ZKJ晶振3225封装8MHz-10PF-20PPM规格书

浸泡时间：3±1 秒
温度：60º C ± 2º C
7
高温高湿 湿度：90%~95%
保持时间：48 个小时
高温温度：85º C ± 2º C
8
高温试验
时间：48 个小时
高温温度：-40º C ± 2º C
9
低温试验
时间：48 个小时
盐雾浓度：5%
10
盐雾
温度：25℃ 时间：36 小时
11
寿命测试 電壓 5V 温度：25℃ 时间：1000小时
跌落
振动
试验条件
标准要求
从75cm位置高度,自由跌落在木板上,连续3次
试验前后,频率变化不超过±5ppm，电阻 变化不超过±15%
振动频率：10~55 Hz 全振幅：1.5mm 时间：每个方位三面(X、Y、Z）各振动2小时
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
晶体放入试验箱中，高低温循环25次
2. 型号 :
3225
3. 振荡模式:
Fundamental(AT)
4. 频率频差:
±10ppm at 25℃± 3℃
5. 温度频差:
±20ppm 温度频差测试的基准温度是:25±2℃
6. 工作温度范围:
-20℃ ~ +70℃
7. 储存温度范围:
-40℃ ~ +85℃
8. 负载 (CL) :
15pF
9. 激励功率:
100uW/Max
10. 静电容:
7.0pF MAX
11. 等效电阻:
60ΩMax.
12. 绝缘阻抗 :
500MΩ min /DC 100V
13. 年老化率:
±3ppm /年

深圳市中科晶电子有限公司
四、晶体技术参数指标
1. 频率:
13.560MHz
2. 型号 :
3225
3. 振荡模式:
Fundamental(AT)
4. 频率频差:
±10ppm at 25℃± 3℃
5. 温度频差:
±20ppm 温度频差测试的基准温度是:25±2℃
6. 工作温度范围:
-20℃ ~ +70℃
15. 备注
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五、可靠性试验
序号
1
2
试验项目
跌落
振动
试验条件
标准要求
从75cm位置高度,自由跌落在木板上,连续3次
试验前后,频率变化不超过±5ppm，电阻 变化不超过±15%
振动频率：10~55 Hz 全振幅：1.5mm 时间：每个方位三面(X、Y、Z）各振动2小时
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏， 同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适 用。
浸泡时间：3±1 秒
温度：60º C ± 2º C
7
高温高湿 湿度：90%~95%
保持时间：48 个小时
高温温度：85º C ± 2º C
8
高温试验
时间：48 个小时
高温温度：-40º C ± 2º C
9
低温试验
时间：48 个小时
盐雾浓度：5%
10
盐雾
温度：25℃ 时间：36 小时
11
寿命测试 電壓 5V 温度：25℃ 时间：1000小时
7. 储存温度范围:

晶体放入试验箱中，高低温循环25次
低温为-40±3℃保持30分钟,高温85±2℃保持保持30分钟，高、
低温每3分钟变换一次
3
冷热冲击
+25±5℃
+85±2℃ 30min
-40±2℃ 30min
1 循环
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
4
气密性 氦气气压标准：5±0.5Kg/cm2，氦气加压时间：120 分钟
四、晶体技术参数指标
1. 频率:
24.000000MHz
2. 型号 :
3225
3. 振荡模式:
Fundamental(AT)
4. 频率频差:
±10ppm at 25℃± 3℃
5. 温度频差:
±20ppm 温度频差测试的基准温度是:25±2℃
6. 工作温度范围:
-20℃ ~ +70℃
7. 储存温度范围:
漏率标准：≤1×10-9Pa.m3/s
波峰温度：260º C ± 10º C 时间：15±5 秒
5
耐焊接热
150±10℃
15±5sec
260±10℃ 200±10℃
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
90±30sec
75±10sec
温度：260º C ± 10º C
6
沾锡试验
浸泡时间：3±1 秒
温度：60º C ± 2º C
7
高温高湿 湿度：90%~95%
保持时间：48 个小时
高温温度：85º C ± 2º C
8
高温试验
时间：48 个小时
高温温度：-40º C ± 2º C
9

C1
C0
L1
符号 R1
图一：石英晶体元件等效电路 + 频率(f)
电抗(Ω)
(a) 0
fL
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fr
β
β
-
+
频率(f)
电抗(Ω)
CL
(b) 0
fL
fr
+
电抗(Ω)
(c) 0
CL
-
fr fL
频率(f) (a)
图二： 石英晶体元件的谐振频率、反谐振频率和负载谐振频率
β
5．10、寄生响应 Unwanred response 晶体元件的一种与要求的工作频率不同的谐振状态。
H
4.88±0.2
Dimensions
φ0.43±0.03
H 2.0 2.5
3.8
4.0
√
Unit:mmns
图三：
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6．NOTICE （注意）
6．1 Do not use this product with bend. The component may be damaged if excess mechanical stress is applied to it mounted on the printed circuit board. （部件不能折弯使用，在线路板安装时使用过大的力，部件可能损坏）
5．11、老化（长期参数变化）ageing（long-term parameter vnriating） 石英晶振元件谐振频率和谐振电阻随时间变化的关系。 注：为些参数变化是长时间的，通常用某一段时间间隔相对变化来表示
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11.35max 10.5max

1.3 #1 #2 #1
1.2 #2 #1
ห้องสมุดไป่ตู้1.0 #2
0.7
0.9
C 0.3 Min.
0.7
#4
0.85
#3
#4
0.8
0.9
#3
#4
1.0
#3
推荐焊盘尺寸
FA-238V 2.4 FA-238 2.2 TSX-3225 2.2
0.8 0.7
（单位：mm）
1.9 1.2 1.4
1.6 1.2 1.4
1.6 1.15 1.4
本材料中记载的品牌名称或产品名称是其所有人的商标或注册商标。
Seiko Epson Corporation
臭 ISO 14000 是国际标准化组织于 1996 年在全球化变暖、 氧层破坏、以及全球毁林等环境问题日益严重的背景下提 出的环境管理国际标准。
追求高品质
Seiko Epson 为了向顾客提供高品质、卓越信赖性的产品、服务，迅 速着手通过 ISO 9000 系列资格认证的工作，其日本和海外工厂也在通 过 ISO 9001 认证。 同时， 也在通过大型汽车制造厂商要求规格的 ISO/TS 16949 认证。 ISO/TS16949 是一项国际标准,是在 ISO9001 的基础上增 加了对汽车工业的特殊要求部分。
50 10-6 (标准), (15 10-6 ~ 50 10-6 可用) 30 10-6/-20 C ~ +70 C
串联电阻（ESR） 如下表所示 R1 如下表所示 1 10-6 / year Max. *2 频率老化 f_age 5 10-6 / year Max. *1 FA-238：对于超出 40 MHz 的频率，只有标准规格适用。 *2 40.0 MHz f_nom : 2 10-6 / year Max.

27.120000MHz
2. 型号 :
3225
3. 振荡模式:
Fundamental(AT)
4. 频率频差:
±20ppm at 25℃± 3℃
5. 温度频差:
±30ppm 温度频差测试的基准温度是:25±2℃
6. 工作温度范围:
-20℃ ~ +70℃
7. 储存温度范围:
-40℃ ~ +85℃
8. 负载 (CL) :
深圳市中科晶电子有限公司
一、适用范围
本规格书用于规定 27.120000MHz 石英晶体谐振器。
二、构造
2.1 封装：■3.2*2.5 2.2 封装形式：■电阻焊 2.3 封装介质：■真空 三、尺寸、材料
银丝 导电胶
上盖 晶片 基座
单位：mm
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四、晶体技术参数指标
1. 频率:
本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏， 同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适 用。
六、包装方式
6.1 带子尺寸（unit:mm）
深圳市中科晶电子有限公司
Marking Marking
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
t
2.7
3.4
8.0
3.5
1.75
4.0
2.0
4.0
1.55
1.4
0.25
6.2 卷盘尺寸（unit:mm）
M
N
P
Q
178.0
60.2
11.5
8.0
R
S
U

四、晶体技术参数指标
1. 频率:
12.000000MHz
2. 型号 :
3225
3. 振荡模式:
Fundamental(AT)
4. 频率频差:
±10ppm at 25℃± 3℃
5. 温度频差:
±20ppm 温度频差测试的基准温度是:25±2℃
6. 工作温度范围:
-40℃ ~ +85℃
7. 储存温度范围:
六、包装方式
6.1 带子尺寸（unit:mm）
深圳市中科晶电子有限公司
Marking Marking
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
t
2.7
3.4
8.0
3.5
1.75
4.0
2.0
4.0
1.55
1.4
0.25
6.2 卷盘尺寸（unit:mm）
M
N
P
Q
178.0
60.2
11.5
8.0
R
S
U
2.5
11.0
13.0
七、注意
深圳市中科晶电子有限公司
一、适用范围
本规格书用于规定 (A)MHz 石英晶体谐振器。
A：12.000000
MHZ
二、构造
2.1 封装：3.2*2.5 2.2 封装形式：
□1.冷压焊 2.3 封装介质：
□1.氮气
■2.电阻焊 ■2.真空
三、尺寸、材料
□ 3.锡焊
银丝 导电胶
上盖 晶片 基座
单位：mm
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-50℃ ~ +105℃
8. 负载 (CL) :

(1) TXC requires one copy returned with signature and title of authorized individual that signifies acceptanceof the attached specifications.(2) Orders received and accepted by TXC after return of signed copy of specification will be produced perthese specifications.(3) Any changes to these specifications must be agreed upon by both parties and new revision of theProduct Specification Sheet will be issued.(4) Any issuance of purchase order prior to consigning back the Approval page of "Specification Sheets"from customers will be regarded as the agreement on the contents of these specifications.Attachment: Product Specification Sheet12345CUSTOMER SIGNATURE & DateDATE:PM / SALES :CUSTOMER P/N :REVISION :A9TXC P/N:7M12000039NOMINAL FREQ.:12.000000MHz PRODUCT TYPE :SMD SEAM SEALING X'TAL 3.2×2.5RoHS CompliantTEL : 886-2-2894-1202 , 886-2-2895-2201 FAX : 886-2-2894-1206 , 886-2-2895-6207 SPECIFICATION FOR APPROVALCUSTOMER :TEL : 886-2-2894-1202 , 886-2-2895-2201 FAX : 886-2-2894-1206 , 886-2-2895-6207 25-May-09A82ECN-08P123001A93,4ECN-09P052503RevRevise pageRevise contentsDateRef.No.A1N/A ReviserInitial released7-Nov-07N/AYachuan MiaoYachuan Miao Package Change25-May-09Yachuan MiaoRr Change: 200 ohm to 100 ohm 30-Dec-08ELECTRICAL SPECIFICATIONSStandard atmospheric conditionsUnless otherwise specified, the standard range of atmospheric conditions for making measurement and tests are as follow:Ambient temperature :25±5 Relative humidity:40%~70%If there is any doubt about the results, measurement shall be made within the following limits:Ambient temperature :25±3 Relative humidity :40%~70%Measure equipmentElectrical characteristics measured by HP E5100A or equivalent.Crystal cutting typeThe crystal is using AT CUT (thickness shear mode). Unit Weight: 0.018±0.001 g/pcs1Nominal Frequency 2Oscillation Mode 3Load Capacitance 4Frequency Tolerance 5Frequency Stability 6Operating Temperature 7Aging 8Drive Level9Effective Resistance Rr 10Shunt Capacitance C011Insulation Resistance 12Storage Temperature Range--30~85at 25 ± 3±20ppm Over Operating Temp. Range (Reference 25 )ppm -ParametersSYM.Electrical Spec.MINTYPE MAXUNITS -±20--FundamentalMHz CL 18pF -Notes FL 12.000000-- -1st Year -ppm Ω-DL µW --10-Rr -100-±5--~C0--pF 5M Ω at DC 100V -50085---40。

BOOK OF MODIFICATIONNo.DATECONTENT OFMODIFICATIONREASON OFMODIFICATIONPAGE ITEM APPROVE02011/8/08INTIAL RELEASED 1234567891011121314151617181920P: 1/8NO. ECAB110811 Acknowledgement Book( Modle:( ECEC P/N: ( CUST P/N:XS-3225 26.000 MHz ) M26000C034 ))ReceiverPlease return one after acknowledgement Zhejiang East Crystal Electronic Co.,Ltd.Quality DepartmentNo. 555,Sec 2,Binhong Road,Jinhua Zhejiang CHINASale QC Technic Design王茵施俊妍潘春琴童思柯SPECIFICATION OF QUARTZ CRYSTAL UNITS1.HOLDER TYPE: XS-3225 26.000 MHz2.GENERAL2-1 FREQUENCY (F0) 26.000 MHz2-2 MODE OF OSCILLATION (Mn) FUNDAMENTAL) -20℃/+70℃2-3 OPERATION TEMPERATURE RANGE (T2-4 STORAGE TEMPERATURE RANGE (Ts) -40℃/+85℃2-5 TEST SET S&A 250B ANALYSIS SYSTEM2-6 DRIVE LEVEL (DL) 100±2μw2-7 LOADING CAPACITANCE (CL) 10pF3.ELECTRICAL CHARACTERISTICS(This test shall be performed under the condition of temperature at 25±3℃.)3-1 FREQUENCY TOLERANCE (△f) ±10ppm Max3-2 EQUIVALENT RESISTANCE (Rr) 40ΩMax/Series3-3 TEMPERATURE DRIFT (T C) ±10ppm/ Max -20℃/+70℃3-4 SHUNT CAPACITANCE (C0) <7.0pF3-5 INSULATION RESISTANCE 500MΩmin/DC100V±15V(Lead to lead ,case to lead)4.DIMENSIONS AND MARKING4-1 HOLDER TYPE XS-32254-2 DIMENSION (mm)DESIGN INSPECTION ZHEJIANG EAST CRYSTAL ELECTRONIC.CO.,LTD童思柯施俊妍QUARTZ CRYSTAL UNITS4-4 PACKING4-4-1 Dimensions of the tape4-4-2 Dimensions of the reel4-4-3 Packing and LabelP: 4/8No: ECAB110811Date: 2011/8/081 Reel=3000pcsBox type(Reel quantity) Box size(L×W×H) mmAtype(Reel x 5pcs max) Btype(Reel x 6~15pcs)Ctype(Reel x 16~30pcs)Dtype(Reel x 31~60pcs)200×200×140 200×200×255 395×200×255395×400×255Manufactory name: ZHEJIANG EAST CRYSTAL ELEC.CO.,LTDZHEJIANG EAST CRYSTAL ELECTRONIC.CO.,LTDDESIGNINSPECTION5-5.REFLOW(WAVE)SOLDERINGFollowing profile of heat stress is applied to resonator,then being place in the naturalcondition for 1 hour,resonator shall be measured.260±5℃ 10~20sec150~190℃ 120sec5-6.SOLDERING DIPTerminals/lead-wires of specimen shall be dipped into solder melter tankat +260℃±5℃ for 3 sec.Dipping depth shall be 2mm from the bottom of specimens body.(Afterapplying ROSIN FLUX) soldering portion shall be covered in over 95% ofTerminals/lead-wires dipped.5-7.HUMIDITYElectrical characteristics shall be satisfied after letting it alone at 65±2℃in humidity of 90~95% for 500 hours.5-8.STORAGE IN LOW TEMPRATUREElectrical characteristics shall be satisfied after letting it alone at -40±2℃for 500 hours.5-9.STORAGE IN HIGH TEMPRATUREElectrical characteristics shall be satisfied after letting it alone at 85±2℃for 500 hours.DESIGN INSPECTION ZHEJIANG EAST CRYSTAL ELECTRONIC.CO.,LTD童思柯施俊妍No.ItemsMaterials1 LID(Cap) Fe ALLOY2 PKG(Base)CERAMIC+Au PLATING 3 External Electrode Au PLATING 4 Conductive Adhesive Ag+Epoxy Resin 5 Internal Electrode Ag 6Element(Blank)SiO2No: ECAB110811 QUARTZ CRYSTAL UNITSDate:2011/8/086.Structure Illustration142563DESIGN INSPECTIONZHEJIANG EAST CRYSTAL ELECTRONIC.CO.,LTD童思柯施俊妍。

深圳市中科晶电子有限公司一、本规格书用于规定8.000000MHz石英晶体谐振器。

二、构造2.1封装：■3.2*2.52.2封装形式：■电阻焊2.3封装介质：■真空三、尺寸单位：mm四、晶体技术参数指标1.频率:8.000000MHz2.型号:32253.振荡模式:Fundamental(AT)4.频率频差:±20ppm at25℃±3℃5.温度频差:±30ppm温度频差测试的基准温度是:25±2℃6.工作温度范围:-20℃~+70℃7.储存温度范围:-30℃~+85℃8.负载(CL):20.0pF9.激励功率:100uW/Max10.静电容: 2.0pF MAX11.等效电阻:80ΩMax.12.绝缘阻抗:500MΩmin/DC100V13.年老化率:±3ppm/年14.包装方式:卷包3000PCS/Reel15.备注五、可靠性试验六、包装方式6.1带子尺寸（unit:mm ）MarkingMarkingA B C D E F G H J K t 2.73.48.03.51.754.02.04.01.551.40.256.2卷盘尺寸（unit:mm ）7.注意本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏，同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适用。

M N P Q R S U 178.060.211.58.02.511.013.0。

六、包装方式
6.1 带子尺寸（unit:mm）
深圳市中科晶电子有限公司
Marking Marking
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
t
2.7
3.4
8.0
3.5
1.75
4.0
2.0
4.0
1.55
1.4
0.25
6.2 卷盘尺寸（unit:mm）
M
N
P
Q
178.0
60.2
11.5
8.0
R
S
U
2.5
11.0
13.0
七、注意
深圳市中科晶电子有限公司
一、适用范围
本规格书用于规定 (A)MHz 石英晶体谐振器。
A：13.52127
MHZ
二、构造
2.1 封装：3.2*2.5 2.2 封装形式：
□1.冷压焊 2.3 封装介质：
□1.氮气
■2.电阻焊 ■2.真空
三、尺寸、材料
□ 3.锡焊
银丝 导电胶
上盖 晶片 基座
单位：mm
深圳市中科晶电子有限公司
本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏， 同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适 用。
四、晶体技术参数指标
1. 频率:
13.521270MHz
2. 型号 :
3225
3. 振荡模式:
Fundamental(AT)
4. 频率频差:
±10ppm at 25℃± 3℃
5. 温度频差:
±20ppm 温度频差测试的基准温度是:25±2℃

本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏， 同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适 用。
漏率标准：≤1×10-9Pa.m3/s
波峰温度：260º C ± 10º C 时间：15±5 秒
5
耐焊接热
150±10℃
15±5sec
260±10℃ 200±10℃
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
90±30sec
75±10sec
温度：260º C ± 10º C
6
沾锡试验
晶体放入试验箱中，高低温循环25次
低温为-40±3℃保持30分钟,高温85±2℃保持保持30分钟，高、
低温每3分钟变换一次
3
冷热冲击
+25±5℃
+85±2℃ 30min
-40±2℃ 30min
1 循环
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
4
气密性 氦气气压标准：5±0.5Kg/cm2，氦气加压时间：120 分钟
-40℃ ~ +85℃
8. 负载 (CL) :
9.0pF
9. 激励功率:
100uW/Max
10. 静电容:
7.0pF MAX
11. 等效电阻:
40ΩMax.
12. 绝缘阻抗 :
500MΩ min /DC 100V
13. 年老化率:
±3ppm /年
14. 包装方式:
卷包 3000PCS/Reel
15. 备注
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一、适用范围
本规格书用于规定 (A)MHz 石英晶体谐振器。
A：26.000000

本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏， 同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适 用。
漏率标准：≤1×10-9Pa.m3/s
波峰温度：260º C ± 10º C 时间：15±5 秒
5
耐焊接热
150±10℃
15±5sec
260±10℃ 200±10℃
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
90±30sec
75±10sec
温度：260º C ± 10º C
6
沾锡试验
深圳市中科晶电子有限公司
一、适用范围
本规格书用于规定 (A)MHz 石英晶体谐振器。
A：16.000000
MHZ
二、构造
2.1 封装：3.2*2.5 2.2 封装形式：
□1.冷压焊 2.3 封装介质：
□1.氮气
■2.电阻焊 ■2.真空
三、尺寸、材料
□ 3.锡焊
银丝 导电胶
上盖 晶片 基座
单位：mm
深圳市中科晶电子有限公司
-40℃ ~ +85℃
8. 负载 (CL) :
9.0pF
9. 激励功率:
100uW/Max
10. 静电容:
7.0pF MAX
11. 等效电阻:
60ΩMax.
12. 绝缘阻抗 :
500MΩ min /DC 100V
13. 年老化率:
±3ppm /年
14. 包装方式:
卷包 3000PCS/Reel
15. 备注
六、包装方式
6.1 带子尺寸（unit:mm）
深圳市中科晶电子有限公司
Marking Marking

ItemModel Need to specifyMode 振動模式Fund.Fund.Fund.Fund.Series Resistance 諧振電阻100ohmMax.80ohmMax.60ohmMax.40ohmMax. SERIES RESISTANCE 諧振電阻Freq. Range 頻率範圍12～16MHz 16～20MHz 20～24MHz 24～50MHz Aging[first year] 第一年老化率±5ppm Max.25±3℃Insulation Resistance 絕緣阻抗500Mohm Min.DC100V±15V Load Capacitance 負載電容20pF Need to specify Shunt Capacitance 靜態電容7.0pF Max.Drive Level 激勵電平10μw Typical Storage Temp. Range 保存溫度範圍–40~+85℃Need to specify Series Resistance 諧振電阻Refer to the table as below at 25℃Freq. Tol. Over Temp. 溫度頻差±30ppm Need to specify Operating Temp. Range 工作溫度範圍–40~+85℃Need to specify 適合於低功耗的便攜設備For a clock source in digital equipments 適用於數碼設備的所 有時鐘源STANDARD SPECIFICATIONS 標準規格T3225Conditions Frequency Tolerance 調整頻差±10ppm at 25℃Need to specify Frequency Range 頻率範圍12.000MHz ABEL ELECTRONSURFACE MOUNTABLE CRYSTAL UNITS (SMD Package) 贴片石英晶體諧振器 海诺威電子有限公司RoHS Compliant Standard SMD-3225Features 特性Frequency Range:12-50MHz 頻率範圍：12-50MHzSuited for portable devices with low current consumption。

KDS常用晶振型号频率指标技术规格KDS常用晶振型号频率指标技术规格产品名称常用晶振型号频率指标技术规格温补晶振 1.25MHZ DIP14 2PPM SINE -20-70 3.3V晶体谐振器 2.176MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器 3.57954MHz HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器 3.57MHz 5070 5V 30PPM 20PF 无电压晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator温补晶振 3.6864MHZ DIP14 -55-+85℃ 10PPM 5V TTL温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振 4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-7 0-50 TTL 5V AT 压控 125d 恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-9 0-50 TTL 5V SC 压控 125d 晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 5.0688MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM恒温晶振 5.0MHz DIP36X27 SINE 3PPB 0-60 -145DBC 1K 12V 5X10?钟振 5.12MHZ DIP14 5V 30PPM数字温补 5.12MHz DIP40X25 0.1ppm 12V 方波 -20+70 机械微温补晶振 5.12MHz DIP40X25 0.5ppm 12V 方波 -20+70 机械微晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHz HC-49SMD 20PPM 20PF晶体谐振器7.3728MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM晶体谐振器7.68MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器8.0MHZ HC-49SMD 30PPM 16pF晶体谐振器8.0MHZ 5032 10PF 20PPM温补晶振8.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3.晶体谐振器8.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm 无电压晶体谐振器8.0MHz SMD8045 2脚 30PPM温补晶振8.388608MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃晶体谐振器9.8304MHz HC-49S 20pF 30PPM 温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM SMI温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 1PPM SMI温补晶振10.0MHZ 5032 DAS535SD 0.5ppm温补晶振10.0MHZ 5032 DS5032TC温补晶振10.0MHZ 5032 方波 2ppm 3.3v -40-85温补晶振10.0MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波不带压控温补晶振10.0MHZ 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.28ppm -30 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 4P 3.3V HCMOS 0.5ppm VCTCXO -35—65 温补晶振10.0MHZ 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 泰艺 2.5ppm -40+85 clippedsine 控晶体谐振器10.0MHz CSTCC10M0G53-R0 Resonator Murata 数字温补10.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO数字温补10.0MHZ DIP14 0.1ppm 3.3V -40—85温补晶振10.0MHZ DIP14 0.3PPM SINE 5V恒温晶振10.0MHZ DIP14 1*10-7 12V -10-+60° 电平极：0dB 温补晶振10.0MHZ DIP14 1ppm 3.3v 正弦波机械调节调节范围几温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM -30-+70 0.5PPM 5V SINE VCTCXO温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM SINE 3.3V 机械微调温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14 -40~85C LVCMOS -1 1KHz温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14-40~85C LVCMOS -131KHz恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 方波恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 正玄波温补晶振10.0Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率0.5ppm SC 温补晶振10.0MHZ DIP14 TCXO ±0.5ppm SINE -40-+85 5V恒温晶振10.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振10.0Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHZ DIP25X25 0.1ppm 3.3V -40—85恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHZ DIP36X27 小于0.05PPM -55-85 10K -160DBC 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 3.3V CMOS -10-+60℃ ±1PPM VCTCX 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 电压3.3V 带压控方波1PPM -55-85C温补晶振10.0MHz SMD14X9 ±0.5ppm －20℃ +70℃ 3.3V sine输调整恒温晶振10.0MHz SMD25X22 SINE 0.02PPM -145 1K 5V -20-70 温补晶振10.24MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振10.36MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃温补晶振10.386MHz DIP14 3ppm 3.3V -40-+85C HCOMS 频率调整晶体谐振器11.0592MHZ HC49/U 30PPM 20PF 晶体谐振器11.0592MHZ HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器11.0592MHZ HC49U 20PF 30PPM 无电压晶体谐振器11.2896MHz HC-49SMD 30ppm 20pf温补晶振12.0MHz 2520 20ppm 1.8V 3mA -40-+85℃钟振12.0MHZ 3225 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器12.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF钟振12.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振12.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC钟振12.0MHZ 5070 5V 30PPM TXC晶体谐振器12.0MHZ 6035 18PF 20PPM钟振12.0MHz SMD2520 3V 50ppm晶体谐振器12.288MHz 5032 2P 18pF 20ppm NDK恒温晶振12.288MHz DIP36X27 SINE 0.005PPM 0.01PPM -20-60 5V恒温晶振12.288MHz 短稳 +-5E-9 长期绝对精度1us -150dBc 1KH 温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 1PPM SMI温补晶振12.8MHZ 3225 1.5PPM SMI温补晶振12.8MHz 3225 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHz 5032 1.5ppm温补晶振12.8MHz 5032 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波带压控库存TAITIEN温补晶振12.8MHz 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振12.8MHz 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波数字温补12.8MHz DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振12.8MHZ DIP14 0.025PPM 5V 0.1PPM 1K 135DB HCMOS温补晶振12.8MHz DIP14 3.3V 1PPM 4脚 -30-85 长方形正弦波恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-70 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-85 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺温补晶振12.8Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率 0.5ppm SC恒温晶振12.8MHz DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控恒温晶振12.8Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHZ DIP60X60 ±2X10-8 ±20PPB -20+80 12V SINE S 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 1PPM KDS温补晶振13.0MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN晶体谐振器13.0MHZ 5070 3.3V/5V 30PPM/50PPM恒温晶振13.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM -30-70 12V 150DBC 1K 晶体谐振器13.52127MHz 6035 10pF ±20ppm -40-85 ±30ppm晶体谐振器13.560MHz 3225 18pF ±20ppm -40-85 ±30ppm 晶体谐振器13.56MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器13.56MHZ 5032 4P 30PPM 16PF NDK钟振13.5MHZ 5070 3.3V ±20PPM晶体谐振器14.31818MHz SMD6035 +/-50PPM KDS晶体谐振器14.318MHZ SMD6035 2P +/-50PPM晶体谐振器14.318MHz 5032 4p 不带电压 30ppm晶体谐振器14.4MHZ 5032 四脚的小于10PPM 10PF 对讲机温补晶振14.7456MHZ 5070 4PIN -40-85 1PPM 3.3V TC 温补晶振14.7456MHZ DIP14 3PPM -55℃-+85℃ 3.3V晶体谐振器14.7456MHZ HC-49S 30PPM 20PF晶体谐振器14.7456MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器15.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器16.0Mhz 3225 50ppm 12PF FA-238 EPSON晶体谐振器16.0MHZ 3225 12PF 9PF 20PF 20PPM 无电压 NDK EPSON 晶体谐振器16.0MHZ 3225 30ppm 12pf温补晶振16.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3温补晶振16.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体谐振器16.0MHZ HC-49U ±100PPM -20-+70 公差±20PPM 18晶体谐振器16.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK 温补晶振16.32MHZ 5032 DSA535SD 3.3V ±0.5ppm -40-80℃ CLIP 晶体谐振器16.3676MHZ 3225 10PF +-10ppm温补晶振16.3676MHZ 5032 DSB535SD 0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 ±0.5ppm SMD3225 KSS温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.369MHZ 3225 1.8V 0.5ppm -30-85 GPS温补晶振16.384MHz 3225 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.384MHz 5070 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.777216MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75温补晶振16.8MHz 5032 0.5ppm SMD SMI晶体谐振器16.9344MHz 5032 20PPM 18PF 4脚温补晶振17.28MHz DIP14 1.5ppm 3.3V HCMOS -40-+85C温补晶振18.285714MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.285714MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 CLIPPED SINE 3.3V 温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 HCMOS 3.3V晶体谐振器18.432MHZ SMD4025 ±20PPM无电压温补晶振18.651429MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.651429MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振19.2MHZ 3225 3.3V CLIPPED -30-+85 0.5PPM DSB321S 温补晶振19.2MHZ 5032 3.3V 2.5PPM -3075 clipped TAITIEN VC-温补晶振19.2MHZ 5032 DSA535SD 0.5ppm clipped sine温补晶振19.44MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED压控晶振19.44MHZ 贴片和直插VCXO 牵引范围+/-50或100PPM 3.恒温晶振19.68MHZ DIP14 0.01ppm 正弦波－20－70 数字温补19.68MHZ DIP14 0.05ppm DIP20*20*10 正弦波－20－70恒温晶振19.68MHZ DIP20X20 0.01ppm 正弦波－20－70 温补晶振20.0MHZ 3225 ±0.5ppm VC-TCXO -40-85 3.0V KDS SM 温补晶振20.0MHZ 5032 0.5PPM钟振20.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振20.0MHZ D1P14 21*13*12 5V 方波±0.05ppm -20—70 温补晶振20.0MHZ DIP14 -55℃ 1.5ppm数字温补20.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA HcmosDTXO钟振20.0MHZ DIP14 3.3V ±30ppm ±30ppm -20-+70℃钟振20.0MHZ DIP14 4插脚长方5V ±30ppm ±30ppm -20-+输出温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 温补晶振20.0MHZ DIP8 TCXO 不带压控1ppm -20-70 sine 3.3v 半温补晶振20.0MHZ SMD11X9 -55℃ 2PPM温补晶振20.48MHZ 3225 0.5PPM 3V 削顶正弦波温补晶振20.48MHz 3225 3.3V -25-55 0.5PPM 方波温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 0.5PPM HCMOS 带压温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 1PPM HCMOS 带压晶体振荡器22.576MHz 3225 3.3V 50PPM恒温晶振22.5792MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 晶体振荡器22.579MHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器24.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器24.0MHz 5032 50ppm 16PF晶体谐振器24.0MHz 3225 30PPM HOSONIC 无电压晶体谐振器24.0MHz 5032 ±30ppm, 18p SMD 4-pad温补晶振24.0MHZ 5070 0.5ppm HCMOS 3.3V -40-+85钟振24.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器24.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm晶体谐振器24.0MHZ SMD6035 4P +/-30PPM晶体振荡器24.5535MHZ 3225 3.3V 20PPM晶体振荡器24.576MHz 3225 3.3V 50PPM温补晶振24.576MHZ 5070 0.5ppm sine 3.3V -40-+85温补晶振24.576MHZ DIP14 5ppm 正弦波 3.3V -20-+70温补晶振24.576MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波 3.3V -40-+85恒温晶振24.576MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 温补晶振24.704MHz 5070 3.3V HCMOS SINE 2.5ppm 钟振24.704MHz 5070 +/-100PPM晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 18pF +-30ppm晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 +/-50PPM KDS晶体振荡器25.0MHz 3225 1.8V 30PPM温补晶振25.0MHZ 3225 3V 0.5PPM VCTCXO DSA321SDA KDS晶体谐振器25.0MHz 5032 ±30ppm, 20PF SMD 4-pad温补晶振25.0Mhz 5070 2.5PPM 3.3V HCMOS -40-85° 带压控温补晶振25.0MHz 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS 晶体谐振器25.0MHZ HC-49S 20PF 20PPM晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 无电压温补晶振25.6MHZ 5070 0.5PPM 3.3V HCMOS温补晶振26.0MHz 3225 4-SMD ±2.5ppm 3V VCTCXO 晶体振荡器26.0MHZ 3225 2.8V 20PPM 京瓷晶体振荡器26.0MHz 3225 2.8V 50PPM NDK温补晶振26.0MHz 3225 DSA321SCA/L KDS温补晶振26.0MHz 3225 DSB321SCL温补晶振26.0MHZ 3225 DSB321SDA-3.0V TCXO晶体谐振器26.0MHZ 3225 NX3225SA 10PPM 12.5PF温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 晶体谐振器26.0MHZ 5032 4P 25PPM 12PF 无电压即无源钟振26.0Mhz 5032 4p 3.3v ±2.5PPM温补晶振26.0MHZ 5070 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN温补晶振26.0MHZ DIP14 3.3V 0.5PPM sine 带压控数字温补26.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振26.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控晶体谐振器26.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SANDK 无钟振27.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振27.0MHZ 5032 4P 3.3V 25ppm -20 - +70C HCMOS晶体谐振器27.0MHZ 5070 ±50ppm; -20+70 15pF 3.3V钟振27.0MHZ DIP8 半尺寸工业级 -40-85 3.3V 30PPM温补晶振27.0MHz SMD2520 20ppm 1.8V 3mA 2.5*2.0mm -40-+85℃晶体谐振器27.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 晶体谐振器27.12Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器27.12MHZ 3225 8PF 15PPM epson温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS压控晶振30.0MHZ 11X11 3.3V -20-+70 20PPM VCXO恒温晶振30.0MHZ -20-+70 频率稳定度小于0.004ppm晶体谐振器30.0MHZ 3225 ±30PPM -20-70 12PF温补晶振30.0MHZ 3225 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压晶体谐振器30.0MHZ 3225 4PAD 30PPM 12PF -0-+70 钟振30.0MHZ 5032 5V 30PPM CTZ温补晶振30.0MHz 5070 HCMOS 2PPM -30-80 3.3V温补晶振30.0MHZ DIP14 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压温补晶振30.24MHZ 5070 3.3V -20 +70 1PPM温补晶振30.72MHZ 5070 1ppm 3.3V 方波 -20—+70°C晶体谐振器31.996314MHz 5032 4P 16pF +/10ppm温补晶振32.0MHZ 5032 TCXO 3.3V clippedsine 10PPM KTS533EG-温补晶振32.0MHZ 5070 TCXO 3.3V HCMOS 1PPM 温补晶振32.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC温补晶振32.0MHZ SMD11X9 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.0MHZ SMD25X25 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.512MHZ 5070 1PPM -40~85 方波TT 相位 115DBC 温补晶振32.51MHZ 5070 2ppm 3.3v HCMOS晶体谐振器32.768KHZ SMD4.9X1.8 2P 12.5PF +-10ppm晶体谐振器32.768KHZ SMD8x3.8 12.5PF +-20ppm晶体振荡器32.768KHZ 5032 4P 有源 10PPM晶体谐振器32.768Khz DIP2X6MM ±20PPM -10-+60 12.5PF 晶体谐振器32.768kHZ MS1V-T1K 2*6MM 12.5PF晶体谐振器32.768KHZ 3225 +/-20PPM 9PF KDS 无电压晶体谐振器32.768KHZ 3225 2P 20PPM 12.5PF晶体谐振器32.768KHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ 3225 3.3V ±25ppm晶体谐振器32.768KHZ 3225 4P 20PPM 3.3V晶体谐振器32.768KHz 5070 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ CM200C/12.5PF/20PPM/ROHS CITIZEN数字温补32.768KHZ DIP14 0.1PPM 3.3V -20-70恒温晶振32.768KHZ DIP14 温度稳定1E-8 温度特性0.01PPM -20-晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 20ppm 12.5pF晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀镍晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀锡晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD3.2X1.5MM ±20PPM 12.5PF 70KΩ晶体谐振器32.768KHz SMD4.1X1.5 12.5pF + -20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD4.1X1.5 70PPM KDS晶体谐振器32.768KHZ SMD6.9x1.4mm ±20ppm 12.5pF 4-SM 温补晶振32.768MHZ 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-32.768MH温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -30-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -40-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 1PPM 5V -40-+85温补晶振32.768MHZ DIP14 2PPM 5V -40-+85 机械微调温补晶振32.768MHZ DIP14 -40-+85 0.2PPM 5V Sine VCTCXO 钟振33.0Mhz 5032 4p 3.3v ±30PPM 18PF钟振33.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振33.0MHZ 5070 ±1PPM 3.3V HCMOS-40-+85℃温补晶振34.6822MHZ DIP14 2PPM恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -40-85 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.01PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 压控晶振39.4917MHZ DIP-14 电压5V ±100PPM VCXO 温补晶振39.95MHz SMD14.4x9.5 3ppm 5V -40-+85C HCOMS SMD1晶体谐振器40.0MHz 3225 20ppm 3.3V EPSON 钟振40.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振40.0mhz 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-40MHz温补晶振40.0MHz 3225 DSA321SDA KDS温补晶振40.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振40.0MHz DIP36X27 SINE 5.5V 0.01PPM -40-80 -150DBC 温补晶振40.96MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 钟振44.645MHz DIP14 20PPM温补晶振45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85 温补晶振45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85温补晶振45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm钟振48.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚温补晶振48.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体振荡器50.0MHZ 3225 3.3V +-50ppm -40-+85C钟振50.0MHZ 3225 3.3V ±50ppm台湾亚陶钟振50.0MHz 5032 3.3V 30ppm钟振50.0MHZ 5032 3.3V ±50ppm温补晶振50.0MHz 5070 0.5ppm HCMOS 3V 0-50度钟振50.0MHZ 5070 3.3V ±50ppm晶体振荡器50.0MHZ 5070 3V 20PPM SMD温补晶振50.0MHz DIP14 0.5ppm Sine 3V 0-50度恒温晶振50.0MHZ DIP14 3.3V 1KHZ 125 10KHZ 130 +-200PPB +-10温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波恒温晶振50.0MHZ DIP25X25 5PPB 0.005ppm 5.0V 0-+75℃ HCMO 恒温晶振50.0MHz DIP36X27 TTL 0.05PPM -20-70 140DBC 1K 5V压温补晶振51.2MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 恒温晶振52.0Mhz DIP20X20 0.05PPM@-20~70 5V 方波晶体谐振器54.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK钟振54MHZ 5070 3.3V 30ppm温补晶振55.296MHZ 5070 4PIN -40-85 2PPM 3.3V TCV 压控晶振61.44MHZ SMD14X9温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0MHz SMD11X9 0.5PPM SINE -40-85 105DBC 1K 3.3V 温补晶振64.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC 恒温晶振65.536MHZ DIP36X27 -40-80 1E-10 0.2ppb 30ppb 5VHC 钟振66.666MHz 5070 3.3V ±25PPM温补晶振67.584MHz DIP14 HCMOS ±1.5 5V -20-70 机械微调温补晶振70.455MHz DIP14 1PPM -35-70 5V SINE 1KHZ 110DBC 温补晶振72.448MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波－20－70恒温晶振76.8MHz 0.05PPM 5V电压工业级 OCXO恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 SC 0.02PPM 0-40 5V SINE VCOCXO 恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 稳定性+-0.2PPM 压控可调恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-135dBc恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-150dBc温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ DIP14 1PPM 3.3V 0-65℃温补晶振80.0MHz SMD11X9 0.3PPM -40-85 SINE 3.3 -110DBC 温补晶振80.0MHz SMD11X9 3PPM -55-90 CLIPP SINE 3.3 -110D 钟振81.360MHz DIP14 ±30 ppm 0＋70 5V CMOS TTL ≤5nS 恒温晶振97.536MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃温补晶振100.0MHZ 5070 1PPM -30~80 相噪 1KHz -100 方波3.3V 晶体振荡器100.0MHZ 5070 3.3V -40-85 50PPM TXC温补晶振*****************************.3VSINE-20-60 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V温补晶振100.0MHZ DIP20X20 5V SINE HCMOS -30-85 0.5PPM -130温补晶振******************************* 3.3V SINE -20-7恒温晶振100.0MHz DIP25X25 0.1ppm Sine 3.3V -30--+80C 1KHz/恒温晶振100.0MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃恒温晶振100.0MHz DIP25X25 SINE 0.5PPM -10-60 135DBC 1K 压控恒温晶振100.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM 0.05PPM 1K-155DBC 9差分晶振100.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4恒温晶振100.02MHz DIP14 + -0.1ppm 0-70 1kHZ -155dbc/HZ 恒温晶振102.4MHZ DIP25X25 0.1PPM 正弦波方波OCXO温补晶振102.4MHZ DIP25X25 0.3PPM 正弦波方波 TCXO压控晶振122.88MHZ SMD14X9压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8温补晶振124.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振125.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V差分晶振125.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4温补晶振127.5MHz DIP14 不压控温特性1ppm 年老化1ppm 3.3V 温补晶振140.0MHz DIP14 -20-70 1PPM 5V 5X10-6秒稳输出幅度大于欧姆差分晶振148.5MHZ 5070 2.5V/3.3V 输出LVDS PECL工业级温补晶振299.792458MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS 温补晶振300.0MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS。

晶体放入试验箱中，高低温循环25次
低温为-40±3℃保持30分钟,高温85±2℃保持保持30分钟，高、
低温每3分钟变换一次
3
冷热冲击
+25±5℃
+85±2℃ 30min
-40±2℃ 30min
1 循环
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
4
气密性 氦气气压标准：5±0.5Kg/cm2，氦气加压时间：120 分钟
-40℃ ~ +85℃
8. 负载 (CL) :
10.0pF
9. 激励功率:
100uW/Max
10. 静电容:
7.0pF MAX
11. 等效电阻:
60ΩMax.
12. 绝缘阻抗 :
500MΩ min /DC 100V
13. 年老化率:
±3ppm /年
14. 包装方式:
卷包 3000PCS/Reel
15. 备注
本产品不能折弯使用，在电路板安装时使用过大的机械压力可能造成产品损坏， 同时本规格书只规定了部件本身的品质，应用于您的产品时请确认图纸该产品是否适 用。
漏率标准：≤1×10-9Pa.m3/s
波峰温度：260º C ± 10º C 时间：15±5 秒
5
耐焊接热
150±10℃
15±5sec
260±10℃ 200±10℃
试验前后,频率变化不超过±5ppm,电阻 变化不超过±15%
90±30sec
75±10sec
温度：260º C ± 10º C
6
沾锡试验
四、晶体技术参数指标
1. 频率:
12.000000MHz
2. 型号 :
3225