1. 在P 衬底硅片上设计的PMOS 管可以分为n+层、SiO 2层、多晶硅层、金属层和N 井层。
2. 在集成电路设计中，制造厂商所给的工艺中有R □为它成为（方块电阻）。
3. MOS 管元件参数中的C ox 是栅极单位面积所具有的（电容值）。
4. 对于NMOS 而言，工作在饱和区中，其漏电流I D 等于（21()2D P ox GS TH W
I C V V L
μ=
-），不能使用β或K 来表示。 5. 对于PMOS 而言，工作在饱和区中，其漏电流I D 等于
（21(||)2D P ox SG TH W
I C V V L
μ=--），不能使用β或K 来表示。
6. 对于工作在饱和区的NMOS 而言，其g m 等于（2D
m GS TH
I g V V =-），只能有I D 和过
驱动电压表示。
7. 对于工作在饱和区的NMOS 而言，其g m
等于（m g =），只能有I D 、W 、L 以及工艺参数表示。
8. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域，可以作为MOS 电阻的区域为（深度三极管区）。
9. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（饱和区）。
10. 对于NMOS 而言，导电沟道形成，但没有产生夹断的外部条件为（V DS 小于V GS -V TH ）。
11. 差动信号的优点，能（有效抑制共模噪声），增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和输出线性度更高。
12. 分析MOS 共栅放大电路，其电流增益约等于（1）。
13. 差动信号的优点，能有效抑制共模噪声，增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和（输出线性度更高）。
14. 共源共栅电流镜如下图所示，当V X 电压源由大变小的过程中，M2和M3管，（M3）先退出饱和区。
1. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（ B ）。
A 线性区
B 饱和区
C 截止区
D 三极管区
2. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为MOS电阻的区域为（ A ）。
A 深度三极管区
B 饱和区
C 截止区
D 放大区
3．通常要形成N型半导体需要在本征半导体中掺入（ A ）杂质。
A 磷
B 硼
C 碳
D 铝
4．通常要形成P型半导体需要在本征半导体中掺入（ B ）杂质。
A 磷
B 硼
C 碳
D 铝
5. 在P衬底工艺下，PMOS管的导电沟道是由N井中的（ B ）形成的。
A 自由电子
B 空穴
C 负电荷
D 正电荷
6. 在P衬底工艺下，NMOS管的导电沟道是由P衬底的（ A ）形成的。
A 自由电子
B 空穴
C 负电荷
D 正电荷
7. 对于NMOS而言，工作在饱和区的外部条件为（ A ）。
A V
GS 大于V
TH
，V
DS
大于V
GS
-V
TH
B V
GS 大于V
TH
，V
DS
小于V
GS
-V
TH
C V
GS 小于V
TH
，V
DS
大于V
GS
-V
TH
D V
GS 小于V
TH
，V
DS
小于V
GS
-V
TH
8. 对于NMOS而言，工作在三极管区的外部条件为（ B ）。
A V
GS 大于V
TH
，V
DS
大于V
GS
-V
TH
B V
GS 大于V
TH
，V
DS
小于V
GS
-V
TH
C V
GS 小于V
TH
，V
DS
大于V
GS
-V
TH
D V
GS 小于V
TH
，V
DS
小于V
GS
-V
TH
9. 在集成电路设计中，由MOS管物理特性制作的MOS电容，导电沟道形成后，其电容值等于（ C ）。
A WC
ov B (2/3)WLC
ox
+WC
ov
C C
ox
WL D (1/2)WLC
ox
+WC
ov
10. 在集成电路设计中，无源器件扩散电阻R= R□(L/W)，其中R□是由工艺（ A ）所决定的。
A 单位面积上的电阻
B 输出电阻
C 输入电阻
D 交流电阻
11. 下图为共模差分放大电路，M1和M2之间存在失配，下列哪种情况不会引入差模增益（ D ）。
A W/L 失配
B V TH 失配
C R
D 失配
D 尾电流源I SS 的内阻不是无穷大
12. 电流镜如图所示，已知(W/L)1=(W/L)0，(W/L)2=2(W/L)0，(W/L)3=3(W/L)0，(W/L)4=4(W/L)0，问I 1和I 4的电流等于（ B ） A I
1=I REF ，I 4= 4I REF B I 1=I REF ，I 4= 8/3I REF C I 1=2I REF ，I 4= 4/3I REF D I 1=2I REF ，I 4= 2I REF
