IRF131资料

高压MOS管----IRF系列

学习杂记 2008-01-29 15:04:28 阅读2856 评论2 字号：大中小 订阅

IRF024 N-场效应60 17 60 TO-204AA

IRF034 N-场效应60 30 90 TO-204AE

IRF035 N-场效应60 25 90 TO-204AE

IRF044 N-场效应60 30 150 TO-204AE

IRF045 N-场效应60 30 150 TO-204AE

IRF054 N-场效应60 30 180 TO-204AA

IRF120 N-场效应100 8.0 40 TO-3

IRF121 N-场效应60 8.0 40 TO-3

IRF122 N-场效应100 7.0 40 TO-3

IRF123 N-场效应60 7.0 40 TO-3

IRF130 100V 14A 79W N-场效应

IRF130(铁)NMOS GDS 100V14A79W75/45nS0.16 功放开关

IRF131 N-场效应60V14A 75W TO-3

IRF132 N-场效应100V12A75W TO-3

IRF133 N-场效应60V12A 75W TO-3

IRF140 N-场效应100V 27A 125W TO-204AE

IRF141 N-场效应60V 27A 125W TO-204AE

IRF142 N-场效应100V24A 125W TO-204AE

IRF143 N-场效应60V 24A 125W TO-204AE

IRF150 N-场效应100V 40A 150W TO-204AE

IRF151 N-场效应60V 40A 150W TO-204AE

IRF152 N-场效应100V 33A 150W TO-204AE

IRF153 N-场效应60V33A 150W TO-204AE

IRF15N65 650V 5A 80W MOS

文档从网络中收集，已重新整理排版.word版本可编辑.欢迎下载支持.

1格式已调整，word版本可编辑. IRF10N15N沟 150V 10A 75W

IRF120N沟 100V 8A 40W 70/70ns Ron=0.3ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF121N沟 60V 8A 40W 70/70ns Ron=0.3ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF122N沟 100V 7A 40W 70/70ns Ron=0.4ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF123N沟 60V 7A 40W 70/70ns Ron=0.4ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF12N0812A 80V 75W

IRF130N沟 100V 14A 79W 75/45ns Ron=0.16ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF130CHPN沟 100V Ron=0.18ΩMOS场效应开关管

IRF131N沟 60V 14A 79W 75/45ns Ron=0.16ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF1310N沟 100V 43A 190W通用型场效应管

IRF1310SN沟 100V 43A 150W通用型场效应管

IRF132N沟 100V 12A 79W 75/45ns Ron=0.25ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF133N沟 60V 12A 79W 75/45ns Ron=0.25ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF140N沟 100V 27A 150W 110/75ns Ron=0.077ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF140CHPN沟 100V 27A 125W 60/30ns Ron=0.085ΩMOS场效应开关/功率放大管

IRF7304

HEXFET® Power MOSFETPD - 9.1240B

DescriptionPRELIMINARY

Absolute Maximum RatingsSO-8

Thermal Resistance

** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.Generation V TechnologyUltra Low On-ResistanceDual P-Channel MosfetSurface MountAvailable in Tape & ReelDynamic dv/dt RatingFast Switching

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design forwhich HEXFET Power MOSFETs are well known, provides the designer with anextremely efficient device for use in a wide variety of applications.

The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhancedthermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety ofpower applications. With these improvements, multiple devices can be used in anapplication with dramatically reduced board space. The package is designed forvapor phase, infra-red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greaterthan 0.8W is possible in a typical PCB mount application.VDSS = -20V

现代肿瘤医学２ｏｏ９年１月　第ｌ７卷第１期　

胞ＤＮＡ氧化损伤，对骨髓瘤细胞具有直接杀伤作用或促进　

凋亡作用；②改变肿瘤细胞和基质细胞之间的黏附分子作　

用，从而改变瘤细胞的生存；③调节细胞因子的分泌并改变　

其生物活性，影响肿瘤生存和生长；④抑制血管内皮生长因　

子一２和碱性成纤维细胞生长因子的活性，从而抑制新生血　

管形成，并促进新生血管凋亡；⑤通过免疫调节作用杀伤肿　

瘤，提高ＣＤ８　Ｔ细胞水平，促进ＩＦＮ一　分泌，诱导Ｔｈｌ细胞　

反应并产生ＩＦＮ一１和ＩＬ一２杀伤肿瘤细胞，增强ＮＫ细胞对　

瘤细胞的杀伤力。Ｗｅｂｅｒ等　应用反应停联合地塞米松治　

疗ＭＭ。结果证实比单用反应停效果好。体外研究也表明　

反应停能增强地塞米松对ＭＭ细胞的凋亡作用　，为二者　

的联合应用提供了理论依据。　

ＶＡＤ方案化疗治疗多发性骨髓瘤疗效肯定，但其血液系　

统不良反应及严重感染发生率限制了在老年发病率高的　

ＭＭ中使用，常常被作为复发难治白血病治疗方案；近年由　

于抗感染、支持治疗水平提高，外周血干细胞移植患者增加，　

此方案已经越来越被作为初治ＭＭ首选方案使用于临床。　

笔者以小剂量反应停联合地塞米松作为初治老年患者　

（５０岁以上患者）首选方案治疗ＭＭ，与用传统治疗效果较好　

的ＶＡＤ方案化疗组对照，有效率达到８２．４％，疗效接近且血　

液系统不良反应及感染发生率明显低于对照组，生活质量总　

体优于对照组，仅２例出现深静脉血栓，提示我们小剂量反　

应停联合地塞米松可以替代化疗作为初治高龄ＭＭ首选方　

案，　

但应注意深静脉血栓的并发症预防，由于本研究例数较　

少，其进一步结论，有待临床资料的积累。　

【参考文献】　

［１］Ｔｏｓｉ　Ｐ，Ｚａｍａｇｎｉ　Ｅ，Ｃｅｎｉｎｉ　Ｃ．Ｔｈａｌｉｄｏｍｉｄｅ　ａｌｏｎｅ　ｏｒ　ｉｎ　ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ　

．：．同位素治疗夺　

辐射剂量的胶片测量　・１０５・　

ｗｉｔｈ　ｄｅｘａｍｅｔｈａｓｏｎｅ　ｉｎ　ｐａｔｉｅｎｔｓ　ｗｉｔｈ　ａｄｖａｎｃｅｄ，ｒｅｌａｐｓｅｄ　ｏｒ　ｒｏｆｒａｅｔｏ—　ｒｙ　ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｍｙｅｌｏｍａ　ａｎｄ　ｒｅｎａｌ　ｆａｉｌｕｒｅ［Ｊ］．Ｅｕｒ　Ｊ　Ｈａｃｍａｔｏｌ，２０ｏ４，　７３（２）：９８．　［２］Ｔｈｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｍｙｅｌｏｍａ　Ｗｏｒｋｉｎｇ　Ｇｒｏｕｐ．Ｃｒｉｔｅｒｉａ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｃｌａｓｓｉｆｉ—　ｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｍｏｎｏｅｌｏｎａｌ　ｇａｍｍｏｐａｔｈｉｅｓ，ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｍｙｅｌｏｍａ　ａｎｄ　ｒｅｌａｔｅｄ　ｄｉｓｏｒｄｅｒｓ：ａ　ｒｅｐｏｒｔ　ｏｆｔｈｅ　Ｉｎｔｅｍｆｉｏｎａｌ　Ｍｙｅｌｏｍａ　Ｗｏｒｋｉｎｇ　Ｇｒｏｕｐ［Ｊ］．　Ｂｒ　Ｈａｅｍａｔｏｌ，２００３，１２１：７４９—７５７＋　［３］张之南，沈悌．血液病诊断及疗效标准［Ｍ］．第北京：科学出版　社，１９９８：３７３—３７９．　［４］　卞寿庚．白血病（中华肿瘤临床诊治系列丛书）［Ｍ］．北京：中　国医药科技出版社，２００３：３７９．