ICT基本测试原理
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电容测试 --
AC(3uF以下) Mode 0,1,2,3
由OSC分别产生1kHZ / 10kHZ / 100kHZ / 1MHZ 的AC输出信号, 其振幅均为固定(40mVrms)
∵ Vs / Ix = Xc =∣1 / ( jωCx )∣= 1 / ( 2πf Cx ) ∴量回Ix 的振幅, 即可求得Cx 晶振测试，若ICT无晶振测试板，则可作小电容测试
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开短路测试
开/短路学习 凡两两之间电阻 ≦ 25Ω的针号归入 一个SHORT GROUP, 反之亦然. 开路测试 在SHORT GROUP内进行 以55Ω为判断标准 短路测试 在SHORT GROUP之间进行 不处于任何SG内的点可视为单点SG 以5Ω为判断标准
LEARNING ≦25Ω >25Ω
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电阻测试 –
小电阻四线量测 Mode 6
小电阻(50欧姆以内)四线量测 ： 小电阻两端各下两支探针，1-4号探针的接触阻抗分别为R1-R4, Ra,Rb,Rc,Rd分别为四次测试之量测值 Ra=R1+R2 Rb=R3+R4 Rc=R1+Rx+R4 Rd=R2+Rx+R3 Rx=(Rc+Rd-Ra-Rb)/2
Hi A
Iak
G Gp Lo K
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PN结测试 --
IC保护二极管
大部分IC在I/O PIN中, 会加上保 护DIODE. 故可通过测其DIODE 来判定插反,空焊,漏件,开/短路以 及IC保护DIODE不良等情形, 但 对IC内部的电性不良则必须依赖 功能测试.
IC并联之保护二极管无法测试 ； 一般记忆性IC很少内建PN结， 如ROM，RAM，EPPROM等
Vcc
TP Gnd
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跳线测试 --
J/F/W/CON/SW
, FUSE, WIRE, CONNECTOR, SWITCH, etc.
阻抗值 (0,5] ( 5 , 25 ] ( 25 , 55 ] ( 55 ,∞ ) 机器内识别值 0 1 2 3 荧幕显示值 1 1 3 4
SHORT
OPEN
OPEN TESTING >55Ω ≦55Ω
SHORT TESTING >5Ω ≦5Ω
OPEN FAIL
PASS
SHORT FAIL
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开短路测试 --
EXAMPLE
Sg1{2,78,257,421,422} Sg2{154,200}
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IC空焊测试 -- Agilent TestJet技术
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电阻测试 -而对于Rx//D//C,见右图.
Rx // D // C
Mode 2
在TR-518FE (R)中,选择MODE2: HIGH SPEED FOR R//C ,因电压源为0.2VDC, 故D仍处于截止状态, 亦可避开D的“限 压”.
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电阻测试 --
Rx // L Mode 3，4，5
若仍以电流源量测Rx. 由于L的瞬时 为由“OPEN”至“SHORT”,其瞬时时间 不易控制, 而稳态时电感相当于 “SHORT”,将电流源完全分流, 致 Vx-→0, 此时, 须以AC来测量, 使得L 呈现一阻抗值(愈大愈好). 再利用相 位差即可计算出Rx
Ix’ / Vs = 1 / Rm =∣1 / Rx + 1 / (jωL)∣ 1 / Rx = 1 / Rm * COSθ Rx = Rm / COSθ
TestJet C
1
C0
C1
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电感测试 --
AC信号源
Vs / Ix = XL =∣jωLx∣= 2πf Lx 量回Ix振幅, 即可求得Lx
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PN结测试 --
D、LED、ZD
Vd=0.7V
测试方式: 以可程序电压源, 对二极管加 电流, 测量正向电压或 反向电压. ( 正向电压约为0.7V. ) 加载电流: 最大3 mA, 20 mA或10 mA. 测试范围: 10 V以内 两个二极管(推而广之,指PN结)异 向并联,所有二极管均釆用正,反向 双步测试 D // C 时,电容充电后再测试D正向 导通电压，建议加延时及用Mode1 D // R 时,若R<50欧时，D基本无法 测试
1 2 3 4
R1 R2
Rx
R3
R4
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电阻测试 --
Rx // C
Mode 0，1
测试顺序是: [放电], 充电和电压测试 考虑到电容的分流, 要先对其充电, 经过T2以后, Ic→0. 此时可量回准确的阻值. 故遇到R//C的情形, 釆用定电流 源测试时, 须加DELAY TIME.且电容越大,延迟要更久,才 能得到准确值.
DIE
放大器
+
Bond Wire Lead Frame
A
-
Cx GND Testpin Fixture
Solder Joint(IC Lead)
300mV,10KHz 放大器
+ -
传统的IC保护二极管测试方 式一般来说能测试IC除VCC 与GND之外的70-80%的引 脚的开路问题，而TestJet技 术的应用则使这一比例达到 98%以上并足够稳定。
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电阻测试 --
Rx // C
Mode 2
当C较大(μ级以上)时, 若仍釆用定电流 源方式, 则电容会将电流源分流,直至电 容充饱时才成断路, 这样会消耗太久测 量时间. 此时改以电压源(0.2VDC)对电 容充电, 迅速将电容加至0.2VDC (断路), 再量回电流Ix值, 即可求得Rx,( RX = 0.2VDC/IX )其量测电路可与L/C量测电 路共享, 同样是“送电压”，“量电流”方式. 如果在被测电阻RX的相关电路中有电容存在, 通过设置虚地隔离点,可以提高测试速度
Cx Cy Testpin
Cx
Fixture
open
Cy
300mV,10KHz
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Vd=1.8V
Vd=0.7V
Vd>1.5V
PN结测试 --
PNP、NPN
C B E
三极管是由2个PN结组成，SMD类型 三极管以及B极在两侧脚的DIP类型 PNP或NPN只需要测其之两PN结。 DIP类型三极管之B极位于中间脚 时，必须增加一个测试步骤： 三极管三端电压测试 Mode 3,4 以NPN为例，右图中，C极为高点， B E极为低点，B极为隔离点，提供约 1.5V电压时，CE间饱和压降接近 1.5V G 0V。认为小于0.2V即正常。 三极体在共射极接法时的电流放大系数β. β≒IC /Ib (有时用hFE代表)
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PN结测试 --
SCR
1 G、K之间有一PN结,可作D来测; 2 三点测试, 类似三极体的三点测试方 式. 在FET的g-k脚及a-k脚各施加一可程 序电压源(最高为5V), 使之导通, 再测量 阳极电流Iak 晶闸管的导通条件为: 除在阳-阴极间加上一定大小的正向电 压外, 还要在控制极-阴极间加正向触 发电压
ICT基本测试原理
jon_zhong@ By：钟建胜 / 2006.11.16
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电阻测试 -Rx Ir Ur
基本电阻测试 Mode 0
恒电流测试模式 Rx = Ur / Ir
Rx//R 电阻实际值Rx，XY两端测得值Rm Rm = Rx * R / (Rx + R) ≠ Rx
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电容测试 --
DC(3uF以上) Mode 4,8
对于大电容, 若使用上述AC电压源模式测试时, 将需要较低频率来测 试,从而增加ICT的测试时间. 另外,大电容交流阻抗很小, 如此无法判 断电容内部是否有短路发生,此时须以DC测量 在被测电容上加载定电流, 然后通过测量其积分电压, 计算其电容值. ∵ Q = C*V ∴ i = dQ / dt = C * dV / dt = C * ∆V/ ∆T ( dV / dt为曲线斜率 )
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电容测试 -Cx // C Cm = Cx + C ≠ Cx
Cx //C
Cx
C 小电容与大电容并联，一般 小电容无法测试
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电容测试 --
相位分离法 Mode 5,6,7
Cx // R,釆用AC常规法, 则因R的分流会使Cm >Cx 相位分离法： IX’ / VS =∣jωCM∣=∣jωCX + 1/R∣ ∣jωCX∣=∣jωCM∣* SINθ CX = CM * SINθ . 所以, IF R→∞ R→0 θ→90° SINθ≒ 1 SINθ≒ 0 CX = CM CX ≒0 (并联J或SHORT) θ→0
PN结测试 --
FET
以N型沟道增强型绝缘栅场效应管 (MOSFET)为例
1 由于栅极(g)处于不导电(绝缘)状态, 通常, 源极(s)与衬底连在一起,故在漏极 (d), 源极(s)存在一PN结, 可将其当作D 来测. 2 三点测试, 类似三极体的三点测试方 式. 在FET的g-s脚及d-s脚各施加一可程 序电压源(最高为5V), 使之导通, 再测量 漏极电流Id.
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C
H 1.5V VCE<0.2V
E L
PN结测试 --
PHOTO COUPLER
测量PC 3,4脚的饱和电压, 即在 1,2脚加一电压使PC导通, 再量 回3,4 脚的压降约在0.2V左右 高低点及隔离点设置如右图所示 一般再增加一步1-2脚间的PN结测试 V1-2 = 1V
