数字电子技术基础第8章可编程逻辑器件[1]
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第8章 可编程逻辑器件一、选择题1.(多选)关于PROM和PAL的结构,以下叙述正确的是()。
A.PROM的与阵列固定,不可编程B.PROM与阵列、或阵列均不可编程C.PAL与阵列、或阵列均可编程D.PAL的与阵列可编程【答案】AD【解析】PROM由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。
其中与阵列是固定的,不可编程,初始时所有存储单元中都存入了1,可通过将所需内容自行写入PROM而得到要求的ROM,PROM的内容一经写入以后(改变的是或阵列),不能修改。
PAL器件由可编程的与逻辑阵列、固定的或逻辑阵列和输出电路三部分组成。
二、填空题1.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对______行编程设定其______的工作模式来实现的,而且由于采用了______的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。
【答案】机构控制字;输出逻辑宏单元;E2CMOS2.PAL是______可编程,EPROM是______可编程。
【答案】与阵列;或阵列3.GAL 是______可编程,GAL 中的OLMC 称______【答案】与阵列;输出逻辑宏单元4.在图8-1所示的可编程阵列逻辑(PAL )电路中,Y 1=______,Y 3=______。
图8-1【答案】;123234134124I I I I I I I I I I I I +++12I I ⊕【解析】×表示连通,在一条线上的×表示与,然后通过或门连接在一起。
三、简答题1.如图8-2所示为PAL16L8的一部分电路,试分析该电路,写出电路在X 控制下的函数F 对应于输入A 、B 、C 的逻辑表达式。
图8-2答:当X=0时,F所在三态门选通;X=1时,三态门关闭。
故该电路的逻辑关系式为:。
2.下面图8-3所示的3个卡诺图代表3个4变量逻辑的逻辑函数。
(1)用PROM实现,画出码点矩阵图;(2)用PLA实现,画出码点矩阵图。
第8章 可编程逻辑器件8.1试分析图8-1的与-或逻辑阵列,写出Y 1、Y 2、Y 3与A 、B 、C 、D 之间的逻辑函数式。
图8-1解:Y 1、Y 2、Y 3与A 、B 、C 、D 之间的逻辑函数式分别为:Y 1=A'+B +C +D'Y 2=AB +A'B'+CD'+C'DY 3=ABCD +A'B'C'D'8.2试分析图8-2的与-或逻辑阵列,写出Y 1、Y 2与A 、B 、C 、D 之间的逻辑关系式。
图8-2解:Y1、Y2与A、B、C、D之间的逻辑关系式分别为:Y1=(AB'+A'B+CD)'当AB=1时,Y2=(CD'+C'D)',否则Y2呈现高阻态。
8.3 试分析图8-3中由PAL16L8构成的逻辑电路,写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D、E之间的逻辑关系式。
图8-3解:Y1、Y2、Y3与A、B、C、D、E之间的逻辑关系式分别为:Y1=(A'B'+A'C'+A'D'+A'E'+B'C'+B'D'+B'E'+C'D'+C'E'+D'E')'Y2=ABCD+ACDE+ABCE+ABDE+BCDEY 3=ABCDE8.4 用PAL16L8产生如下一组组合逻辑函数。
画出与-或逻辑阵列编程后的电路图。
PAL16L8的电路图见图8-3。
解:先将组合逻辑函数化为与-或-非形式。
得到用PAL16L8的实现如图8-4所示。
图8-48.5 试分析图8-5给出的用PAL16R4构成的时序逻辑电路,写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程,画出电路的状态转换图。
工作时,11脚接低电平。
图8-5解:若11脚接低电平,电路正常工作。
第8章存储器与可编程逻辑器件8.1存储器概述自测练习1.存储器中可以保存的最小数据单位是()。
(a)位(b)字节(c)字2.指出下列存储器各有多少个基本存储单元?多少存储单元?多少字?字长多少?(a) 2K×8位()()()()(b) 256×2位()()()()(c) 1M×4位()()()()3.ROM是()存储器。
(a)非易失性(b)易失性(c)读/写(d)以字节组织的4.数据通过()存储在存储器中。
(a)读操作(b)启动操作(c)写操作(d)寻址操作5.RAM给定地址中存储的数据在()情况下会丢失。
(a)电源关闭(b)数据从该地址读出(c)在该地址写入数据(d)答案(a)和(c)6.具有256个地址的存储器有( )地址线。
(a)256条(b)6条(c)8条(d)16条7.可以存储256字节数据的存储容量是( )。
(a)256×1位(b)256×8位(c)1K×4位 (d)2K×1位答案:1.a2.(a)2048×8;2048;2048;8(b)512;256;256;2(c)1024×1024×4;1024×1024;1024×1024;43.a4.c5.d6.c7.b8.2随机存取存储器(RAM)自测练习1.动态存储器(DRAM)存储单元是利用()存储信息的,静态存储器(SRAM)存储单元是利用()存储信息的。
2.为了不丢失信息,DRAM必须定期进行()操作。
3.半导体存储器按读、写功能可分成()和()两大类。
4.RAM电路通常由()、()和()三部分组成。
5.6116RAM有()根地址线,()根数据线,其存储容量为()位。
答案:1.栅极电容,触发器2.刷新3.只读存储器,读/写存储器4.地址译码,存储矩阵,读/写控制电路5.11,8,2K×8位8.3 只读存储器(ROM)自测练习1.ROM可分为()、()、()和()几种类型。