储存器实验报告

最新SSD4实验四实验报告实验目的：探究固态硬盘（SSD）的第四代技术（SSD4）在不同工作负载下的性能表现，以及与传统硬盘（HDD）的比较。

实验环境：- 测试平台：Intel Core i7-9700K处理器，16GB DDR4内存，Windows 10操作系统。

- SSD4型号：Samsung 970 EVO Plus NVMe M.2。

- HDD型号：Seagate Barracuda 7200RPM。

- 测试软件：CrystalDiskMark，AS SSD Benchmark，ATTO Disk Benchmark。

实验步骤：1. 安装SSD4和HDD至测试平台，并确保操作系统正确识别两者。

2. 使用CrystalDiskMark进行连续读写速度测试。

3. 使用AS SSD Benchmark进行随机读写速度和响应时间测试。

4. 使用ATTO Disk Benchmark测试不同文件大小下的传输性能。

5. 对比SSD4和HDD在各项测试中的数据。

6. 在实际应用场景（如文件传输、游戏加载、系统启动等）中测试两者的性能差异。

7. 记录所有测试结果，并进行数据分析。

实验结果：- CrystalDiskMark测试显示，SSD4的连续读写速度显著高于HDD，分别高出约60%和80%。

- AS SSD Benchmark的随机读写速度测试结果表明，SSD4的响应时间比HDD快约70%。

- ATTO Disk Benchmark的文件传输性能测试显示，SSD4在处理小文件时的性能提升尤为明显。

- 实际应用场景测试中，SSD4在文件传输速度、游戏加载时间和系统启动时间上均优于HDD。

结论：SSD4技术在性能上相较于传统硬盘有显著提升，特别是在处理小文件和随机读写方面。

这使得SSD4成为高性能计算和快速数据处理的理想选择。

然而，考虑到成本因素，SSD和HDD的混合使用可能是大多数用户的最佳选择。

第1篇一、实验目的1. 理解基本储存电路的工作原理和特性。

2. 掌握基本储存电路的搭建方法。

3. 学习使用示波器等实验仪器进行基本储存电路的测试和分析。

二、实验原理基本储存电路是一种数字电路，主要由触发器、门电路等组成。

其基本功能是存储数字信号，并在需要时输出。

基本储存电路分为触发器、寄存器、计数器等类型。

三、实验仪器与设备1. 基本储存电路实验箱2. 示波器3. 数字万用表4. 钳子、导线、电源等实验工具四、实验步骤1. 搭建基本储存电路（1）根据实验要求，在实验箱上搭建基本储存电路，包括触发器、门电路等。

（2）检查电路连接是否正确，确保电路连通。

2. 测试基本储存电路（1）使用示波器观察电路输入端和输出端的波形，记录波形数据。

（2）调整输入信号，观察电路输出波形的变化，分析电路特性。

（3）使用数字万用表测量电路关键点的电压值，与理论值进行对比。

3. 分析实验结果（1）分析电路输入端和输出端的波形，判断电路是否正常工作。

（2）根据测量结果，分析电路性能，如延迟时间、稳定时间等。

（3）与理论值进行对比，分析实验误差原因。

五、实验数据与分析1. 触发器电路测试（1）输入端波形：观察输入端波形，判断电路是否正常工作。

（2）输出端波形：观察输出端波形，分析电路特性，如翻转时间、保持时间等。

（3）电压测量：使用数字万用表测量触发器关键点的电压值，与理论值进行对比。

2. 寄存器电路测试（1）输入端波形：观察输入端波形，判断电路是否正常工作。

（2）输出端波形：观察输出端波形，分析电路特性，如输出信号、保持时间等。

（3）电压测量：使用数字万用表测量寄存器关键点的电压值，与理论值进行对比。

3. 计数器电路测试（1）输入端波形：观察输入端波形，判断电路是否正常工作。

（2）输出端波形：观察输出端波形，分析电路特性，如计数速度、保持时间等。

（3）电压测量：使用数字万用表测量计数器关键点的电压值，与理论值进行对比。

六、实验结论1. 通过搭建和测试基本储存电路，验证了电路的工作原理和特性。

实验四存储系统设计实验一、实验目的本实训项目帮助大家理解计算机中重要部件—存储器，要求同学们掌握存储扩展的基本方法，能设计MIPS 寄存器堆、MIPS RAM 存储器。

能够利用所学习的cache 的基本原理设计直接相联、全相联，组相联映射的硬件cache。

二、实验原理、内容与步骤实验原理、实验内容参考：1、汉字字库存储芯片扩展设计实验1)设计原理该实验本质上是8个16K×32b 的ROM 存储系统。

现在需要把其中一个（1 号）16K×32b 的ROM 芯片用4个4K×32b 的芯片来替代，实际上就是存储器的字扩展问题。

a) 需要4 片4个4K×32b 芯片才可以扩展成16K×32b 的芯片。

b) 目标芯片16K个地址，地址线共14 条，备用芯片12 条地址线，高两位（分线器分开）用作片选，可以接到2-4 译码器的输入端。

c) 低12 位地址直接连4K×32b 的ROM 芯片的地址线。

4个芯片的32 位输出直接连到D1，因为同时只有一个芯片工作，因此不会冲突。

芯片内数据如何分配：a) 16K×32b 的ROM 的内部各自存储16K个地址，每个地址里存放4个字节数据。

地址范围都一样：0x0000～0x3FFF。

b) 4个4K×32b 的ROM，地址范围分别是也都一样：0x000～0xFFF，每个共有4K个地址，现在需要把16K×32b 的ROM 中的数据按照顺序每4个为一组分为三组，分别放到4个4K×32b 的ROM 中去。

HZK16_1 .txt 中的1～4096个数据放到0 号4K 的ROM 中，4097～8192 个数据放到 1 号4K 的ROM 中，8193～12288 个数据放到2 号4K 的ROM 中，12289～16384个数据放到3 号4K 的ROM 中。

c) 注意实际给的16K 数据，倒数第二个4K（8193～12288 个数据）中部分是0，最后4K（12289～16384 数据）全都是0。

一、实验背景随着数据库技术的不断发展，数据库管理系统（DBMS）的功能日益强大，存储过程作为一种重要的数据库对象，在数据库应用中扮演着越来越重要的角色。

存储过程能够封装复杂的业务逻辑，提高数据库性能，增强数据安全性。

本实验旨在通过实际操作，掌握存储过程的创建、执行和管理方法，提高数据库应用开发能力。

二、实验目的1. 理解存储过程的概念和作用。

2. 掌握存储过程的创建、执行和管理方法。

3. 学会使用存储过程优化数据库性能。

4. 提高数据安全性。

三、实验环境1. 操作系统：Windows 102. 数据库：MySQL 5.73. 编程语言：MySQL四、实验内容1. 创建存储过程2. 调用存储过程3. 管理存储过程4. 优化存储过程性能五、实验步骤1. 创建存储过程（1）创建一个名为“get_user_info”的存储过程，用于查询用户信息。

```sqlDELIMITER //CREATE PROCEDURE get_user_info(IN user_id INT)BEGINSELECT FROM users WHERE id = user_id;END //DELIMITER ;```（2）创建一个名为“update_user_info”的存储过程，用于更新用户信息。

```sqlDELIMITER //CREATE PROCEDURE update_user_info(IN user_id INT, IN username VARCHAR(50), IN email VARCHAR(100))BEGINUPDATE users SET username = username, email = email WHERE id = user_id;END //DELIMITER ;```2. 调用存储过程（1）调用“get_user_info”存储过程查询用户信息。

```sqlCALL get_user_info(1);```（2）调用“update_user_info”存储过程更新用户信息。

最新SSD4实验三实验报告实验目的：本次实验旨在探究固态硬盘（SSD）的第四代技术（SSD4）在不同工作负载下的性能表现，以及与传统硬盘驱动器（HDD）的比较。

通过实验，我们希望了解SSD4在数据处理速度、能耗、可靠性和成本效益方面的优势和局限性。

实验设备和工具：1. SSD4样机 - 1TB容量2. 传统HDD - 1TB容量3. 计算机测试平台 - 配置相同的两台电脑，一台安装SSD4，一台安装HDD4. 测试软件 - CrystalDiskMark, ATTO Disk Benchmark, PCMark 8, HD Tune5. 电源计量器 - 用于测量能耗实验方法：1. 使用CrystalDiskMark和ATTO Disk Benchmark对SSD4和HDD进行顺序读写和随机读写速度测试。

2. 利用PCMark 8进行系统综合性能评估。

3. 通过HD Tune的长时间读写测试，观察SSD4的热稳定性和性能衰减。

4. 测量在不同工作负载下SSD4和HDD的能耗差异。

实验结果：1. 顺序读写速度测试显示，SSD4的平均读写速度显著高于HDD，分别高出约60%和50%。

2. 在随机读写性能测试中，SSD4同样展现出优越性，IOPS（每秒输入/输出操作次数）是HDD的三倍以上。

3. PCMark 8的测试结果表明，搭载SSD4的系统在启动速度、应用程序加载和文件传输等方面均优于HDD。

4. HD Tune的长时间测试中，SSD4在持续高负载下的性能衰减较小，显示出良好的热稳定性。

5. 能耗测试表明，尽管SSD4在高负载下的瞬时能耗略高，但在长时间运行下，其总体能耗低于HDD。

结论：SSD4技术在性能上相较于传统HDD有显著提升，特别是在随机读写和系统响应速度方面。

尽管SSD4的价格目前仍然高于HDD，但从长期的性能稳定性和能耗考虑，SSD4提供了更高的性价比。

未来的研究可以进一步探索SSD4在不同应用场景下的表现，以及如何优化成本效益比。

手机拆解与零部件观察实验5100309116 陈琛实验目的1、了解手机的拆解方法2、了解手机各部件功能3、对整部手机所用材料进行分类4、通过课前预习了解手机发展史实验原理及内容1、手机的基本组成：外壳、屏幕、扬声器、存储器、芯片、电池其中：外壳包括前壳、后壳和按键部分屏幕均为液晶，分为黑白和彩屏存储器分为内置存储和外接扩展存储芯片主要为通信芯片、信息处理芯片等电池主要为锂离子电池2、手机拆卸主要步骤（视频教程）①打开后盖，取下电池②取下外接卡槽的封盖③从背面开始，拧下螺丝并妥善保存④使用专用工具小心打开前壳⑤拆下屏幕、按键板（与主板相连）⑥拆下扬声器与振动马达⑦拧下主板螺丝并拆下主板3、构成手机的部件可能使用的材料主要有：金属、塑料、半导体、液晶材料、离子电池材料、高分子材料等实验结果分析1、各类材料在手机中的应用金属：外壳、导线、天线、内部支架等塑料：外壳、主板基体、支架等高分子材料（橡胶等）：按键、卡槽外盖液晶材料：显示屏磁性材料：扬声器，振动马达半导体：芯片、存储器等离子电池材料：锂电池2、手机中应用到的材料性能金属：导电性、坚固塑料：坚固、轻、耐腐蚀橡胶：柔软、形变可回复液晶：通电后具有晶体的性质半导体：记录、储存、处理信息的性能3、部件举例——振动马达①振动马达为驱动手机振动模式的马达②主要使用材料为金属、磁性材料③主要结构分为转子和电机两部分④作用机理：电机通电时驱动转子转动。

由于转子的不规则性，造成转动过程中马达整体重心不断改变，从而带动整部手机振动。

⑤振动的幅度由转子的形状决定，频率可通过调节电流的大小改变实验注意事项与感悟1、注意事项①拆卸时注意轻拿轻放，细小零件要妥善保存，屏幕拆下前应贴膜保护②不可以用导线直接连接电池两极2、感悟①手机结构复杂，应用了许多材料，同种材料也因为不同的特性被制成各种形状应用到不同部位②通过调查研究手机的发展史，可以粗略预测手机未来将会朝着更轻、更小、功能更全面的方向发展。

商学院学生实验报告课程名称：可靠性实验学生姓名：专业班级：BE 学生学号：指导教师：李成2013- 2014学年第1学期实验一 储存寿命试验一、 实验目的1) 通过实验能够使学生了解并掌握可靠性储存试验目的与原理； 2) 储存实验是用来评价产品的储存期的时间，其目的是验证产品在规定条件下的使用寿命、储存寿命。

二、 实验原理1. 实验原理产品在储存中处于非工作状态，由于储存应力要比工作应力小得多，所以产品因储存而发生故障，一般是长期缓慢的过程。

这时要对这种缓变过程有所估计，以便在故障前采取修复补救措施，使储存寿命变长。

2. 阿伦尼斯储存加速模型在加速寿命试验中用温度作为加速应力是常见的，因为高温能使产品（如电子元器件、绝缘材料等）内部加快化学反应,促使产品提前失效，阿伦尼斯在1880年研究着类化学反应，在大量数据基础上，总结出了反应速率与激活能的指数成反比，与温度倒数的指数成反比，阿伦尼斯模型为⎪⎪⎭⎫⎝⎛=应力应用—T T k Ea EXPAf 11 式（1-1） 上式中：0.6eV:);273(:);273(:;/1063.8::)exp(5-激活能℃应力温度℃应用温度波尔兹曼常数次方；的应力应用a E T T K eV K x e x ++⨯3. 用下列公式求失效率∑∑∑===⨯⨯⨯=ββλ191110i i j j XiM AFij TDH Xi(1-2) 上式中：的总器件小时数：寿命试验数，，数目：给定失效机理的失效理数（只考虑高温）：不同的可能的失效机器件小时）表示的失效率（失效数用K j TDH i X F j i X~2,1~2,110/it :9==ββλ其中，M=22χ（根据已知的失效数，查2χ分布表，算出M 的值，n=2r+2）表1-1 2χ分布表三、 实验条件1) 高低温试验箱 2) 老化系统及电源 3) 触摸工业一体机 4) 实验软件 5)反偏老化板功能：施加反偏工作电压0~30V 测试指标：二极管漏电流I R 6) 万用表1块，工具箱1个，1N5818型号二极管32只下面是1N5818的相关参数：表1-2四、 实验内容1. 准备实验器材1)反偏老化板；2) 1N5818二极管32只；3)万用表一只 2. 开启温控箱电源按钮，按下以后电源按钮绿灯常亮； 3. 开启老化系统4. 开启分立器件桌面试验系统电源开关，开关按钮亮红色；5. 开启反偏电源，黑色按钮打到on 单元，电源指示灯会常亮；6. 进入实验软件界面，输入班级、姓名、学号，选择相应的实验项目；7. 选择相应试验应力类型，试验器件类型（二极管1N5818），温度、电压应力类型具体见下图：表1-38. 故障判据设置如下：表1-49. 进入实验系统，点击开始实验，观测数据变化；实验开始5分钟开始监控；设定有32个电子元器件（反偏耐压），在135度的高低温试验箱中进行100min 的实验，在1x 秒有一个失效，在2x 秒有一个失效,（因为只考虑温度影响，所以两个失效的失效机理是一致的，激活能Ea=0.6eV ）， 求得自然贮存条件下20℃90%CL 的失效率。

一、实验目的1. 了解模拟存储技术的概念和原理；2. 掌握模拟存储器的基本结构和功能；3. 通过实验验证模拟存储技术的性能特点；4. 分析模拟存储技术在现代计算机系统中的应用。

二、实验环境1. 实验平台：PC机2. 实验软件：C++ Builder3. 实验工具：Visual Studio三、实验原理模拟存储技术是一种在计算机系统中实现存储器虚拟化的技术。

通过模拟存储器，计算机可以实现对物理存储器的高效管理和利用。

模拟存储技术主要包括以下几种：1. 虚拟存储器：通过将物理内存和硬盘存储空间结合起来，实现大容量内存的模拟；2. 页面置换算法：根据页面访问的频率和顺序，选择合适的页面进行置换，以提高内存利用率；3. 快速缓存：通过将频繁访问的数据存储在快速缓存中，减少对物理内存的访问次数。

四、实验内容1. 模拟存储器的基本结构设计（1）设计模拟存储器的基本结构，包括物理内存、硬盘存储空间、虚拟内存和页面置换算法等模块；（2）实现模拟存储器的初始化、数据读写、页面置换等功能。

2. 页面置换算法的实现（1）实现三种页面置换算法：FIFO、LRU和OPT；（2）对每种算法进行性能分析，包括缺页率和页面命中率等指标。

3. 快速缓存的设计与实现（1）设计快速缓存的结构，包括缓存大小、替换策略等；（2）实现快速缓存的数据读写、替换等功能。

4. 模拟存储技术的应用实例（1）模拟一个简单的计算机系统，包括CPU、内存、硬盘等模块；（2）在计算机系统中应用模拟存储技术，实现虚拟内存和快速缓存等功能；（3）通过实验验证模拟存储技术在计算机系统中的应用效果。

五、实验步骤1. 设计模拟存储器的基本结构，实现初始化、数据读写、页面置换等功能；2. 实现三种页面置换算法：FIFO、LRU和OPT，并分析其性能；3. 设计快速缓存的结构，实现数据读写、替换等功能；4. 模拟一个简单的计算机系统，应用模拟存储技术，实现虚拟内存和快速缓存等功能；5. 对实验结果进行分析，总结模拟存储技术的性能特点和应用效果。

一、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类。

2. 掌握储存器的读写原理和操作方法。

3. 学会使用常用储存器芯片，如RAM、ROM等。

4. 熟悉储存器的扩展方法，如字扩展、位扩展等。

二、实验仪器与设备1. 实验台2. 信号发生器3. 数字示波器4. 静态随机存储器（RAM）芯片5. 只读存储器（ROM）芯片6. 译码器7. 74LS系列集成电路芯片8. 连接线三、实验原理1. 储存器的基本概念：储存器是计算机系统中用于存放数据和指令的设备，分为内存储器和外存储器。

内存储器包括RAM和ROM，外存储器包括硬盘、光盘等。

2. 储存器的读写原理：储存器的读写操作主要依靠控制电路来实现。

控制电路根据地址信号选择相应的存储单元，并根据读写信号决定是读取数据还是写入数据。

3. 常用储存器芯片：（1）RAM：随机存取存储器，具有读写速度快、存储容量大、价格低等特点。

RAM 分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种类型。

（2）ROM：只读存储器，只能读取数据，不能写入数据。

ROM分为掩模ROM、可编程ROM（PROM）、可擦写可编程ROM（EPROM）和闪存（Flash）等类型。

四、实验步骤1. 储存器读写原理实验：（1）搭建实验电路，包括RAM芯片、地址译码器、控制电路等。

（2）使用信号发生器产生地址信号、读写信号和控制信号。

（3）观察数字示波器上的波形，分析读写操作过程。

2. 储存器扩展实验：（1）字扩展：使用多个RAM芯片扩展存储容量。

将多个RAM芯片的地址线和控制线连接在一起，数据线分别连接。

（2）位扩展：使用译码器将地址信号转换为片选信号，控制多个RAM芯片的读写操作。

将译码器的输出端连接到RAM芯片的片选端，地址信号连接到译码器的输入端。

3. 基于AT89C51的RAM扩展实验：（1）搭建实验电路，包括AT89C51单片机、RAM芯片、译码器等。

（2）编写程序，设置RAM芯片的地址、读写信号和控制信号。

淮海工学院计算机工程学院实验报告书课程名《计算机组成原理》题目：存储器实验班级：软件122学号：2012122734姓名：韩莹一、实验目的掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。

二、实验原理主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，如图2.5.1所示，它的数据总线挂在外部数据总线EXD0～EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273（U37）给出，地址值由8个LED灯LAD0～LAD7显示，高电平亮，低电平灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关KD0～KD7提供，并经一三态门74LS245（U51）连至外部数据总线EXD0～EXD7，实验时将外部数据总线EXD0～EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0～BUSD7，分时给出地址和数据。

它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。

该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。

手动方式下，写信号由W/R` 提供，片选信号由CE`提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。

由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其实际使用容量为256字节。

6264有四个控制线：CS1 第一片选线、CS2第二片选线、OE读线、WE写线。

其功能如表3—4所示。

CS1片选线由CE`控制（对应开关CE）、OE读线直接接地、WE写线由W/R`控制（对应开关WE）、CS2直接接+5V。

图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR拨在左边，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。

三、实验电路1、实验接线图⑴MBUS连BUS2；⑵EXJ1连BUS3；⑶跳线器J22的T3连TS3；⑷跳线器J16的SP连H23；⑸跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左边（手动位置）。

实验报告课程名称计算机组成原理实验名称存储器实验成绩学生姓名王灵慧专业软件工程班级软工18104学号201817040411 同组者姓名谌慧杰实验日期2018/10/25一、实验目的掌握静态随机存取存储器R A M工作特性及数据的读写方法。

成原理。

二、实验设备DVCC-C9JH型计算机组成原理实验系统一套，排线若干。

三、实验内容1、实验原理主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，如图3—5所示，它的数据总线挂在外部数据总线EXD0～EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273（U37）给出，地址值由8个LED 灯LAD0～LAD7显示，高电平亮，低电平灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关KD0～KD7提供，并经一三态门74LS245（U51）连至外部数据总线EXD0～EXD7，实验时将外部数据总线EXD0～EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0～BUSD7，分时给出地址和数据。

它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。

该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。

手动方式下，写信号由W/R` 提供，片选信号由CE`提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。

由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其实际使用容量为256字节。

6264有四个控制线：CS1 第一片选线、CS2第二片选线、OE读线、WE写线。

其功能如表3—4所示。

CS1片选线由CE`控制（对应开关CE）、OE读线直接接地、WE写线由W/R`控制（对应开关WE）、CS2直接接+5V。

图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR 拨在左边，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。

2、实验接线1、J20,J21,J22,接上短路片，2、J23，J24，J25，J26接左边；3、J27,J28 右边；4、JA5 置“接通”；5、JA6 置“手动”；6、JA1,JA2,JA3，JA4置“高阻”；7、JA8 置上面“微地址”8、EXJ1接BUS3四、实验步骤⑴连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。

一、实验目的1. 理解虚拟存储管理的基本概念和原理。

2. 掌握分页式虚拟存储管理的地址转换和缺页中断处理过程。

3. 学习并分析几种常见的页面置换算法，如FIFO、LRU、OPT等。

4. 比较不同页面置换算法的性能，提高对虚拟存储管理的认识。

二、实验环境1. 操作系统：Windows 102. 编程语言：Python3. 虚拟存储器模拟工具：虚拟机（VirtualBox）三、实验内容1. 模拟分页式虚拟存储器（1）定义分页式虚拟存储器的参数，如页大小、内存大小、虚拟地址空间大小等。

（2）创建页表，记录每个页在内存中的位置和是否已加载。

（3）模拟进程的指令序列，生成虚拟地址。

（4）根据虚拟地址进行地址转换，得到物理地址。

（5）处理缺页中断，选择合适的页面置换算法。

2. 页面置换算法模拟（1）实现FIFO（先进先出）页面置换算法。

（2）实现LRU（最近最少使用）页面置换算法。

（3）实现OPT（最优页面置换）算法。

3. 比较不同页面置换算法的性能（1）设置不同的页面置换算法，模拟进程运行。

（2）记录每次缺页中断时的页面命中率。

（3）比较不同页面置换算法的页面命中率，分析其性能。

四、实验结果与分析1. 分页式虚拟存储器模拟（1）通过模拟，成功实现了分页式虚拟存储器的地址转换和缺页中断处理过程。

（2）实验结果表明，分页式虚拟存储器能够有效地提高内存利用率，减少内存碎片。

2. 页面置换算法模拟（1）实现了FIFO、LRU和OPT三种页面置换算法。

（2）通过模拟，比较了三种算法在不同进程下的页面命中率。

3. 页面置换算法性能比较（1）FIFO算法的页面命中率较低，适用于进程较稳定的情况。

（2）LRU算法的页面命中率较高，适用于进程频繁访问同一页面的情况。

（3）OPT算法的页面命中率最高，但实现复杂度较高，适用于进程访问序列可预测的情况。

五、实验结论1. 通过本次实验，加深了对虚拟存储管理的基本概念和原理的理解。

计算机组成原理存储器实验报告
实验名称：计算机组成原理存储器实验
实验目的：通过实验验证存储器的基本原理，掌握存储器的基本操作方法。

实验原理：
计算机系统中的存储器是计算机系统中最基本的组成部分之一，也是最重要的组成部分之一。

存储器主要是用来储存计算机程序和数据的，计算机在执行程序时需要从存储器中读取指令和数据，将结果写回存储器中。

根据存储器的类型，存储器可以分为RAM和ROM两种类型。

RAM（Random Access Memory）是一种随机读写存储器，它能够随机存取任意地址的数据。

RAM又分为静态RAM（SRAM）和动态RAM （DRAM）两种类型。

其中，静态RAM（SRAM）是使用闪存电路实现的，其速度快、性能优异，但成本相对较高；而动态RAM（DRAM）是使用电容储存信息的，价格相对较低，但性能相对较差。

ROM（Read Only Memory）是只读存储器，它不能被随意修改，只能被读取。

ROM主要用来存储程序中需要固化的数据和指令，如BIOS和系统引导程序等。

实验步骤：
1. 打开计算机，将存储器连接到计算机主板上的插槽上。

2. 打开计算机并进入BIOS设置。

3. 在BIOS设置中进行存储器检测。

4. 在操作系统中查看存储器容量。

实验结果：
本次实验中，存储器检测结果显示正常，存储器容量为8GB，符合预期。

实验总结：
本次实验通过了解存储器的基本原理和操作方法，掌握了存储器
的检测和使用方法。

同时也深入了解了计算机系统中存储器的重要性和种类。

对于今后的计算机学习和使用将具有重要的帮助作用。

千里之行，始于足下。

计算机组成原理存储器读写和总线控制实验实验报告计算机组成原理存储器读写和总线控制实验实验报告摘要：本实验主要通过使用计算机系统的存储器读写和总线控制实验来深入了解计算机组成原理中存储器的工作原理和总线控制的相关知识。

实验过程中，我们通过搭建实验平台、编写程序，并通过数据传输和总线控制，实现了存储器的数据读写功能。

通过实际操作和观察实验结果，对存储器读写和总线控制有了更深刻的理解。

1. 引言计算机组成原理是计算机科学与技术专业的重要课程之一，它涵盖了计算机硬件的各个方面，包括处理器、存储器、总线等。

存储器是计算机中储存数据的地方，而总线则负责处理信息传输。

了解存储器读写和总线控制的原理对于理解计算机工作方式至关重要。

2. 实验目的本实验的主要目的是通过实际操作了解存储器读写和总线控制的原理，并掌握相应的实验技能。

具体来说，我们要搭建实验平台、编写程序，并通过数据传输和总线控制，实现存储器的数据读写功能。

3. 实验内容第1页/共3页锲而不舍，金石可镂。

3.1 实验平台搭建首先，我们需要搭建实验平台。

根据实验要求，我们使用了一个基于Xilinx FPGA的开发板，并连接上需要的外设设备。

3.2 编写程序接下来，我们需要编写程序，以完成存储器读写和总线控制的功能。

我们使用了Verilog语言，通过编写相应的模块和逻辑电路，实现了存储器的数据读写。

3.3 数据传输和总线控制在编写程序后，我们开始进行数据传输和总线控制。

通过向存储器发送读写指令，并传输相应的数据，我们能够实现存储器数据的读取和写入。

同时，通过总线的控制，我们能够实现数据在各个设备之间的传输。

4. 实验步骤1. 搭建实验平台；2. 编写程序；3. 数据传输和总线控制。

5. 实验结果与分析在实验过程中，我们成功搭建了实验平台，并完成了程序的编写。

通过数据传输和总线控制，我们能够准确读取和写入存储器中的数据。

通过观察实验结果，我们发现存储器读写和总线控制的效果良好，能够满足我们的需求。

第1篇一、实验背景随着计算机技术的飞速发展，存储器作为计算机系统的重要组成部分，其性能直接影响着计算机系统的整体性能。

为了深入了解存储器的原理及其在实际应用中的表现，我们进行了储存原理实验。

二、实验目的1. 理解存储器的基本概念、分类、组成及工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 了解不同类型存储器的优缺点；4. 分析存储器性能的影响因素。

三、实验内容1. 静态随机存储器（SRAM）实验（1）实验目的：掌握SRAM的读写操作过程，了解其优缺点。

（2）实验内容：通过实验，观察SRAM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。

（3）实验结果：SRAM读写速度快，但价格较高，功耗较大。

2. 动态随机存储器（DRAM）实验（1）实验目的：掌握DRAM的读写操作过程，了解其优缺点。

（2）实验内容：通过实验，观察DRAM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。

（3）实验结果：DRAM读写速度较SRAM慢，但价格低，功耗小。

3. 只读存储器（ROM）实验（1）实验目的：掌握ROM的读写操作过程，了解其优缺点。

（2）实验内容：通过实验，观察ROM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。

（3）实验结果：ROM只能读，不能写，读写速度较慢。

4. 固态硬盘（SSD）实验（1）实验目的：掌握SSD的读写操作过程，了解其优缺点。

（2）实验内容：通过实验，观察SSD的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。

（3）实验结果：SSD读写速度快，功耗低，寿命长。

四、实验分析1. 不同类型存储器的读写速度：SRAM > SSD > DRAM > ROM。

其中，SRAM读写速度最快，但价格高、功耗大；ROM读写速度最慢，但成本较低。

2. 存储器性能的影响因素：存储器容量、读写速度、功耗、成本、可靠性等。

在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的存储器。

3. 存储器发展趋势：随着计算机技术的不断发展，存储器性能不断提高，功耗不断降低，成本不断降低。

电容和电能存储实验电容和电能存储是电学领域中非常重要的实验之一。

通过这些实验，我们可以深入了解电容器和电能存储器的工作原理以及其在电路中的应用。

本文将介绍电容和电能存储实验的基本原理、实验步骤以及实验结果的分析。

一、电容实验1. 基本原理电容器是一种能够储存电能的器件，它由两块导体板和之间的绝缘材料组成。

在电容器中，当施加电压时，正极板上会聚集正电荷，负极板上聚集负电荷，从而在两板之间形成电场。

电容器的储能能力与其电容大小有关，电容的计量单位为法拉(F)。

2. 实验步骤首先，准备一个电容器、一个直流电源和一块电阻。

将电容器连接到电源的正负极，电阻连接到电容器的一个极板上。

然后，打开电源，使电容器充电。

通过测量电流和电压的变化，可以计算出电容器的电容大小。

3. 实验结果的分析根据实验结果，我们可以得到电容器的充电曲线。

在开始充电时，电容器的电流是最大的，随着时间的推移，电流逐渐减小。

同时，电容器的电压逐渐上升，直到达到电源电压。

根据充电曲线的形状，可以判断电容器的充电速度以及其储能能力。

二、电能存储实验1. 基本原理电能存储器是一种能够储存电能并在需要时释放电能的设备。

常见的电能存储器有电池和超级电容器。

电能存储器的储能能力与其容量有关，容量的计量单位为安培时(Ah)。

2. 实验步骤选择一个电池或超级电容器作为电能存储器，将其连接到电路中。

然后，将电源转换成恒定电流源，通过一段时间的充电，使电能存储器储存一定量的电能。

接着，断开电路连接，通过测量电能存储器的电压变化，可以计算出其储能能力。

3. 实验结果的分析通过实验结果，我们可以得到电能存储器的放电曲线。

在初始阶段，电能存储器的电压是最高的，随着时间的推移，电压逐渐下降。

通过分析放电曲线的形状，可以了解电能存储器在不同负载下的储能能力和放电性能。

总结：电容和电能存储实验是电学领域中重要的实验之一。

通过这些实验，我们可以深入了解电容和电能存储器的工作原理以及其在电路中的应用。

一、实验目的通过本次实验，掌握商品储存规划的基本方法，了解不同储存方式的特点，提高对商品储存管理的认识，为今后从事相关管理工作打下基础。

二、实验内容1. 实验背景商品储存是指商品在生产、流通领域中的暂时停泊和存放过程。

为了保证商品流通和再生产过程的需要，需要通过商品储存来协调产销时间矛盾、产销地域矛盾以及市场供求矛盾。

2. 实验步骤（1）收集商品信息首先，收集实验所需的各种商品信息，包括商品名称、类别、规格、生产日期、保质期、销售价格等。

（2）分析商品特点对收集到的商品信息进行分析，了解各类商品的特点，如易损性、易燃性、易腐性等。

（3）确定储存方式根据商品特点，选择合适的储存方式。

常见的储存方式有：货架储存、托盘储存、堆垛储存、立体储存等。

（4）设计储存方案根据储存方式，设计具体的储存方案，包括货位分配、货架布局、库存管理等方面。

（5）实施与优化将储存方案付诸实践，并对储存过程中的问题进行优化，提高商品储存效率。

3. 实验结果与分析（1）货架储存货架储存适用于种类繁多、体积较小的商品。

实验中，我们选择了100种商品进行货架储存，将商品按照类别和规格进行分类，分配到不同的货架上。

经过一段时间运行，发现货架储存方式可以有效提高商品储存效率，降低货损率。

（2）托盘储存托盘储存适用于体积较大、重量较重的商品。

实验中，我们选择了50种商品进行托盘储存，将商品堆放在托盘上，方便搬运。

经过一段时间运行，发现托盘储存方式可以降低货损率，提高商品周转速度。

（3）堆垛储存堆垛储存适用于体积较大、重量较轻的商品。

实验中，我们选择了30种商品进行堆垛储存，将商品堆放在地面上。

经过一段时间运行，发现堆垛储存方式可以降低货损率，提高商品周转速度。

（4）立体储存立体储存适用于高层建筑，可充分利用空间。

实验中，我们选择了20种商品进行立体储存，将商品放置在高层货架中。

经过一段时间运行，发现立体储存方式可以提高商品储存密度，降低货损率。

一、实验目的1. 掌握静态随机存储器（RAM）的工作原理和特性。

2. 熟悉静态RAM的读写操作方法。

3. 了解静态RAM在计算机系统中的应用。

二、实验原理静态随机存储器（RAM）是一种易失性存储器，它可以在断电后保持数据。

与动态RAM（DRAM）相比，静态RAM具有读写速度快、功耗低等优点。

本实验使用的静态RAM芯片为6116，其容量为2K×8位。

三、实验设备1. 实验箱2. PC机3. 6116静态RAM芯片4. 时序单元5. 读写控制逻辑电路6. 数据总线7. 地址总线8. LED灯四、实验内容1. 连接电路根据实验原理图，将6116静态RAM芯片、时序单元、读写控制逻辑电路、数据总线和地址总线连接起来。

确保所有连接正确无误。

2. 初始化在实验开始前，将6116静态RAM芯片的所有地址线、数据线和控制线初始化为高阻态。

3. 写操作（1）设置片选信号（CS）为低电平，表示选中6116静态RAM芯片。

（2）设置写使能信号（WE）为低电平，表示进行写操作。

（3）设置地址线，指定要写入数据的存储单元地址。

（4）设置数据线，将要写入的数据写入指定存储单元。

（5）等待时序单元产生的写脉冲信号（T3）完成数据写入。

4. 读操作（1）设置片选信号（CS）为低电平，表示选中6116静态RAM芯片。

（2）设置读使能信号（OE）为低电平，表示进行读操作。

（3）设置地址线，指定要读取数据的存储单元地址。

（4）等待时序单元产生的读脉冲信号（T2）完成数据读取。

（5）读取数据线上的数据，即可得到指定存储单元的数据。

5. 验证通过LED灯显示数据总线上的数据，验证读写操作是否成功。

五、实验步骤1. 按照实验原理图连接电路。

2. 初始化电路。

3. 执行写操作，将数据写入指定存储单元。

4. 执行读操作，读取指定存储单元的数据。

5. 观察LED灯显示的数据，验证读写操作是否成功。

六、实验结果与分析1. 实验过程中，通过LED灯显示的数据验证了写操作和读操作的成功执行。