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机械工业出版社《电子技术基础》第四章习题答案

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电路与电子技术基础第4章习题参考答案

电路与电子技术基础第4章习题参考答案

τ=
L 1 = R0 7
(s)
利用三要素公式，可得
i (t ) = 4 + (0 − 4)e −7t = 4(1 − e −7 t ) ( A)
4-4 电路如题图 4-3(a)所示，i(t)=10mA、R=10kΩ、L=1mH。开关接在 a 端为时已久， 在 t=0 时开关由 a 端投向 b 端，求 t≥0 时，u(t)、iR(t)和 iL(t)，并绘出波形图。
《电路与电子技术基础》第四章参考答案
第6页
u c (t ) = U oc (1 − e τ )(V)
根据已知条件，得：Uoc=20V，τ=2s。因为τ=R0C，所以 R0=2/0.2=10Ω 当电容 C=0.05F 时，时间常数τ=10×0.05=0.5s。电容电压初始值为 uc(0+)=5V，稳态值 为 uc(∞)=20V，由三要素公式，可以得到全响应
u c (0 _ ) = 1 × 2 = 2(V)
开关闭合后
u c (0 + ) = u c (0 _ ) = 2(V)
τ = R0 C = (2 // 1) × 3 = 2(s)
u c (∞) = 1 × (1 // 2) =
所以
2 (V) 3
− t
u c (t ) = u c (∞) + (u c (0) − u c (∞))e 2 2 + (2 − )e −0.5t 3 3 2 − 0.5t − 0.5t = 2 e2 ) 1 3 + 3 (1 − e 14243 零输入响应 =
uc (0) = 3 × 2 = 6(V)
当开关投向 b 时电容电压的初始值
uc (0 + ) = uc (0 − ) = 6(V)

电子技术基础第7版答案

电子技术基础第7版答案

−120 × 10−3 W （负值），故为电源； 80V元 件
80 × 10−3 W （正值），故为电源； 30V元件
10−3 W （正值），故为负载。 两者结果一致。 最后校验功率平衡： 电阻消耗功率:
2 PR1 = R1 I1 = 10 × 32 mW = 90mW 2 = 20 × 12 mW = 20mW PR2 = R2 I2
第1.6节 基尔霍夫定律 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
第1.7节 电路中电位的概念及计算 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2 从电压和电流的参考方向判别： 电路元件3 U3 和I3 的参考方向相同P = U3 I3 = 60 × (−2) × 10−3 W = U2 和I2 的 参 考 方 向 相 反P = U2 I2 = 80 × 1 × 10−3 W = U1 和I1 参考方向相同P = U1 I1 = 30 × 3 × 10−3 W = 90 ×
4
电源发出功率: PE = U2 I2 + U3 I3 = (80 + 120)mW = 200mW 负载取用和电阻损耗功率:
2 2 P = U1 I1 + R1 I1 + R2 I2 = (90 + 90 + 20)mW = 200mW
两者平衡 1.5.3 有一直流电源，其额定功率PN = 200W ，额定电压UN = 50V 。内阻R0 = 0.5Ω，负载电阻R可以调节。其电路如教材图1.5.1所示试求： 1 额定工作状态下的电流及负载电阻； 2 开路状态下的电源端电压； 3 电源短路状态下的电流。 [解] (1) 额定电流IN = 200 50 PN UN A = 4A, 负载电阻R = = = Ω = 12.5Ω UN 50 IN 4

《电子技术基础》第4至7章试题及答案

《电子技术基础》第4至7章试题及答案

《电子技术基础》（中职电工类第5版）第4至7章试题及答案一．填空题：1.将交流电变换成直流的过程叫整流。

2.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

3.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.4.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

5.检查硅整流堆正反向电阻时，对于高压硅堆应用兆欧表。

6.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

7.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。

8.并联型稳压电路是直接利用稳压管电流的变化，并通过限流电阻的调压作用，达到稳压的目的。

9.用“1”表示低电平，“0”表示高电平，称为负逻辑。

10.由与、或、非三种基本门电路可以组合成复合门电路。

11.集电极开路门的英文编写为OC 门.12. TTL门电路输出端不允许直接接电源或接地。

13. CMOS 集成电路的多余输人端不能悬空_。

14.为有良好的静电屏蔽，CMOS集成电路应存在密闭容器中。

15.十进制数有16个数码，基数为16 。

16.将十进制数175转换成二进制数为（10101111）217.在数字电路中，逻辑变量的值只有 2 个。

18.四位二进制编码器有十个输入端2个输出端。

19. BCD码编码器能将二进制数码编成十进制代码。

20. 优先编码器当多个信号同时输入时，只对优先级别最高位的一个进行编码。

21. 8线-3线优先编码74LS148,有 8 个输入端，3个输出端。

22. 触发器有 2 个稳定状态。

23. JK触发器的逻辑功能为置1，置0，保持和翻转。

24. JK触发器中，若J=1 ，K= 1 则实现计数功能。

25.计数器还可以用来统计，定时、分频或者进行数字运算等。

26.计数器按计数趋势不同可分为加法、减法和可逆计数器。

27.模数转换器通常要经过采样、保持、量化和编码四步完成。

28.晶闸管的电流参数有通态平均电流和维持电流等。

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

1-9 有 A、B、C 3 只晶体管，测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示，试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96

(完整版)电子技术基础习题答案

(完整版)电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

电子技术基础第四章 习题答案

电子技术基础第四章 习题答案
答：应选用C7650 因为其共模抑制比最高 KCMR=120~150最高。
4.3 在分析反相加法、差分式减法、反相积分和微分电路中，所根 据的基本概念是什么？KCL是否得到应用？如何导出它们输入-输出的 关系？
答：所根据的基本概念是虚短、虚断。KCL在分析反馈电流与比较 电流的关系时得到应用。根据反馈电流与比较电流的关系导出输出-输 入的关系。
第4章 习 题
4.1 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端是如何形成虚地 的？该电路属于何种反馈类型？
答：在反相求和电路中，集成运放的反相输入端是等于同相输入端 的电压，而同相端接地，所以在反相形成虚地。该电路属于电压并联负 反馈
4.2 说明在差分式减法电路中，运放的两输入端存在共模电压，为 提高运算精度，应选用何种运放？
输出波形如图（b）。传输特性如图（c）.
答： 4.10求图所示电路的输出电压uo，设运放是理想的
； ； ； ； 将电路中的电阻参数代入上式得
； ；；
整理后： 代入 中 =2.31u3+1.16u4-2u2-1.25u1 4.11 画出实现下述运算的电路：
uo=2ui1－6ui2+3ui3－0.8ui4
4.12 图为积分求和运算电路，设运放是理想的，试推导输出电压与 各输入电压的关系式。
解：根据虚断：i1+i2+i3=if 4.13 实用积分电路如图所示，设运放和电容均为理想的。 （1）试求证：；
（2）说明运放A1、A2各起什么作用？
解：
；； ∵ Rf＝R2 R1＝R3 ∴ ∵ ①；将 代入①后u01得：
对等式两边积分得： － 4.14 求图所示比较器的阀值，画出传输特性。又若输入电压uI波形 如图所示时，画出uo波形（在时间上必须与uI对应）。 解：uo=6V时 uo=-6V时

机械工业出版社《电子技术基础》第四章习题答案

机械工业出版社《电子技术基础》第四章习题答案4-1 放大电路见图4-35，晶体管V 1的Ω=k 6be1r ，V 2的Ω=k 2.1be2r ，两管的10021==ββ，要求:(1) 计算该多级放大电路的输入电阻i r 和输出电阻o r ; (2) 计算R s =0和R s =20k Ω时的s o /U U 各是多少。

图4-35 题4-1图解：（1）B1B2be1////91//30//6 4.7k i r R R r ===Ω, be2o //0.012k Ω(1)E r r R β=≈+()[]2B be2//1//180//1.2101 3.6//3.690.7k i E L r R r R R β=++=+?=Ω(2) R s =0时- ()()()()()1C 122C 2us u1u2be1be22C 2//1//176.61//i L L βR r βR R A A A r r βR R +==-?=-++R s =20k Ω时 ()()()()()1C 122C 211us u1u2S 1be1be22C 2S 1//1//33.51//i L i i i L i βR r βR R r r A A A R r r r βR R R r +==-=-++++4-2 放大电路见图4-36，各管的β = 100，r be = 1 k Ω，试计算放大电路的电压放大倍数u A ，输入电阻i r 和输出电阻o r 。

图4-36 题4-2图解：()[]B1be112//1//376//11017.5//7.16186.73k i E i r R r R r β=++=+?=Ω()[]2B2B3be22////1400//200//11010.0657.16k i E r R R r R β=++=+?=Ωr o =3k Ω ()()()()()()()1C122C2u u1u2be11C12be221////1003//11101//11010.0651i L i E βR r βR R A A A r βR r r R β??+==?-≈?-≈-??+++?'??++ 4-3 放大电路见图4-37，场效应管3DO1的g m =2 mS ，晶体管3DG6的50=β，静态V 7.0BE =U ，要求：(1) 计算第二级的静态工作点；(2) 写出总电压放大倍数u A 的表达式；(3)第一级的输入电阻r i 和第二级的输出电阻r o 等于多少？(4) 说明第一级电路的名称，在输入级采用此电路有何好处？o+12V解：(1) 计算第二级的静态工作点101242010B V V ==+ 40.71.652E C I m A I -==≈ 1.650.0351B I m A == 12(22) 1.65 5.4C E U V =-+?=226300(1)1103.6 1.1be E m V r k I m Aβ=Ω++=Ω=Ω(2)总电压放大倍数u A 的表达式 []220//10//1.1510.5 5.33k i r =+?=Ω ()212C L2be2E112(//)11(//)//2//5502.71 1.1510.5m S i u m S i u u u u g R r A g R r R R A r R A A A ββ=≈+=-=-=-'+++?=?≈-(3) Ω=≈Ω==k 2,M 10C o G i R r R r (4) 第一级为源极跟随器，具有很高的输入阻抗，减少对信号源电压的影响。

电力电子技术及应用习题答案

部分习题参考答案第3章1. U o = 1.5V ，I o = 3A ，I max = 3.01A ，I min =2.99A 。

2. I R = 16A ，I S = 16.8A ，I D =3.2A ，I C = 0，P o = P i = 2.56kW 。

3. D 的变化范围：0.505～0.617，L = 0.168mH ，C = 55.44F μ，L = 0.031mH ，D = 0.25，η = 94%。

4. 9H μ5. I R = 2A ，I S = I L = 10A ，I D = 2A ，I C = 0，P o = P i = 1kW 。

6. D max = 0.5；D max = 0.62，可以。

8. 0.3，间断电流方式。

9. 当0<D <0.5时，降压斩波；当0.5<D <1时，升压斩波。

10. Δi L1/I L1 = 13.4%，Δi L2/I L2 = 6.7%，Δv C1/V C1 = 8.87%。

第4章6. 300V 。

7. 120D d π。

8. (1)43.24V ；(2)6.1A ；(3)186W 。

14. 343.98V ，243.23V ，297.89V ，210.64V ；595.79V ，421.29V ，515.96V ，364.84V 。

15. 487.4V ，82.07A 。

21. 80.7V ，53.8A 。

29. 623.54V 。

30. 提示：主电路通过DC/DC 变换再用桥式逆变电路，并要有相应的保护；控制电路用单片机或专用集成芯片。

36. 提示：设计包括整流电路、逆变电路、保护电路、缓冲电路、驱动电路、滤波电路和散热器的选择和计算。

第5章5. d 78V U =，d 39A I =，2d 39A I I ==；d 78V U =，d 9A I =，29A I =。

10. d 20.274U U =。

12. d d dT T 58.5V 11.7A 3.9A 6.75A U I I I ====，，，。

电力电子技术_第五版_王兆安刘进军_课后详细答案(机械工业出版社)


0 π 4
π a)
2π 0 π 4
π 5π 4 b)
2π 0
π 2 c)
2π
图 1-43 晶闸管导电波形 解 a) Id1= I1= b)
Im 1 π ( 2 + 1 ) ≈ 0.2717 Im π I m sin ωtd (ωt ) = ∫ 2 π 4 2 π 2
1 2π
∫π ( I
4
π
m
sin ωt ) 2 d (ωt )
=
π
2Im 2
Id3= I3 =
1 2π
1 2 1 I m d (ωt ) = ∫ 0 2 π 4
Im
∫
π
2 0
I m d (ωt )
2
= 1 Im
2
4. 题中如果 考虑安全裕量, 100A 的晶闸管能 的 均电流 Id1 Id2 Id3 各 多少 时 相应的电流最大值 Im1 Im2 Im3 各 多少? 解 额定电流 I T(AV) =100A 的晶闸管 允许的电流 效值 I =157A 由 题计算 结果知 a) Im1 ≈ I ≈ 329.35 Id1 ≈ 0.2717 Im1 ≈ 89.48 b) c)
图
π 2π
ωt
π
2π
ωt
0
π
2π
ωt
当α 60°时 在 u2 半周期 60° ~180° 期间晶闸管导通使电感 L 储能 电 感 L 储藏的能量在 u2 负半周期 180° ~300° 期间释放 因 在 u2 一个周期中 60° ~300° 期间 微 方程成立
L d id = 2U 2 sin ωt dt
2
7. IGBT GTR GTO 和电力 MOSFET 的驱 电路各 什 特点 答 IGBT 驱 电路的特点是 驱 电路 较小的输 电阻 IGBT 是电压驱 型器件 IGBT 的驱 多采用 用的混合集成驱 器 GTR 驱 电路的特点是 驱 电路提供的驱 电流 足够陡的前沿 并 一 定的过 样 开通过程 减小开通损耗 关断时 驱 电路能提供幅值 足够大的 向基极驱 电流 并 偏截 电压 关断 度 GTO 驱 电路的特点是 GTO 要求 驱 电路提供的驱 电流的前沿应 足够的幅值和陡度 一般需要在整个导通期间施 门极电流 关断需施 负 门极电流 幅值和陡度要求更高 驱 电路通常包括开通驱 电路 关断驱 电路和门极 偏电路 部 电力 MOSFET 驱 电路的特点 要求驱 电路 较小的输入电阻 驱 率小 电路简单 8. 全 型器件的缓 电路的 要作用是什 试 析 RCD 缓 电路中各元 件的作用 答 全 型器件缓 电路的 要作用是抑制器件的内因过电压 du/dt 或过电流 和 di/dt 减小器件的开关损耗 RCD 缓 电路中 各元件的作用是 开通时 Cs 经 Rs 放电 Rs 起到限制放 电电流的作用 关断时 负载电流经 VDs Cs 流 使 du/dt 减小 抑制过电压 9. 试说明 IGBT GTR GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点 解 对 IGBT GTR GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如 表 器 件 优 点 缺 点 开关 度高 开关损耗 小 耐脉 电流 开关 度 于电力 IGBT 的能力 通态压降较 MOSFET,电压 电流 输入阻 高 电 容量 及 GTO 压驱 驱 率小 开关 度 电流 耐压高 电流大 开关 驱 所需驱 率 GTR 特性好 通流能力强 大 驱 电路复杂 饱和压降 存在二次 穿 题 电压 电流容量大 电流关断增益很小 GTO 用于大 率场合 关断时门极负脉 电导调制效应 通流 电 流 大 开 关 度

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foxpro 程序设计》课后答案（重`庆大学出版社）/viewthread.php?tid=610&fromuid=1000传感器与传感器技术第二版何道清习题解答/viewthread.php?tid=6815&fromuid=1000微观经济学/viewthread.php?tid=5876&fromuid=1000《传感器与检测技术》陈杰高教版高等教育出版社课后答案/viewthread.php?tid=3173&fromuid=1000信息安全数学基础（陈恭亮）课后习题答案/viewthread.php?tid=5948&fromuid=1000量子力学/viewthread.php?tid=4488&fromuid=1000数据处理模拟练习题参考答案(14张word)/viewthread.php?tid=820&fromuid=1000C++语言学习质料/viewthread.php?tid=7889&fromuid=1000模拟电子技术基础部分答案/viewthread.php?tid=8499&fromuid=1000计算机操作系统期末复习题/viewthread.php?tid=5996&fromuid=1000电力电子技术练习及参考解/viewthread.php?tid=7123&fromuid=1000《传感器与检测技术》课后答案，陈杰编著，高等教育出版社。

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4-1 放大电路见图4-35，晶体管V 1的 Ω=k 6be1r ，V 2的Ω=k 2.1be2r ，两管的
10021==ββ，要求:(1) 计算该多级放大电路的输入电阻i r 和输出电阻o r ; (2) 计算R s =0
和R s =20k Ω时的s o /U U 各是多少。

图4-35 题4-1图
解：（1）B1B2be1////91//30//6 4.7k i r R R r ===Ω, be2o //0.012k Ω(1)
E r r R β=
≈+
()[]2B be2//1//180//1.2101 3.6//3.690.7k i E L r R r R R β=++=+⨯=Ω⎡⎤⎣⎦
(2) R s =0时- ()
()()
()()
1C 122C 2us u1u2
be1
be22C 2//1//176.61//i L L βR r βR R A A A r r βR R +==-⨯
=-++
R s =20k Ω时 ()
()()
()()
1C 122C 211us u1u2
S 1
be1
be22C 2S 1
//1//33.51//i L i i i L i βR r βR R r r A A A R r r r βR R R r +==-
⨯
⨯
=-++++
4-2 放大电路见图4-36，各管的β = 100，r be = 1 k Ω，试计算放大电路的电压放大倍数u A ，输入电阻i r 和输出电阻o r 。

图4-36 题4-2图
解：()[]B1be112//1//376//11017.5//7.16186.73k i E i r R r R r β=++=+⨯=Ω⎡⎤⎣⎦
()[]2B2B3be22////1400//200//11010.0657.16k i E r R R r R β=++=+⨯=Ω⎡⎤⎣⎦
r o =3k Ω ()()
()()()()()1C122C2u u1u2
be11C12be2
21////1003//1110
1//11010.0651i L i E βR r βR R A A A r βR r r R β⎡⎤+⎡⎤⎢⎥==⨯-≈⨯-≈-⎢⎥+++⨯'⎢⎥++⎣⎦⎣⎦ 4-3 放大电路见图4-37，场效应管3DO1的g m =2 mS ，晶体管3DG6的50=β，静态V 7.0BE =U ， 要求：(1) 计算第二级的静态工作点；(2) 写出总电压放大倍数u A 的表达
式；(3)第一级的输入电阻r i 和第二级的输出电阻r o 等于多少？(4) 说明第一级电路的名称，在输入级采用此电路有何好处？
o
+12V
解：(1) 计算第二级的静态工作点
101242010
B V V =
⨯=+ 40.71.652E C I m A I -=
=≈ 1.65
0.0351
B I m A == 12(22) 1.65 5.4
C E U V =-+⨯=
226300(1)
1103.6 1.1be E m V r k I m A
β=Ω++=Ω=Ω
(2)总电压放大倍数u A 的表达式 []220//10//1.1510.5 5.33k i r =+⨯=Ω ()212C L
2be2E1
12(//)1
1(//)
//2//550
2.71 1.1510.5
2.7
m S i u m S i u u u u g R r A g R r R R A r R A A A β
β=
≈+=-=-=-'+++⨯=⋅≈-
(3) Ω=≈Ω==k 2,
M 10C o G i R r R r (4) 第一级为源极跟随器，具有很高的输入阻抗，减少对信号源电压的影响。

4-4 两级交流放大电路见图4-38，已知场效应晶体管的 g m =2 mA/V ，晶体管的50=β，
Ω=600be r 。

要求：(1) 画出放大电路的微变等效电路；(2) 计算mV 10s =U 时=o u ? (3) 计算第一级的输入、输出电阻；(4) 说明前级采用场效应晶体管，后级采用射极输出放大电路的作用。

图4-38 题4-4图
1) 放大电路的微变等效电路
i b
R
s
u s
(2)()247//0.6510.47//0.7511.56k i r =+⨯=Ω⎡⎤⎣⎦
()()
()()
12L 2be2L 12
(//)7.541//11//7.54
u m D i E u E i us u u i S
A g R r R R A r R R r A A A r R ββ=-=-+=
≈++=⋅≈-+
o 74.5 m V U =
(3) 第一级放大电路的输入电阻，输出电阻
i G G1G2o1D // 1 M 5.6 k r R R R r R =+≈Ω
≈=Ω
(4) 前级采用场效应晶体管可以提高电路的输入电阻，后级采用射极跟随器可以降低输出电阻，提高带负载能力。

4-5 电压放大电路和功率放大电路的要求有何不同？
解：电压放大器与功率放大器的区别1) 任务不同。

电压放大——不失真地提高输入信号的幅度，以驱动后面的功率放大级，通常工作在小信号状态。

功率放大——信号不失真或轻度失真的条件下提高输出功率，通常工作在大信号状态。

2) 分析方法不同，电压放大采用微变等效电路法和图解法，功率放大采用图解法。

4-6 甲类功率放大电路效率低的原因何在？
解：甲类功率放大电路，将放大电路的静态工作点Q 选在其交流负载线中点附近，在整个输入信号周期内，始终有电流流过晶体管，虽然放大的信号不失真，但管耗太大，电路的效率很低。

4-7 甲乙类互补对称功率放大电路为什么可以减小交越失真
解：乙类互补对称功率放大电路中，静态时V1和V2均处于截止状态，当输入信号小于
基本上等于零。

因此，在两管交替工作前后都存在一个由晶体管的死区电压时，基极电流i
B
输入特性的死区电压而引起的截止工作区，导致输出电压、电流波形产生信号失真，这种失真称为交越失真。

为了消除交越失真，可在晶体管上加一很小的直流偏压,将静压工作点设置在稍高于截止点，使两个功放管在静止时处于于导通状态，即可避开输入特性曲线上的死区电压。

这时两只晶体管都工作在甲乙类放大状态。

4-14 什么是零点漂移？交流放大器是否也有零点漂移？
解：在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路（即无输入信号），在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为零点漂移，简称零漂。

交流放大器即一般的电容耦合放大电路没有零漂，电容能滤除缓慢变化的零漂。

4-15 直流放大器能不能放大交流信号？
解：直流放大器（直接耦合放大电路）不仅能放大缓变信号，也能放大频率较高的信号。