气相色谱法测定四氯化硅的纯度

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气相色谱法测定四氯化硅的纯度

方志青1,张明时2,林 野2,秦樊鑫2

【摘 要】摘 要:提出了气相色谱法测定四氯化硅的纯度。采用LD-SE-54(0.53

mm×30 m,1.2μm)石英毛细管色谱柱分离,热导检测器检测,面积归一化法定量。方法用于分析四氯化硅标准样品,测定值与标准值的相对误差为0.18%,相对标准偏差(n=5)为0.12%。

【期刊名称】理化检验-化学分册

【年(卷),期】2011(047)005

【总页数】3

【关键词】关键词:气相色谱法;热导检测器;四氯化硅;纯度

四氯化硅是生产石英通信光纤的主要原料,也可用于生产有机硅担体、有机硅油、硅树脂、硅橡胶等[12]。不同生产领域对四氯化硅纯度的要求各不相同。从钛厂尾气回收精制的四氯化硅中含有多种杂质,如氯化氢、三氯氢硅、二氯氢硅、二氯甲烷、四氯化碳、三氯乙酰氯等挥发性氯化物,氯化铝、氯化铬、氯化锌、氯化铜、氯化铁、氯化铅等金属氯化物[34]。我国电子工业部标准采用化学光谱分析方法测定四氯化硅中硼、磷及金属杂质的含量[5],此外还有报道采用红外光谱法或气相色谱法测定四氯化硅中杂质,多为测定三氯氢硅等含氢杂质[67]。

本工作通过优化试验条件,建立了一种以热导池为检测器,非极性厚膜石英毛细管色谱柱为分离柱的气相色谱分析方法,测定四氯化硅纯度。

1 试验部分

1.1 仪器与材料

Shimadzu GC16A型气相色谱仪,配热导检测器(TCD);Sepu3000型色谱工作

站。

样品瓶和取样瓶(小口有螺纹盖试剂瓶,配医用聚四氟胶塞,螺纹盖上钻两个直径为2 mm的小孔);不锈钢U型导管(内径0.5 mm、外径0.8 mm、长150 mm不锈钢管,两端口磨成尖锐坡型,弯成端口错位50 mm的不对称U型导管);聚四氟隔离胶柱(直径5 mm,长20 mm);50 mL注射器;5μL微量进样器。

1.2 仪器工作条件

LDSE54石英毛细管色谱柱(0.53 mm×30 m,1.2μm),载气为氢气(纯度大于99.999%),载气流量为50 mL·min-1,进样量为2.0μL,分流比为1比5,气化室温度150℃;柱程序升温:初始温度50℃,保持4 min,以10 ℃·min-1速率升至120℃,保持1 min。TCD检测器温度150℃,桥电流120 mA,TCD测量臂做连接毛细管柱的改进,参考臂氢气流量为50 mL·min-1。

1.3 试验方法

1.3.1 样品采集

四氯化硅样品接触空气即刻吸湿水解产生腐蚀性很强的氯化氢烟雾,所以采集样品时应注意隔绝空气并保持干燥。首先把隔离胶柱接入不间断的氮气流路中,然后将5μL微量进样器刺穿胶柱上表面,插入氮气流路中反复推拉清洗,以排除进样器金属表面吸附的水分,进样器针尖始终停留在胶柱内起到隔离空气的作用。取样前先用氮气干燥取样瓶10 min,然后用不锈钢U型导管连接样品瓶和取样瓶,再用50 mL注射器抽出取样瓶中气体,四氯化硅样品在压力差的作用下流入取样瓶中。取样时先将胶柱下表面贴紧取样瓶聚四氟胶塞,然后快速插入进样器在样品中反复推拉后取2μL样品,退出进样器使针尖仍停留在胶柱内,再将胶柱下表面与进样口胶垫贴紧快速插入注入样品。进样完成后用石油醚多次清洗进

样器,卸下针头及套管,烘干后置干燥器中保存备用。

1.3.2 定量方法

由于被测样品及杂质组分均能在色谱柱上出峰,用面积归一化法测得结果比较准确,且仪器操作条件稍有变动对结果影响较小。试验采用面积归一法进行定量分析,按下式计算各组分含量:

式中:wi为组分i的质量分数,%;fi为组分i的质量校正因子;Ai为组分i的色谱峰面积。

2 结果与讨论

2.1 色谱行为

按试验方法采集四氯化硅样品,在仪器工作条件下进行分析,所得色谱图见图1。

2.2 色谱柱的选择

试验分别采用 LDOV1、LDSE30、LDSE 54、LDOV1701、LDPEG20M、LDFFAP 型石英毛细管色谱柱以及 LDSE30、LDOV17、LD PEG20M型填充色谱柱对四氯化硅样品进行分离,通过分离出的杂质峰数目和色谱峰峰型选择最佳分离色谱柱。结果表明:填充色谱柱分离效果较差,主峰拖尾掩盖了部分杂质峰;LDOV1701、LD PEG20M、LDFFAP型石英毛细管柱分离出的杂质峰数目较少。综合考虑色谱峰对称性和分析时间,试验选择LDSE54石英毛细管色谱柱为分析色谱柱。

2.3 方法的准确度和精密度

在色谱工作条件下对四氯化硅标准样品(质量分数99.99%)平行测定5次,测定平均值与标准样品认定值的相对误差为0.18%;测定结果的相对标准偏差为0.12%。

2.4 样品分析

按试验方法测定了钛厂回收尾气制备的四氯化硅的含量,结果表明:该厂不同批次的四氯化硅样品含量在85.02%~98.32%之间。

本方法在干燥高纯氮气保护下进行四氯化硅样品的取样、转移和进样,有效防止了样品的水解。通过优化色谱条件,方法能在十几分钟内完成分析全过程,实现了工业生产中短时间内大量样品的快速分析。

方法用于蒸馏工艺过程中粗、精四氯化硅的纯度监控。该方法具有操作简便、分析快速、重复性好等特点,能够满足精制工艺对四氯化硅纯度进行监控的工业分析要求。

参考文献:

[1] 叶启亮,于建国,房鼎业.通信光纤原料SiCl4提纯方法[J].化工生产与技术,2004,11(1):2325.

[2] 于剑昆.四氯化硅的合成与精制[J].无机盐工业,2007,39(12):58.

[3] 郭峰,谭红,何锦林,等.改进的挥硅 ICPMS法测定高纯四氯化硅中金属杂质[J].福建分析测试,2006,15(4):79.

[4] 郭峰,杨鸿波,胡智,等.红外光谱法分析生产中回收高纯SiCl4中有机杂质[J].激光与红外,2009,12(39):12921295.

[5] SJ 25941985 高纯四氯化硅中硼及金属杂质的化学光谱分析方法[S].

[6] 朱新芳,李卜森,张琪.FTIR法测定高纯四氯化硅中的微量三氯氢硅[J].光谱学与光谱分析,1994,2(14):3538.

[7] 李卜森,朱新芳,张琪.光纤原料四氯化硅中微量三氯氢硅的气相色谱分析[J].色谱,1994,12(2):108109.

基金项目:黔科合高字(2006)5014项目与[2007]筑科工合字第111号项目联合资助

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