latchup闩锁效应
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温度变化对闩锁效应的影响一介绍1.1 闩锁效应CMOS集成电路具有功耗低、噪声容限大的优点,在给定的封装内可容纳更多的电路,目前CMOS集成电路已经成为数字电路、模拟电路以及同一芯片上构成数字、模拟组合电路的首选技术。
在当今CMOS成为VLSL关键工艺的同时,CMOS 结构中的闩锁效应,则成为至关重要的问题。
随着器件尺寸的不断缩小,这个问题更加突出。
闩锁效应(Latch-up)又称闭锁、自锁、闸流效应,这种效应是CMOS 电路中固有的。
是指由于电路的输入端或输出端输入外来的噪声电压,而导致CMOS电路结构中存在着固有的寄生双极型NPN和PNP晶体管形成晶闸管导通,所引起的从电源到地之间流过大电流的现象。
这种骤然增大的电流会将电路烧毁。
因此研究CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施对于CMOS集成电路的可靠性有着十分重要的作用。
1.2闩锁效应机理如图1所示,CMOS发生闩锁效应时,其中的NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成一个n-p-n-p的结构,即寄生晶体管,本质是寄生的两个双极晶体管的连接。
P衬是NPN的基极,也是PNP的集电极,也就是NPN的基极和PNP的集电极是连着的;N阱既是PNP的基极,也是NPN的集电极。
再因为P衬底和N阱带有一定的电阻,分别用R1和R2来表示。
当N阱或者衬底上的电流足够大,使得R1或R2上的压降为0.7V,就会是Q1或者Q2开启。
例如Q1开启,它会提供足够大的电流给R2,使得R2上的压降也达到0.7V,这样R2也会开启,同时,又反馈电流提供给Q1,形成恶性循环,最后导致大部分的电流从VDD直接通过寄生晶体管到GND,而不是通过MOSFET的沟道,这样栅压就不能控制电流。
图1 CMOS闩锁效应示意图及其等效电路1.3 闩锁效应产生的条件和触发方式产生条件:(1)电路存在正反馈,其相关的PNPN结构的回路增益必须大于1;(2)必须存在一种偏置条件,使两只双极型晶体管导通的时间足够长;(3)维持闩锁要求的电路提供作够大的电流;触发方式:(1)输入或输出节点的上冲或下冲的触发,使第一个双极型晶体管导通,然后再使第二个双极型晶体管导通。
什么是闩锁效应?单片机开发2009-11-29 00:03:09 阅读220 评论0 字号:大中小闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。
避免闩锁的方法就是要减小衬底和N 阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。
静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。
ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一。
如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。
很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。
这就是所谓的“闩锁效应”。
在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
MOS工艺含有许多内在的双极型晶体管。
在CMOS工艺下,阱与衬底结合会导致寄生的n-p-n-p结构。
这些结构会导致VDD和VSS线的短路,从而通常会破坏芯片,或者引起系统错误。
例如,在n阱结构中,n-p-n-p结构是由NMOS的源,p衬底,n阱和PMOS的源构成的。
当两个双极型晶体管之一前向偏置时(例如由于流经阱或衬底的电流引起),会引起另一个晶体管的基极电流增加。
这个正反馈将不断地引起电流增加,直到电路出故障,或者烧掉。
可以通过提供大量的阱和衬底接触来避免闩锁效应。
闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要。
不过,现在已经不再是个问题了。
在近些年,工艺的改进和设计的优化已经消除了闩锁的危险。
Latch up 的定义? Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路? Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流? 随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大? Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一Latch up 的原理分析Q1为一垂直式PNP BJT, 基极(base)是nwell, 基极到集电极(collector)的增益可达数百倍;Q2是一侧面式的NPN BJT,基极为P substrate,到集电极的增益可达数十倍;Rwell 是nwell的寄生电阻;Rsub是substrate电阻。