氧化锡纳米线制备方法的研究进展(论文)

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SnO2纳米线制备及缺陷态发光研究

备了ＳｎＯ纳米片，并获得了４４５ｎｍ处的蓝光发
射．Ｌ５现有文献中，普遍认为不同的发射峰与材料缺
粉末置于陶瓷舟内．将陶瓷舟放人石英管中（长：３０
［基金项目］国家自然科学基金（项目编号：１１１４１０１９），江苏省青蓝工程优秀青年骨干教师计划，江苏科技大学博士科研启动基金，２０１２江苏省高等学校大学生实践创新训练计划及２０１３江苏科技大学本科生创新计划项目．
利用气相传输法生长氧化锡纳米线．首先通过
丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗１ × ４ａｍ的
硅片５分钟，然后利用氮气吹干．以质量比１：１称取
碳粉和氧化锡粉末（９９．９９％），充分研磨后，取１．０ｇ
机制．
一
光）、紫外吸收系数大、电阻率低等光电性质，目前该材料已被广泛应用于气敏元件、透明电极等半导体电子元器件领域． ¨－２］纳米尺度的ＳｎＯ有着传统固
体材料所不具有的显著的量子尺寸效应、表面与介面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应．纳米二氧化锡在室温下可以实现短波长光发射，一维ＳｎＯ纳米材料在光学性质领域的研究越来越多．二氧化锡
２０１３年８月
江苏教育学院学报（自然科学）

氧化锡纳米结构的制备及光致发光性能

氧化锡纳米结构的制备及光致发光性能李立珺【摘要】利用热蒸发法成功制备出了两种氧化锡纳米结构.利用X射线衍射法、拉曼光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对两种纳米结构的晶格结构和表面形貌做了详细分析,结果表明所制纳米结构为金红石型氧化锡晶体结构,氧化锡纳米结构的形貌与实验中所用的源材料有着很大的关系.以氧化锡和碳粉的混合物为源,制备出的纳米线长且直,直径在50～200nm之间,以氧化亚锡和碳粉为源,制备出的纳米结构短且多弯折,直径在150nm左右.研究了所制氧化锡纳米材料的室温光致发光性能,发光峰位于590、630和677nm处.【期刊名称】《功能材料》【年(卷),期】2013(044)009【总页数】4页(P1269-1271,1276)【关键词】氧化锡;纳米结构;热蒸发法;X射线衍射;光致发光【作者】李立珺【作者单位】西安邮电大学电子工程学院,陕西西安710121【正文语种】中文【中图分类】TB334;O782+.91 引言SnO2作为一种重要的宽禁带半导体功能材料，由于具有优异的光学、电学特性，在气敏传感器［1］、透明导电材料［2］、紫外探测器［3］、场发射器件［4］等众多领域具有广阔的潜在应用前景，引起了人们的广泛关注。

由于特殊的物理属性和在纳米级器件上的应用，近年来一维纳米结构已经引起了人们强烈的兴趣。

SnO2纳米结构的研究也取得了重大的进展。

通常制备SnO2纳米结构的方法有水热合成法［5］、化学气相沉积法［6］，激光脉冲沉积法［7］和热蒸发法［8-12］。

其中热蒸发法最为常用，该方法制备的产品纯度高，均一性好，可通过改变反应条件实现可控制性生长。

目前，已通过控制实验温度、气压、气流量、催化剂等工艺条件制备出了不同形貌的纳米结构，如纳米片［8］、纳米线［9］、纳米带［10］、之字状结构［11］及鱼骨状结构［12］等。

通过改变源材料配比，也能影响到纳米结构形貌的变化，而目前相关报道较少。

本文通过改变源材料配比，利用热蒸发法成功制备出了两种不同形貌的氧化锡纳米结构，进行了形貌和结构表征，并初步研究了所制两种氧化锡纳米结构的室温光致发光性能。

掺杂纳米氧化锡的制备及其光催化性能研究

掺杂纳米氧化锡的制备及其光催化性能研究掺杂纳米氧化锡的制备及其光催化性能研究摘要：近年来，纳米材料在能源转换、环境修复等领域中发挥着重要的作用。

本文以纳米氧化锡（SnO2）为研究对象，探讨了掺杂不同金属离子对其光催化性能的影响。

通过溶胶-凝胶法制备了一系列掺杂纳米氧化锡，并利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等技术对其结构和形貌进行了表征。

同时，利用紫外-可见（UV-Vis）吸收光谱对各样品进行光催化性能测试，研究了不同金属离子掺杂对其光催化活性的影响。

研究结果表明，掺杂纳米氧化锡的光催化活性高于纯氧化锡，并且不同金属离子的掺杂对其光催化性能具有不同的影响。

本研究为理解纳米材料的光催化机理提供了实验依据，并为其在环境修复等领域的应用提供了借鉴。

1. 引言纳米材料具有较大的比表面积和量子效应等特殊性质，因此在光催化、光伏等领域中表现出巨大的应用潜力。

纳米氧化锡（SnO2）作为一种重要的半导体材料，在气体传感、光催化和电化学储能等领域已经引起了广泛的关注。

然而，纯净的SnO2在光催化领域的应用中仍然存在一些限制，如宽带隙和对可见光吸收较弱等问题。

因此，掺杂是改善纳米氧化锡光催化性能的一种有效方法。

2. 实验部分2.1 材料制备采用溶胶-凝胶法制备了一系列掺杂纳米氧化锡样品。

首先，将适量的无水SnCl4溶于无水乙醇中，加热搅拌使其溶解。

然后加入适量的金属离子掺杂剂(Ag^+, Cu^2+, Fe^3+)并继续搅拌，稀释剂使用三乙醇胺，最后得到混合溶液。

将混合溶液在恒温搅拌的条件下放置一段时间，得到沉淀。

将沉淀进行热处理，得到掺杂纳米氧化锡样品。

2.2 表征方法利用X射线衍射仪对样品的晶体结构进行分析，扫描电子显微镜和透射电子显微镜则用于观察样品的形貌和粒径分布情况。

另外，通过紫外-可见吸收光谱对各样品的光催化性能进行测试。

实验使用可见光作为光源，利用反射法记录各样品的吸收光谱。

纳米氧化锡的制备及其研究进展

溶胶 ) 凝胶法的基本原理是: 金属醇盐或无机盐在有机介质中经水解、缩聚, 形成溶胶, 溶胶聚合凝胶化得到凝胶, 凝胶经过加热或冷冻干燥及焙烧处理, 除去其中的有机成分, 即可得到纳米尺度的无机材料超细颗粒。 Pan等 [ 4] 得到平均粒径为 15 nm 的氧化锡纳米球形颗粒, 并将其应用于气体传感器上, 结果表明, 氧化锡粉体中掺杂少量的钌, 可以增强气体传感器对丁烷及石油的检测灵敏度; 而加入少量的铷, 能提高气体传感器对 CO、CH 4、H2 等气体的检测灵敏度。周幸福等 [ 5] 用电化学法合成锡
目前, 常用的均匀沉淀剂有六次甲基四胺和尿素。 Song等 [ 11 ] 以 CO ( NH 2 ) 2 和 SnC l4 # 5H2 O 为原料, 采用均匀沉淀法得到了分散性良好的纳米氧化锡粒子, 其粒径为 3~ 4 nm, 表面积为 24~ 44 m2 / g, 优于用直接沉淀法制得的 SnO2 (粒径 4~ 6 nm, 表面积 15~ 18 m2 / g)。 2. 2. 5 水热法
2. 2 液相法 2. 2. 1 醇 ) 水溶液法
收稿日期: 2005- 05- 13 作者简介: 高赛男 ( 1975- ), 女, 硕士研究生, 主要从事纳米材料的制备与应用研究, 电话: ( 020) 85294156。
# 10#
河南化工 H ENAN CHEM ICAL INDUSTRY
2005年第 22卷
casted.
K ey w ord s: nanometer tin dioxide ; research progress; powder; thin film
1 前言
2. 1. 1 高能机械球磨法
氧化锡是一种宽带系半导体材料, 带宽范围为 3. 6~ 4. 0 eV。它用途广泛, 在有机合成中, 可用作催化剂; 在陶瓷工业中, 可作为釉料和搪瓷乳浊剂。由于小尺寸效应及表面效应, 纳米氧化锡具有特殊的光电性能和气敏性能, 在气敏元件、半导体元件、

热蒸发法制备一维氧化锡纳米线的研究

第８卷第１期２１００年２月
福建工程学院学报
ＪｕｎｌｆｕａｎｖｒｔｏｅｈｏｇｏｒａｏｊｎＵｉｓｙｆｃｎｌｙＦｉｅｉＴｏ
Ｖｏ．１８Ｎｏ．１
Ｆｂ００ｅ．２１
ｄｉ１．９９ｊｉｎ１７４４．０００．１ｏ：０３６／．ｓ．６２— ３８２１．１０１ｓ
Ｋｅｗｏｄｓ：ｏｅｄｉｎｉｎｌｎｎｓｒｔｒｙｒｎ — ｍｅｓｏａａｏｔｕｃｕｅ；ｃｙｔｌｇｏｈ；ｔｎｏｉｒｓａ尺度的几何形状和独
蒸发法人们已经合成了不同形貌的一维氧化锡纳
特的性质而在发光二极管 … ，体存储材料，气
锂电池电极材料等领域广泛应用。在这些材料中，３０Ｋ时带隙为３６Ｖ的氧化锡已被在０．２ｅ
广泛应用在太阳能电池、明导电玻璃覆盖层以透及探测还原气体的气敏传感器等方面。近来，一维氧化锡纳米带、米线及其相关功能化的纳米纳材料在纳米电路以及探测紫外线的场效应管【６、灵敏的气体传感器４］超－卜引、发射显场
ＳｎｔｓｓｏｅｄｉｅｉｎｌＳｙｈｅｉｆｏｎｍｎｓｏａｎＯ２ｎｎｏｒｓｂｈｅｍａｖｐａｉｎａｗｉｅｙｔｒｌｅａｏｒｔｏ
ＭａＬ ’ ｌ，ｅｇＳａ￣ｎＣａｈｇａｇＣｈｎＤｉｇｉｇｉａＺｎｈｏｇ，ｉｕｕｎ，ｅｎｎｎｑＳ

纳米氧化锡的制备及应用

纳米氧化锡的制备及应用纳米氧化锡的制备及应用（综述）一、纳米氧化锡简介SnO2是一种具有宽带隙的n型半导体材料，也是最早具有商业价值的透明导电材料。

标准单晶SnO2是四方相的金红石结构，与ZnO 相比，SnO2具有更宽的带隙和更高的激子束缚能，SnO2体材料的密度为5.67g/cm，通常制备的SnO2薄膜密度大约为体材料密度的80～90%，熔点为1927摄氏度。

SnO2及其掺杂薄膜具有高可见光透过率、高电导率、高稳定性、高硬度和极强的耐腐蚀性等性能。

宽带隙半导体的纳米线具有巨大的纵横比，表现出奇特的电学和光学性能，使其在低压和短波长光电子器件方面具有潜在的应用前景。

与传统SnO2相比,由于SnO2 纳米材料具有量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,因而在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面都会发生显著的变化。

二、纳米氧化锡的制备1.固相法1)高能机械球磨法高能机械球磨法是利用球磨机的转动或振动,对原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌。

2)草酸锡盐热分解法2.液相法1)醇—水溶液法2)溶胶—凝胶法溶胶—凝胶法的基本原理是:金属醇盐或无机盐在有机介质中经水解、缩聚,形成溶胶,溶胶聚合凝胶化得到凝胶,凝胶经过加热或冷冻干燥及焙烧处理,除去其中的有机成分,即可得到纳米尺度的无机材料超细颗粒。

3)微乳液法微乳液法是将两种反应物分别溶于组成完全相同的两份微乳液中;然后这两种反应物在一定条件下通过物质交换彼此发生反应,借助超速离心,使纳米微粒与微乳液分离;再用有机溶剂清洗除去附着在表面的油和表面活性剂;最后在一定温度下干燥处理,即可得到纳米微粒的固体样品。

4)沉淀法沉淀法分直接沉淀法和均匀沉淀法，直接沉淀法是制备超细氧化物广泛采用的一种方法,它是在含有金属离子的溶液中加入沉淀剂后,于一定条件下生成沉淀,除去阴离子,沉淀经热分解。

均匀沉淀法是利用某一反应使溶液中的构晶离子从溶液中缓慢均匀地释放出来。

氧化锡纳米线的制备及其乙醇气体敏感性能

氧化锡纳米线的制备及其乙醇气体敏感性能李立珺;苗瑞霞;张霞【摘要】采用热蒸发法成功制备氧化锡纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对所制备纳米线的晶格结构和表面形貌进行表征.所制材料为金红石氧化锡单晶结构,纳米线直径为50～200nm,长度为5～15μm,符合气-液-固生长机制.以氧化锡为气敏材料,制备了旁热式结构气敏元件,测试该元件对浓度范围为25×10-6～500×10-6的乙醇气体环境的敏感性能.结果表明,该元件的最佳工作温度约为260℃;在25×10-6和500×10-6的乙醇气体中,灵敏度分别为7.54和111.01,响应时间为2～20s,恢复时间为5～33s;在测试范围内灵敏度与气体浓度具有良好的线性关系;7天内重复测量误差在5％以内,稳定性较好.【期刊名称】《材料工程》【年(卷),期】2019(047)006【总页数】6页(P82-87)【关键词】热蒸发法;氧化锡;纳米线;气敏性能【作者】李立珺;苗瑞霞;张霞【作者单位】西安邮电大学电子工程学院,西安710121;西安邮电大学电子工程学院,西安710121;西安邮电大学电子工程学院,西安710121【正文语种】中文【中图分类】TP212.2气敏传感器广泛应用于环境监测、电子工业、食品生产等领域。

常见的气敏材料有ZnO，SnO2，Fe2O3，NiO，WO3，In2O3等，其中SnO2因灵敏度高、化学稳定性强、成本低廉、应用范围广等性能，占据了气敏传感器领域的大部分市场。

气敏传感器普遍存在工作温度偏高、响应恢复时间长、选择性差等问题，目前的解决途径主要集中在对气体敏感材料的研究上，包括材料纳米化[1-3]、掺杂改性[4-6]、复合异质结构[7-10]等。

Kou等[11]制备了纳米纤维状SnO2，其在300℃的最佳工作温度下对100×10-6乙醇气体的灵敏度为9.5。

通过适量Co掺杂有效提高了灵敏度，掺杂摩尔分数为3%时，对100×10-6乙醇气体的灵敏度为40.1。

纳米氧化锡制备方法的研究进展

第9期电子元件与材料V ol.23 No.9 2004年9月ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS Sep. 2004纳米氧化锡制备方法的研究进展朱路平，贾志杰（华中师范大学纳米科技研究中心，湖北武汉 430079）摘要:从制备氧化锡的方法，原理和工艺特点等几方面综述了近年来纳米氧化锡粉末、薄膜、棒、线、带的最新研究进展。

着重阐述了制备准一维纳米氧化锡的过程及各自的生长机制。

并对纳米氧化锡粉体制备的研究方向和产业化发展趋势作了展望。

关键词:无机非金属材料；纳米氧化锡；制备方法；研究进展中图分类号: TN304.21 文献标识码:A 文章编号:1001-2028（2004）09-0034-03Research Progress on Preparing Methods of Nano-SnO2ZHU Lu-ping, JIA Zhi-jie(Center of Nano-science and Technology, Central China Normal University, Wuhan 430079, China)Abstract: Reviewed were the preparing methods of Nano-SnO2 including powder, thinfilm, rod, wire and dendrite. And the preparing methods and growth mechanism of quasi-one-dimensioned (1D) nano-SnO2 were key points. On the basis of these discussions, the developing tendency and industrialization prospect for preparing methods of nano-SnO2 were also proposed.Key words: inorganic non-metallic materials; nano-SnO2; preparing methods; research progress氧化锡是一种典型的n型半导体材料，其E g=3.5 eV(300 K)，其用途广泛，在有机合成中，可用作催化剂和化工原料；在陶瓷工业中可用作釉料和搪瓷乳浊剂；同时还可用于导电材料，薄膜电阻器，光电子器件等领域[1]。

一种氧化锡复合纳米线、其制备方法和应用[发明专利]

专利名称：一种氧化锡复合纳米线、其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：向斌,孙琪
申请号：CN201710266066.9
申请日：20170421
公开号：CN107091866A
公开日：
20170825
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种氧化锡复合纳米线、其制备方法和应用；本发明提供的氧化锡复合纳米线为过渡金属氧化物与SnO复合的纳米线，所述过渡金属氧化物选自NbO和TaO中的一种或多种。

并且，所述复合纳米线的直径在100nm至500nm之间。

本发明实施例通过将铌源和/或钽源，与锡源按一定比例配制成混合溶液，加入适量PVP后电纺，经煅烧获得所述复合纳米线。

本发明复合纳米线的比表面积相对纯纳米线有相当大的提高，同时气敏传感性能有了很大的提高，还具有优异的机械性能，可用于气敏传感如检测NO等气体或储能应用如用于锂离子电池，具有很好的应用前景。

申请人：中国科学技术大学
地址：230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：赵青朵
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氧化锡纳米线在场致发射显示器中的应用研究

米线印刷在玻璃基板银电极上作为场发射阴极材料，究了阴极的场致发射特性，研实现了原型显示器件的均匀点亮，实验结果表明，该方法制备的氧化锡纳米线作为阴极材料具有低的阈值电场（．７、６６
ｐｎ、ａ）高的发射电流密度（０Ａａ和好的场发射稳定性（射电流涨落幅度在１％以内）２５／ｍ）发０。
第８第４期卷
２１００年８月
福建工程学院学报
ＪｕａｏｕａｎｖｒｔｏｅｈｏｏｙｏｒｌｆｊｎＵｉｓｙｆｃｎｌｇｎＦｉｅｉＴ
Ｖ０．．１８Ｎｏ４
Ａｕｇ．２ห้องสมุดไป่ตู้１０
ｄｉ１．９９ｉｉｎ１７ｏ：０３６／．ｓ．６２－４４．０００．１ｓ３８２１．４０５
关键词：纳米材料；场致发射；平板显示器
中图分类号：Ｎ７Ｔ２文献标识码：Ａ文章编号：１７４４（００００７４６２— ３８２１）４— ３５—０
ＴｈｅａｐｌｃｔｏｏｎＯ２ｎａｏｒｓｉｅｄｍｉｓｏｉｐｌｙｐｉａｉｎｆＳｎｗｉｅｎｆｌｅｓｉｎｄｓａｓｉ
ｔｎｍｅｈｄａａｏｅｍａｅａｓｈａｏｉｓｗｒｒｔｄｏｅｃｎｕｔｇｓｒｃｆｃｔｏｅｉｔｏｓｃｔｄｔｒｌ．Ｔｅｎｎｗｒｅｅｐｎｅｎｔｏｄｃｉｕｆｅｏａｈｄｏｈｉｅｉｈｎａｐａｅｕｉｇａｓｒｅ — ｒｎｉｇｐｏｅｓｈｎｔｄｄｓｌｙｘｉｉｄｇｏｅｄｅｓｉｎｐｏｅｔｓｌｔｓｎｃｅｎｐｔｒｃｓ．Ｔｅｕｉｉｐａｓｅｈｂｔｏｄｆｌｍｉｏｒｐｒｅ．ｉｎｅｅｉｓｉ

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第30卷第1期内蒙古民族大学学报（自然科学版）Vol.30No.1 2015年1月Journal of Inner Mongolia University for Nationalities Jan.2015氧化锡纳米线制备方法的研究进展李宏霞，张帅帅,包乌云嘎,贾强,何乌日嘎木拉,孙丽美（内蒙古民族大学化学化工学院，内蒙古通辽028043）〔摘要〕纳米结构氧化锡是一种具有较高比表面积、催化活性、光电性能等优异特性的半导体材料.氧化锡纳米线作为纳米结构氧化锡的一种，其典型制备方法包括模板法、液相法、气相法和热氧化法等.综述了氧化锡纳米线典型制备方法的基本原理和工艺特点及其优缺点，并且提出了目前氧化锡纳米线制备工艺中存在的问题.〔关键词〕氧化锡；纳米线；制备方法〔中图分类号〕O614.432；TB383.1〔文献标识码〕A〔文章编号〕1671-0185（2015）01-0027-04Researching Progress of the PreparationMethod of Tin Oxide NanowiresLI Hong-xia,ZHANG Shuai-shuai,BAO Wuyunga,JIA Qiang,HE Wurigamula,SUN Li-mei （College of Chemistry and Chemical Engineering,Inner Mongolia University for Nationalities,Tongliao028043，China）Abstract:Nanostructure tin oxide is a kind of semiconductor material with excellent properties of specific surface ar-ea,catalytic activity,and higher photoelectric performance.Tin oxide nanowires as one of nanostructure tin oxide,itstypical preparation methods include template method,liquid phase method,gas phase method and thermal oxidationmethod eta1.In this paper,the basic principle,preparation process and characteristics of various typical preparationmethods of tin oxide nanowires are reviewed.And the existing problems for the preparation process of tin oxide nanowireswere also suggested.Key words:Tin Oxide;Nanowires;Preparation methods纳米氧化锡具有优异的物理和化学性质，如较高的比表面积和催化活性，较好的光电性能、敏感特性、催化性能、电化学性能、掺杂后的稀磁半导体性能等，氧化锡纳米线作为氧化锡纳米结构的一种，已广泛应用于气敏元件、半导体元件、太阳能电池、高温电子器件、保护涂层、光催化剂等领域〔1,2〕.本文介绍了氧化锡纳米线几种典型的制备方法，分析和探讨了各种制备方法的优缺点，并展望了氧化锡纳米线未来的研究方向.1氧化锡纳米线制备方法近年来，氧化锡纳米线典型的合成方法有：模板法、液相法（溶胶凝胶法、水热法、电化学沉积法）、气相法（化学气相沉积法、热蒸发法）、热氧化法等.1.1模板法模板法是利用氧化铝（AAM/AAO）、聚碳酸脂（PC）、碳纳米管（CNTs）等模板结构制备纳米线，然后除去模板,得到所需纳米线.其利用模板的结构控制和影响纳米材料的结构、形貌以及大小；使模板与原料相结合利于纳米材料合成与组装一体化，得到高度有序，分散稳定的纳米材料.模板法不是单一方法，它可与多种方法相结合，如电化学沉积法〔3,4〕、溶胶-凝胶法〔5~8〕、等，其制备过程简单，适于大量生产〔9〕.Zhao等〔5〕采用模板法，以多孔型氧化铝（AAM）为模板，并与溶胶-凝胶法相结合制备得到了SnO2纳基金项目：国家自然科学基金资助项目（21463017，21003070）；内蒙古自然科学基金资助项目（2012MS0208）作者简介：李宏霞，内蒙古民族大学化学化工学院在读硕士研究生.孙美丽为通讯作者.米线.在制备过程中以柠檬酸为鳌合剂，SnO 2溶胶为锡源，该模板法得到的SnO 2纳米线在高温退火后直径在80nm，属于单晶SnO 2纳米线.李建新等〔5〕采用模板法，以阳极氧化铝（AAO ）为模板并与电泳沉积的方法相结合制备出了高度有序的SnO 2/Fe 2O 3复合纳米线阵列，此方法得到的SnO 2/Fe 2O 3复合纳米线直径约180nm，长度达几十微米，其复合纳米线结构为高度结晶的六方结构的α-Fe 2O 3和四方结构的SnO 2构成.孔明光等〔6〕采用模板法，以多孔型氧化铝（AAM ）为模板，并与溶胶凝胶法相结合，得到了高度有序的SnO 2纳米线阵列.该方法得到的纳米线阵列均匀有序，并且直径与模板孔径大小一致，约60nm.1.2液相法液相法是指液态体系间的反应，又称湿化学法.用于氧化锡纳米线制备的液相法主要有水热法、溶胶-凝胶法、电化学沉积法等〔10〕.1.2.1水热法：水热法是至在一定温度和压强下，采用特制的密闭反应容器，对水反应体系加热加压（或自生蒸气压），使难溶或不溶物质溶解或反应，在达到过饱和状态重结晶得到产物.在水热过程中，高温高压条件使水的蒸汽压升高、密度、表面张力和黏度降低，离子积增大.水热法能有效减低生长缺陷，易于晶体取向、结构完美，易控制产物组成、形貌及结构.且其原材料廉价易得，产率高，由于能耗较低，故适用性广〔11,12〕.王亚丽等〔13〕采用水热法得到了取向一致的SnO 2纳米线阵列.以SnCl 4·5H 2O 和NaOH 混合水溶液作为水热体系，使用SCT-基底、ITO-基底和MST-基底在水热体系中浸渍并进行比较，研究发现，使用ITO-基底生成纳米颗粒层,使用SCT-基底生成纳米棒阵列,只有使用MST-基底才能生成纳米线阵列，且均匀垂直于基底，直径在8nm，高度约800nm.同时还发现随着退火温度的升高,在600℃退火时，产物的取向性得到了较大的提高.Lupana 等〔14〕采用水热法，得到了所需形貌的SnO 2纳米线.在水热体系中，以SnCl 4·5H 2O 为锡源，在没有晶种、模版和表面活性剂的条件下，通过改变SnCl 4·5H 2O 与氨水的配比，导致水热体系中溶液的饱和度产生变化，将Si 衬底放置在95~98℃水热温度下15min，随后降温，清洗，370℃退火5min 得到直径为50~100nm，长度为10~100μm 的SnO 2纳米线.1.2.2溶胶-凝胶法：溶胶-凝胶法是以水或乙醇作为溶剂，将原料（金属醇盐或无机盐）均匀混合，经过水解/醇解、缩合、陈化、低温干燥、热处理等步骤，最终得到纳米材料或纳米亚材料.与其他方法相比，溶胶凝胶法具有颗粒粒径小，化学均匀性好；单体在水系中可达到原子水平，醇系中可达分子水平；利用溶胶凝胶法可以制备无机-有机复合材料；该方法得到的产物纯度高，易去除溶剂，热处理温度低，其实验设备简单〔7〕.徐伟宏等〔7〕采用溶胶凝胶法，以SnCl 2·2H 2O 为锡源得到SnO 2溶胶，将氧化铝模板（AAM ）浸入SnO 2溶胶中,使用真空泵抽出模板孔中的气体，让胶体灌满孔通道，再经过低温干燥，热处理得到了SnO 2纳米线阵列.该方法工艺简单易操作，成本低，且产物在600℃下煅烧10h 至充分晶化,具有四方相多晶结构，且纳米线从模板孔道中均匀有序地生长，直径与模板孔径基本一致，约为60nm.Khan 等〔8〕采用溶胶-凝胶法，以纳米多孔阳极氧化铝（AAO ）作为模板得到了SnO 2纳米线的阵列.采用无水乙醇作为溶剂，将SnCl 4·5H 2O 与尿素相混合得到透明色溶胶，再将氧化铝模板（AAO ）浸入溶胶中，室温下陈化四天，经过20min 的红外光干燥，通入空气条件下450℃退火2h 得到了直径为50nm 的SnO 2纳米线阵列.研究还发现，通过调控SnO 2纳米线产生的氧缺位，可以其改变磁性及光学性质.1.2.3电化学沉积法：电化学沉积法是指通过电场作用，利用正负吸引在电解液中产生氧化还原反应，使离子沉积在正极或负极上，得到所需的纳米材料.电化学沉积法具有工艺简单，试验温度低，无真空环境、无危险气体、活性物质直接参与反应，对沉积基底表面形貌要求不高等优点.该法利用调整电化学参数以及电解液的组成和浓度来控制纳米材料的形成，在复杂的导电衬底上直接产生电镀效应，所制备的纳米材料具有较大比表面积，沉积周期短，适合大量生产〔4〕.陈艳辉等〔4〕采用电化学沉积法，改变电沉积参数如电压和频率，在电压10V 频率50HZ 时，130℃下，以SnCl 2·2H 2O 和二甲基亚砜（DMSO ）作为电解液产生氧化还原反应，使离子沉积在多孔阳极氧化铝（AAO ）模板上，得到沉积纳米线的Sn /AAO 体系，再将Sn /AAO 体系750℃温度退火10h 得到了二氧化锡内蒙古民族大学学报2015年28第1期李宏霞等：氧化锡纳米线制备方法的研究进展29（SnO2）纳米线.该方法得到的纳米线直径在30~50nm，多晶结构.Daltin等〔15〕采用电化学沉积法，与热氧化法相结合得了氧化锡纳米线.采用三电极体系，以硫酸亚锡作为电解液，通过计时电流法在金薄膜涂覆的阳极氧化铝（AAO）模板上沉积得到Sn纳米线，再将Sn纳米线600℃高温氧化30min得到了直径为140nm和长度3μm的二氧化锡（SnO2）纳米线.1.3气相法气相法是指反应物在气态下发生物理变化或化学反应，通过冷凝过程使之凝聚长大，从而获得纳米产物的方法.常用的氧化锡纳米线的气相法有化学气相沉积法和蒸发法.1.3.1化学气相沉积法：化学气相沉积法是利用气态所需元素或气化材料，引入反应室，在一定温度的基底表面进行化学反应，使分子吸附到基底上，得到所需纳米材料.其特点是产物纯度高，重复性与均匀性好〔16〕.杨焕银〔16〕等采用化学气相沉积法，以SnO2粉末为锡源，将SnO2、活性炭与经过表面活性剂与硝酸镍的混合溶液处理过的硅衬底一起放入真空管式炉中加热加压得到二氧化锡（SnO2）纳米线.此方法得到的纳米线直径在80nm，生长均匀可控，并且在纳米线顶端有一个球形颗粒,直径约在300nm.Lee等〔17〕采用化学气相沉积法，得到了不同直径的SnO2纳米线.通过调控SiO2/Si基底上不同厚度的金薄膜催化作用下得到了不同直径（50nm、70nm、90nm和140nm）的SnO2纳米线.平均长度为10μm.1.3.2蒸发法：蒸发法指使用含有催化剂（一般为金,铜或者钨等）的衬底，通过加热蒸发，蒸发出来的原子或分子，通过气体传输，沉积到低温处理好的基底材料上，并且在其上形成晶核生长成所需的纳米材料.此方法可以在低温下进行，并且可以很好的控制纳米材料的生长〔18〕.Do等〔19〕采用蒸发法，以SnO粉作为锡粉，涂覆5nm厚金催化剂二氧化硅/硅晶片作为衬底，在960℃的混合氩/氧气周围气体条件下充分氧化得到单晶SnO2纳米线（NWs）.该纳米线直径在70nm~150nm，并且长度在10μm~100μm.李立珺〔20〕通过采用热蒸发法，改变锡源化学配比，以硅片作为衬底，溅射5nm厚的Au薄膜作为催化剂，在水平高温管式炉中加热得到了不同结构的SnO2纳米线，该纳米线包括：直径在50nm~200nm，长度达几十微米的纳米线；直径在150nm左右，长度约几微米的直线型、V型、Y型等SnO2纳米线.1.4热氧化法热氧化法是指在空气、氧气、水蒸气等含氧气氛中，通过加热退火的方式，在一定温度下发生气-固反应，最终得到所需纳米材料的方法.此方法合成速度快，可批量生产，并且催化剂使用量少，材料选择范围广.倪自丰〔21〕采用热氧化法,以高纯的Sn（99.99%）粒为锡源,在陶瓷管中通入氩气与氧气的混合气体，在850℃温度下煅烧2h，随后退火得到SnO2纳米线.得到产物所需时间短，操作简单，原材料易得，且该纳米线直径均匀，约100nm.Luo等〔22〕采用热氧化法，在一定的温度下发生气-固反应得到了SnO2纳米线.在制备过程中以Sn粉作为Sn源，金膜作为催化剂，通过加热退火的方式得到直径在300nm的SnO2纳米线，该纳米线禁带宽度为3.74eV，这比普通的SnO2材料（3.62eV）禁带宽度高出许多.2问题与研究方向有关氧化锡纳米线制备方法的研究很多，且各方法之间差异很大,但仍有很多共性问题尚需解决.（1）探索氧化锡纳米线生长机理，增加各制备方法的普适性；（2）研究反应过程，确定不同形貌氧化锡纳米线生成的反应条件；（3）研究制备工艺，降低反应温度及安全隐患.另外，氧化锡纳米线是优良的半导体材料,探索其更多应用价值同样具有很高的现实意义.参考文献〔1〕李靓,李俊寿,王建江,等.二氧化锡纳米薄膜和纳米线制备技术〔J〕.二氧化锡纳米薄膜和纳米线制备技术（化学试剂）,2007,29（5）:273-276.〔2〕XH 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