SLC MLC TLC

固态硬盘SLC和MLC、TLC有什么区别简单来说就是下面的这样的参数：1.SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；2.MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命；3.TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。

具体来讲，因此，普通用户购买MLC的固态硬盘就够用，不要使用固态硬盘下载东西，不要将浏览器，在线播放软件等会产生大量临时数据的的软件安装在固态硬盘，或者将这些软件的缓存目录修改成其它机械硬盘，大量临时数据的写入操作会加速固态硬盘的闪存芯片的老化速度。

1bit/cell和2bit/cell的意思就是，SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。

而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit）。

在一次读写中SLC只有0或1两种状态,这种技术能提供快速的程序编程与读取,简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样,只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。

在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例）,这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。

它已经不再是简单的开关电路,而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求,而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。

成本问题也是因为这个导致的，SLC的一个Cell只存1bit数据，MLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据，但芯片的体积并没增加，等于压缩存储了数据，这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大，自然价格就便宜了。

天硕教你看透内存卡芯片SLC、MLC、TLC三者的本质区别前一段时间朋友圈掀起了一股“气质风”。

做人看气质，那买内存卡又该如何看气质？今天我们就来谈论一下内存卡的气质。

其实说起内存卡，其本质也就是卡中的内存芯片而已，所以首先，让我们来看看内存芯片有哪些种类。

拍摄时间-型号-焦距-光圈-快门速度-ISO -曝光补偿0EVGPS -Design XinBeta内存技术最早是应用在军事、航天等重要领域上的，所以保障长时间工作顺利运作，成了内存卡设计的唯一指标。

所以，军工级SLC 芯片,也是第一代内存技术（SLC即是Single-LevelCell，单层单元的英文缩写）就在这个技术背景下诞生了。

这种技术以低耗、高效、耐用著称，平均擦写寿命达到10万次。

同时要注意的是，这种卓越性能是以昂贵的造价和繁杂的制作工艺来换取的。

随着社会的发展，商业服务器、移动终端（手机、便携电脑）、数码器材等民用领域开始对内存技术产生大量需求。

由于应用面积和需求数量的迅速扩大，加上商业开发的要求，繁杂和昂贵的SLC技术显然不符合要求，于是企业级、商用级、一般消费级及低端消费级等民用内存技术产品被开发、使用。

其中，廉价、生产简易的MLC和TLC迅速占领了手机、数码相机领域，成了最大赢家。

在手机、数码相机刚起步阶段，MLC和TLC还能应付得绰绰有余，随着数码技术的不断发展，MLC和TLC的内存技术已经开始左右支绌。

数据丢失、保存不完整、无法读写、无故写保护………这些都是MLC 和TLC在应付大容量时露出的技术短板。

当然，如果不是对高速连拍和4K视频录制有要求的专业摄影师，MLC和TLC还是可以勉强应付的。

虽然MLC和TLC的存储上限比SLC提高了很多，但使用寿命也直线下降，平均擦写只有500-1000次。

随着影像技术的发展，MLC 和TLC仍会逐渐陷入性能泥潭，直至被新一代廉价内存技术取代。

那SLC芯片是不是就彻底告别了民用领域？没有。

固态硬盘实用基础知识受助其超快的读写速度以及当前较为亲民的售价，固态硬盘终于在2016年摇身一变，成为了当下PC市场的标配单品。

下面就让小编带你去看看固态硬盘实用基础知识，希望能帮助到大家!固态硬盘常用知识常见的固态硬盘接口SATA、M.2以及msata固态硬盘虽然已经铺设到整装PC市场，但同时作为一款DIY单品，根据接口类型不同，依然存在着种类不同的产品。

所以选购固态硬盘的第一步，一定要根据电脑需求和主板接口进行挑选。

常见的固态硬盘，主要包含SATA接口、M.2以及msata接口这三种物理接口产品。

SATA接口不但是目前最为常见的接口类型，也是当下最为主流，产品线最为丰富的固态硬盘类型，作为目前绝大部分的固态厂商都会生产的产品类型，几乎所有主板都能支持。

而由于SATA接口的产品主要依照SATA标准执行，因而其在读写速度上有着明显的限制。

SATA接口M.2接口则是原生于主板上的接口，此种接口根据总线不同，还可分为SATA标准及PCIE标准，未来还会出现NVMe标准。

此种产品的特性在于，产品尺寸纤薄，根据长短不同，还可分为2230/2242/2260以及2280等四种产品，不仅如此，采用M.2接口的优势还在于其有着远超SATA接口的读写速度，是固态硬盘未来的发展方向。

M.2接口对于mSATA接口，其本质不过是SATA接口的变种，多用于笔记本电脑中，在一体机领域较少使用，这里也就不做介绍了。

mSATA接口AHCI开关很重要AHCI,全名 Advanced HostController Interface高级主机控制接口，它是由Intel主导的一项技术，旨在发挥SATA硬盘的潜在加速功能，大约可增加30%的硬盘读写速度。

而只有安装使用固态硬盘时，打开AHCI才能充分发挥硬盘性能。

目前的主流主板基本都是默认开启AHCI选项。

但对于少数主板以及以前的老主板，还得通过BIOS设置，手动将默认的IDE选项改为AHCI选项才行。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格昂贵（约MLC 3倍以上的价格）MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜QLC = Quad-Level Cell？即4bit/cell，速度最慢寿命最短QLC FLASH说明文档截图，一个简单介绍，不过TLC部分数据有误，500P/E是第一代TLC产品，工艺不成熟。

现在Hynix官方PDF介绍TLC闪存大约是2500~5000P/E，东芝的更高(tcbgs)。

SLC MLC TLC 簡介•什麽是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell)即單層式儲存。

•SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這様的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限于Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術。

•什麽是MLC？MLC英文全稱（Multi Level Cell)即多層式儲存。

英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating Gate （Flash Memory存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（Level）的電荷，通過内存儲存的電壓控制精準讀寫。

MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。

SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。

•什麽是TLC？TLC(Trinary-Level Cell；TLC)，即3bit/cell，也就是1個記憶體儲存單元可存放3位元元。

SLC、MLC和TLC三者的区别及网友的讨论内容提要SLC、MLC和TLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。

2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。

如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。

TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。

2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。

固态硬盘介绍固态硬盘介绍引导语：固态硬盘又称固盘，是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元组成。

以下是店铺整理的固态硬盘介绍，欢迎参考阅读!一、闪存的类型闪存芯片中，除了我们耳熟能祥的SLC、MLC、TLC以外，还有一种叫QLC闪存芯片。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快，寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电值。

因此，要比SLC需要更多的访问时间。

其最大特点就是速度中等，寿命中等，价格比SLC便宜，约3000---10000次擦写寿命。

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，111、110、101、011、010、001、000。

最大特点就是速度慢寿命短，约500-1000次擦写寿命，但价格是三者最低的。

QLC = Quad-Level Cell，我们知道，TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷，有8种状态，QLC闪存则是存储4位电荷，有16种状态。

这意味着QLC闪存单位存储密度更大，是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。

但是，也因如此，QLC闪存的电压更难控制，写入速度更低，可靠、稳定性及寿命比TLC更差。

二、固态硬盘怎么存储？同机械硬盘原理区别很大，固态硬盘是用NAND Flash来存储数据。

NAND Flash在物理结构上是由一个一个的“块”组成。

每个块都有一定的擦除寿命（P/E），当擦除寿命达到时，这个块就会损坏了。

不知道大家注意没有，现在的固态硬盘和机械硬盘不同，容量都是120GB、240GB、480GB、960GB，而不是我们通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。

关于固态硬盘SSD技术分类总结介绍固态硬盘（Solid State Drive，SSD）是一种新型的数据存储设备，使用固态存储器来保存数据，相比传统的机械硬盘，它具有更高的读取写入速度、更低的能耗以及更小的体积等优势。

固态硬盘的技术不断演进，在市场上也有不同的分类。

下面将对固态硬盘的技术分类进行总结介绍。

首先，根据存储芯片的不同，固态硬盘可以分为单层单级存储芯片、多层单级存储芯片和多层多级存储芯片。

单层单级存储芯片是最早的固态硬盘技术，它的每个存储单元只有一个存储层级。

这种技术在成本、性能和可靠性上的表现相对较弱。

多层单级存储芯片是在单层单级存储芯片的基础上发展而来，通过增加存储芯片的层级，提高了存储密度和容量。

而且由于层级较低，它的性能和可靠性也相对更好。

多层多级存储芯片是目前主流的固态硬盘技术，通过在每个存储单元中增加多个层级，同时使用多个存储层级，提高了存储密度和容量的同时，还能够提供更好的性能和可靠性。

其次，根据接口的不同，固态硬盘可以分为SATA接口、PCIe接口和U.2接口。

SATA接口是目前应用最广泛的接口类型，它是一种串行接口，具有可插拔性、稳定性和兼容性，适用于大多数主流计算机。

PCIe接口是一种高速串行接口，相比SATA接口，它具有更高的传输速度和更低的延迟。

因此，PCIe接口的固态硬盘适合于对速度要求较高的应用，如游戏和数据中心。

U.2接口是一种U.2规范定义的高速接口，它采用传统的SAS或SATA协议，但通过更小的接口实现了更高的带宽。

U.2接口的固态硬盘适用于需要高容量和高带宽的应用。

最后，根据存储技术的不同，固态硬盘可以分为SLC、MLC、TLC和QLC。

SLC（Single-Level Cell）是最早的固态硬盘存储技术，每个存储单元只存储一个数据位，具有较高的写入寿命和性能，但存储密度较低，造价较高。

MLC（Multi-Level Cell）是目前应用较广泛的存储技术，每个存储单元可以存储多个数据位，存储密度更高，价格相对较低，但写入寿命和性能相对较低。

固态硬盘颗粒：SLC、MLC、TLC有什么区别随着技术的发展和数据存储需求的增加，固态硬盘（SSD）已经成为许多消费者和企业的首选。

不同类型的固态硬盘颗粒（也称为芯片）包括SLC、MLC和TLC，每种类型都有其独特的特点和应用。

SLC颗粒：SLC代表“单层细胞”，它是最古老的SSD芯片技术之一，通常被用于需要高可靠性、高性能和耐久性的应用中，如企业级数据存储、服务器和工业控制系统。

SLC颗粒只存储一个比特的数据（即“0”或“1”），因此它们具有非常快的读写速度和长寿命。

这是因为单层细胞存储器只需要一个电子来表示一个位，这使得数据的读取和写入速度更快。

此外，由于每个单元只存储一个位，因此它们具有更高的耐久性，因为单元的使用寿命更长。

然而，SLC芯片的成本非常高，因为它们需要更多的硅片来存储相同的数据量。

因此，SLC 颗粒一般只在对可靠性和性能有高要求的专业领域中使用。

MLC颗粒：MLC代表“多层细胞”，它是最流行的SSD芯片技术之一，可以在许多消费者和企业级SSD中找到。

与SLC不同，MLC每个存储单元可以存储多个比特（通常是2或3个），这使得存储更加紧凑，因此它们比SLC更便宜。

然而，由于每个存储单元存储的比特数更多，MLC芯片的读写速度比SLC芯片慢，并且由于每个单元使用寿命更短，因此MLC芯片的寿命较短。

但是，对于大多数消费者和企业来说，MLC颗粒的性能和寿命已经足够满足其需求。

TLC颗粒：TLC代表“三层细胞”，它是最便宜的SSD芯片技术之一，被广泛用于消费级SSD中。

TLC每个存储单元可以存储多达3个比特，这使得它们比MLC更便宜。

然而，由于TLC芯片的成本更低，它们是当前市场上最受欢迎的消费级SSD颗粒之一。

因此，如果您需要进行大量数据存储，并且不需要频繁访问或处理这些数据，那么TLC颗粒的读写速度和寿命可能已经满足您的需求。

SLC闪存的速度、耐久性和可靠性最好，但成本最高，MLC闪存的性价比较高，而TLC 闪存的存储密度最高，但成本最低，性能和寿命相对较差。