无机非金属材料性能
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常温导电的无机非金属材料
常温下具有导电性的无机非金属材料主要包括一些特殊的陶瓷、金属氧化物和碳材料等。
这些材料在常温下具有较高的导电性能,可以应用于各种电学、磁学、光学和热学等领域。
以下是几类常温导电的无机非金属材料。
1.碳材料:碳材料是一类具有很高导电性的无机非金属材料,如石墨、碳纳米管、石墨烯等。
这些材料具有优异的导电性能和机械性能,广泛应用于超级电容器、锂离子电池、导电涂料等领域。
2.金属氧化物:一些金属氧化物在常温下具有导电性,如氧化铜、氧化铁、氧化铝等。
这些金属氧化物通常作为导电填料应用于各种复合材料、涂层和导电织物等领域。
3.高温超导材料:高温超导材料是一类在相对较高温度下具有零电阻的导电材料,如YBCO(钇钡铜氧化物)等。
这些材料广泛应用于超导电缆、超导磁浮、超导储能等领域。
4.某些特种陶瓷:某些特种陶瓷,如氧化物陶瓷、碳化物陶瓷和氮化物陶瓷等,具有较高的导电性能。
这些陶瓷材料通常应用于高温、高压、强腐蚀等特殊环境下的电学设备。
需要注意的是,虽然这些无机非金属材料在常温下具有导电性,但与金属材料相比,它们的导电性能仍然有所差距。
因此,在实际应用中,通常需要将这些材料与其他材料(如
金属)进行复合,以提高其导电性能和实用价值。
无机非金属材料性能首先,无机非金属材料具有良好的力学性能。
比如陶瓷材料具有高强度、硬度大的特点,可以作为高强度结构件使用。
陶瓷材料还具有较高的抗压强度和抗磨损性能,可用于制作耐磨、耐腐蚀的工具。
另外,无机非金属材料还具有较好的耐高温性能,不易软化和熔化,可用于高温工作环境。
其次,无机非金属材料具有较好的热性能。
无机非金属材料具有较低的热膨胀系数,热稳定性好,不易受热胀冷缩的影响,不易变形和开裂。
例如,陶瓷材料可用于高温炉、耐火材料等热工应用领域,能够承受高温环境的侵蚀;耐热陶瓷材料广泛应用于航空、航天等领域,其抗氧化性能好,可在高温下使用。
其次,无机非金属材料具有良好的电性能。
无机非金属材料常常具有较低的电导率和较高的电绝缘性能。
例如,氧化铝陶瓷是一种优良的电绝缘材料,可用于电子元器件、电子设备的隔离等方面,能够防止电流的传导和电磁波的辐射。
此外,许多非金属陶瓷材料还具有压电效应和热释电效应,可用于传感器、声波器件、换能器等领域。
最后,无机非金属材料具有较好的化学稳定性。
非金属材料往往具有优异的抗腐蚀性,能够抵御酸、碱等强腐蚀介质的侵蚀。
例如,氧化铝陶瓷具有良好的化学稳定性和抗腐蚀性,可用于化学反应器、腐蚀性介质储存容器等。
此外,无机非金属材料还具有良好的抗老化性能,不易受光、热、湿、氧等因素的影响,能够长期稳定地使用。
综上所述,无机非金属材料具有众多的优异性能,包括良好的力学性能、热性能、电性能和化学稳定性。
这些性能使得无机非金属材料在航空、航天、汽车、化工、电子等各个领域得到了广泛的应用。
然而,无机非金属材料的应用仍面临一些挑战,如易碎性、加工难度等问题,因此需要进一步的研究和改进。
无机非金属材料的定义与分类无机非金属材料,是指由无机物质构成的,不具有金属特性的材料。
与金属材料相比,无机非金属材料具有独特的化学和物理性质,广泛应用于各个领域。
本文将介绍无机非金属材料的定义与分类。
一、定义无机非金属材料是指由无机化合物和无机物质制成的材料。
无机非金属材料具有高硬度、高熔点和高抗腐蚀性等特点,因此在实际应用中具有广泛的用途。
无机非金属材料的制备方法多样,主要包括固相法、液相法、气相法等。
二、分类1. 陶瓷材料陶瓷材料是一类重要的无机非金属材料,主要由氧化物、非氧化物和复合材料组成。
常见的陶瓷材料包括氧化铝、碳化硅、氮化硅等。
陶瓷材料具有高温稳定性、耐磨性和绝缘性等特点,广泛应用于制瓷、建筑、电子等行业。
2. 玻璃材料玻璃材料是一种无定形非金属材料。
其主要成分是二氧化硅和其他氧化物。
玻璃材料具有透明、硬度高、化学稳定性好等特点,广泛应用于建筑、光学、器皿等领域。
3. 氟化物材料氟化物材料是一类由金属和氟化物组成的无机非金属材料。
氟化物材料具有良好的热稳定性、电绝缘性和化学稳定性,广泛应用于高温化学反应、光学器件等领域。
4. 碳材料碳材料是一种由纯碳构成的无机非金属材料。
其主要形式包括石墨、碳纤维等。
碳材料具有高强度、高导电性和低密度等特点,广泛应用于航空航天、电子器件等领域。
5. 氧化物材料氧化物材料是一类由金属和氧化物构成的无机非金属材料。
常见的氧化物材料包括氧化铝、氧化锌等。
氧化物材料具有高熔点、电绝缘性和耐腐蚀性等特点,广泛应用于陶瓷制品、电子元件等领域。
综上所述,无机非金属材料在现代工业中具有重要地位,其应用领域广泛。
随着科技的不断发展,研究人员不断探索新的无机非金属材料,并进一步优化其性能和应用。
相信在未来,无机非金属材料将会在各个领域得到更加广泛的应用。
无机非金属材料有哪些
首先,陶瓷是一类无机非金属材料,它具有高强度、耐高温、耐腐蚀等特点,
因此在建筑、化工、电子、医疗等领域得到广泛应用。
陶瓷制品包括陶瓷器、陶瓷砖、陶瓷管道等,它们在日常生活中扮演着重要的角色。
其次,玻璃也是一种重要的无机非金属材料,它具有透明、硬度大、抗化学腐
蚀等特点,被广泛用于建筑、家具、器皿、光学仪器等领域。
随着科技的发展,玻璃的种类和用途也在不断增加,比如防弹玻璃、太阳能玻璃等新型玻璃制品的出现,为人们的生活带来了便利。
此外,橡胶和塑料也是常见的无机非金属材料。
橡胶具有弹性好、耐磨损、耐
老化等特点,被广泛用于轮胎、密封件、橡胶制品等领域。
而塑料具有质轻、易加工、绝缘等特点,被广泛用于包装、建筑、电子、医疗等领域。
随着人们对环保的重视,生物可降解塑料等新型塑料材料也逐渐受到关注和应用。
综上所述,无机非金属材料包括陶瓷、玻璃、橡胶、塑料等,它们在各个领域
都有着重要的应用价值。
随着科技的不断进步,无机非金属材料的种类和性能也在不断提升,为人类的生活和工业生产带来了许多便利和可能。
希望本文对无机非金属材料有关的知识有所帮助,谢谢阅读。
无机非金属材料===========================================材料名称:聚砜(玻璃纤维增强)牌号:PSF●特性及适用范围:优良的耐热、耐寒、抗蠕变及尺寸稳定性。
强度高,抗冲击韧度大;可在-100~+150℃下长期使用。
介电性能优良,在水、潮湿空气或高温下有良好的绝缘性;化学稳定性高,能耐酸碱醇及脂肪溶剂,但溶于硫酸、浓硝酸、芳香烃及氯化烃;易电镀。
但耐候性、耐紫外线较差,成型温度高一般用作高强度、耐热件,绝缘件等。
●力学性能:抗拉强度σb (MPa):≥109.8冲击韧性值αk (J/cm2):带缺口:≥9.5硬度:≤92M●热性能:热变形温度:1.86MPa:185℃============================================材料名称:聚芳砜牌号:PAS●特性及适用范围:耐热、耐寒性比聚砜好得多,可在-240~+260℃下长期使用。
硬度高,能自熄;耐老化,耐辐射,力学性能及电气性能都很好;化学稳定性高,仅不耐极性溶剂;可以注塑、挤压及压制成型。
经填充改性后可用于高温轴承材料、自润滑材料、高温绝缘件、超低温件。
●力学性能:抗拉强度σb (MPa):≥89.2伸长率δ5 (%):≥13冲击韧性值αk (J/cm2):带缺口:≥16拉伸弹性模量(MPa):≥25.5硬度:≤110M●热性能:热变形温度:1.86MPa:274℃连续使用温度:260~300℃燃烧性:自熄材料名称:聚苯硫醚(线型)牌号:PPS●特性及适用范围:耐热性很好,热分解温度在400℃以上,可在250℃下长期使用;耐腐蚀性也很好,除强氧化酸外,对其他酸碱及有机溶剂均很稳定。
胶接强度高,特别是对玻璃、陶瓷、钢材、铝、银、镀铬、镀镍制品等都有很好的粘结力。
电绝缘性好,强度高,尺寸稳定性好,高抗蠕变和耐燃性。
可用于化工耐腐蚀件,耐热结构件,H级绝缘材料,密封环,高温粘结剂,涂层等。
无机非金属材料论文
无机非金属材料是一类重要的材料,它们在工业生产和日常生活中扮演着重要
的角色。
本文将从其基本特性、应用领域和发展前景等方面来进行论述。
首先,无机非金属材料具有多种基本特性。
它们通常具有高熔点、硬度大、抗
腐蚀性强等特点。
比如,氧化铝、二氧化硅等无机非金属材料在高温、高压下能够保持其稳定性,因此在耐火材料、磨料等方面有着广泛的应用。
此外,无机非金属材料的绝缘性能也是其重要特点之一,因此在电子、通讯等领域也得到了广泛应用。
其次,无机非金属材料在各个领域都有着重要的应用。
在建筑材料方面,水泥、石膏等无机非金属材料是建筑行业不可或缺的材料;在化工领域,氧化铝、氧化硅等材料被广泛应用于催化剂、吸附剂等方面;在电子行业,氧化锌、氧化铝等材料被用于制备电子元件。
无机非金属材料的应用领域之广泛,充分展现了其重要性和不可替代性。
最后,无机非金属材料在未来的发展前景十分广阔。
随着科学技术的不断进步,对材料性能的要求也在不断提高,这就需要无机非金属材料不断进行创新和改进。
比如,通过改变材料的微观结构和添加新的元素,可以使无机非金属材料具有更好的性能,满足不同领域的需求。
同时,无机非金属材料的再生利用和环保性能也将成为未来发展的重要方向,这将进一步推动无机非金属材料的发展。
综上所述,无机非金属材料在工业生产和日常生活中具有重要的地位,其基本
特性、应用领域和发展前景都显示出其重要性和广阔的发展空间。
相信随着科学技术的不断进步,无机非金属材料将会在更多领域得到应用,为人类社会的发展做出更大的贡献。
无机非金属材料定义
无机非金属材料是指一类不含金属元素的物质,主要包括硅酸盐
材料、氧化物材料、硼化合物材料、碳化合物材料等。
这些材料在生
产和生活中都有着广泛的应用,是现代科技和工业发展的基础材料之一。
硅酸盐材料是指由硅酸盐组成的材料,如石英、长石、沸石等。
这类材料具有高温稳定性、耐腐蚀性和电绝缘性能等优良性质,广泛
用于制备陶瓷、耐火材料、玻璃等。
其中玻璃是一种无机非金属材料
的经典代表,其透明、光滑、坚硬等特性,使其被广泛应用于建筑、
汽车、电子、医学等领域。
氧化物材料是指以氧化物为主要成分的材料,如氧化铝、氧化锆等。
这类材料具有高温抗热性、电绝缘性能、化学稳定性等特性,主
要应用于电子、陶瓷、建筑、化工等领域。
其中氧化铝广泛用于研磨剂、陶瓷、电解质、催化剂等领域,氧化锆则被用于制备金属陶瓷等
高端材料。
硼化合物材料是指由硼和非金属元素组成的材料,如碳化硼、氮
化硼等。
这类材料具有极高的硬度、高温稳定性和良好的导热性能,
广泛应用于制备车削、磨削工具、防弹材料、耐腐蚀材料等领域。
碳化合物材料是指由碳和其他非金属元素组成的材料,如碳化硅、碳化钼等。
这类材料具有高温稳定性、硬度高和耐腐蚀性能好等特点,广泛应用于制备切削工具、陶瓷、电子技术、新材料等领域。
无机非金属材料的研究与应用,已经成为现代科技与工业发展的重要领域。
随着人类对环境和生态的重视,绿色环保无机非金属材料的研究和应用也逐渐受到关注。
未来,无机非金属材料将继续在各个领域发挥更加重要的作用。
aln无机非金属材料的区别
ALN是铝氮化物(Aluminum Nitride)的简称,是一种无机非
金属材料。
与其他无机非金属材料相比,ALN有以下几点区别:
1. 热导率高:ALN的热导率很高,达到170-200 W/m·K,是
一种优良的导热材料,远远高于大多数无机非金属材料。
2. 稳定性高:ALN具有很高的化学稳定性和热稳定性,可在
高温和恶劣的环境下工作,不易受腐蚀和氧化。
3. 绝缘性能好:ALN是一种绝缘体,具有良好的绝缘性能,
可以在高电压和高频率下工作,不会发生电击或电子迁移。
4. 熔点高:ALN的熔点约为2200℃,是一种高熔点的材料,
可以在高温条件下工作,具有良好的耐高温性能。
5. 尺寸稳定性好:ALN具有低热膨胀系数和良好的热稳定性,其尺寸不会因热膨胀而发生变化,适用于对尺寸稳定性要求较高的应用场景。
综上所述,ALN与其他无机非金属材料相比,在导热性能、
化学稳定性、绝缘性能、耐高温性能和尺寸稳定性等方面具有较大的优势。
无机非金属材料的制备及性能表征分析摘要:人类社会赖以生存和进步的物质基础之一是物质。
随着生产力的提高,材料的开发从未停止过。
材料作为现代文明的三大支柱之一,是现代文明发展过程中推动能源和信息发展的重要材料。
材料的品种、产量和质量代表着一个国家的现代化水平,因此应加强材料的应用和开发。
对无机非金属材料的制备和表征进行了研究,以供参考。
关键词:无机非金属;准备;性能表征引言新型无机材料利用氧化物、氮化物、硅酸盐和各种无机非金属化合物通过特殊的先进技术,已开发出一系列高温高强度、电子、光学和激光、铁电、压电等新型无机材料,正朝着高性能、高功能、仿生化、智能化、轻量化、复合、低维等方向发展。
广泛应用于航空航天、武器、电子、激光、红外等技术领域。
一般来说,无机非金属材料具有耐腐蚀、耐高温、韧性好等特点,其主要缺点是抗弯强度不足、韧性低。
1无机非金属材料的概念无机非金属材料是由某些元素的碳化物、硼化物、氧化物和氮化物组成的物质资源,化学成分包括金属和非金属元素。
简单说,无机非金属材料是硅酸盐材料经过技术手段优化后的一类材料,由于大部分无机非金属材料相对硅酸盐而言具有某些性能方面的优势,因此无机非金属材料的应用范围非常广泛,在军事、信息技术、科研及建筑等领域都得到了广泛应用。
因此,对无机非金属材料展开研究,增强无机非金属材料的性能,发掘无机非金属材料更多使用途径将对促进我国经济的发展产生积极作用。
研究无机非金属材料的原因有多方面,包括我国资源较少、开采力度不足、资源利用率不高等,导致很多资源被浪费,一些资源不能被完全使用,需要很长时间再生。
在此基础上,人们开始研究无机非金属材料,该材料对稀有资源的依赖性不强,大多由常见材料合成,还能防火防水,具有非常广阔的市场发展空间。
2无机非金属材料性能表征(1)无机非金属材料的理化性能相对稳定,酸碱反应敏感性不高,在使用过程中能保证长期效果。
无机非金属材料具有硬度高、导电性强、玻璃的光学性能、水泥的凝固性能、耐高温、耐腐蚀等特点。
砷化镓无机非金属材料
砷化镓是一种无机非金属材料,由镓和砷元素组成。
它具有很高的热导率和电导率,同时还具有优异的光学性能,因此被广泛应用于半导体器件、激光器、太阳能电池等领域。
砷化镓材料具有很高的稳定性和可靠性,可以在高温高压等恶劣环境下使用。
此外,砷化镓材料还具有很好的机械性能和化学稳定性,能够承受各种腐蚀介质的侵蚀和损害。
由于其在半导体行业中的重要地位,砷化镓材料的制备和应用一直是研究的热点之一。
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无机材料光学性能1、折射率定义,影响因素介质对光的折射性质 光在真空和材料中的速度之比即为材料的绝对折射率。
介质材料的折射率一般为大于1的正数。
折射实质:介质密度不同 光通过时速度不懂折射率的影响因素(1)构成材料元素的离子半径(离子半径+ 介电系数+ 折射率+)(2)材料的结构、晶型、非晶态(3)材料的内应力(4)同质异构体 温度+折射率-2、散射本质:光波遇到不均匀结构产生次级波,与主波方向不一致,与主波合成出现干涉现象,使光偏离原来的方向,引起散射。
8、影响材料透光性的原因。
影响材料散射的原因?晶体双折射对散射的影响? 吸收系数:材料的性质相关。
反射系数:相对折射率、表面粗糙度相关散射系数: 影响透光性的主要因素。
影响材料散射的原因:(1)材料的宏观及显微缺陷:材料中的缺陷与主晶相不同,于是与主晶相具有相对折射率,此值越大,反射系数越大,散射因子也越大,散射系数变大。
(2)晶粒排列方向的影响:各向异性体,存在双折射。
多晶无机材料,相邻晶粒之间的结晶取向不同,晶粒之间会产生折射率的差别,引起晶界处的反射与散射损失。
影响多晶无机材料透光率的主要因素就是晶体的双折射率。
左晶粒的寻常光折射率n0与右晶粒的非寻常光折射率ne两个晶粒相对折射率相同, n0/n0=1,无反射损失;n0/ne =1,S=0,K=0;n0/ne >1,S 、K 都较大(S 吸收系数K 散射因子)应用:α-Al2O3晶体的n0=1.76,ne =1.768,若相邻晶粒的取向互相垂直,晶界面的反射系数为:m=(n0/ne-1)^2/(no/ne+1)^2 材料厚2mm ,晶粒平均直径为10μm ,理论晶界为200个,由于晶界的反射损失,剩余光强: 反射损失小 d >>λ时,S=3KV/4R,n 21=n0/ne =1.768/1.76≈1,K ≈0,S ≈0,折射损失小(3)气孔引起的散射损失:所以气孔引起的反射、散射损失比杂质、不等向晶粒排列等因素引起的损失大。
气孔引起的散射损失与气孔的直径有关。
应用:改善烧结工艺(热等静压烧结、热压烧结),使气孔直径减小到0.01μm (小于可见光波长的1/3),气孔的含量0.63%, Al2O3陶瓷透光: 材料厚3mm :9、材料吸收带边/带隙宽度的计算,光吸收的一般律及光散射的一般规律、公式计算? 材料厚度计算:α 取决于材料的性质和光的波长。
1. 一入射光以较小的入射角i 和折射角r 通过一透明玻璃板,若玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明:透过后的光强为(1-m)2、W ,W ´,W ´´分别为单位间内通过单位面积的入射光、反射光和折射光的能量流。
反射系数m = W ´/W 透射系数T :W ´´/W=1-m=1- W ´/W621014.51760.1/768.11760.1/768.1-⨯=⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=m 02000%897.99)1(I m I =-())(0032.0276.1176.1106.00063.0)10005.0(322132122243334222434---=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-⨯⨯⨯⨯=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=mm n n V R S πλπ0030032.00%99.099.0I I e I I ===⨯-此紫外吸收端相应的波长可根据材料的禁带宽度 求得:由于反射、吸收和散射引起的光剩余强度为:影响因素:散射质点大小、数量及与其他基体的相对散射率有关(1)质点大小 d > λ时, d > λ时,R 越小,V 越大,S 越大。
N :单位体积内的散射质点数;R :散射质点的平均半径;K :散射因素,取决于基体与质点的相对折射率;V :散射质点的体积含量。
d <λ/3时 d <λ/3时,R 越大,V 越大,S 越大。
(2)散射质点与基体的相对折射率越大,散射越严重。
5、解释材料吸光的物理本质。
1、价电子激发——取决于能带结构。
(1)金属能带结构特点:价带与导带之间没有禁带金属价电子未满带,吸收光子呈激发态,不用跃迁到导带即发生碰撞而发热。
吸收各种频率光。
(2)半导体、绝缘体对光的吸收:绝缘体材料的禁带宽度一般大于3.1eV ,不吸收可见光。
对于禁带宽度小于1.8eV 的材料,吸收可见光。
很多半导体材料的禁带宽度小于1.8eV ,2、晶格振动——取决于材料的振动特性:光子的能量转化为晶格振动能7、物体产生颜色的原因由于光吸收的选择性,导致物体吸收一定波长范围的光,而反射或透射其他波长范围的光,从而使物体显现出不同的颜色。
物质呈现的颜色,是光和物体相互作用所引起的,或是物质内部电子在不同能级间跃迁的结果。
颜色的起因可归结为光在物质中传播时由于反射、透射、散射等物理过程所引起。
10、提高无机材料透光性的措施?提高原材料纯度,降低杂质含量掺加外加剂、降低气孔率工艺措施,降低气孔率,使晶粒定向排列λc h hr E g ×==gE hc =λS J h .1063.634 _×=ri r i n ==sin sin 21m n n W W =⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=22121'11xS em I I )(20)1(+--=αR x KV Sx e I e I I 4300--==R KV S 43=2224342132⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=n n V R S λπ1、载流子定义,种类载流子是指物质内部运载电荷的自由粒子。
导电:载流子电场下定向移动电子、空穴——电子电导——霍尔效应离子(正离子、负离子及其空位)——离子电导——电解效应2、离子电导、电子电导、本征电导、固体电解质、压敏效应、正温度系数效应定义本征电导:晶格点阵上的离子定向运动以热缺陷(空位、离子)作为载流子离子电导:载流子为离子的电导。
电子电导:载流子是电子或者空穴。
固体电解质:具有离子电导性质的固体物质。
压敏效应:对电压变化敏感的非线性电阻效应。
临界电压VC以下电阻高无电流通过;当电压大于VC时,电阻迅速降低,让电流通过。
PTC效应:电阻率随温度升高发生突变,增大了3个以上数量级。
电阻率突变温度在相变(四方相与立方相转变)温度或居里点。
3、电解效应、霍尔效应定义及应用电解效应:离子电导的特征。
离子的迁移伴随着一定的质量变化,离子在电极附近发生电子得失,产生新的物质,这就是电解现象。
霍尔效应:电子电导的特征是具有霍尔效应。
沿试样x轴方向通入电流I(电流效应Jx),Z轴方向加一磁场Hz,那么在y轴方向将产生一电场Ey,这一现象称为霍尔效应。
利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导。
4、n型、p型半导体及金属、本征半导体和绝缘体的能带结构图,及带隙大小。
n型半导体:在半导体基体中掺入施主掺杂离子、取代基体原子,与基体原子形成共价后,还多出电子,这个“多余”的电子能级离导带很近(如图),比满带中的电子容易激发。
P型半导体:在半导体基体中掺入受主掺杂离子、取代基体原子,与基体原子形成共价后,还少了电子、出现了空穴,其能级离价带很近(如图)。
价带中的电子激发到空穴能级比越过整个禁带容易得多。
导体的能带结构有三种:(a)未满带+重带+空带;(b)满带+空带;(c)未满带+禁带+空带。
5、钛酸钡价控半导体及反应方程式和缺陷方程式书写,解释?La3+占据晶格中Ba2+的位置,没加一个La3+晶体中多于1个正电荷,为保持电中性,Ti4+每虏获一个电子形成Ti3+这个被虏获电子处于半束缚状态,易激发参与导电,此过程提供施主能级BaTiO3形成N型半导体。
6、离子电导、电子电导的影响因素1、电子电导的影响因素:[1] 温度的影响:温度对对迁移率和载流子浓度(主要)的影响。
本质是对载流子散射的影响[2] 缺陷的影响:杂质缺陷(形成新局部能级)组分缺陷(阳离子缺陷阴离子空位:非化学计量比的化合物中由于晶体化学组成的偏离形成离子空位或间隙离子的晶格)间隙离子缺陷2、离子电导影响因素[1]温度:根据离子电导率的公式σ= Aexp[-B/T]可以看出,电导率随温度按指数形式增加。
导电率对数与温度倒数呈线性关系。
低温杂质电导高温固有电导[2]晶体结构:根据离子电导率的公式σ= Aexp[-B/T]= a exp[-U/kT],电导率随活化能U按指数规律变化。
活化能反映离子的固定程度,它与晶体结构有关。
熔点高的晶体,晶体结合力大,活化能也高,电导率就相对较低。
活化能影响因素:1离子电荷:低价离子比高价离子的活化能小,电导率大。
晶体结构状态:结构越紧密,可供移动的间隙小,离子迁移活化能高。
[3]晶格缺陷:离子导电是可移动离子的定向迁移,是离子与周围缺陷交换位置的结果。
根据离子电导率的公式σ=nqμ可以看出,电导率与离子浓度成正比。
离子性晶格缺陷的生成及其浓度是决定离子导电的关键。
晶格缺陷的生成与浓度的主要影响因素:[1] 温度:热激活生成晶格缺陷;[2]掺杂:不等价固溶掺杂形成晶格缺陷;[3]偏离化学计量:随气氛变化偏离7、离子电导需要具备的条件(1)电子载流子的浓度大小(2)离子晶体缺陷浓度大,并参与导电。
因此离子性晶格缺陷的生成及浓度大小是决定离子电导的关键。
8、离子电导、电子电导的迁移率和载流子浓度离子电导:对于本征电导,载流子有晶体本身热缺陷提供载流子浓度:热缺陷浓度:取决于温度和离解能杂质离子浓度:杂志数量和种类。
迁移率:μ=v/E=(a2ν o q/6kT) exp(-U0/kT)a——晶格距离,ν o——间隙离子的振动频率,q——间隙离子的电荷数,k——0.86×10-4ev/k,U0——无外电场时间隙离子的势垒。
电子电导:半导体和绝缘体的电子能态量子化,采用有效质量m*来表示迁移率。
有效质量决定于晶格,电子与空穴的有效质量的大小与半导体材料的性质有关。
τ与晶格缺陷和温度有关。
温度越高,晶体缺陷越多,电子散射几率越大,τ越小。
迁移率大小由载流子的散射强弱决定。
散射越弱,τ越长,迁移率μe越高。
影响散射的因素:1晶格散射:晶格中的原子在其平衡位置作微振动,原子振动的具体表现形式为声子,晶格振动的散射可以看作声子与电子的碰撞;2电离杂质散射:电离杂质产生的正负电中心对载流子有吸引和排斥作用,当载流子经过带电中心附近就会产生散射(影响因素:掺杂浓度和温度)。
3、磁性的分类:抗磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性、亚铁磁性1)抗磁性物质的原子(离子)磁矩为0,不存在永久磁矩,外加磁场使电子轨道改变感生与外加磁场方向相反的磁矩2)顺磁性(弱磁性)顺磁性主要来源于无论外加是否存在都有的电子(离子)的固有磁矩。
无外加磁场时,原子的固有磁矩呈无序状态,原子宏观上不呈现磁性,外加磁场作用下,原子磁矩比较规则的取向,物质显示极弱的磁性。