硅单晶的原理和成长工序(课堂PPT)

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引晶
▪ 虽然籽晶都是采用无位错硅单晶制备的[16～19]， 但是当籽晶插入熔体时，由于受到籽晶与熔硅的温 度差所造成的热应力和表面张力的作用会产生位错。 因此，在熔接之后应用引细颈工艺，可以使位错消 失，建立起无位错生长状态。细颈工艺通常采用高 拉速将晶体直径缩小到大约3mm。在这种条件下， 冷却过程中热应力很小，不会产生新的位错，所以 细颈应尽可能细长，一般直径之比应达到1：10。
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装料、熔料
▪ 装料、熔料阶段是CZ生长过程的第一个阶 段，这一阶段看起来似乎很简单，但是这一 阶段操作正确与否往往关系到生长过程的成 败。大多数造成重大损失的事故(如坩埚破裂) 都发生在或起源于这一阶段。
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籽晶与熔硅的接触
▪ 当硅料全部熔化后，调整加热功率以控制熔体的温度。一般情况下， 有两个传感器分别监测熔体表面和加热器保温罩石墨圆筒的温度，在热 场和拉晶工艺改变不大的情况下，上一炉的温度读数可作为参考来设定 引晶温度。按工艺要求调整气体的流量、压力、坩埚位置、晶转、埚转。 硅料全部熔化后熔体必须有一定的稳定时间达到熔体温度和熔体的流动 的稳定。装料量越大，则所需时间越长。待熔体稳定后，降下籽晶至离 液面3～5mm距离，使粒晶预热，以减少籽经与熔硅的温度差，从而减 少籽晶与熔硅接触时在籽晶中产生的热应力。预热后，下降籽晶至熔体 的表面，让它们充分接触，这一过程称为熔接。在熔接过程中要注意观 察所发生的现象来判断熔硅表面的温度是否合适，在合适的温度下，熔 接后在界面处会逐渐产生由固液气三相交接处的弯月面所导致的光环(通 常称为“光圈”)，并逐渐由光环的一部分变成完整的圆形光环，温度过 高会使籽晶熔断，温度过低，将不会出现弯月面光环，甚至长出多晶。 熟练的操作人员，能根据弯月面光环的宽度及明亮程度来判断熔体的温 度是否合适。
▪ 另一方面，多晶中夹杂的难熔固体颗粒、炉尘(坩埚中的熔体中的SiO 挥发后，在炉膛气氛中冷却，混结成的颗粒)、坩埚起皮后的脱落物等， 当它们运动至生长界面处都会引起位错的产生(常常称为断苞)，其原因 一是作为非均匀成核的结晶核，一是成为位错源。调整热场的结构和坩 埚在热场中的初始位置，可以改变晶体中的温度梯度。调节保护气体的 流量、压力，调整气体的流向，可以带走挥发物SiO和有害杂质CO气体， 防止炉尘掉落，有利于无位错单晶的生长，同时也有改变晶体中的温度 梯度的作用。
CZ生长原理及工艺流程
小莫
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单晶生长原理
▪ CZ法的基本原理，多晶体硅料经加热熔化，待温度 合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转 肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。 炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都 直接影响到单晶的生长与生长成的单晶的质量，拉 晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、 坩埚和生长成的单晶的旋转与升降速率，炉内保护 气体的种类、流向、流速、压力等。CZ法生长的具 体工艺过程包括装料与熔料、熔接、细颈、放肩、 转肩、等径生长和收尾这样几个阶段。
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收尾
▪ 收尾的作用是防止位错反延。在拉晶过程中，当无位错生长 状态中断或拉晶完成而使晶体突然脱离液面时，已经生长的 无位错晶体受到热冲击，其热应力往往超过硅的临界应力。 这时会产生位错，并将反延至其温度尚处于范性形变最低温 度的晶体中去(图4．20)，形成位错排，星形结构。
▪ 一般来说，位错反延的距离大约等于生长界面的直径。因此， 在拉晶结束时，应逐步缩小晶体的直径直至最后缩小成为一 点，这一过程称为收尾。收尾可通过提高拉速，也可通过升 高温度的方法来实现，更多的是将两种方法结合起来，收尾 时应控制好收尾的速度，以防晶体过早地脱离液面。目前先 进的单晶炉可以实现从引晶到收尾的整个过程
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放肩
▪ 引细颈阶段完成后必须将直径放大到目标 直径，当细颈生长至足够长度，并且达到一 定的提拉速率，即可降低拉速进行放肩。目 前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺，即肩 部夹角接近180°，这种方法降低了晶锭头部 的原料损失。
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转肩
▪ 晶体生长从直径放大阶段转到等径生长阶段时，需要进行 转肩，当放肩直径接近预定目标时，提高拉速，晶体逐渐进 入等径生长。为保持液面位置不变，转肩时或转肩后应开始 启动埚升，一般以适当的埚升并使之随晶升变化。放肩时， 直径增大很快，几乎不出现弯月面光环，转肩过程中，弯月 面光环渐渐出现，宽度增大，亮度变大，拉晶操作人员应能 根据弯月面光环的宽度和亮度，准确地判断直径的变化，并 及时调整拉速，保证转肩平滑，晶体直径均匀并达到目标值。 从原理上说也可以采用升高熔体的温度来实现转肩，但升温 会增强熔体中的热对流，降低熔体的稳定性，容易出现位错 (断苞)，所以，目前的工艺都采取提高拉速的快转肩工艺。
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等径生长2
▪ 无位错状态的判断因晶体的晶向而异，一般可通过晶锭外侧 面上的生长条纹(通常称为苞丝)、小平面(通常称为扁棱和棱 线)来判断。生长晶向对准时，三个小平面应大小相等，相 互间成l20°夹角。但实际生长时往往由于生长方向的偏离， 造成小平面有大有小，有的甚至消失。<100>方向生长时， 有四条棱线，没有苞丝。无位错生长时，在整根晶体上四条 棱线应连续，只要有一条棱线消失或出现不连续，说明出现 了位错(断苞)。
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等径生长1
▪ 当晶体基本实现等径生长并达到目标直径时，就可实行直径保持晶体的 无位错生长。晶体内总是存在着热应力，实践表明，晶体在生长过程中 等温面不可能保持绝对的平面，而只要等温面不是平面就存在着径向温 度梯度，形成热应力，因而也必然会产生热应力。当这些热应力超过了 硅的临界应力时晶体中将产生位错。因此，必须控制径向温度梯度和轴 向温度梯度不能过大，使热应力不超过硅的临界应力，满足这样的条件 才能保持无位错生长。
▪ 出现位错后的处理视情况不同处理方法也不同，当晶锭长 度不长时，应进行回熔，然后重新拉晶；当晶锭超过一定的 长度，而坩埚中还有不少熔料时，可将晶锭提起，冷却后取 出，然后再拉出下一根晶锭；当坩埚中的熔体所剩不多时， 或者将晶体提起，或者继续拉下去，断苞部分作为回炉料。 拉晶人员应调整拉晶工艺参数，尽可能避免出现位错。