可控硅带感性负载阻容吸收保护的电阻电容

可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。

在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。

同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。

由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

可控硅rc吸收电路可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种半导体器件，具有双向导通的特性，广泛应用于电子控制领域。

在电力控制和电力转换方面，可控硅的吸收电路起到了重要的作用。

本文将详细介绍可控硅RC吸收电路的原理、特点以及应用。

一、可控硅RC吸收电路的原理可控硅RC吸收电路是通过可控硅和电容器构成的电路，主要用于吸收和消耗电路中的感性负载电流。

其原理是通过控制可控硅的触发脉冲，使其导通，从而实现对电路中电流的吸收和消耗。

可控硅作为一种双向导通的器件，可以控制电流的方向，具有非常好的电流控制特性。

二、可控硅RC吸收电路的特点1. 能够实现对感性负载电流的吸收和消耗，保护其他电路元件不受过电流的侵害。

2. 可控硅具有双向导通的特性，能够适应不同的电流方向需求。

3. 可控硅的触发脉冲可以通过外部控制，实现对电流的精确控制。

4. 可控硅具有较高的耐压能力和耐电流能力，能够适应较大电流的吸收需求。

三、可控硅RC吸收电路的应用1. 电力电子领域：可控硅RC吸收电路常用于电力电子设备中，用于吸收感性负载电流，保护其他元件。

2. 交流电机控制：可控硅RC吸收电路可以用于交流电机的启动和制动，通过控制电流的方向和大小，实现对电机的控制。

3. 电力系统中的过电流保护：可控硅RC吸收电路可以作为过电流保护装置使用，在电力系统中对过电流进行吸收和消耗，保护系统的安全运行。

4. 电力变换器：可控硅RC吸收电路可以用于电力变换器中，对电流进行吸收和消耗，实现电力的转换和调节。

总结：可控硅RC吸收电路是一种通过可控硅和电容器构成的电路，用于吸收和消耗电路中的感性负载电流。

它具有双向导通的特性，可以控制电流的方向，并且具有较好的电流控制特性。

可控硅RC吸收电路广泛应用于电力电子领域，用于保护其他电路元件、交流电机控制、电力系统过电流保护以及电力变换器等方面。

通过对可控硅RC吸收电路的研究和应用，可以提高电力系统的稳定性和可靠性，实现对电流的精确控制。

可控硅阻容触发电路适用于中容量可控硅的触发可控硅阻容触发电路是一种常用于控制可控硅工作状态的电路。

它由一个电阻和一个电容组成，通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，可以实现对可控硅的触发和控制。

本文将对可控硅阻容触发电路的原理、应用和设计进行详细介绍。

可控硅是一种具有单向导通特性的半导体器件，其工作状态是通过控制它的触发电流而实现的。

可控硅有多种触发方式，其中常用的有门极触发、负极触发和阻容触发。

相比较其他触发方式，阻容触发电路具有简单、稳定、成本低等优点，因此在中容量可控硅的触发中被广泛应用。

可控硅阻容触发电路的原理相对简单。

当一个可控硅与电源正极相连时，需要通过触发电流来使可控硅导通。

而阻容触发电路则通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，来实现触发电流的控制。

阻容触发电路的基本原理如下：当触发电路中的电容电压低于可控硅的触发电压时，电路处于触发状态；当电容电压高于可控硅的触发电压时，电路处于停止触发状态。

具体来说，阻容触发电路通过调整电阻和电容的数值和连接方式，使电容电压在可控硅所需触发电压附近波动。

具体设计可控硅阻容触发电路时，需要考虑以下几个方面：1.电阻和电容的选择：根据可控硅的规格和参数选择合适的电阻和电容。

电阻和电容的数值决定了电容电压波动的速度和幅度，需根据实际需求进行选择。

2.连接方式：电阻和电容可以采用串联或并联的方式连接，不同的连接方式会影响电路的工作特性。

串联连接可以提高电路的稳定性和减小电容电压波动幅度，而并联连接则有助于提高电路的触发速度。

3.触发电压的控制：通过改变电阻和电容的数值和连接方式，可以实现对触发电压的控制。

通过调整电路中的电阻和电容的数值，可以使电容电压在可控硅所需的触发电压附近波动，从而实现可控硅的触发。

可控硅阻容触发电路在实际应用中有广泛的用途。

其中，常见的应用包括电力电子变换器、交流调压、直流调压、电力系统谐波治理等。

在这些应用中，可控硅阻容触发电路可以实现对可控硅的触发和控制，从而实现对电力电子器件的工作状态的控制和调节。

阻容吸收原理[工程技术]1个回答686次浏览北京过客2009-6-19 16:51:27 222.35.64.* 举报阻容吸收原理回答登录并发表回答取消在谷歌搜索阻容吸收原理回答按时间排序按投票数排序jiongwang2009-6-19 16:51:58 221.2.147.* 举报为防止系统内部瞬间过电压冲击（主要为断路器、接触器开断产生的操作过电压）对重要电气设备的损伤，通行的做法是在靠近断路器或接触器位置安装氧化锌避雷器（MOA）或阻容吸收器进行冲击保护。

比较两类产品性能上的优点，氧化锌产品的优点主要在能量吸收能力强，可以用于防雷电等大电流冲击；阻容吸收器的优点主要在于起始工作电压低，可有效吸收小电流冲击对设备的影响。

由于传统避雷器或阻容吸收器是单极式，一端接母排一端接地，虽可以有效吸收相对地过电压，但起不到相间过电压的保护作用。

故近年来推广三相组合式过电压吸收器，将上述两类产品做成通过中性点再接地形式，以起到相间保护作用。

（见附图）10年来三相组合式过电压吸收器的推广实践显示，以非线性氧化锌电阻片元件为主的组合式产品整体事故率较低，事故主要在于个别厂家的个别批次产品生产工艺上的失误。

严格执行相关标准的产品均能安全使用多年。

相反，以薄膜电容元件为主的组合式阻容吸收器事故率较高，原因不明的电容器损坏事故时有发生。

因此自2002年以后，主要的组合式阻容吸收器生产厂家均在其产品电容上串联间隙或其它元件将电容器从正常系统中隔离，以防止继续出现电容烧毁事故。

对于此类问题，目前通行的解释是：由于电容器为频敏元件，对系统高频谐波敏感性高。

一旦系统谐波比较严重，就将使电容频繁处于工作状态，无法有效散发能量，积累导致最终烧毁。

这也是后来普遍装设间隙或其它隔离元件的理论依据。

但是，据此理论做出的组合式阻容吸收器，由于存在隔离装置，使小电流区域阻容吸收器较氧化锌型产品的性能优势有所降低；而在大电流区域阻容吸收器较氧化锌型产品又有先天上的不足。

晶闸管可控硅两端并联电阻和电容的作用
一、晶闸管
晶闸管（Thyristor）是一种三极电子开关，又称电子开关、可控硅（SCR）或可控整流器（ACR），它是由四种半导体材料：N型、P型硅片（半晶体）以及PN结夹挟层所组成。

在正常的工作电压下，晶闸管处于
关断状态，只有当其贴入一个适当的控制信号（比如电流或电压）后，晶
闸管才能变成导通状态，从而使回路导通。

二、可控硅
可控硅一般指多个PN结构的晶体管组成，以实现可控电压和可控电
流的功能。

它的特点是功耗低，速度快，耐压大。

目前常用的可控硅有双
结晶闸管、可控整流管、可控桥式整流管、可控双极管、可控多结晶闸管、可控晶振等。

它们均具有高耐压、高热稳定性、高效率、低功耗、高动态
响应速度等优点。

1、电阻：可控硅的两端连接一个并联电阻，是为了限定电流，若不
设置，当电流过大时，电压会升高，电流会变大，从而可能造成晶闸管烧毁；
2、电容：电容主要是用来补偿可控硅负载电流的波形，把负载电流
变成稳定的直流电流，并且电容能够改善其瞬态响应特性。

可控硅阳极电阻和电容可控硅（SCR）是一种半导体器件，广泛应用于电力电子领域。

在电路中，可控硅的阳极电阻和电容起着重要的作用。

本文将介绍可控硅阳极电阻和电容的定义、作用以及相关应用。

我们来了解一下可控硅的基本结构和工作原理。

可控硅由四个半导体层（P-N-P-N）组成，其中P层为阳极，N层为阴极。

当施加正向电压时，可控硅会进入导通状态，电流可以通过。

而当施加反向电压时，可控硅处于阻断状态，电流无法通过。

可控硅的阳极电阻是指在导通状态下，阳极与阴极之间存在的电阻。

阳极电阻决定了可控硅导通时的电流大小，具有重要的控制作用。

通常情况下，阳极电阻是可控硅的固有电阻，其数值较小，可以忽略不计。

但在某些特定应用中，为了实现精确的电流控制，可以通过外部电阻来调节阳极电阻的大小。

阳极电容是指在导通状态下，阳极与阴极之间存在的电容。

阳极电容是可控硅的固有电容，其数值较小，通常在几十皮法拉到几百皮法拉之间。

阳极电容决定了可控硅导通时的响应速度和频率特性。

较大的阳极电容可以使可控硅具有较低的导通电阻，从而实现高频率的开关操作。

可控硅阳极电阻和电容在电力电子领域中有着广泛的应用。

首先，它们常被用于交流调压电路中，通过控制可控硅的导通角度，可以实现对交流电的调制，从而实现对输出电压的调节。

其次，它们还常被用于直流电源电路中，通过可控硅的开关操作，可以实现对直流电的开关控制，从而实现对负载的精确控制。

可控硅阳极电阻和电容还广泛应用于电机驱动器、电力变换器、电焊设备等领域。

在这些应用中，可控硅的导通和关断控制，需要根据负载的要求进行精确调节，以实现高效能的电能转换。

总结起来，可控硅阳极电阻和电容是可控硅的两个重要参数，它们在电路中起着关键的作用。

阳极电阻决定了可控硅导通时的电流大小，阳极电容决定了可控硅导通时的响应速度和频率特性。

通过对阳极电阻和电容的合理设计和控制，可以实现对可控硅的精确控制，从而满足不同应用中的需求。

可控硅的广泛应用使得电力电子技术得到了快速发展，为各个领域的电子设备提供了强大的支持。

晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择TPMK standardization office【 TPMK5AB- TPMK08- TPMK2C- TPMK18】一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。

我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。

它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。

若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。

即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。

因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。

在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。

当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。

如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。

因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。

同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。

由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。

RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

可控硅并联‎阻容吸收电‎路的选型与‎计算为什么要在‎晶闸管两端‎并联阻容网‎络一、在实际晶闸‎管电路中，常在其两端‎并联RC串‎联网络，该网络常称‎为RC阻容‎吸收电路。

我们知道，晶闸管有一‎个重要特性‎参数－断态电压临‎界上升率d‎l v/dlt。

它表明晶闸‎管在额定结‎温和门极断‎路条件下，使晶闸管从‎断态转入通‎态的最低电‎压上升率。

若电压上升‎率过大，超过了晶闸‎管的电压上‎升率的值，则会在无门‎极信号的情‎况下开通。

即使此时加‎于晶闸管的‎正向电压低‎于其阳极峰‎值电压，也可能发生‎这种情况。

因为晶闸管‎可以看作是‎由三个PN‎结组成。

在晶闸管处‎于阻断状态‎下，因各层相距‎很近，其J2结结‎面相当于一‎个电容C0‎。

当晶闸管阳‎极电压变化‎时，便会有充电‎电流流过电‎容C0，并通过J3‎结，这个电流起‎了门极触发‎电流作用。

如果晶闸管‎在关断时，阳极电压上‎升速度太快‎，则C0的充‎电电流越大‎，就有可能造‎成门极在没‎有触发信号‎的情况下，晶闸管误导‎通现象，即常说的硬‎开通，这是不允许‎的。

因此，对加到晶闸‎管上的阳极‎电压上升率‎应有一定的‎限制。

为了限制电‎路电压上升‎率过大，确保晶闸管‎安全运行，常在晶闸管‎两端并联R‎C阻容吸收‎网络，利用电容两‎端电压不能‎突变的特性‎来限制电压‎上升率。

因为电路总‎是存在电感‎的(变压器漏感‎或负载电感‎)，所以与电容‎C串联电阻‎R可起阻尼‎作用，它可以防止‎R、L、C电路在过‎渡过程中，因振荡在电‎容器两端出‎现的过电压‎损坏晶闸管‎。

同时，避免电容器‎通过晶闸管‎放电电流过‎大，造成过电流‎而损坏晶闸‎管。

由于晶闸管‎过流过压能‎力很差，如果不采取‎可靠的保护‎措施是不能‎正常工作的‎。

RC阻容吸‎收网络就是‎常用的保护‎方法之一。

二、整流晶闸管‎(可控硅)阻容吸收元‎件的选择电容的选择‎C=(2.5-5)×10的负8‎次方×IfIf=0.367Id‎Id-直流电流值‎如果整流侧‎采用500‎A的晶闸管‎(可控硅)可以计算C‎=(2.5-5)×10的负8‎次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择‎：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧‎PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负1‎2次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的‎有效值阻容吸收回‎路在实际应‎用中，RC的时间‎常数一般情‎况下取1~10毫秒。

可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算可控硅并联阻容吸收电路是一种常见的电路配置，用于保护电路中的电子元件免受过电压的影响。

它通过并联的方式将可控硅、电阻和电容器连接在一起，以吸收过电压或过电流，从而保护其他元件的安全运行。

本文将介绍可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算方法。

在选择可控硅并联阻容吸收电路时，首先需要确定所要保护的电路的额定电压和额定电流。

根据额定电压和电流的大小，可以选择合适的可控硅、电阻和电容器。

可控硅是可控硅并联阻容吸收电路的核心元件之一，其主要作用是在过电压或过电流时将电路连接到地。

可控硅的选择应考虑其额定电压和额定电流。

额定电压应大于或等于被保护电路的额定电压，额定电流应大于或等于被保护电路的额定电流。

此外，还应考虑可控硅的触发电压和触发电流，以确保可控硅在需要时能够正常工作。

电阻是可控硅并联阻容吸收电路中的另一个重要元件，其作用是限制电路中的电流。

电阻的选择应根据被保护电路的额定电流和可控硅的额定电流来确定。

电阻的阻值应能够满足电路中的电流要求，同时还要考虑电阻的功率耗散能力，以避免过载损坏。

电容器是可控硅并联阻容吸收电路中的第三个元件，其作用是吸收过电压。

电容器的选择应根据被保护电路的额定电压和可控硅的额定电压来确定。

电容器的容值应足够大，以保证在过电压时能够吸收足够的能量。

此外，还需要考虑电容器的耐压能力和频率特性，以确保其在工作过程中的稳定性和可靠性。

在进行可控硅并联阻容吸收电路的计算时，需要考虑电路中的电压和电流。

首先，根据被保护电路的额定电压和额定电流，计算出可控硅的额定电流和额定功率。

然后，根据电阻的阻值和可控硅的额定电流，计算出电阻的功率耗散能力。

最后，根据被保护电路的额定电压和可控硅的额定电压，选择合适的电容器容值。

除了选型和计算，还需要注意可控硅并联阻容吸收电路的安装和使用。

安装时应确保电路连接正确，并采取防护措施，以防止电路中的高压和高温对人身安全造成伤害。

感性、容性和阻性电阻.txt恨一个人和爱一个人的区别是：一个放在嘴边，一个藏在心里。

人生三愿：一是吃得下饭，二是睡得着觉，三是笑得出来。

容性负载电路中类似电容的负载，可以使电流超前电压提高电路功率因数一般把负载带电容参数的负载，即符合电压滞后电流特性的负载成为容性负载。

充放电时，电压不能突变。

其对应的功率因数为负值。

对应的感性负载的功率因数为正值。

在高频领域,是指负载虚部为负值的负载. 容性负载：和电源相比，负载电流超前负载电压一个相位差，此时负载为容性负载（如补偿电容负载）。

电路中类似电容的负载，可以使电流超前电压降低电路功率因数。

电路中类似电容的负载，可以使负载电流超前负载电压一个相位差（和电源相比），降低电路功率因数。

一般电源控制类产品，所给出的负载，如未加说明则是给出的是视在功率；即总容量功率；它既包括有功功率，也包括无功功率；而一般感性负载说明中给出的往往是有功功率的大小，例如荧光灯，标注为15~40瓦的荧光灯，镇流器消耗功率约为8瓦，实际在考虑用定时器，感应开关在控制它时，则要加上这8瓦；具体不同的产品感性部分，即无功功率的大小，可以通过其给出的功率因数来计算。

混联电路中容抗比感抗大,电路呈容性反之为感性。

通常的用电器中并没有纯感性负载和纯容性负载。

因为这两种负载不做有用功。

只有在补偿电路中才使用纯感性负载或纯容性负载。

又因为绝大多数负载除阻性外，多数为感性负载，因此补偿的时候多数就用电容来补偿，所以，纯容性负载用得比纯感性负载多。

如电动机，变压器等等，通常为感性负载。

部分日光灯为容性负载。

举例：纯感性负载就是一组电感。

通常用来补偿电路中的容性电流。

在电路中带线圈的用电设备，其线圈部分即为纯感性负载。

如电动机、变压器、电风扇、日光灯镇流器等。

纯感性负载的电流是不能突变。

感性负载应用广泛。

在电路中带电容的用电设备，其电容部分即为纯容性负载。

如补偿电容等。

纯感性负载的电流是不能突变。

从理论上讲：纯电阻电路、纯电容电路、纯电感电路是不存在的。