’S BEAK的形成有关。
如果NITRIDE太厚，BIRD’S BEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PAD OXIDE，可减小缺陷，但BIRD’S BEAK会增加。
5.在STI ETCH中SION的作用是什么？在整个0.18um SRAM FLOW 中SION厚度有几个？STI ETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。
在整个0.18um SRAM FLOW 中SION的厚度有3个：320A,400A,600A。
6.在STI HDP前LINER-OXIDE的作用是什么？LINER OXIDE是用热氧化的方法生长的。
一方面在STI ETCH后对SI会造成损伤，生长一层LINER OXIDE可以修补沟道边缘Si表面的DAMAGE；在HDP之前修复尖角，减小接触面，同时HDP DEPOXIDE是用PLASMA,LINER OXIDE也作为HDP时的缓冲层。
7：HDP DEP原理？A：在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死，产生空洞现象，因为有PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤。
8：为什么HDP DEP后要有RTA？A：因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来消除。
9：为什么在STI CMP前要进行AR PHO 和ETCH BACK？A：AR PHO 就是用AA PHO 的反版在HDP CVD 生长的OXIDE上形成图示形状，先用DRY方法去掉大块的OXIDE，使CMP时能将OXIDE完全去掉10：在STI CMP后OXIDE的表面要比NITRIDE 的低？A：NITRIDE的硬度较大，相对来说OX的研磨速率更高，因此STI CMP 会有一定量的Dishing.11：为什么在CMP后进行CLN？用什么药剂？A：CMP是用化学机械的方法，产生的PARTICLE很多，所以要CLN。
使用药剂如下：SPM+HF：H2SO4：H2O2 去除有机物质HPM：HCL：H2O2：H2O 去除金属离子APM：NH4OHHF 去除自然氧化层12：SAC OX 的作用？为什么要去除PAD OX后才长SAC OX ，而不直接用PAD OX？A：因为经过上面一系列的PROCESS，SILICON的SURFACE会有很多DAMAGE，PAD OX 损伤也很严重，因此要去掉PAD OX后生长一层OXIDE来消除这些DAMAGE，同时SAC OX 也避免PR与SI的表面直接接触，造成污染。
也为下一步的IMP作阻挡层，防止离子IMP 时发生穿隧效应。
13、APM，SPM，HPM的主要成分，除何种杂质；HF的作用。
APM NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 SC1主要去除微颗粒，可除部分金属离子。
HPM HCL:H2O2:H2O=1:1:6 SC2主要作用是去除金属离子。
SPM H2SO4:H2O2=4:1主要作用是去除有机物（主要是残留光刻胶）。
HF的主要作用是去除OX。
14、WELL IMP中需要注入几次，每次IMP的位置大致怎样？0.18UM制程中WELL IMP有三次：WELL IMP注入的位置最深，用以调节井的浓度防止Latch-up效应。
CHANNEL IMP位置较浅，加大LDD之下部位的WELL浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件PUNCH THROUGH。
VT注入，靠近器件表面，调节器件的开启电压。
15、什么是PUNCH THROUGH，为消除它有哪些手段？PUNCH THROUGH是指器件的S、D因为耗尽区相接而发生的穿通现象。
S、D对于SUB 有各自的耗尽区。
当器件尺寸较小时，只要二者对衬底的偏压条件满足，就可能发生PUNCH THROUGH效应。
这样，不论GA TE有无开启都会有PUNCH THROUGH产生的电流流过S、D。
在制程中，采用POCKET和CHANNEL IMP来加大容易发生PUNCH THROUGH位置的SUB 浓度，从而减小器件工作时在该处产生的耗尽层宽度以达到避免PUNCH THROUGH发生的效果。
16、为什么要进行DUAL GATE OX，该OX制程如何？GATE OX ETCH方式怎样？在工艺中，为了满足不同的开启电压要求设计了两样GATE OX。
工作电压为3.3V（外围）的需要GATE OX的较之 1.8V为厚。
SAC OXIDE REMOVEGA TE1 OX 生长50AOXDUAL GATE OXIDE PHOTOGA TE OXIDE ETCH/CRS 将1.8V器件处的GOX去掉GA TE2 OXPOL Y DEPOSITION在DUAL GATE OXIDE PHOTO之后的ETCH要去除1.8V的GA TE OX1，然后两边（3.3V、1.8V）同时生长OX，形成70A、32A的DUAL GA TE结构。
17、为什么用UNDOPE的多晶?掺杂POL Y（一般指N型）在CMOS工艺中会对PMOS的VT有较大影响，而UNDOPE的掺杂可以由后面的S、D的IMP来完成，容易控制。
18、解释HOT CARRIER EFFECT，说明LDD的作用。
当MOSFET通道长度缩小时，若工作电压没有适当的缩小，通道内的电场会增大，靠近电极处最大，以至于电子在此区域获得足够的能量，经过撞击游离作用，产生电子-空穴对。
这些电子空穴对有的穿过氧化层形成门极电流，有的留在氧化层内影响开启电压。
同时也使得表面的迁移率降低。
LDD的轻掺杂使横向电场强度减小，热载流子效应被降低。
19．为什么PLH、NLH无pocket IMP？在0.18µm LOGIC DUAL GATE 制程中，GATE1是0.35µm，其尺寸较宽，其下面的沟道也较宽，也就不会产生p-th现象，所以不需要进行pocket IMP来进行调整。
20．Nitride spacer 的特点？为什么要做成这种结构？若是O-N结构会有什么影响？Nitride spacer是怎样Etch的？先用热氧化法于700℃下生长一层150Å左右的lining TEOS作为的ETCH NITRIDE 的STOP LAYER，也作为Nitride的缓冲层，减少Nitride对Si的应力。
然后再deposition一层SIN（300Å左右），这是主要的，但不能太厚，太厚会对下层Lining TEOS Structure造成损伤，即Lining TEOS 会支撑不住。
但是Spacer又要求有一定的厚度，所以在Nitride的上面还要在Dep一层TEOS（1000ű100Å），这样就形成了O-N-O结构。
Spacer etch时先干刻到Lining TEOS上停止，再用湿刻的方法刻蚀Lining TEOS，但是并没有完全去掉，经过Oxide Striping后lining oxide 还有的50 Å作为SN+,SP+-的IMP 的掩蔽层。
22.为何要将SP+-的IMP RTA Annealing推至SAB Dep之后？主要防止Borron从Wafer表面溢出。
23.SAB的作用？Salicide Block首先，在不需要Salicide的地方防止产生Salicide,做电阻时。
其次，ESD的保护电路上不需要做Salicide.而且SAB 有防止S/D的杂质从表面析出。
24.Salicide在两次退火过程中形成物质的特点？在Salicide形成过程中为何要两次RTA? TiN(200Å)的作用。
Salicide过厚或者过薄有何影响。
第一次在500℃下退火，在S/D以及Poly上面形成Co2Si,这样会把表面的Si固定住，从而防止其沿着表面流动，这样形成的Co2Si. Salicide的电阻较大，再经过一次RTA(850℃)后Co2Si→CoSi2,电阻率下降，若经过一次退火，Poly和S/D中的Si会扩散到side wall 上，从而在侧墙上也会形成CoSi2，这样就会把Poly与D,S连接起来，造成短路。
由于Co在高温时易结块，在Si&POLY表面覆盖不均匀，影响Salicide的质量表面盖一层TiN将Co固定。
Salicide过薄，电阻较高，在ETCH时O/E容易刻穿无法形成欧姆接触。
过厚则可能使整个S,D都形成Salicide。
25. 在POLY ETCH 后要进行POLY Re-Oxidation 的作用？修补ETCH 后对GOX 造成的damage.Poly ETCH 过程中要注意控制CD,并且所用药品的RECIPE 要对OX的选择比要足够大。
27．SABP-TEOS 的作用？SABP-TEOS Sub-AtmosphericBP TEOS 好处good gap-filling and 平坦化, trap Na+, Lower Reflow Temperature , Reflow后降低wafer 表面的高度差,结构变得比较致密。
