下载文档原格式
太阳能级多晶硅生产工艺及污染防治措施摘要：本文通过分析太阳能级多晶硅的生产企业生产工艺和环境污染环节的相关情况，探讨其污染环节产生的废弃物数量、种类以及排放量，对由此产生的环境污染程度和影响做出准确的预测，并提出相对应的环保措施和对策。
关键词：多晶硅生产工艺污染防治多晶硅可以直接用于太阳能电池及单晶硅的原料，在当今原料运用中具有重要意义，在人工智能、信息处理、操作控制等方面占据着基础的重要地位。
一些科技发达的国家如美国、日本等长期以来都采用市场垄断和技术封锁等手段控制多晶硅的使用和销售，而我国90%以上的多晶硅只能靠进口，面临着严重缺货、供不应求的发展和利用问题。
为了适应市场环境的发展需求，针对我国面临的现状必须采取一定的措施，加大对多晶硅生产的技术投入和执行力度，同时还必须保证不加重对周围环境的污染，提高污染防治措施的决策性和执行力度[1]。
一、生产工艺以及污染源分析1.生产工艺流程首先将结晶硅原材料粉碎直至成为粉状后，用含31%的盐酸洗涤，完成后再用水洗尽酸。
将其甩干后进行数控冶炼将其炼化，炼化过程中加入氩气，两次进行物理分凝后直至冷却，则可完成多晶硅产品的制作。
2.流程中的污染分析2.1在工艺生产的流程中，废水主要来源于水的洗涤上。
未回收的氯硅烷低沸物和氯化氢、还原炉开关的置换尾气等，各种工艺废气处理后产生了很多酸性废水。
这些废水的很大组成成分都是多晶硅的生产废水，一般来说，多晶硅废水的主要污染物是盐酸以及氯硅烷水解后产生的SiO2等等，机械处理以后这些废水会沿着管道排出，进入废水处理站的调节池。
还有纯水的制备产生的排污水，包含的污染物主要是氯化物。
此外，还有硅芯和检验棒腐蚀物的洗涤废水，其中包含了硝酸、钠盐、氢氟酸等污染物，一并流入废水处理站进行处理[2]。
2.2本项目中废气主要污染源为工艺废气及工艺粉尘。
酸洗过程中通常会产生一定的酸雾，表面积约为1m2，此道工序需使用31%的盐酸，温度大概保持在30°C左右。
工业硅生产与冶金法太阳能级多晶硅的制取在今天的文章中，我们将深入探讨工业硅的生产过程以及如何通过冶金法来制取太阳能级多晶硅。
这两个主题在能源和材料科学领域中都占据着至关重要的地位。
让我们一起来了解这两个复杂而又引人入胜的领域。
一、工业硅的生产工业硅，也被称为金属硅，是一种在工业上广泛应用的非铁合金。
它的生产过程主要包括以下步骤：硅石熔炼：硅石，一种含硅量高达99%的矿石，是工业硅生产的主要原料。
在熔炼过程中，硅石与碳质还原剂混合并加热至高温，生成的碳化硅在炉内进行反应，产生工业硅和一氧化碳。
粗硅提纯：产生的工业硅中含有大量的杂质，如铁、铝、钙等。
通过与氯化物反应生成挥发性氯化物，再经过蒸馏和冷凝，可以去除大部分的杂质，得到纯度较高的粗硅。
精炼：最后一步是精炼过程，通过在真空中蒸馏粗硅，进一步去除剩余的杂质，得到高纯度的工业硅。
二、冶金法太阳能级多晶硅的制取冶金法是一种制取太阳能级多晶硅的重要方法。
其基本原理是利用物理分离方法，将工业硅中的杂质有效地去除，同时保留其良好的半导体特性。
以下是其主要步骤：定向凝固：首先将工业硅加热至熔融状态，然后缓慢冷却至凝固点，并控制凝固方向，以形成多晶硅锭。
杂质分离：通过特殊的热处理过程，使杂质与多晶硅分离，并聚集在锭的表面，形成一层杂质层。
晶粒定向生长：在特定的热处理条件下，多晶硅锭内部的晶粒会按照一定的方向生长，形成多晶硅锭的大晶粒结构。
切割和研磨：将多晶硅锭切割成小块，并进行研磨处理，以得到表面平整、晶粒分布均匀的太阳能级多晶硅。
质量检测：最后进行严格的质量检测，以确保产品的各项性能指标符合要求。
结论：工业硅的生产和冶金法制备太阳能级多晶硅是能源和材料科学的重要领域。
通过了解这两个过程，我们可以更好地理解这些关键材料的制取过程和背后的科学原理。
随着科技的不断发展，我们期待着这些技术在未来能够实现更高的效率和更低的成本。
多晶硅产品分类:多晶硅按纯度分类可以分为冶金级（工业硅）、太阳能级、电子级。
1、冶金级硅（MG）：是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。
一般含Si 为90 - 95％以上，高达99.8％以上。
2、太阳级硅（SG）：纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。
一般认为含Si在99.99 ％– 99.9999％（4～6个9）。
3、电子级硅（EG）：一般要求含Si > 99.9999 ％以上，超高纯达到99.9999999％～99.999999999％（9～11个9）。
多晶硅生产流程：1，西门子法，改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成H C l（或外购HCl），HCl和工业硅粉在一定的温度下合成SiHCl3，然后对SiHCl3进行分离精馏提纯，提纯后的SiHCl3在氢还原炉内进行化学气相沉积反应得到高纯多晶硅。
改良西门子法包括五个主要环节：即SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。
改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。
改良西门子法生产多晶硅属高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。
2，硅烷热分解法，1956年，英国标准电讯实验所成功研发出了硅烷（SiH4 ）热分解制备多晶硅的方法，即通常所说的硅烷法。
1959年，日本的石冢研究所也同样成功地开发出了该方法。
后来，美国联合碳化物公司采用歧化法制备SiH4，并综合上述工艺且加以改进，便诞生了生产多晶硅的新硅烷法。
硅烷法与改良西门子法接近，只是中间产品不同，改良西门子法的中间产品是SiHCl3，而硅烷法的中间产品是SiH4。
SiH4是以SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法来制取，然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅。
日本小松公司曾采用过此技术，但由于发生过严重的爆炸事故，后来就没有继续推广了。
太阳能光伏板生产工艺一、概述太阳能光伏板是一种利用太阳能转化为电能的设备，其制作工艺主要包括晶体硅生产、硅片加工、电池片制作和组件装配等环节。
本文将详细介绍太阳能光伏板的生产工艺。
二、晶体硅生产1.原材料准备：选用高纯度的硅石、氢气和氯气作为原材料。
2.冶炼：将硅石放入电弧炉中进行冶炼，加入适量的碳素和硅铝合金，在高温下使其还原成多晶硅块。
3.精炼：将多晶硅块放入真空炉中进行精炼处理，去除杂质和气泡，使其达到半导体级别。
4.拉棒：将精炼后的多晶硅块放入拉棒机中进行拉棒，制成单晶硅棒。
三、硅片加工1.切割：将单晶硅棒切割成薄片，厚度通常为0.2mm至0.3mm。
2.抛光：对切割好的薄片进行抛光处理，使其表面光洁度达到一定标准。
3.清洗：对抛光好的硅片进行清洗处理，去除表面污垢和杂质。
四、电池片制作1.光刻：将硅片放入光刻机中进行光刻处理，将图案转移到硅片表面。
2.扩散：将硅片放入扩散炉中进行扩散处理，使其表面形成n型或p型半导体。
3.金属化：在硅片表面涂上金属薄膜，通常使用铝、银等金属。
4.焊接：将多个电池片通过焊接连接成串联或并联的电池组件。
五、组件装配1.封装：将电池组件放入封装盒中，用胶水密封盒子，并在盒子上安装连接线和插头。
2.测试：对组装好的太阳能电池板进行测试，检测其输出功率和效率等参数是否符合要求。
3.包装：对测试合格的太阳能电池板进行包装处理，通常使用泡沫箱或纸箱等材料进行包装，并在外部标注产品名称、规格和生产日期等信息。
六、总结太阳能光伏板生产工艺是一个复杂的过程，需要多个环节的协同作业，每个环节都需要精细的操作和高水平的技术支持。
随着科技的不断发展和进步，太阳能光伏板生产工艺也在不断改进和完善，未来将会更加智能化、高效化和环保化。
多晶硅的三大生产工艺之比较1.多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。
1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被外界称为“西门子法”。
由于西门子法生产多晶硅存在转化率低，副产品排放污染严重（例如四氯化硅SiCl4）的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。
改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本（针对单次转化率低）。
因此，改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。
改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法，目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。
过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅（纯度在99.9999999%～99.999999999%，即9N～11N的多晶硅）；光伏市场兴起之后，太阳能级多晶硅（对纯度的要求低于电子级）的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅，改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。
2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程（改良西门子法工艺流程示意图）在TCS还原为多晶硅的过程中，会有大量的剧毒副产品四氯化硅（SiCl4，下文简称STC）生成。
改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后，把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS 合成装置，均实现了闭路循环利用。
这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。
CVD还原反应（将高纯度TCS还原为高纯度多晶硅）是改良西门子法多晶硅生产工艺中能耗最高和最关键的一个环节，CVD工艺的改良是多晶硅生产成本下降的一项重要驱动力。
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图电池片工艺流程说明：(1)清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤层，并进行硅片表面织构化，形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。
现在常用的硅片的厚度在 180 μm 左右。
去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。
(2)甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。
(3)扩散、刻蚀：多数厂家都选用 P型硅片来制作太阳能电池，一般用 POCl3液态源作为扩散源。
扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成 P-N结。
扩散的最高温度可达到 850- 900℃。
这种方法制出的 PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于 10％，少子寿命大于 10 微秒。
扩散过程遵从如下反应式：4POCl3＋3O2（过量）→ 2P2O5＋2Cl 2（气） 2P2O5＋5Si → 5SiO2 + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩散生成的副产物。
SiO2与HF生成可溶于水的 SiF 62-，从而使硅表面的磷硅玻璃（掺 P2O5的SiO2）溶解，化学反应为：SiO2＋6HF → H2（SiF 6）＋ 2HO(4) 减反射膜沉积：采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜，不仅可以减少光的反射，而且由于在制备SiNx 减反射膜过程中有大量的氢原子进入，因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果。
这是因为对于具有大量晶界的多晶硅材料而言，晶界的悬挂键被饱和，降低了复合中心的原因。
由于表面钝化和体钝化作用明显，就可以降低对制作太阳能电池材料的要求。
由于增强了对光的吸收，氢原子对太阳能电池起到很好的表面和体内钝化作用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。
(5)印刷、烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两面制作电极。
潞安职业技术学院毕业论文太阳能级多晶硅生产工艺姓名：卫雅聪专业：矿物加工技术班级：矿物加工学好：011141025指导老师：冯锦华、韩晓晶日期：2013-10-11目录摘要 (1)前言 (1)1 改良西门子法——闭环式SiHCl3 氢还原法 (1)2 新硅烷法——硅烷热分解法 (2)3 流化床法 (3)4 冶金法 (4)5 蒸汽－液体沉积法 (5)6 热交换炉法 (6)7 无氯技术 (6)8 铝热还原法 (7)9 常压下碘化学气相传输净化法 (8)10 锌还原法 (8)总结 (9)参考文献 (10)致谢 (11)2摘要本文阐述了挥发性硅化物还原或分解法和冶金级硅精炼法生产太阳能级多晶硅的生产工艺。
目前生产多晶硅的主要方法是改良的西门子法，但该方法在降低生产成本上显得力不从心。
冶金级硅精炼法是一种制备低成本太阳能级多晶硅的方法，然而该方法不能有效地去除Ｂ和Ｐ，只能选择Ｂ和Ｐ含量很少的冶金级硅为原料制备多晶硅。
锌还原法是生产低成本太阳能级多晶硅的优势方法，分析表明锌还原法与西门子法相结合不失为生产多晶硅的好方法。
关键词：多晶硅；太阳能级；锌还原法；改良西门子法3前言随着全球范围内传统能源的枯竭以及石油价格不段攀升太阳能作为环境友好能源受到全世界的广泛关注，尤其是如何生产离效率.低费用的太阳能电池成为科学家的研究重点，多晶硅是作为光伏转换器最好的材料之一,在未来50多年的时间内，还不可能有其他材料能代替硅成为电子和光伏产业的主要材料，在太阳能电池组件中，作为取材料之—的高纯多晶硅占总费用的20%因此.在不影响转化效率的前提下，降低多品硅的费用是降低太阳能电池费用的主要方法。
降低多晶硅费用的方法有：（1）研究研发低成本半导体级多晶硅的生产工艺或在已有工艺的基础上降低生产成本。
(2)生产低纯度、低成本但是能满足太阳能电池生产需要的多晶硅，也称为太阳能级多晶体.1975年至今，世界各地的科学家在降低半导体级硅生产成本以及生产低成本太阳能级多晶硅方面做出了巨大的努力。
1 改良西门子法——闭环式SiHCl3 氢还原法改良西门子法生产包括SiHCl3合成、SiHCl3精馏提成、SiHCl3的氢还原、尾气的回收以及SiCl4的氢化等。
这种方法的优点是节能降耗显著、成本低、质量好、采用综合利用技术，对环境不产生污染，具有明显的竞争优势。
改良西门子工艺法生产多晶硅所用设备主要有：氯化氢合成炉，三氯氢硅沸腾床加压合成炉，三氯氢硅水解凝胶处理系统，三氯氢硅粗馏、精馏塔提纯系统，硅芯炉，节电还原改良西门子法生产多晶硅的工艺研究。
磷检炉，硅棒切断机，腐蚀、清洗、干燥、包装系统装置，还原尾气干法回收装置；其他包括分析、检测仪器，控制仪表，热能转换站，压缩空气1站，循环水站，变配电站，净化厂房等。
（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑ （2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。
把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。
同时形成气态混合物(Н2，НСl，SiHCl3，SiCl4，Si)。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解过滤硅粉，冷凝SiHCl3，SiC14，而气态Н2,HCl返回到反应中或排放到大气中。
然后分解冷凝物SiHCl3，SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。
剩余部分同Н2，HCl，SiHC3，SiCl4从反应容器中分离。
这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。
气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
改良西门子法主要产品除高纯晶体硅外，对生产过程中产生的大量副产品SiCl4以及SiHCl3的重复利用也至关重要。
其中，副产品SiCl4可以用于气相白炭黑以及光纤预制棒的生产，而SiHCl3可以用于有机硅的生产，如何形成完善的晶体硅产业体系对于提升晶体硅企业的盈利能力非常重要。
目前国内厂家规模偏小与配套产业链发展不完善，因此成本普遍高于国外企业。
2 新硅烷法——硅烷热分解法1956年，英国国际标准电气公司的标准电讯实验所研究成功了SiH4热分解制备多晶硅的方法，被称为硅烷法。
1959年日本的石冢研究所也同样成功研究出该方法。
美国联合碳化物公司（Union Carbide Corporation）研究歧化法制备SiH4，1980年发表最终报告，综合上述工艺并加以改进，诞生了新硅烷法多晶硅生产工2艺。
硅烷法与改良西门子法接近，但中间产品不同，改良西门子法的中间产品是三氯氢硅（SiHCl3），硅烷法的中间产品是硅烷（SiH4）。
硅烷是以SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取，然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅。
采用该方法生产粒状多晶硅的主要厂商——美国MEMC Pasadena公司是以四氟化硅为原料，采用无氯化工艺生产硅烷，经过提纯的高纯硅烷以液体的形态被贮存在贮罐内。
然后将很小的籽晶颗粒导入热分解反应器内，硅烷及氢气按一定比例通入热分解反应器，硅烷在流化床上的籽晶周围进行热分解反应，籽晶颗粒逐渐长大，长到平均尺寸1000 μm左右为止。
4新硅烷法和改良西门子法是目前世界上两种主要的多晶硅生产方法。
新硅烷法既可生产粒状多晶硅又可生产棒状多晶硅，改良西门子法主要用于生产棒状多晶硅。
新硅烷法与改良西门子法相比, 具有反应温度较低、热效率高、耗电省、原料消耗低、硅烷提纯容易、产品纯度高等特点。
特别是随着近几年来直拉单晶硅炉连续加料系统制造技术的发展及其在直拉单晶硅生产工艺上的应用，新硅烷法生产粒状多晶硅工艺成为一种很有前途的新工艺，到较快的发展。
3 流化床法流化床法是美国联合碳化合物公司早年研发的多晶硅制备工艺技术。
该方法SiCl4、H2、HCl和工业硅为原料，在高温高压流化床内（沸腾床）生成SiHCl3，将SiHCl3再进一步歧化加氢反应生成SiH2Cl2，继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，所以该方法生产效率高、电耗低、34成本低。
该方法的缺点是安全性差，危险性大，还有就是产品纯度不高，不过基本能满足太阳能电池生产的使用5 。
因而，该方法比较适合大规模生产廉价太阳能级多晶硅。
目前采用该方法生产颗粒状多晶硅的公司包括：美国MEMC 公司、挪威可再生 能源公司（REC ）6 、德国威克公司（Wacker ）等。
特别是REC ，它以硅烷气为原料，利用流化床反应器闭环绿色工艺制备颗粒状多晶硅，纯度甚至接近电子级硅，而且 基本上不产生副产品和废弃物，这一特有专利技术使得REC 在全球太阳能行业中有着独一无二的地位REC 积极致力于开发新型专利技术，其开发的粒状多晶硅沉积技术——流化床 反应器技术（Fluidized Bed Reacto Technology ，FBR ）9 ,10 的特点是让多晶硅在流化 床反应器中沉积，而不是传统的热解沉积炉、西门子反应器。
该技术可以极大地降 低建厂投资和生产能耗，被认为最有可能成为太阳能专属的多晶硅量产技术。
过去 几年中，REC 进行了该技术的试产，于2006年3月在华盛顿Moses Lake 新建了其第 三座硅工厂，利用该技术生产太阳能级多晶硅，并于2006年11月完成了硅烷单元的 升级，这使得其太阳能级多晶硅产能翻倍，2008年生产能力将增至13500t 。
此外， REC 正积极开发下一代流化床多晶硅沉积（ Fluidizedbedpolysilicon deposition ，预计2008年可以用于试产 ）技术和改良的西门子－反应器技术。
（ModifiedSiemens-reactor technology ）以进一步降低能耗，从而降低成本。
4 冶金法1996年起，在日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO ）支持下，日本川崎 制铁公司（Kawasaki Steel ）开发出由冶金级硅生产太阳能级硅方法，该方法采用电 子束和等离子冶金技术结合定向凝固 方法，是世界最早宣布成功的冶金法（metallurgical method）。
冶金法的主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。
此外，一些公司分别提出了一些湿法精炼的方法，例如德国Wacker公司首先采用酸浸，使得硅金属中的金属杂质进入溶液，随后对浸出后的渣滓进行熔化，最后进行定向凝固；而Bayer AG公司首先也采用酸浸，然后在反应性气体(氢气、水蒸气、四氯化硅)中熔化，以除去其中的一些杂质。
最后采用真空和定向凝固的方法，已达到除杂的效果；挪威Elkem公司的方法主要是：金属硅进行破碎后进入酸浸，然后加入高纯金属，采用定向凝固等方法处理硅中的杂质。
Elkem公司已建厂投产，预计到2008年底将形成5000吨/年的生产能力。
5 蒸汽－液体沉积法蒸汽－液体沉积法/汽－液沉积法（vapor to liquid deposition，又称作“熔融析出法”）是多晶硅制造商日本德山公司（Tokuyama）于1999～2005年开发出的具有专利权的太阳能级多晶硅制备技术。
德山公司开发该技术的最初目标是“低成本”，即尽量从三氯硅烷中找到最大沉积率，而不是追求纯度。
利用VLD技术生产的多晶硅不是颗粒状，而是大的结晶块。
主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。
据称其沉积速度大大高于制造半导体级多晶硅所达到的水平。
目前，德山公司已经解决与使用VLD法相联系的技术上的大部分困难，完成了年产200t/Y试验线建设, 并开始试生产，但由于扩大生产工艺存在一些问题，原定于2008年的大型商业性工厂建设计划推迟进行7，VLD技术完全投入商业应用可能还5需要数年时间。
