模电01

E GO 为热力学零度时破坏共价键所需的能量， 又称禁带宽度；
K1 是与半导体材料载流子有效质量、有效能 级密度有关的常量。
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1.1.2 杂质半导体
通过扩散工艺，在本征半导体中输掺入少 量适宜的杂质元素，便可得到杂质半导体。按 掺 半 杂入导质可掺温度少浓〔这杂体半由大的质以杂度取子度即将质；导一于增时半认质的决是很少影元控体、掺加机导与为原影本低子响素制的N入，大体掺，子响征，的半的掺导型的从大，杂多 的 很 激 却 浓 导不 入 电半杂 而 增 多浓子 浓 小 发 对 度 体同 杂 性导质 使 多 子度的 度 。 形 温 取 器， 质 能体使 多 。 的且浓 ， 成 度 决 件〔可 元 。多 子 因 浓与度 因 的 非 于 的即形 素子 与 此 度温约 而 ， 常 温 性多成 的的 少 ， 愈度能等 多 尽 敏 度子浓N对数 子 高型无。于 子 管 感〕的度于目 复 ，半关所受其。，浓，杂大合少导〕就体可和控P制型
子的二浓、度P就型愈半低导。体
几个关系：①多子与少子的关系 ②多子与掺杂浓度的关系 ③少子与温度的关系
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NN型 型半半导导体体的中N于 少由型N度由形自自数于型半成 由大 电在 元由载杂半电导于 子纯 素电流质子导体〔洁空 为子子原的体中如的穴 多浓，产子硅磷中，的 数度简生可晶〕空，，称浓 载体，以穴自故少度 流中使的提由称 子，子掺之浓供电空 。故，入取度电子穴称简五代小的子为称自价晶浓， N型半导体N中故型多的由称半子正格于之导。杂离中为质子体硅原施原主子主子要的原的最靠位子外自置层〔由有，或电5就个施子形价主成电 NN型 型半半导导体体导子中中杂电〔的的子共的质，自多 少了，价电杂 少〕数 数所键子N掺由质 电。型以，不载 载原 子入电除还受半流 流子 ，的子了多共导子子在 故杂〕与出价体晶 变周一键质的。格 为围个的越浓硅电束上不多度原 子 缚，能子 。 ，，越且移形 只多多高又动成 需出的缺，

执行 机构
模拟电子技术
电子系统 ——由若干相互联接、相互作用的基本电子 电路组成的、具有特定功能的电路整体
恒温 装置
温度传感 （输入）
信号放大 信号滤波
电 子 系
不失真
模拟小信号电路
统
执行机构 （输出）
非电子物理 系统
功率放大
模拟大信 号电路
数模转换
大功率
数字逻辑 电路
数字电路
模数转换
• 是入门性质的技术基础课,核心课程
由输出回路得
vo AVOvi
RL Ro RL
则电压增益为
AV

vo vi

Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数）
Ro RL
理想情况 Ro 0
1.4 放大电路模型
A. 电压放大模型
根据需求，最适用的电路是最好的。 折中考虑，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路分析中的应用
5. 课后习题充分重视，独立完成 6. 至少有一本参考书 7. 预习和复习
• 打好基础、关注发展、主动更新、注重实践
※康华光. 电子技术基础 -模拟部分. 第5版. 高等教育出版社, 2006 …………………………………………………………………………………….... ※华成英，童诗白. 模拟电子技术基础. 第4版. 高等教育出版社，2006
益不同，产生的失真。
1.5 放大电路的主要性能指标
4. 频率响应
B.频率失真（线性失真）
幅度失真： 对不同频率的信号增
益不同，产生的失真。

一、放大的基本概念
放大的本质: 是实现能量的控制。 放大作用: 是小能量对大能量的控制作用。 放大的对象: 是变化量。 放大电路的核心元件: 是双极型三极管和场效应管。
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二、放大电路的主要技术指标
1.放大倍数
Rs Ii
Io
正弦测 +
试电压 -Us
+
放大 Ro
+
Ui Ri 电路 +
Uo
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4. 输入电阻
放大电路一定要有前级（信号源）为其提供信号， 那么就要从信号源取电流。输入电阻是衡量放大 电路从其前级取电流大小的参数。输入电阻越大， 从其前级取得的电流越小，对前级的影响越小。
US ~
Ii
Ui
Au
Ri
Ui Ii
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2.2.1 共射放大电路的基本放组大元成件iC= iB，
+EC
工作在放大区， 要保证集电结反
偏，发射结正偏。
C1
RC
C2
T
输入 ui
RB EB
uo 输出
参考点
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集电极电源，
为电路提供能
+EC
量。并保证集
电结反偏。
C1
RC
C2
T
RB
EB
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集电极电阻，
+EC 将变化的电流
C1
RC
C2
T
可以省去
RB
EB
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RB C1
+EC
RC
C2
T
单电源供电电路
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2.2.2 简单工作原理

《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。