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第1章 常用半导体器件(2)

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模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

第1章—02-半导体二极管-sw

第1章—02-半导体二极管-sw

六、发光二极管 发光二极管
将电能转换成光能的特殊半导体器件。 1.定义：将电能转换成光能的特殊半导体器件。 定义： 2.类型 类型 普通发光二极管 红外发光二极管 …… 直流驱动电路 交流驱动电路
3.常用驱动电路： 常用驱动电路：
4.工作原理： 管子加正向电压时 在正向电流激发下， 4.工作原理：当管子加正向电压时，在正向电流激发下， 工作原理 管子发光，属电致发光。 管子发光，属电致发光。 注意：发光二极管在加正向电压时才发光。 注意：发光二极管在加正向电压时才发光。
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件
电子系 2010年9月 Electronic Department Sep. 2010
第一章 常用半导体器件
1.1、半导体的基础知识 1.1、 1.2、半导体二极管 1.2、 1.3、 1.3、晶体三极管 1.4、 1.4、场效应管
1.2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 六、发光二极管 七、光电二极管 八、其他二极管 九、二极管的应用
ui=0时直流电源作用 时直流电源作用
∆u D U T 根据电流方程，rd = ≈ ∆iD ID
小信号作用 Q越高，rd越小。 越高， 越小。 越高 静态电流
四、二极管的主要参数
• • • • 最大整流电流I 最大整流电流 F：最大平均值 最大反向工作电压U 最大反向工作电压 R：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率f 最高工作频率 M：因PN结有电容效应 结有电容效应 结电容为扩散电容（ 与势垒电容（ 之和。 结电容为扩散电容（Cd）与势垒电容（Cb）之和。
uL
+

电子电路基础习题册参考答案

电子电路基础习题册参考答案

电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。

N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。

一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

常用半导体器件

常用半导体器件

1.特点：非线性
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V 锗0.1~0.3V
U
硅管0.5V, 开启电压
锗管0.1V。
外加电压大于开启 电压二极管才能通。
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P IF
内电场 N
外电场
+–
P接正、N接负
动画
内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
总目录 章目录 返回 上一页 下一页
PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
总目录 章目录 返回 上一页 下一页
一、本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征 半导体。
价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子，称为价电子。
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压， 一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。

常用半导体器件

常用半导体器件

流的限流电阻！
稳压二极管的应用
稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA， Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻 R=200 ，求iZ。
若负载电阻变化范围为1.5 k -- 4 k ，是否还能稳 压？
i
iL
R ui DZ
iz UZ RL uO
i
工作原理： 无光照时，与普通二极管一样。
有光照时，分布在第三、四象限。
三、变容二极管 四、隧道二极管 五、肖特基二极管
• 作业 • 1.3 1.4 1.6 1.7
§1.3 晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
PN结的伏安特性
i = f (u )之间的关系曲线。
i/ mA
60
40
正向特性
20
–50 –25
反 向
0 0.5 1.0 u / V 击穿电–压0.002
特
U(BR–) 0.004
性
图 1.1.8 PN结的伏安特性
反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿
四、PN结的电容效应
当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量 将随之发生变化，使PN结具有电容效应。
ui和uo的波形如图所示
u o /V
10
t
O
讨论：解决两个问题
• 如何判断二极管的工作状态？ • 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？
对V和Ui二极管的模 型有什么不同与uD可比，则需图解： ID 实测特性
Q
uD=V－iR
UD
五、稳压二极管
限流电阻

01常用半导体器件练习题

01常用半导体器件练习题

第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。

A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。

A. PB. NC. PND. 电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。

A. PB. NC. PND. 空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是A ，少数载流子是B 。

A．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。

A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ，负端应接PN结 B 。

A．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。

(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。

)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。

A．V D-I D B．V D-r D C．I D-r D D．f-I D9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C 。

A．正极B．负极C．无法确定10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。

A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。

A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。

A ．反向偏置电压B ．正向导通电压C ．死区电压D ．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻 A 。

(反压下，光照产生光电流)A ．减少B ．增大C ．基本不变D ．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。

电工学下册电子技术教学课件艾永乐等第1章常用半导体器件


IR
为反向饱和电流。但IR与温内电场 E
度有关。
EW
R
1.1 半导体的导电特性
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具 有较大的正向扩散电流；
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具 有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论：PN结具有单向导 电性。
1.2 半导体二极管 1. 二极管的结构
在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极 管按结构分有点接触型、面接触型和P平N结面面型积三小大，类结。电
RL
-
1.3 特殊二极管
稳压二极管主要参数
(1) 稳定电压VZ
在规定的稳压管反向工作
电流IZ 下，所对应的反向工作
电压。
(2) 动态电阻rZ
rZ =VZ /IZ
(3)额定功率 PZ (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
(5)稳定电压温度系数——VZ
1.3 特殊二极管
VT 称为开启电压
1.5 场效应晶体管
vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGS >VT ）时，
vDS iD 沟道电位梯度 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄
整个沟道呈楔形分布
1.5 场效应晶体管
vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGS >VT ）时，
vDS iD 沟道电位梯度
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05
结论:
• 1）三电极电流关系
• 2） IC IB ， IC IE • 3） IC IB
IE = IB + IC
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大

常用半导体手册

电子发烧友/第１章　常用半导体元器件　半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。

半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理，掌握它们的特性和参数。

本章从讨论半导体的导电特性和PN 结的单向导电性开始，分别介绍二极管、双极型晶体管、绝缘栅场效应晶体管和半导体光电器件等常用的半导体元器件。

1.1 半导体的导电特性1.1.1 导体、绝缘体和半导体自然界的物质，按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三类。

物质的导电能力可以用电导率σ或电阻率ρ来衡量，二者互为倒数。

物质的导电能力越强，其电导率越大，电阻率越小。

导电能力很强的物质称为导体。

金属一般都是导体，如银、铜、铝、铁等。

原因是其原子最外层的电子受原子核的束缚作用很小，可以自由移动，成为自由电子。

在外电场个用下，自由电子逆电场方向运动而形成电流。

导体的主要特征是电阻率ρ很小，一般在０．０１～１m /mm 2⋅Ω之间，例如铜的电阻率为０．０１７５m /mm 2⋅Ω。

　绝缘体是导电能力极弱的物质。

这种物质的核外电子被束缚得很紧，因而不能自由移动。

如橡胶、塑料、陶瓷、石英等都是绝缘体。

绝缘体的电阻率大于１０１４　m /mm 2⋅Ω。

　半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。

其电阻率在10～1013 m /mm 2⋅Ω之间。

如硅、锗、硒、砷化镓等都属于半导体。

例如，在27℃ 时，纯硅的电阻率为21×108 m /mm 2⋅Ω；纯锗的电阻率为47×108 m /mm 2⋅Ω。

此外，半导体还具有不同于其他物质的一些特性：（1）　热敏特性 金属的电阻率随温度的变化很小，例如，温度每升高１℃　，铜的电阻率增加０．４％左右，即温度升高１００℃　，电阻率增加不到一半。

电子发烧友电子技术 而半导体的导电能力对温度变化反应灵敏，电阻率随温度升高而显著降低。

第1章常用半导体器件

1.1.1 本征半导体
纯净的具有晶体结构的半导体
一、导体、半导体和绝缘体 导体、
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体， 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 导体 一般都是导体。 一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体 绝缘体， 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 陶瓷、塑料和石英。 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体： 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 半导体， 体之间，称为半导体 如锗、 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。 和一些硫化物、氧化物等。
二、P 型半导体
杂质元素， 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 铟等， 型半导体。 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。
+4 +4 +4
3 价杂质原子称为 受主原子。 受主原子。 空穴浓度多于电子 浓度， 浓度，即 p >> n。空穴 。 为多数载流子， 为多数载流子 ， 电子为 少数载流子。 少数载流子。
五、PN结的电容效应 结的电容效应
上的电压发生变化时， 当PN上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量 上的电压发生变化时 将随之发生变化， 结具有电容效应。 将随之发生变化，使PN结具有电容效应。 结具有电容效应 势垒电容 电容效应包括两部分 扩散电容 1. 势垒电容 b 势垒电容C 结的空间电荷区变化形成的。 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。
公式推导过程略
四、PN结的伏安特性 结的伏安特性
i = f (u )之间的关系曲线。 之间的关系曲线。
i/ mA
60 40 20 –50 –25 0 0.5 1.0 u / V – 0.002
正向特性

模拟电子技术基础-总复习最终版


其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
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1-2-1
内容回顾
1、半导体的独有特性：光敏、热敏、杂敏特性。 2、本征半导体的导电特性 1）半导体中含有两种载流子为电子和空穴; 2）本征半导体电子和空穴成对出现,浓度相等; 3）由于热激发可产生电子和空穴,因此半导体 的导电性和温度有关。
1-2-2
3、杂质半导体 1）N型半导体：自由电子为多数载流子; 空穴为少数载流子。 2）P型半导体：空穴为多数载流子; 自由电子为少数载流子。
5.7V
10.7V
1.4V
两只稳压管并联：
5V
1 - 2 - 25
0.7V
七、 特殊二极管
1. 发光二极管：是一种将电能转换为光 能的半导体器件。它由一个PN结构成,当 发光二极管正偏时，注入到N区和P区的 载流子被复合时，会发出可见光和不可见 光。注意：发光二极管的开启电压比普通 二极管的大。
4、二极管的等效电路 5、稳压二极管及应用
1）稳压管符号
1 - 2 - 33
2） 稳压管的伏安特性曲线
1 - 2 - 34
3） 稳压管的主要参数: ①稳定电压UZ ②稳压电流IZ
4） 稳压管的稳压条件:
③额定功耗PZM
（1） 必须工作在反向击穿状态；
（2） 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。
1 - 2 - 18
②伏安特性: 在正向特性区和 反向截止区稳压管特 性曲线与普通二极管 的特性曲线基本一样。 在反向击穿区，稳压 管特性曲线更加陡直。 即UBR几乎为定值（作为UZ）；或当∆UZ 有微小变化时， ∆IZ有很大变化。利用此特性 稳压管工作在反向击穿区时起稳压作用。 1 - 2 - 19
RL为负载电阻， R 限流电阻。 当UI变化时，由 于稳压管和R的 共同作用，使输 出UO不变。
1 - 2 - 23
【例】两只稳压管的稳压值分别为5V和10V，正 向导通电压为0.7V,将他们串联或者并联，外电路 提供足够大的电压，可能得到几种电压值？
解：两只稳压管串联：
15V
1 - 2 - 24
1 - 2 - 13
关。
2、当二极管两端电压 超过导通电压时，认 为二极管导通，导通 电压为Uon； 当二极管两端电压 <导通电压或者为负电 压时，认为：二极管 截止,截止电流为0。相 当于具有导通电压为 Uon的开关。
1 - 2 - 14
△iD
Q
△uD
3、当二极管正向电压大于开启电压Uon 时，通过二极管的电流与其两端电压成 线形关系；加反向电压二极管截止,截止 电流为0。
1）按材料分：硅二极管、锗二极管。
1-2-7
2 ）按结构分:
①点接触型二极管：
适用于小信号的整流和在高频检波等电路中工作。
②面接触型二极管：
适用于在低频电路中工作，通常用作整流管。 ③平面型二极管： 在电路中用作脉冲数字电路中的开关管或大功率整流。
3）按用途分: ①普通型 ②开关型 ⑤变容 ③光电型 ⑥稳压型
18
③工作情况： 稳压管正常工作时在电路中加反向电 压，起稳压作用，稳定电压为UZ。
由于稳压管的结构特征，稳压管的制作工 艺、制作成本等比普通二极管要高，所以一般 不作普通二极管用。
1 - 2 - 20
2. 稳压管的主要参数 ①稳定电压UZ ——即反向击穿电压 UZ是指稳压管被反向击穿后在电流为规定值时， 管子两端的电压值。 ②稳定电流IZ IZ是稳压二极管正常工作时的参考电流。工作 电流小于此值时，稳压二极管将失去稳压作用。 ③额定功耗PZM
1 - 2 - 15
五、二极管的应用
ui
1、如图所示,已知电路 以及电路的输入信号波 0 形，要求画出电路的输 出信号波形（设UD=0） uo （D整流）
＋ ui － D RL ＋ uo － 0
t
t
1 - 2 - 16
2、画出二极管 电路的输出波形 （设UD=0.7V） （二极管限幅）
0.7V
0.7V
分 析
1 - 2 - 28
当开关断开时，二极管因加正向电压而处 于( 导通 )状态，故输出电压为：
U O V 1 U D ( 6 0 .7 ) V 5 .3 V
【例1】电路如图所示，二极管的导通电压UD约为 0.7V。试分别计算开关断开和闭合时输出电压的数值。
分 析
1 - 2 - 29
2.最高反向工作电压UR 二极管工作时允许加的最大反向电压，通常 为击穿电压的一半。
1 - 2 - 12
四、二极管的等效电路(P21)
由于二极管的特性是非线性的，为了分析问题的 简单、方便，可在特定情况下对其进行线性化处理， 即用线性化的等效模型来代替二极管。
1、当二极管两端电压远 小于与之串联的元器件电 压，流过二极管的电流远 小于与之并联分支电流时， 可将二极管理想化。 认为：二极管正向导通,导 通电压为0，反向截止， 截止电流为0。相当于开
-3V
如果要求电路双向限幅电路如何组成？
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六、 稳压二极管及应用
稳压管的符号
1. 稳压管的结构特点、伏安特性、工作情况。 ①结构特点：基本结构仍然为一个PN结； 但与普通二极管相比，几何尺寸大、掺 杂浓度高、散热条件好，工作时反向击穿为 非破坏性反向击穿（即反向电压去掉以后， 稳压管能恢复单向导电性）。
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2. 光电二极管：是一种将光能转换为电能的半 导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管 壳上留有一个能入射光线的窗口。光电二极管 利用半导体的光敏特性，将接收到的光的变化 转换成电流的变化，实现光、电转换。
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例题
【例1】电路如图所示，二极管的导通电压UD约为 0.7V。试分别计算开关断开和闭合时输出电压的数值。
④发光型 1-2-8
二、伏安特性——二极管两端的电压与通过二极 管电流的关系曲线。 1、伏安特性曲线 I
死区电压 硅管：0~0.5V, 锗管：0~0.1V。 反向击穿 电压UBR 反向截止 二极管加 反向电压
1-2-9
导通压降: 硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V。
U
二极管加 正向电压
2、二极管的工作情况: 用特性曲线说明：
UO ´ = UI · L/(RL+R)=3.33V R
Uo´
∵ UO ´ <UZ
∴稳压管不工作，UO=3.33V
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【例3】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 （1）计算UI20V时输出UO的值。 解：假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ´ = UI · L/(RL+R)=6.7V R UO ´ >UZ
PZM 等于稳定电压UZ与最大稳定电流IZM （或 IZmax ） 的乘积。
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3. 稳压管的稳压条件 必须工作在反向击穿状态，稳定电压为UZ； 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。
注意！
稳压管正向工作和反向截止时与 普通二极管的特性完全相同。
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4. 稳压管的应用—典型应用电路—并联型稳压电路
当开关闭合时，二极管外加反向电压， 因而（ ），故输出电压为： 截止
UO V
2
12 V
【例2】写出图所示各电路的输出电压值，设二极管 导通电压UD ＝0.7V。
UO1≈( 1.3V )
UO2＝( 0 )
UO3≈( －1.3V )
UO4≈(
1 - 2 - 30
2V )， UO5≈(
)， 1.3V
将左移，反向特性曲线下移。在室温附近,温度每升 高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C， 反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。
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三、 二极管的主要参数 二极管的参数是对其特性和极限应用的定 量描述，是设计电路时选择器件的主要依据。 1.最大整流电流IF 二极管长期运行时允许通过的最大平均电流。
解：UI为35V时,同理
可求出： UO =6 V UO ´ >UZ
（2）UI为35V时负载开路
假设稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R =29mA IDZ = IR- IL =29mA ∵ IDZ > IZmax
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∴稳压管将因功耗过大而损坏
1.2 半导体二极管P18
一、半导体二极管的结构、符号和分类
1、基本结构：将PN结用外壳封装起来，并 加上电极引线就构成了半导体二极管。 由P区引出的电极为阳极（A） ， 由N区引出的电极为阴极（K）。
阳极 阴极
+
1-符号、外形：文字（字母）符号--D 图形符号
D
外形
3、分类
I
死区电压 硅管：0~0.5V, 锗管：0~0.1V。 反向击穿 电压UBR 二 极 管 非 工 作 区
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导通压降: 硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V。
U
正 向 截 止 正 向 导 通
反 向 截 止
二极管的工作区
温度对二 极管伏安特 性的影响
（P20）环境温度升高时，二极管的正向特性曲线
P69 作业：习题1-2 、1-5题。 预习P281.3晶三极管
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【例3】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V时输出UO的值。 （2）若UI为35V时负载开路，则会出现什么现象？
解题思路
注意：多数载流子的数量,取决于半导体 中掺入杂质的浓度； 少数载流子的数量,取决于半导体所 在环境的温度，半导体所在环境的温度高 载流子的数量多。
1-2-3
4、PN结的导电特性—单向导电性。
1） PN结加正向电压——导通； 2） PN结加反向电压——截止。