期中考试
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1、载流子有效质量的物理意义及引入有效质量的用处。
2、什么叫浅能级杂质?它们电离后有何特点?深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响?
3、电子浓度kT E Ec c o F
e N n --=在什么条件下适用?N C 称作什么?与那些因素有关?
对InSb 和Si 而言,Nc 中m n *含义是否相同,如不同请指出区别。
4、本征半导体电阻率随温度如何变化?
5、什么是简并半导体?对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准。
那么,非简并、弱简并、简并化条件分别为什么?
6、指出下简化能带图各表示的是什么类型半导体?
7、对于某n 型半导体,试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。
即E Fn >E Fi
8、设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能
量E v (k)分别为:E c (k)=0223m k h +02
12)(m k k h - 和E v (k)= 0
2126m k h -0223m k h ; m 0为电子惯性质量,k 1=1/2a ;a =0.314nm 。
试求:
①禁带宽度;
②导带底电子有效质量;
③价带顶电子有效质量;
④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
9、单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼1.5⨯1016cm -3,掺磷5.0⨯1015cm -3。
试计算:
(1)室温下载流子浓度(5分);
(2)室温下费米能级位置(5分);
(3)室温下电导率(5分);
(4)600K 下载流子浓度(5分)。
已知:q =1.6×10-19,室温下n i =1.5⨯1010cm -3, N C =2.8⨯1019cm -3,N V =1.0⨯1019cm -3, k 0T=0.026eV ;)/(1300),/(50022s V cm s V cm p n ⋅=⋅=μμ;
600K 时n i =6⨯1015cm -3。